JPH04215205A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH04215205A JPH04215205A JP2324874A JP32487490A JPH04215205A JP H04215205 A JPH04215205 A JP H04215205A JP 2324874 A JP2324874 A JP 2324874A JP 32487490 A JP32487490 A JP 32487490A JP H04215205 A JPH04215205 A JP H04215205A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、鉛系の誘電体磁器組成物及びその製造方法に
関し、さらに詳しくは、高誘電率かつ焼成温度の低い鉛
系の誘電体磁器組成物及びその製造方法に関する。
関し、さらに詳しくは、高誘電率かつ焼成温度の低い鉛
系の誘電体磁器組成物及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、鉛系の誘電体磁器組成物として、例えば特開昭６
２−２９００１０号、特開昭６２−３１９０７号及び特
開昭６１−１５５２４５号の各公報に開示されているも
のがあつた。
２−２９００１０号、特開昭６２−３１９０７号及び特
開昭６１−１５５２４５号の各公報に開示されているも
のがあつた。
特開昭６２−２９００１０号公報には、Ｐｂ（Ｎｉ１／
■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／３）Ｏ
３及びＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■の３成分を主
成分とし、副成分としてＰｂＴｉＯ２、Ａ（Ｍｎ１／２
Ｎｂ１／２）Ｏ■（但し、ＡはＰｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ
より選ばれた一種以上の元素）及びＢ（Ｍｇ１／２Ｗ１
／２）Ｏ■（但し、ＢはＰｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａより選
ばれた一種以上の元素）で表わされる組成物を含有する
誘電体磁器組成物が開示されている。
■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／３）Ｏ
３及びＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■の３成分を主
成分とし、副成分としてＰｂＴｉＯ２、Ａ（Ｍｎ１／２
Ｎｂ１／２）Ｏ■（但し、ＡはＰｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ
より選ばれた一種以上の元素）及びＢ（Ｍｇ１／２Ｗ１
／２）Ｏ■（但し、ＢはＰｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａより選
ばれた一種以上の元素）で表わされる組成物を含有する
誘電体磁器組成物が開示されている。
一方、特開昭６２−３１９０７号公報には、Ｐｂ（Ｍｇ
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■−Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／２
）Ｏ■−ＰｂＴｉＯ３の 固溶体を主成分とし、副成分として、ＭｇＯ及びＡ（Ｃ
ｕ１／■Ｗ１／■）Ｏ■（ただし、ＡはＰｂ、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａより選ばれる一種以上の元素）で表わされる組
成物を含有する誘電体磁器組成物が開示されている。
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■−Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／２
）Ｏ■−ＰｂＴｉＯ３の 固溶体を主成分とし、副成分として、ＭｇＯ及びＡ（Ｃ
ｕ１／■Ｗ１／■）Ｏ■（ただし、ＡはＰｂ、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａより選ばれる一種以上の元素）で表わされる組
成物を含有する誘電体磁器組成物が開示されている。
更に、特開昭６１−１５５２４５号公報には、一般式ｘ
Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■−ｙＰｂ（Ｍｇ１／
■Ｎｂ１／■）Ｏ■− ｚＰｂＴｉＯ■で表わされる組成物中のＰｂの一部をＢ
ａ及びＳｒの少なくとも一種で置換した誘電体磁器組成
物が開示されている。
Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■−ｙＰｂ（Ｍｇ１／
■Ｎｂ１／■）Ｏ■− ｚＰｂＴｉＯ■で表わされる組成物中のＰｂの一部をＢ
ａ及びＳｒの少なくとも一種で置換した誘電体磁器組成
物が開示されている。
ところで、近年、電子回路の高密度化に伴ない、磁器コ
ンデンサの小型化が求められているが、そのためには磁
器コンデンサを構成する誘電体磁器組成物の比誘電率が
十分大きいことが必要であり、具体的には比誘電率をが
１０，０００以上あることが望ましく、誘電体磁器組成
物の絶縁抵抗も高いものが求められている。
ンデンサの小型化が求められているが、そのためには磁
器コンデンサを構成する誘電体磁器組成物の比誘電率が
十分大きいことが必要であり、具体的には比誘電率をが
１０，０００以上あることが望ましく、誘電体磁器組成
物の絶縁抵抗も高いものが求められている。
また、磁器コンデンサの製造工程においては誘電体磁器
組成物の焼成がなされるが、上記のようなＰｂを含む鉛
系の誘電体磁器組成物では、焼成温度が高いと焼成中に
ＰｂＯが蒸発し、その蒸発量が多くなると磁器コンデン
サの物性値にバラツキを生じるおそれがある。
組成物の焼成がなされるが、上記のようなＰｂを含む鉛
系の誘電体磁器組成物では、焼成温度が高いと焼成中に
ＰｂＯが蒸発し、その蒸発量が多くなると磁器コンデン
サの物性値にバラツキを生じるおそれがある。
また、ＰｂＯの空気中への拡散を防ぐために過大な設備
が必要となる。更に、高価なＰｄを固溶させた内部電極
を用いる必要も生じてくる。
が必要となる。更に、高価なＰｄを固溶させた内部電極
を用いる必要も生じてくる。
従つて、誘電体磁器組成物の焼成温度はできるだけ低い
方が望ましく、具体的には８５０℃以下が望ましい。
方が望ましく、具体的には８５０℃以下が望ましい。
更に、磁器コンデンサの信頼性の観点からは静電容量の
温度変化率は十分小さいことが好ましい。
温度変化率は十分小さいことが好ましい。
しかしながら、前述のような従来の鉛系の誘電体磁器組
成物は上記の要求を全て満たすものではなかった。
成物は上記の要求を全て満たすものではなかった。
すなわち、特開昭６２−２９００１０号公報に開示され
ている鉛系の誘電体磁器組成物は、誘電率εが６０００
〜９３２０と低いうえに、製造時の焼成温度が９００〜
１０００℃と高いものであった。
ている鉛系の誘電体磁器組成物は、誘電率εが６０００
〜９３２０と低いうえに、製造時の焼成温度が９００〜
１０００℃と高いものであった。
また、特開昭６２−３１９０７号公報に開示されている
鉛系の誘電体磁器組成物は、製造時の焼成温度が１０３
０〜１１５０℃と高いものであった。
鉛系の誘電体磁器組成物は、製造時の焼成温度が１０３
０〜１１５０℃と高いものであった。
更に特開昭６１−１５５２４５号９１に開示されている
鉛系の誘電体磁器組成物も、製造時の焼成温度が９８０
〜１０８０℃と高いものであった。
鉛系の誘電体磁器組成物も、製造時の焼成温度が９８０
〜１０８０℃と高いものであった。
そこで、本発明の目的は、製造時の焼成温度が比較的低
く、比誘電率が十分高く、抵抗率が高く、さらに静電容
量の温度変化率が十分小さい誘電体磁器組成物及びその
製造方法を提供することにある。
く、比誘電率が十分高く、抵抗率が高く、さらに静電容
量の温度変化率が十分小さい誘電体磁器組成物及びその
製造方法を提供することにある。
具体的には、８５０℃以下の温度で焼成することが可能
であり、且つ１０，０００以上の誘電率εを有し、且つ
２５℃における抵抗率ｐ２５が１０１１Ωｃｍ以上、１
５０℃における抵抗率ρ１５０が１０■Ωｃｍ以上、ｔ
ａｎδが４％以下、静電容量の温度変化率△ｃがＪＩＳ
規格のＥ特性を満足する誘電体磁器組成物及びその製造
方法を提供することにある。
であり、且つ１０，０００以上の誘電率εを有し、且つ
２５℃における抵抗率ｐ２５が１０１１Ωｃｍ以上、１
５０℃における抵抗率ρ１５０が１０■Ωｃｍ以上、ｔ
ａｎδが４％以下、静電容量の温度変化率△ｃがＪＩＳ
規格のＥ特性を満足する誘電体磁器組成物及びその製造
方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前記目的を達成すべく、一般式［Ｐｂ（Ｍｇ
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■
／■）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、 これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／■−Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■
Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ２の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２．０モル％のＰ
ｂ（Ｍｇ１／■Ｗ１／■）Ｏ■、０．３５〜３．１７モ
ル％のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ
３Ｏ４の各成分からなる副成分とを含有し、 更に、上記主成分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及び
Ｃａの３元素の中から選択した一種又は二種以上の元素
によって、１．０〜５．７原子％の割合で置換して誘電
体磁器組成物を構成したものである。
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■
／■）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、 これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／■−Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■
Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ２の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２．０モル％のＰ
ｂ（Ｍｇ１／■Ｗ１／■）Ｏ■、０．３５〜３．１７モ
ル％のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ
３Ｏ４の各成分からなる副成分とを含有し、 更に、上記主成分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及び
Ｃａの３元素の中から選択した一種又は二種以上の元素
によって、１．０〜５．７原子％の割合で置換して誘電
体磁器組成物を構成したものである。
また、上記誘電体磁器組成物の製造方法は、一般式
［Ｐｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［Ｐｂ（Ｚｎ
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、 これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／■−Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■
Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ■の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２モル％のＰｂ（
Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ２、０．３５〜３．１７モル％
のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ２Ｏ
４の各成分からなる副成分とを配合し、更に、上記主成
分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及びＣａの３元素の
中から選択した一種又は二種以上の元素によって、１．
０〜５．７原子％の割合で置換されるように配合した後
、焼成することにより誘電体磁器組成物を製造するよう
にしたものである。
１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、 これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／■−Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■
Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ■の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２モル％のＰｂ（
Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ２、０．３５〜３．１７モル％
のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ２Ｏ
４の各成分からなる副成分とを配合し、更に、上記主成
分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及びＣａの３元素の
中から選択した一種又は二種以上の元素によって、１．
０〜５．７原子％の割合で置換されるように配合した後
、焼成することにより誘電体磁器組成物を製造するよう
にしたものである。
上記構成の誘電体磁器組成物は、比誘電率が１０，００
０以上と十分高く、８５０℃以下の低温で焼成しても十
分緻密な組成物を得ることが可能であり、かつ、２５℃
における抵抗率ρ２５が１０１１Ωｃｍ以上、１５０℃
における抵抗率ρ１５０が１０■Ωｃｍ以上、ｔａｎδ
が４％以下、さらに静電容量の温度変化率△ＣもＪＩＳ
規格のＥ特性を満足する程度に十分小さいものである。
０以上と十分高く、８５０℃以下の低温で焼成しても十
分緻密な組成物を得ることが可能であり、かつ、２５℃
における抵抗率ρ２５が１０１１Ωｃｍ以上、１５０℃
における抵抗率ρ１５０が１０■Ωｃｍ以上、ｔａｎδ
が４％以下、さらに静電容量の温度変化率△ＣもＪＩＳ
規格のＥ特性を満足する程度に十分小さいものである。
次に、各成分比の限定理由について説明する。
まず、誘電体磁器組成物の生成分であるＰｂ（Ｍｇ１／
■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ
■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ
２の各酸化物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし
、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモ
ル比の相関を示す立体成分図において、前記各点Ａ〜Ｈ
を頂点とする多面体の領域内にある必要性は、以下の理
由からくるものである。
■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ
■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ
２の各酸化物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし
、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモ
ル比の相関を示す立体成分図において、前記各点Ａ〜Ｈ
を頂点とする多面体の領域内にある必要性は、以下の理
由からくるものである。
まず、ＰｂＴｉＯ２についてみると、平面ＥＦＧＨより
もＰｂＴｉＯ２の少ない領域、すなわち１０．０モル％
未満の領域では、誘電体磁器組成物の静電容量の温度変
化率△Ｃが大きくなり、本発明の目的を満たさないから
である。
もＰｂＴｉＯ２の少ない領域、すなわち１０．０モル％
未満の領域では、誘電体磁器組成物の静電容量の温度変
化率△Ｃが大きくなり、本発明の目的を満たさないから
である。
一方、平面ＡＤＣＢよりもＰｂＴｉＯ２の多い領域、す
なわち２０．０モル％より多い領域については、裏付け
るべきデータがないので、本出願においては上記限定を
行った。従って、上記上限を越える場合に本発明の目的
を満たさないことを示すものではない。
なわち２０．０モル％より多い領域については、裏付け
るべきデータがないので、本出願においては上記限定を
行った。従って、上記上限を越える場合に本発明の目的
を満たさないことを示すものではない。
次に、平面ＡＦＥＤよりもＰｂ（Ｎｉ１／２Ｎｂ２／２
）Ｏ２の少ない領域では、静電容量の温度変化率△Ｃが
大きくなり、本発明の目的を満たさないからである。
）Ｏ２の少ない領域では、静電容量の温度変化率△Ｃが
大きくなり、本発明の目的を満たさないからである。
一方、平面ＢＣＨＧよりもＰｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■
）Ｏ■の多い領域では、静電容量の温度変化率が大きく
なつたり、焼成温度を高くしなければ緻密な誘電体磁器
組成物が得られず、本発明の目的を満たさないからであ
る。
）Ｏ■の多い領域では、静電容量の温度変化率が大きく
なつたり、焼成温度を高くしなければ緻密な誘電体磁器
組成物が得られず、本発明の目的を満たさないからであ
る。
次に、平面ＡＢＧＦよりもＰｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■
）Ｏ■の少ない領域では、静電容量の温度変化率が大き
くなり、本発明の目的を満たさないからである。
）Ｏ■の少ない領域では、静電容量の温度変化率が大き
くなり、本発明の目的を満たさないからである。
一方、平面ＣＤＥＨよりもＰｂ（Ｚｎ１／■Ｎｂ■／■
）Ｏ■の多い領域では、比誘電率εが低下したり、緻密
な焼結体を得ることができなくなり、本発明の目的を満
たさないからである。
）Ｏ■の多い領域では、比誘電率εが低下したり、緻密
な焼結体を得ることができなくなり、本発明の目的を満
たさないからである。
次に、Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ■の添加量につい
ては、２．０〜１２．０モル％の範囲では所望の特性が
得られるが、２．０モル％未満及び１２．０モル％を越
えた範囲では比誘電率ε■が低下したり、静電容量の温
度変化率△Ｃが増大し、本発明の目的を満たさないから
である。
ては、２．０〜１２．０モル％の範囲では所望の特性が
得られるが、２．０モル％未満及び１２．０モル％を越
えた範囲では比誘電率ε■が低下したり、静電容量の温
度変化率△Ｃが増大し、本発明の目的を満たさないから
である。
次に、ＭｇＯの添加量については、０．３５〜３．１７
モル％の範囲では所望の特性が得られるが、０．３５モ
ル％未満の範囲では比誘電率ε■が１０，０００未満と
なり、３．１７モル％を超えた範囲では焼成温度を高く
しなければ緻密な焼結体が得られず、本発明の目的を満
たさないからである。
モル％の範囲では所望の特性が得られるが、０．３５モ
ル％未満の範囲では比誘電率ε■が１０，０００未満と
なり、３．１７モル％を超えた範囲では焼成温度を高く
しなければ緻密な焼結体が得られず、本発明の目的を満
たさないからである。
次に、Ｐｂ３Ｏ４の添加量については、０．３３７〜１
．６３８モル％の範囲では所望の特性が得られるが、０
．３３７モル％未満の範囲では緻密な焼結体が得られな
くなり、また１．６３８モル％を越えた範囲では比誘電
率ε■が所望の特性よりも悪くなり、本発明の目的を満
たさなくなるからである。
．６３８モル％の範囲では所望の特性が得られるが、０
．３３７モル％未満の範囲では緻密な焼結体が得られな
くなり、また１．６３８モル％を越えた範囲では比誘電
率ε■が所望の特性よりも悪くなり、本発明の目的を満
たさなくなるからである。
次に、Ｐｂ元素の置換量については、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
の置換量を１．０〜５．７原子％の範囲では所望の特性
が得られるが、１．０原子％未満の範囲では静電容量の
温度変化率△Ｃが大きくなり、５．７原子％を越えた範
囲では緻密な焼結体が得られなくなり、本発明の目的を
満たさなくなるからである。
の置換量を１．０〜５．７原子％の範囲では所望の特性
が得られるが、１．０原子％未満の範囲では静電容量の
温度変化率△Ｃが大きくなり、５．７原子％を越えた範
囲では緻密な焼結体が得られなくなり、本発明の目的を
満たさなくなるからである。
［実施例］
次に、本発明の実施例について詳細に説明する。
発明者らは、本発明の実施例及び比較例となる試料Ｎｏ
．１〜６３の各誘電体磁気組成物を作製し、各試料の電
気的特性を比較した。
．１〜６３の各誘電体磁気組成物を作製し、各試料の電
気的特性を比較した。
これらの試料は、各成分比率を変更する以外は全く同様
の手順で得られる。
の手順で得られる。
以下、試料Ｎｏ．１を例にとって試料の作製方法につい
て説明する。
て説明する。
試料の作製
試料Ｎｏ．１は、一般式
で表される主成分を１００モル％として、２．２３モル
％のＭｇＯ（副成分）、０．６６モル％のＰｂ３Ｏ４（
副成分）及び８．６モル％のＰｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２
）Ｏ２（副成分）を含有し、また、Ｐｂを１原子％のＣ
ａで置換されているものである。
％のＭｇＯ（副成分）、０．６６モル％のＰｂ３Ｏ４（
副成分）及び８．６モル％のＰｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２
）Ｏ２（副成分）を含有し、また、Ｐｂを１原子％のＣ
ａで置換されているものである。
この組成の成分は、以下の手順で得られる。
まず、ＭｇＯを９．８９ｇ、ＺｎＯを
７．８１ｇ、ＮｉＯを１．７９ｇ、Ｎｂ２Ｏ２を７９．
７４ｇ、ＴｉＯ２を７．９９ｇ、ＣａＣＯ２を１．００
ｇ、ＷＯ２を９．９７ｇをそれぞれ秤量し、これらの原
料をポリエチレン製ポットに入れ、ここにエタノールを
添加し、ＺｒＯ２ボール（１０φ）を用いて湿式混合し
た後、これを８５０〜１０００℃の温度で１〜３時間仮
焼して仮焼物を得る。
７４ｇ、ＴｉＯ２を７．９９ｇ、ＣａＣＯ２を１．００
ｇ、ＷＯ２を９．９７ｇをそれぞれ秤量し、これらの原
料をポリエチレン製ポットに入れ、ここにエタノールを
添加し、ＺｒＯ２ボール（１０φ）を用いて湿式混合し
た後、これを８５０〜１０００℃の温度で１〜３時間仮
焼して仮焼物を得る。
次に、この仮焼物をボールミルで粉砕し、乾燥した後、
この乾燥粉１１７．７５ｇに対してＰｂ２Ｏ４を２３０
．７６ｇ秤量して添加し、混合物をポリエチレン製ポッ
トに入れる。
この乾燥粉１１７．７５ｇに対してＰｂ２Ｏ４を２３０
．７６ｇ秤量して添加し、混合物をポリエチレン製ポッ
トに入れる。
さらに、これにエタノールを添加し、ＺｒＯボールを用
いて湿式混合し、これを６５０〜７５０℃で１〜４時間
仮焼して仮焼物を得る。
いて湿式混合し、これを６５０〜７５０℃で１〜４時間
仮焼して仮焼物を得る。
次に、この仮焼物をボールミルで粉砕し、乾燥した後、
有機バインダーを加えて造粒し、この造粒物を直径９．
８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状に５００ｋｇ／ｃｍ２
の圧力で加圧して成形物を得る。
有機バインダーを加えて造粒し、この造粒物を直径９．
８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状に５００ｋｇ／ｃｍ２
の圧力で加圧して成形物を得る。
次に、この成形物をジルコニアセッター上に載せ、空気
中で８５０℃の温度で焼成し、誘電体磁器組成物の磁器
素体を得る。
中で８５０℃の温度で焼成し、誘電体磁器組成物の磁器
素体を得る。
電気的特性の測定
次に、焼成後の磁器素体の両主面に銀ペーストを塗布し
て焼付け、磁器コンデンサを作り、これを４８時間放置
した。
て焼付け、磁器コンデンサを作り、これを４８時間放置
した。
そして、この磁器コンデンサの２０℃における比誘電率
εｒ、及び誘電体損失ｔａｎδ、２５℃における抵抗率
ρ２５、１５０℃における抵抗率ρ１５０、−２５℃及
び８５℃における静電容量の温度変化率△Ｃの各特性を
測定した。
εｒ、及び誘電体損失ｔａｎδ、２５℃における抵抗率
ρ２５、１５０℃における抵抗率ρ１５０、−２５℃及
び８５℃における静電容量の温度変化率△Ｃの各特性を
測定した。
その結果、それぞれ、
比誘電率εｒ＝１１，２６０、
誘電体損失ｔａｎδ＝１．８９、
２５℃における抵抗率
ρ２５＝７．１×１０１２Ωｃｍ、
１５０℃における抵抗率
ρ１５０＝６．２×１０１１Ωｃｍ、
−２５℃における静電容量の温度変化率△Ｃ−２５＝−
４９．２％、 ８５℃における静電容量の温度変化率 △Ｃ８５＝−５４．３％ となった。
４９．２％、 ８５℃における静電容量の温度変化率 △Ｃ８５＝−５４．３％ となった。
なお、比誘電率εｒ及びｔａｎδは、周波数１ＫＨｚ、
電圧１Ｖ（実効値）の条件で測定した。
電圧１Ｖ（実効値）の条件で測定した。
また、抵抗率ρは、コンデンサに１００Ｖの電圧を３０
秒間印加した後に抵抗値を求め、この値から算出した。
秒間印加した後に抵抗値を求め、この値から算出した。
静電容量の温度変化率△Ｃは、恒温槽の中に試料を入れ
、−２５℃、８５℃の各温度において、周波数１ｋＨｚ
、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定して
求めた。
、−２５℃、８５℃の各温度において、周波数１ｋＨｚ
、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定して
求めた。
試料Ｎｏ．１〜６３について、各成分組成及び諸特性を
第１表（１）〜（３）に示す。
第１表（１）〜（３）に示す。
表において欄外に※印を付した試料は比較例であり、本
発明の実施例であるその他の試料の特性と比較するため
のものである。
発明の実施例であるその他の試料の特性と比較するため
のものである。
ここで、Ｎｏ．１〜１４、Ｎｏ．１５〜２６及びＮｏ．
２７〜４５の試料グループによる実験は、主成分中のＰ
ｂＴｉｏ３のモル比をそれぞれ１０．０モル％、１５．
０モル％及び２０．０モル％に固定して他の諸成分の成
分比を変化させることにより、各成分の適正範囲を明ら
かにしたものである。
２７〜４５の試料グループによる実験は、主成分中のＰ
ｂＴｉｏ３のモル比をそれぞれ１０．０モル％、１５．
０モル％及び２０．０モル％に固定して他の諸成分の成
分比を変化させることにより、各成分の適正範囲を明ら
かにしたものである。
この結果は、それぞれ第２図、第３図及び第４図の各三
角図に示されている。
角図に示されている。
また、Ｎｏ．４６〜５５の試料グループによる実験は、
副成分であるＰｂ３Ｏ４の添加量を０．６６モル％に固
定して他の諸成分の成分比を変化させることにより、各
成分の適正範囲を明らかにしたものである。
副成分であるＰｂ３Ｏ４の添加量を０．６６モル％に固
定して他の諸成分の成分比を変化させることにより、各
成分の適正範囲を明らかにしたものである。
各試料の特性評価
本発明の目的は、比誘電率εｒが十分高く、製造時の焼
成温度が比較的低く、さらに静電容量の温度変化率ΔＣ
がＪＩＳ規格のＥ特性を満足する誘電体磁器組成物及び
その製造方法を提供することにあるが、 ８５０℃以下で焼成が可能であり、 比誘電率εｒ≧１０，０００、 ｔａｎδ≦４％、 ２５℃における抵抗率 ρ２８≧１０１１Ωｃｍ、 １５０℃における抵抗率 ρ１８０≧１０９Ωｃｍ、 ΔＣがＪＩＳ規格のＥ特性を満足する ことを一応の基準として各試料の電気的特性を評価した
。
成温度が比較的低く、さらに静電容量の温度変化率ΔＣ
がＪＩＳ規格のＥ特性を満足する誘電体磁器組成物及び
その製造方法を提供することにあるが、 ８５０℃以下で焼成が可能であり、 比誘電率εｒ≧１０，０００、 ｔａｎδ≦４％、 ２５℃における抵抗率 ρ２８≧１０１１Ωｃｍ、 １５０℃における抵抗率 ρ１８０≧１０９Ωｃｍ、 ΔＣがＪＩＳ規格のＥ特性を満足する ことを一応の基準として各試料の電気的特性を評価した
。
以下、その結果を詳細に説明する。
試料Ｎｏ．５〜９、１４、２１〜２３、２５、３２、３
７、３８、４３、４５、６１〜６３は、いずれも静電容
量の温度変化率ΔＣが大きく、ＪＩＳ規格のＥ特性を満
たしておらず、本発明の目的を満足しない。
７、３８、４３、４５、６１〜６３は、いずれも静電容
量の温度変化率ΔＣが大きく、ＪＩＳ規格のＥ特性を満
たしておらず、本発明の目的を満足しない。
試料Ｎｏ．８〜９、１４、１８、２２、２３、３６〜３
８は、いずれも比誘電率εｒが１０，０００未満であり
、本発明の目的を満足しない。
８は、いずれも比誘電率εｒが１０，０００未満であり
、本発明の目的を満足しない。
試料Ｎｏ．８、９、１４、２２、２３、３７、３８は、
比誘電率εｒ及び静電容量の温度変化率ΔＣのいずれも
期待される値が得られず、本発明の目的を満足しない。
比誘電率εｒ及び静電容量の温度変化率ΔＣのいずれも
期待される値が得られず、本発明の目的を満足しない。
試料Ｎｏ．４２、４６、５２、５６は緻密な焼結体すら
得ることができなかった。
得ることができなかった。
上記以外の試料は良好な電気的特性を有し、いずれも満
足できる結果が得られた。
足できる結果が得られた。
従って、以上の結果を整理すると、以下のような結論が
得られる。
得られる。
Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
及びＰｂＴｉＯ３のモル比の相関を示す立体成分図にお
いては、以下の領域内が電気的特性の良好な誘電体磁器
組成物ということになる。
Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
及びＰｂＴｉＯ３のモル比の相関を示す立体成分図にお
いては、以下の領域内が電気的特性の良好な誘電体磁器
組成物ということになる。
まず、平面ＥＦＧＨよりもＰｂＴｉＯ３の多い領域であ
ることが求められる。これよりＰｂＴｉＯ３の少ない領
域では、試料Ｎｏ．６１〜６３から分かるように、静電
容量の温度変化率ΔＣが悪化する。
ることが求められる。これよりＰｂＴｉＯ３の少ない領
域では、試料Ｎｏ．６１〜６３から分かるように、静電
容量の温度変化率ΔＣが悪化する。
次に、平面ＡＦＥＤよりもＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３の多い領域であることが求められる。これよりＰ
ｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の少ない領域では、試
料Ｎｏ．５〜７、２１、３２から分かるように、静電容
量の温度変化率ΔＣが悪化する。
）Ｏ３の多い領域であることが求められる。これよりＰ
ｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の少ない領域では、試
料Ｎｏ．５〜７、２１、３２から分かるように、静電容
量の温度変化率ΔＣが悪化する。
また、平面ＢＣＨＧよりもＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３の少ない領域であることも求められる。
）Ｏ３の少ない領域であることも求められる。
これよりＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の多い領域
では、Ｎｏ．８、２２、２３、３７から分かるように、
静電容量の温度変化率ΔＣが悪化したり、比誘電率εｒ
が低下したりする。
では、Ｎｏ．８、２２、２３、３７から分かるように、
静電容量の温度変化率ΔＣが悪化したり、比誘電率εｒ
が低下したりする。
次に、平面ＡＢＧＦよりもＰｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３の多い領域であることが求められる。これよりＰ
ｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の少ない領域では、試
料Ｎｏ．３８から分かるように、静電容量の温度変化率
ΔＣが悪化してしまう。
）Ｏ３の多い領域であることが求められる。これよりＰ
ｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の少ない領域では、試
料Ｎｏ．３８から分かるように、静電容量の温度変化率
ΔＣが悪化してしまう。
また、平面ＣＤＥＨよりもＰｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３の少ない領域であることが求められる。これより
Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の多い領域では、Ｎ
ｏ．９、１８、３６から分かるように、比誘電率εｒが
１０，０００未満になる。
）Ｏ３の少ない領域であることが求められる。これより
Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の多い領域では、Ｎ
ｏ．９、１８、３６から分かるように、比誘電率εｒが
１０，０００未満になる。
従つて、主成分を構成するＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂＴｉＯ３の４成分の
モル比は、第１図に示すように、これらの相関を示す立
体成分図において、Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の範囲内
であることが、良好な電気的特性が得られる条件となる
。
）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂＴｉＯ３の４成分の
モル比は、第１図に示すように、これらの相関を示す立
体成分図において、Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の範囲内
であることが、良好な電気的特性が得られる条件となる
。
次に、ＭｇＯの添加量の好ましい範囲は、０．３５〜３
．１７モル％である、ＭｇＯが０．３５モル％未満の場
合は、Ｎｏ．４６、４７に示すように比誘電率εｒが１
０，０００未満となり、ＭｇＯが３．１７モル％を越え
る場合は、Ｎｏ．５２に示すように高い焼成温度が必要
になり、緻密な焼結体が得られなくなる。
．１７モル％である、ＭｇＯが０．３５モル％未満の場
合は、Ｎｏ．４６、４７に示すように比誘電率εｒが１
０，０００未満となり、ＭｇＯが３．１７モル％を越え
る場合は、Ｎｏ．５２に示すように高い焼成温度が必要
になり、緻密な焼結体が得られなくなる。
次に、Ｐｂ３Ｏ４の添加量の好ましい範囲は、０．３３
７〜１．６３８モル％である。
７〜１．６３８モル％である。
Ｐｂ３Ｏ４が０．３３７モル％未満の場合は、Ｎｏ．５
６、５７に示すように緻密な焼結体を得ることができな
いか、比誘電率εｒが１０，０００未満となり、Ｐｂ３
Ｏ４が１．６３８モル％を越えた場合は、Ｎｏ．６０に
示すように、比誘電率εｒが１０，０００未満になる。
６、５７に示すように緻密な焼結体を得ることができな
いか、比誘電率εｒが１０，０００未満となり、Ｐｂ３
Ｏ４が１．６３８モル％を越えた場合は、Ｎｏ．６０に
示すように、比誘電率εｒが１０，０００未満になる。
次に、Ｐｂ元素を置換するＣａ、Ｓｒ、Ｂａの好ましい
量は１．０〜５．４原子％である。
量は１．０〜５．４原子％である。
Ｐｂ元素の置換量が１．０原子％未満の場合は、Ｎｏ．
２５、４３に示すように、静電容量の温度変化率ΔＣが
増大し、Ｐｂ元素の置換量が５．４原子％を越えた場合
は、Ｎｏ．４２に示すように緻密な焼結体が得られなく
なる。
２５、４３に示すように、静電容量の温度変化率ΔＣが
増大し、Ｐｂ元素の置換量が５．４原子％を越えた場合
は、Ｎｏ．４２に示すように緻密な焼結体が得られなく
なる。
次に、Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の好ましい添加
量は２．０〜１２モル％である。
量は２．０〜１２モル％である。
Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が２．０モル
％未満の場合は、Ｎｏ．１４に示すように比誘電率εｒ
が低下したり、静電容量の温度変化率ΔＣが増大し、Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が１２モル％を
越えた場合は、Ｎｏ．４５に示すように、静電容量の温
度変化率ΔＣが増大してしまう。
％未満の場合は、Ｎｏ．１４に示すように比誘電率εｒ
が低下したり、静電容量の温度変化率ΔＣが増大し、Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が１２モル％を
越えた場合は、Ｎｏ．４５に示すように、静電容量の温
度変化率ΔＣが増大してしまう。
［発明の効果］
このように本発明により、比誘電率が十分高く、製造時
において焼成温度が比較的低くて済み、さらに静電容量
の温度変化率が十分小さい誘電体磁器組成物及びその製
造方法を提供することができた。
において焼成温度が比較的低くて済み、さらに静電容量
の温度変化率が十分小さい誘電体磁器組成物及びその製
造方法を提供することができた。
第１図はＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚ
ｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３及びＰｂＴｉＯ３の各酸化物のモル比の相関を
示す立体成分図、第２図はＰｂＴｉＯ３の添加量が１０
．０モル％の場合のＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の３成分の三角図、第３図はＰｂ
ＴｉＯ３の添加量が１５．０モル％の場合のＰｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の３成分
の三角図、第４図はＰｂＴｉＯ３の添加量が２０．０モ
ル％の場合のＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ
（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３の３成分の三角図である。 代理人 弁理士 窪田法明
ｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３及びＰｂＴｉＯ３の各酸化物のモル比の相関を
示す立体成分図、第２図はＰｂＴｉＯ３の添加量が１０
．０モル％の場合のＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の３成分の三角図、第３図はＰｂ
ＴｉＯ３の添加量が１５．０モル％の場合のＰｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３
）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の３成分
の三角図、第４図はＰｂＴｉＯ３の添加量が２０．０モ
ル％の場合のＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ
（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３及びＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３の３成分の三角図である。 代理人 弁理士 窪田法明
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 ［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｎｂ２／２）Ｏ■］■［Ｐｂ（Ｚｎ
１／２Ｎｂ■／■）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｎｂ２／２）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／２Ｎ
ｂ２／２）Ｏ■、Ｐｂ（Ｚｎ１／２−Ｎｂ２／２）Ｏ■
、Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ■
の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２．０モル％のＰ
ｂ（Ｍｇ１■Ｗ１／２）Ｏ■、０．３５〜３．１７モル
％のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ２
Ｏ４の各成分からなる副成分とを含有し、 更に、上記主成分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及び
Ｃａの３元素の中から選択した一種又は二種以上の元素
によって、１．０〜５．７原子％の割合で置換したこと
を特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】一般式 ［Ｐｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［Ｐｂ（Ｚｎ
１／■Ｎｂ２／３）Ｏ■］■− ［Ｐｂ（Ｎｉ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■］■［ＰｂＴｉＯ
■］■で表わされ、 これを構成するＰｂ（Ｍｇ１／■Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／■−Ｎｂ■／■）Ｏ■、Ｐｂ（Ｎｉ１／■
Ｎｂ■／■）Ｏ■及びＰｂＴｉＯ２の各酸化 物のモル比を示すａ、ｂ、ｃ及びｄ（ただし、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１００）が、上記４種の酸化物のモル比の相関
を示す立体成分図において、Ａ（ａ＝６０．８、ｂ＝３
．２、ｃ＝１６．０、ｄ＝２０．０）Ｂ（ａ＝５６．４
１、ｂ＝２．９６、ｃ＝２０．６３、ｄ＝２０．０）Ｃ
（ａ＝３２．０８、ｂ＝１７．０、ｃ＝３０．９２、ｄ
＝２０．０）Ｄ（ａ＝４１．６、ｂ＝２２．４、ｃ＝１
６．０、ｄ＝２０．０）Ｅ（ａ＝５４．０、ｂ＝２８．
８、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｆ（ａ＝７２．９、ｂ
＝９．９、ｃ＝７．２、ｄ＝１０．０）Ｇ（ａ＝７１．
１、ｂ＝９．９、ｃ＝９．０、ｄ＝１０．０）Ｈ（ａ＝
４７．２、ｂ＝２４．８、ｃ＝１８．０、ｄ＝１０．０
）で示される各点Ａ〜Ｈを頂点とする多面体の領域内に
あるような組成の主成分と、 上記主成分の総量に対し、２．０〜１２．０モル％のＰ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ２、０．３５〜３．１７モ
ル％のＭｇＯ及び０．３３７〜１．６３８モル％のＰｂ
３Ｏ４の各成分からなる副成分とを配合し、 更に、上記主成分中のＰｂ元素の一部をＢａ、Ｓｒ及び
Ｃａの３元素の中から選択した一種又は二種以上の元素
によって、１．０〜５．７原子％の割合で置換されるよ
うに配合した後、焼成することを特徴とする誘電体磁器
組成物の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-267844 | 1990-10-04 | ||
| JP26784490 | 1990-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215205A true JPH04215205A (ja) | 1992-08-06 |
| JPH0736287B2 JPH0736287B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=17450413
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324876A Expired - Lifetime JPH0736289B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2324874A Expired - Lifetime JPH0736287B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2324875A Expired - Lifetime JPH0736288B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2324877A Expired - Lifetime JPH0736290B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324876A Expired - Lifetime JPH0736289B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324875A Expired - Lifetime JPH0736288B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2324877A Expired - Lifetime JPH0736290B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-11-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (4) | JPH0736289B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2324876A patent/JPH0736289B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-26 JP JP2324874A patent/JPH0736287B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-26 JP JP2324875A patent/JPH0736288B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-26 JP JP2324877A patent/JPH0736290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736289B2 (ja) | 1995-04-19 |
| JPH04215207A (ja) | 1992-08-06 |
| JPH04215206A (ja) | 1992-08-06 |
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