JPH0454653B2 - - Google Patents
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- JPH0454653B2 JPH0454653B2 JP58152826A JP15282683A JPH0454653B2 JP H0454653 B2 JPH0454653 B2 JP H0454653B2 JP 58152826 A JP58152826 A JP 58152826A JP 15282683 A JP15282683 A JP 15282683A JP H0454653 B2 JPH0454653 B2 JP H0454653B2
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明はα，β−不飽和カルボニル化合物の新
規な製造法に関し、さらに詳しくは、アルケニル
シリルエーテルとアリル型炭酸エステルを出発原
料とする反応によつてα，β−不飽和カルボニル
化合物を製造する方法に関する。 シクロペンテノン誘導体、シクロヘキセノン誘
導体、シクロドデセノン誘導体などのごとき不飽
和ケトンは香料、医薬、科学薬品などの分野で有
用な化学物質である。 かかる不飽和カルボニル化合物の新規な合成法
として、近時、アルケニルシリルエーテルとアリ
ル型炭酸エステルをパラジウムとα，ω−アルキ
レンジ（ジ置換）ホスフインとから本質的に成る
触媒で処理する方法が報告されている（有機合成
化学、第41巻、第７号、第619〜632頁、1983年発
行）。 しかし、この報告において触媒を構成する配位
子は特殊な構造をもつ高価な化合物に制約されて
おり、経済性の点でも必ずしも満足しうるものと
は云えなかつた。 そこで本発明者らはかかる従来技術の欠点を改
良すべく鋭意検討を進めた結果、意外にも前記報
告では必須の触媒成分とされていたα，ω−アル
キレンジ（ジ置換）ホスフインを用いずにパラジ
ウム化合物を単独で使用することが有効であり、
また単座配位子を併用する場合には触媒の活生及
び安定性がさらに改善されることを見い出し、本
発明を完成するに到つた。 かくして本発明によれば、下記一般式〔〕で
表わされるアルケニルシリルエーテルとアリル型
炭酸エステルをパラジウム化合物と所望により単
座配位子とから本質的に成る触媒の存在下に接続
せしめることを特徴とする下記一般式〔〕で表
わされるα，β−不飽和カルボニル化合物の製造
法が提供される。 （前記式中、R1，R2，R3及びR4は水素または炭
化水素残基、Ｘはトリハイドロカルビルシリル基
を表わし、R1，R2，R3，R4は鎖状であつてもま
たそれぞれが任意の組合せで環を形成していても
よい。） 本発明においては、第一の出発原料として前記
一般式〔〕で表わされるアルケニルシリルエー
テルが使用される。式中、R1は水素原子のほか
メチル基、エチル基、プロピル基、ペンチル基な
どのごときアルキル基、R2，R3またはR4と結合
してシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シク
ロドデカン環などのごとき環を形成しているアル
キレン基またはフエニル基、トリチル基などのご
ときアリール基をさし、またR2，R3及びR4は水
素原子またはR1と同様のアルキル基、アルキレ
ン基、アリール基を意味し、さらにＸはトリハイ
ドロカルビルシリル基を意味する。上記各置換基
のうちR1，R2，R3及びR4はそれぞれが任意の組
合せで環を形成していてもよい。 かかる化合物の具体的な例として、例えば１−
シクロヘキセニルトリメチルシリルエーテル、１
−シクロペンテニルトリメチルシリルエーテル、
２−メチル−１−シクロヘキセニルトリメチルシ
リルエーテル、６−メチル−１−シクロヘキセニ
トリルメチルシリルエーテル、１−シクロドデセ
ニルトリメチルシリルエーテル、１−シクロヘキ
セニルトリエチルシリルエーテル、１−シクロヘ
キセニルトリプロピルシリルエーテル、２−ペン
テニル−１−シクロヘキセニルトリメチルシリル
エーテル、２−プロピル−１−シクロヘキセニル
トリメチルシリルエーテル、２−ペンチル−１−
シクロヘキセニルトリメチルシリルエーテル、２
−ペンチル−１−シクロペンテニルトリメチルシ
リルエーテル、２−ペンテニル−１−シクロペン
テニルトリメチルシリルエーテル、２−ペンチニ
ル−１−シクロペンテニルトリメチルシリルエー
テル、１−フエニル−１−プテニルトリシリルエ
ーテル、１−プロペニルトリメチルシリルエーテ
ル、１−ヘキセニルトリメチルシリルエーテル、
２−メチル−１−プテニルトリメチルシリルエー
テル、３−メチル−１−プテニルトリメチルシリ
ルエーテル、３−フエニル−１−プロペニルトリ
メチルシリルエーテルなどが例示される。 これらの化合物の合成は常法に従つて行えばよ
く、例えば１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテルを例にとると、シクロヘキサノンとト
リメチルシリルクロライドを塩基の存在下に反応
せしめる方法によつて容易に合成することができ
る。 第二の出発原料として用いられるアリル型炭酸
エステルは、少なくとも一つのアリル型残基を有
する炭酸エステルであり、通常下記一般式〔〕
で示さる化合物である。 （式中、R5は炭化水素残基を表わし、R6，R7，
R8及びR9は水素は炭化水素残基を表わす。） かかる化合物の具体例として、例えば、炭酸ジ
アリル、炭酸ジクロチル、炭酸ジメタアリル、炭
酸メチルアリル、炭酸エチルアリル、炭酸プロピ
ルアリル、炭酸ブチルアリル、炭酸ペンチルアリ
ル、炭酸メチルクロチル、炭酸エチルメタアリル
などが例示される。なかでもR5が炭素数４以下
の低級アルキル基または低級アルケニル基である
アリルエステル、クロチルエステルまたはメタリ
ルエステルが賞用される。 本発明においては、反応に際してパラジウム化
合物または該化合物と単座配位子とから本質的に
成る触媒が用いられる。パラジウム化合物はパラ
ジウムの塩または錯体であり、その具体例とし
て、例えばトリス（ジベンジリデンアセトン）二
パラジウム（０）、トリス（トリペンジリデンア
セチルアセトン）三パラジウム（０）、酢酸パラ
ジウム、プロピオン酸パラジウム、酪酸パラジウ
ム、安息香酸パラジウム、パラジウムアセチルア
セトナート、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、
塩化パラジウムなどが挙げられる。これらの化合
物中、無機強酸塩を用いる場合には酢酸カリウ
ム、ナトリウムアルコラート、第三級アミンなど
の塩基を共存させることが望ましい。またパラジ
ウム化合物のなかでは０価のオレフイン錯体また
は二価の有機化合物を用いるのが好適である。 また用いられる単座配位子は配位原子として周
期律表第Ｖ族元素、すなわち窒素、リン、ヒ素ま
たはアンチモンを有する電子供与性化合物であ
り、その具体例としてピリジン、キノリン、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルア
ミンなどのごとき含窒素化合物：トリエチルホス
フイン、トリ−ｎ−ブチルホスフイン、トリ−ｎ
−ドデシルホスフイン、トリフエニルホスフイ
ン、トリ−ｏ−トリルホスフイン、トリ−ｐ−ビ
フエニルスホスフイン、トリ−ｏ−メトキシフエ
ニルホスフイン、フエニルジフエノキシホスフイ
ン、トリエチルホスフアイト、トリ−ｎ−ブチル
ホスフアイト、トリ−ｎ−ヘキシルホスフアイ
ト、トリフエニルホスフアイト、トリ−ｏ−トリ
ルホスフアイト、トリフエニルチオホスフアイト
などのごとき含リン化合物：トリエチルヒ素、ト
リブチルヒ素、トリフエニルヒ素などのごとき含
ヒ素化合物：トリプロピルアンチモン、トリフエ
ニルアンチモンなどのごとき含アンチモン化合物
などが挙げられる。なかでも含窒素化合物及び含
リン化合物が反応の活性、選択性、経済性などの
面で好ましい。 かかる単座配位子は触媒成分として必ずしも必
須ではないが、適量使用することによつて触媒の
安定性を大巾に向上させることができ、また触媒
の使用量を減少させることができる。しかし、そ
の使用量が過度に大きくなると、既知のアリル化
反応が主反応となるので、その量はパラジウム化
合物１モル当り2.5モル以下にすることが好まし
く、とくに0.1〜2.0モル、さらには0.3〜1.5モル
とするのが適切である。 本発明における触媒の使用量は適宜選択される
が、通常は原料100モル当りパラジウム化合物が
通常0.01〜10モル、好ましくは0.1〜５モルとな
るような割合で使用される。またパラジウム化合
物と単座配位子は予め反応させておいてもよい
が、通常は反応系中で両成分を接触せしめること
により触媒が調製される。 本発明の反応は二種の出発原料を触媒と接触せ
しめることにより容易に進行する。例えば、出発
原料として１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテルと炭酸ジアリルを用いた場合の反応式
を示すと以下のとうりである。 原料の使用割合はアルケニルシリルエーテル１
モル当り、通常アリル型炭酸エステル0.8〜５モ
ル、好ましくは１〜２モルであり、反応温度は通
常50℃以上、好ましくは60〜150℃、反応時間は
通常10分〜10時間である。 また反応に際して、希釈剤を存在させることが
でき、その具体例として、例えばアセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾ
ニトリルなどのごときニトリル類；ジメチルホル
ムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルプロピオアミド、Ｎ−メチル
ピロリドンなどのごときアミド類；テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジブチルエーテル、エチレ
ングリコールジメチルエーテルなどのごときエー
テル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのごと
きケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、プロピオン酸エチルなどのごときエステル
類；エタノール、プロパノール、ter−ブタノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール
モノエチルエーテルなどのごときアルコール類；
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドな
どのごときスルホキシド類；ｎ−ヘキサン、シク
ロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなど
のごとき炭化水素類などが例示され、なかでも非
プロトン性極性溶剤、とくにニトリル類、アミド
類、エーテル類、ケトン類、エステル類が賞用さ
れる。 これらの希釈剤は通常、出発原料の濃度が１〜
50重量％となるような割合で使用され、その使用
によつて反応の活性、選択性、触媒の安定性を向
上させることができる。とくに触媒成分中に単座
配位子を含まない場合には触媒が不安定になるた
め希釈剤を用いることが適切であり、なかでもニ
トリル類を用いることが好ましい。 反応終了後、反応液から常法に従つて目的物を
分離することによつて高純度のα，β−不飽和カ
ルボニル化合物、すなわちα，β−不飽和ケトン
またはα，β−不飽和アルデヒドが得られる。か
かる不飽和カルボニル化合物は種々の有用な化合
物の合成中間体、とくに香料、医薬などの中間体
として用いられる。 かくして本発明によれば、入手の容易な化合物
を触媒として使用することができ、目的とする
α，β−不飽和カルボニル化合物を経済的に製造
することができる。 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に
説明する。 実施例 １ 容器中に１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテル１モルに対して炭酸ジアリル２モル、
アセトニトリル８モル及び酢酸パラジウム0.05モ
ルの割合で仕込み、室温で速やかに撹拌したのち
溶媒の沸点まで昇温してアルゴン雰囲気下で還流
下に１時間反応を行つた。反応終了後、常法に従
つて生成物を減圧蒸留した結果、２−シクロヘキ
セン−１−オンが76％の収率で得られた。なお、
これらの化合物の同定はIR，NMR及びマススペ
クトルを用いることによつて行われた。 また反応中及び反応後の系内の状態を観察した
ところ、反応の過程でパラジウムの沈澱が発生し
始め、反応終了後にはより激しい沈澱の発生が認
められた。 実施例 ２ 酢酸パラジウムに加えて等モル量のトリフエニ
ルホスフインを使用すること以外は実施例１と同
様にして実験を行つた。その結果、２−シクロヘ
キセン−１−オンの収率は85％であつた。なお、
反応中におけるパラジウムの沈澱はほとんど認め
られなかつた。 実施例 ３ 出発原料として第１表に示すごとき化合物を用
いること以外は実施例２と同様にして反応を行つ
た。結果を第１表に示す。
規な製造法に関し、さらに詳しくは、アルケニル
シリルエーテルとアリル型炭酸エステルを出発原
料とする反応によつてα，β−不飽和カルボニル
化合物を製造する方法に関する。 シクロペンテノン誘導体、シクロヘキセノン誘
導体、シクロドデセノン誘導体などのごとき不飽
和ケトンは香料、医薬、科学薬品などの分野で有
用な化学物質である。 かかる不飽和カルボニル化合物の新規な合成法
として、近時、アルケニルシリルエーテルとアリ
ル型炭酸エステルをパラジウムとα，ω−アルキ
レンジ（ジ置換）ホスフインとから本質的に成る
触媒で処理する方法が報告されている（有機合成
化学、第41巻、第７号、第619〜632頁、1983年発
行）。 しかし、この報告において触媒を構成する配位
子は特殊な構造をもつ高価な化合物に制約されて
おり、経済性の点でも必ずしも満足しうるものと
は云えなかつた。 そこで本発明者らはかかる従来技術の欠点を改
良すべく鋭意検討を進めた結果、意外にも前記報
告では必須の触媒成分とされていたα，ω−アル
キレンジ（ジ置換）ホスフインを用いずにパラジ
ウム化合物を単独で使用することが有効であり、
また単座配位子を併用する場合には触媒の活生及
び安定性がさらに改善されることを見い出し、本
発明を完成するに到つた。 かくして本発明によれば、下記一般式〔〕で
表わされるアルケニルシリルエーテルとアリル型
炭酸エステルをパラジウム化合物と所望により単
座配位子とから本質的に成る触媒の存在下に接続
せしめることを特徴とする下記一般式〔〕で表
わされるα，β−不飽和カルボニル化合物の製造
法が提供される。 （前記式中、R1，R2，R3及びR4は水素または炭
化水素残基、Ｘはトリハイドロカルビルシリル基
を表わし、R1，R2，R3，R4は鎖状であつてもま
たそれぞれが任意の組合せで環を形成していても
よい。） 本発明においては、第一の出発原料として前記
一般式〔〕で表わされるアルケニルシリルエー
テルが使用される。式中、R1は水素原子のほか
メチル基、エチル基、プロピル基、ペンチル基な
どのごときアルキル基、R2，R3またはR4と結合
してシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シク
ロドデカン環などのごとき環を形成しているアル
キレン基またはフエニル基、トリチル基などのご
ときアリール基をさし、またR2，R3及びR4は水
素原子またはR1と同様のアルキル基、アルキレ
ン基、アリール基を意味し、さらにＸはトリハイ
ドロカルビルシリル基を意味する。上記各置換基
のうちR1，R2，R3及びR4はそれぞれが任意の組
合せで環を形成していてもよい。 かかる化合物の具体的な例として、例えば１−
シクロヘキセニルトリメチルシリルエーテル、１
−シクロペンテニルトリメチルシリルエーテル、
２−メチル−１−シクロヘキセニルトリメチルシ
リルエーテル、６−メチル−１−シクロヘキセニ
トリルメチルシリルエーテル、１−シクロドデセ
ニルトリメチルシリルエーテル、１−シクロヘキ
セニルトリエチルシリルエーテル、１−シクロヘ
キセニルトリプロピルシリルエーテル、２−ペン
テニル−１−シクロヘキセニルトリメチルシリル
エーテル、２−プロピル−１−シクロヘキセニル
トリメチルシリルエーテル、２−ペンチル−１−
シクロヘキセニルトリメチルシリルエーテル、２
−ペンチル−１−シクロペンテニルトリメチルシ
リルエーテル、２−ペンテニル−１−シクロペン
テニルトリメチルシリルエーテル、２−ペンチニ
ル−１−シクロペンテニルトリメチルシリルエー
テル、１−フエニル−１−プテニルトリシリルエ
ーテル、１−プロペニルトリメチルシリルエーテ
ル、１−ヘキセニルトリメチルシリルエーテル、
２−メチル−１−プテニルトリメチルシリルエー
テル、３−メチル−１−プテニルトリメチルシリ
ルエーテル、３−フエニル−１−プロペニルトリ
メチルシリルエーテルなどが例示される。 これらの化合物の合成は常法に従つて行えばよ
く、例えば１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテルを例にとると、シクロヘキサノンとト
リメチルシリルクロライドを塩基の存在下に反応
せしめる方法によつて容易に合成することができ
る。 第二の出発原料として用いられるアリル型炭酸
エステルは、少なくとも一つのアリル型残基を有
する炭酸エステルであり、通常下記一般式〔〕
で示さる化合物である。 （式中、R5は炭化水素残基を表わし、R6，R7，
R8及びR9は水素は炭化水素残基を表わす。） かかる化合物の具体例として、例えば、炭酸ジ
アリル、炭酸ジクロチル、炭酸ジメタアリル、炭
酸メチルアリル、炭酸エチルアリル、炭酸プロピ
ルアリル、炭酸ブチルアリル、炭酸ペンチルアリ
ル、炭酸メチルクロチル、炭酸エチルメタアリル
などが例示される。なかでもR5が炭素数４以下
の低級アルキル基または低級アルケニル基である
アリルエステル、クロチルエステルまたはメタリ
ルエステルが賞用される。 本発明においては、反応に際してパラジウム化
合物または該化合物と単座配位子とから本質的に
成る触媒が用いられる。パラジウム化合物はパラ
ジウムの塩または錯体であり、その具体例とし
て、例えばトリス（ジベンジリデンアセトン）二
パラジウム（０）、トリス（トリペンジリデンア
セチルアセトン）三パラジウム（０）、酢酸パラ
ジウム、プロピオン酸パラジウム、酪酸パラジウ
ム、安息香酸パラジウム、パラジウムアセチルア
セトナート、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、
塩化パラジウムなどが挙げられる。これらの化合
物中、無機強酸塩を用いる場合には酢酸カリウ
ム、ナトリウムアルコラート、第三級アミンなど
の塩基を共存させることが望ましい。またパラジ
ウム化合物のなかでは０価のオレフイン錯体また
は二価の有機化合物を用いるのが好適である。 また用いられる単座配位子は配位原子として周
期律表第Ｖ族元素、すなわち窒素、リン、ヒ素ま
たはアンチモンを有する電子供与性化合物であ
り、その具体例としてピリジン、キノリン、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルア
ミンなどのごとき含窒素化合物：トリエチルホス
フイン、トリ−ｎ−ブチルホスフイン、トリ−ｎ
−ドデシルホスフイン、トリフエニルホスフイ
ン、トリ−ｏ−トリルホスフイン、トリ−ｐ−ビ
フエニルスホスフイン、トリ−ｏ−メトキシフエ
ニルホスフイン、フエニルジフエノキシホスフイ
ン、トリエチルホスフアイト、トリ−ｎ−ブチル
ホスフアイト、トリ−ｎ−ヘキシルホスフアイ
ト、トリフエニルホスフアイト、トリ−ｏ−トリ
ルホスフアイト、トリフエニルチオホスフアイト
などのごとき含リン化合物：トリエチルヒ素、ト
リブチルヒ素、トリフエニルヒ素などのごとき含
ヒ素化合物：トリプロピルアンチモン、トリフエ
ニルアンチモンなどのごとき含アンチモン化合物
などが挙げられる。なかでも含窒素化合物及び含
リン化合物が反応の活性、選択性、経済性などの
面で好ましい。 かかる単座配位子は触媒成分として必ずしも必
須ではないが、適量使用することによつて触媒の
安定性を大巾に向上させることができ、また触媒
の使用量を減少させることができる。しかし、そ
の使用量が過度に大きくなると、既知のアリル化
反応が主反応となるので、その量はパラジウム化
合物１モル当り2.5モル以下にすることが好まし
く、とくに0.1〜2.0モル、さらには0.3〜1.5モル
とするのが適切である。 本発明における触媒の使用量は適宜選択される
が、通常は原料100モル当りパラジウム化合物が
通常0.01〜10モル、好ましくは0.1〜５モルとな
るような割合で使用される。またパラジウム化合
物と単座配位子は予め反応させておいてもよい
が、通常は反応系中で両成分を接触せしめること
により触媒が調製される。 本発明の反応は二種の出発原料を触媒と接触せ
しめることにより容易に進行する。例えば、出発
原料として１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテルと炭酸ジアリルを用いた場合の反応式
を示すと以下のとうりである。 原料の使用割合はアルケニルシリルエーテル１
モル当り、通常アリル型炭酸エステル0.8〜５モ
ル、好ましくは１〜２モルであり、反応温度は通
常50℃以上、好ましくは60〜150℃、反応時間は
通常10分〜10時間である。 また反応に際して、希釈剤を存在させることが
でき、その具体例として、例えばアセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾ
ニトリルなどのごときニトリル類；ジメチルホル
ムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルプロピオアミド、Ｎ−メチル
ピロリドンなどのごときアミド類；テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジブチルエーテル、エチレ
ングリコールジメチルエーテルなどのごときエー
テル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのごと
きケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、プロピオン酸エチルなどのごときエステル
類；エタノール、プロパノール、ter−ブタノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール
モノエチルエーテルなどのごときアルコール類；
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドな
どのごときスルホキシド類；ｎ−ヘキサン、シク
ロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなど
のごとき炭化水素類などが例示され、なかでも非
プロトン性極性溶剤、とくにニトリル類、アミド
類、エーテル類、ケトン類、エステル類が賞用さ
れる。 これらの希釈剤は通常、出発原料の濃度が１〜
50重量％となるような割合で使用され、その使用
によつて反応の活性、選択性、触媒の安定性を向
上させることができる。とくに触媒成分中に単座
配位子を含まない場合には触媒が不安定になるた
め希釈剤を用いることが適切であり、なかでもニ
トリル類を用いることが好ましい。 反応終了後、反応液から常法に従つて目的物を
分離することによつて高純度のα，β−不飽和カ
ルボニル化合物、すなわちα，β−不飽和ケトン
またはα，β−不飽和アルデヒドが得られる。か
かる不飽和カルボニル化合物は種々の有用な化合
物の合成中間体、とくに香料、医薬などの中間体
として用いられる。 かくして本発明によれば、入手の容易な化合物
を触媒として使用することができ、目的とする
α，β−不飽和カルボニル化合物を経済的に製造
することができる。 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に
説明する。 実施例 １ 容器中に１−シクロヘキセニルトリメチルシリ
ルエーテル１モルに対して炭酸ジアリル２モル、
アセトニトリル８モル及び酢酸パラジウム0.05モ
ルの割合で仕込み、室温で速やかに撹拌したのち
溶媒の沸点まで昇温してアルゴン雰囲気下で還流
下に１時間反応を行つた。反応終了後、常法に従
つて生成物を減圧蒸留した結果、２−シクロヘキ
セン−１−オンが76％の収率で得られた。なお、
これらの化合物の同定はIR，NMR及びマススペ
クトルを用いることによつて行われた。 また反応中及び反応後の系内の状態を観察した
ところ、反応の過程でパラジウムの沈澱が発生し
始め、反応終了後にはより激しい沈澱の発生が認
められた。 実施例 ２ 酢酸パラジウムに加えて等モル量のトリフエニ
ルホスフインを使用すること以外は実施例１と同
様にして実験を行つた。その結果、２−シクロヘ
キセン−１−オンの収率は85％であつた。なお、
反応中におけるパラジウムの沈澱はほとんど認め
られなかつた。 実施例 ３ 出発原料として第１表に示すごとき化合物を用
いること以外は実施例２と同様にして反応を行つ
た。結果を第１表に示す。
【表】
実施例 ４
酢酸パラジウムに代えてパラジウムアセチルア
セトナートを用いること以外は実施例２に準じて
反応を行つたところ、実施例２とほぼ同等の結果
が得られた。 実施例 ５ 酢酸パラジウムに代えてトリス（ジベンジリデ
ンアセトン）二パラジウム（０）を用いること以
外は実施例２に準じて反応を行つたところ、実施
例２とほぼ同等の結果が得られた。
セトナートを用いること以外は実施例２に準じて
反応を行つたところ、実施例２とほぼ同等の結果
が得られた。 実施例 ５ 酢酸パラジウムに代えてトリス（ジベンジリデ
ンアセトン）二パラジウム（０）を用いること以
外は実施例２に準じて反応を行つたところ、実施
例２とほぼ同等の結果が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式［］ （式中、R1、R2、R3及びR4は水素または炭化水
素残基、Ｘはトリハイドロカルビルシリル基を表
わし、R1、R2、R3及びR4は鎖状であつてもまた
はそれぞれが任意の組合せで環を形成していても
よい）で表されるアルケニルシリルエーテルとア
リル型炭酸エステルを配位子を含まないパラジウ
ム化合物触媒の存在下に接触せしめることを特徴
とする一般式［］ （式中、R1、R2、R3及びR4は前記と同じ）で表
されるα、β−不飽和カルボニル化合物の製造
法。 ２ 一般式［］ （式中、R1、R2、R3及びR4は水素または炭化水
素残基、Ｘはトリハイドロカルビルシリル基を表
わし、R1、R2、R3及びR4は鎖状であつてもまた
はそれぞれが任意の組合せで環を形成していても
よい）で表されるアルケニルシリルエーテルとア
リル型炭酸エステルを(a)パラジウム化合物と(b)単
座配位子とから本質的に成る触媒と接触せしめる
ことを特徴とする一般式［］ （式中、R1、R2、R3及びR4は前記と同じ）で表
されるα、β−不飽和カルボニル化合物の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152826A JPS6045544A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | α，β−不飽和カルボニル化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152826A JPS6045544A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | α，β−不飽和カルボニル化合物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045544A JPS6045544A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0454653B2 true JPH0454653B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=15548984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152826A Granted JPS6045544A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | α，β−不飽和カルボニル化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045544A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725716B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1995-03-22 | 日本ゼオン株式会社 | α，β―不飽和カルボニル化合物の製造方法 |
| US5118863A (en) * | 1989-06-22 | 1992-06-02 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Process for producing an α,β-unsaturated carbonyl compound |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860581A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152826A patent/JPS6045544A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045544A (ja) | 1985-03-12 |
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