JPH04147628A - 横型トランジスタ - Google Patents
横型トランジスタInfo
- Publication number
- JPH04147628A JPH04147628A JP2272640A JP27264090A JPH04147628A JP H04147628 A JPH04147628 A JP H04147628A JP 2272640 A JP2272640 A JP 2272640A JP 27264090 A JP27264090 A JP 27264090A JP H04147628 A JPH04147628 A JP H04147628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity diffusion
- collector
- diffusion region
- emitter
- type impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、横型トランジスタに関するものである。
第３図は従来の横型ｐｎｐ ）ランジスタの構造を示す
平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図
である。図中１３はＰ型基板であり、Ｐ型基板工３には
、Ｎ型埋込層１２を一部分してエピタキシャル層】４が
形成されており、このエピタキシャル層１４を取り囲む
範囲はＰ型分離拡散領域４となっている。エピタキシャ
ル層１４内には、ベースを構成するＮ型不純物拡散領域
９と、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域５と、エ
ミッタを構成するＰ型不純物拡散領域７とが形成されて
いる。このＰ型不純物拡散領域５はＰ型不純物拡散領域
７を取り囲むように形成されている。Ｎ型不純物拡散領
域９にはベース電極１が接続され、その接続部分がベー
ス電極用コンタクト部１０となっている。
平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図
である。図中１３はＰ型基板であり、Ｐ型基板工３には
、Ｎ型埋込層１２を一部分してエピタキシャル層】４が
形成されており、このエピタキシャル層１４を取り囲む
範囲はＰ型分離拡散領域４となっている。エピタキシャ
ル層１４内には、ベースを構成するＮ型不純物拡散領域
９と、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域５と、エ
ミッタを構成するＰ型不純物拡散領域７とが形成されて
いる。このＰ型不純物拡散領域５はＰ型不純物拡散領域
７を取り囲むように形成されている。Ｎ型不純物拡散領
域９にはベース電極１が接続され、その接続部分がベー
ス電極用コンタクト部１０となっている。
また、Ｐ型不純物拡散領域５にはコレクタ電極２が接続
され、その接続部分がコレクタ電極用コンタクト部６と
なっている。更に、Ｐ型不純物拡散領域７にはエミッタ
電極３が接続され、その接続部分がエミッタ電極用コン
タクト部８となっている。このようなコンタクト部を除
く表面全域には絶縁用の酸化膜１）が形成されている。
され、その接続部分がコレクタ電極用コンタクト部６と
なっている。更に、Ｐ型不純物拡散領域７にはエミッタ
電極３が接続され、その接続部分がエミッタ電極用コン
タクト部８となっている。このようなコンタクト部を除
く表面全域には絶縁用の酸化膜１）が形成されている。
なお、第３図にあっては酸化膜１）の図示を省略してい
る。
る。
従来の横型トランジスタは以上のように構成されている
ので、トランジスタがオフであってべ−スミ流がゼロの
時に、コレクタ電位がエミッタ電位よりある電圧以上高
くなると、第５図に示すようにエミッタ電極３下方のＰ
型不純物拡散領域５とＰ型不純物拡散領域７との間にチ
ャネル１５が発生する。ここで、コレクタ、エミッタ間
の電圧が高くなるということは、低電位側のエミッタ電
極３と高電位側のエピタキシャル層Ｉ４とが酸化膜１）
を絶縁層としてコンデンサとなるので、エピタキシャル
層１４のＰ型キャリアが表面に吸い寄せられ、このＰ型
キャリアが多数集まるとチャネル１５となってＰ型不純
物拡散領域５からＰ型不純物拡散領域フヘリークし、コ
レクタからエミソタヘリーク電流が流れる。
ので、トランジスタがオフであってべ−スミ流がゼロの
時に、コレクタ電位がエミッタ電位よりある電圧以上高
くなると、第５図に示すようにエミッタ電極３下方のＰ
型不純物拡散領域５とＰ型不純物拡散領域７との間にチ
ャネル１５が発生する。ここで、コレクタ、エミッタ間
の電圧が高くなるということは、低電位側のエミッタ電
極３と高電位側のエピタキシャル層Ｉ４とが酸化膜１）
を絶縁層としてコンデンサとなるので、エピタキシャル
層１４のＰ型キャリアが表面に吸い寄せられ、このＰ型
キャリアが多数集まるとチャネル１５となってＰ型不純
物拡散領域５からＰ型不純物拡散領域フヘリークし、コ
レクタからエミソタヘリーク電流が流れる。
以上のように、従来の横型トランジスタでは、コレクタ
からエミソタヘリークし易いという問題点があった。
からエミソタヘリークし易いという問題点があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、チャ
ネルが発生してもこのようなリーク電流が流れ難い構造
をなす横型トランジスタを提供することを目的とする。
ネルが発生してもこのようなリーク電流が流れ難い構造
をなす横型トランジスタを提供することを目的とする。
本発明に係る横型トランジスタは、コレクタを構成する
不純物拡散領域とエミッタ電極とが重ならないように、
コレクタを構成する不純物拡散領域の一部を欠如しくつ
まり一部は不純物を拡散せず）てこの欠如した領域にエ
ミッタ電極を配する構造としであることを特徴とする。
不純物拡散領域とエミッタ電極とが重ならないように、
コレクタを構成する不純物拡散領域の一部を欠如しくつ
まり一部は不純物を拡散せず）てこの欠如した領域にエ
ミッタ電極を配する構造としであることを特徴とする。
本発明の横型トランジスタにあっては、コレクタを構成
する不純物拡散領域とエミッタを構成する不純物拡散領
域との間にチャネルが発生しても、エミッタ電極の配置
位置にコレクタを構成する不純物拡散領域が存在しない
ので、コレクタからエミッタへのリークは起こらない。
する不純物拡散領域とエミッタを構成する不純物拡散領
域との間にチャネルが発生しても、エミッタ電極の配置
位置にコレクタを構成する不純物拡散領域が存在しない
ので、コレクタからエミッタへのリークは起こらない。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づい′て具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本発明の横型ｐｎｐ ）ランジスタの構造を
示す平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線における断面図
である。図中１３はＰ型基板であり、Ｐ型基板１３には
、Ｎ型埋込層１２を一部分してエピタキシャル層１４が
形成されており、このエピタキシャル層１４を取り囲む
範囲はＰ型分離拡散領域４となっている。エピタキシャ
ル層１４内には、ベースを構成するＮ型不純物拡散領域
９と、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域５と、エ
ミッタを構成するＰ型不純物拡散領域７とが形成されて
いる。
示す平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線における断面図
である。図中１３はＰ型基板であり、Ｐ型基板１３には
、Ｎ型埋込層１２を一部分してエピタキシャル層１４が
形成されており、このエピタキシャル層１４を取り囲む
範囲はＰ型分離拡散領域４となっている。エピタキシャ
ル層１４内には、ベースを構成するＮ型不純物拡散領域
９と、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域５と、エ
ミッタを構成するＰ型不純物拡散領域７とが形成されて
いる。
このＰ型不純物拡散領域５はＰ型不純物拡散領域７を取
り囲むように形成されているが、後述するエミッタ電極
３の下方位置にある一部は欠如されている。
り囲むように形成されているが、後述するエミッタ電極
３の下方位置にある一部は欠如されている。
Ｎ型不純物拡散領域９にはベース電極１が接続され、そ
の接続部分がベース電極用コンタクト部１０となってい
る。また、Ｐ型不純物拡散領域５にはコレクタ電極２が
接続され、その接続部分がコレクタ電極用コンタクト部
６となっている。更に、Ｐ型不純物拡散領域７にはエミ
ッタ電極３が接続され、その接続部分がエミッタ電極用
コンタクト部８となっている。そして、このエミッタ電
極３は、Ｐ型不純物拡散領域５が欠如された領域内の上
方に配されて、外部に引き出されている。このようなコ
ンタクト部を除く表面全域には絶縁用の酸化膜１）が形
成されている。なお、第１図にあってはこの酸化膜１）
の図示を省略している。
の接続部分がベース電極用コンタクト部１０となってい
る。また、Ｐ型不純物拡散領域５にはコレクタ電極２が
接続され、その接続部分がコレクタ電極用コンタクト部
６となっている。更に、Ｐ型不純物拡散領域７にはエミ
ッタ電極３が接続され、その接続部分がエミッタ電極用
コンタクト部８となっている。そして、このエミッタ電
極３は、Ｐ型不純物拡散領域５が欠如された領域内の上
方に配されて、外部に引き出されている。このようなコ
ンタクト部を除く表面全域には絶縁用の酸化膜１）が形
成されている。なお、第１図にあってはこの酸化膜１）
の図示を省略している。
本発明の横型トランジスタでは、従来の横型トランジス
タと比較して、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域
５の一部を欠如し、その欠如した領域内の上方にエミッ
タ電極３を設けることとしているので、このエミッタ電
極３がＰ型不純物拡散領域５を跨がない構造となってい
る。従って、コレクタとエミッタとの間（両Ｐ型不純物
拡散領域５．７間）に第５図に示すようなチャネル１５
が発生した場合においても、コレクタからエミッタにリ
ーク電流は流れない。この結果、チャネル１５が発生し
ても、従来に比べて、逆トランジスタのコレフタルエミ
ッタ耐圧（Ｖｃｔ。）が高い横型トランジスタを得るこ
とができる。なお、横型トランジスタにおいてコレクタ
とエミッタとを逆にしてもトランジスタとして動作する
が、この時のトランジスタを逆トランジスタとする。
タと比較して、コレクタを構成するＰ型不純物拡散領域
５の一部を欠如し、その欠如した領域内の上方にエミッ
タ電極３を設けることとしているので、このエミッタ電
極３がＰ型不純物拡散領域５を跨がない構造となってい
る。従って、コレクタとエミッタとの間（両Ｐ型不純物
拡散領域５．７間）に第５図に示すようなチャネル１５
が発生した場合においても、コレクタからエミッタにリ
ーク電流は流れない。この結果、チャネル１５が発生し
ても、従来に比べて、逆トランジスタのコレフタルエミ
ッタ耐圧（Ｖｃｔ。）が高い横型トランジスタを得るこ
とができる。なお、横型トランジスタにおいてコレクタ
とエミッタとを逆にしてもトランジスタとして動作する
が、この時のトランジスタを逆トランジスタとする。
なお、上述の実施例においてはｐｎｐ型トランジスタを
例として説明したが、ｎｐｎ トランジスタにおいて
も本発明を同様に適用できることは勿論である。
例として説明したが、ｎｐｎ トランジスタにおいて
も本発明を同様に適用できることは勿論である。
以上詳述した如く、本発明の横型トランジスタでは、コ
レクタを構成する不純物拡散顯域と重ならないようにエ
ミッタ電極を配しているので、コレクタとエミッタとの
間にチャネルが発生しても、コレクタからエミッタヘリ
ーク電流が流れず、従来のものに比べて、コレクターエ
ミッタ耐圧が高い横型トランジスタを得ることができる
。
レクタを構成する不純物拡散顯域と重ならないようにエ
ミッタ電極を配しているので、コレクタとエミッタとの
間にチャネルが発生しても、コレクタからエミッタヘリ
ーク電流が流れず、従来のものに比べて、コレクターエ
ミッタ耐圧が高い横型トランジスタを得ることができる
。
第１図は本発明の横型トランジスタの平面図、第２図は
第１図のＩＩ−Ｕ線における断面図、第３図は従来の横
型トランジスタの平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ
線における断面図、第５図は横型トランジスタにリーク
が発生した状態を示す模式的断面図である。 １・・・ベース電極 ２・・・コレクタ電極 ３・・・
エミッタ電極 ５・・・Ｐ型不純物拡散領域（コレクタ
用）７・・・Ｐ型不純物拡散領域（エミッタ用） ９
・・・Ｎ型不純物拡散領域（ベース用） なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
第１図のＩＩ−Ｕ線における断面図、第３図は従来の横
型トランジスタの平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ
線における断面図、第５図は横型トランジスタにリーク
が発生した状態を示す模式的断面図である。 １・・・ベース電極 ２・・・コレクタ電極 ３・・・
エミッタ電極 ５・・・Ｐ型不純物拡散領域（コレクタ
用）７・・・Ｐ型不純物拡散領域（エミッタ用） ９
・・・Ｎ型不純物拡散領域（ベース用） なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）エミッタを構成する不純物拡散領域を取り囲むよ
うに、コレクタを構成する不純物拡散領域が設けられて
いる横型トランジスタにおいて、 前記コレクタを構成する不純物拡散領域に重ならないよ
うにエミッタ電極を配してあることを特徴とする横型ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272640A JPH04147628A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 横型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272640A JPH04147628A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 横型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147628A true JPH04147628A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17516742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2272640A Pending JPH04147628A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 横型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147628A (ja) |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2272640A patent/JPH04147628A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0462270B1 (en) | Method of using a semiconductor device comprising a substrate having a dielectrically isolated semiconductor island | |
| TWI503970B (zh) | 雙載子接面電晶體 | |
| JPH07231000A (ja) | 低雑音ｐｎｐバイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0332216B2 (ja) | ||
| JP2825038B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4175750B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
| JPH04147628A (ja) | 横型トランジスタ | |
| JPH055373B2 (ja) | ||
| JPH0715134Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS601843A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04262569A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04306838A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6364058B2 (ja) | ||
| JPS63244876A (ja) | 相補型ｍｉｓ半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59152666A (ja) | 横形トランジスタ | |
| JPS60249363A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02260538A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01184872A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04152573A (ja) | アノードショート伝導度変調型ｍｉｓｆｅｔを備えた半導体装置 | |
| JPH088262B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01211973A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02192124A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| JPH0291949A (ja) | トランジスタ | |
| JPS61294852A (ja) | 集積回路 | |
| JPH02220445A (ja) | 半導体装置 |