JPH0481952B2 - - Google Patents

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JPH0481952B2
JPH0481952B2 JP61155558A JP15555886A JPH0481952B2 JP H0481952 B2 JPH0481952 B2 JP H0481952B2 JP 61155558 A JP61155558 A JP 61155558A JP 15555886 A JP15555886 A JP 15555886A JP H0481952 B2 JPH0481952 B2 JP H0481952B2
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JP
Japan
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layer
recording
recording medium
alkyl
optical recording
Prior art date
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Application number
JP61155558A
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English (en)
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JPS639575A (ja
Inventor
Masaki Ito
Akio Morimoto
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS639575A publication Critical patent/JPS639575A/ja
Publication of JPH0481952B2 publication Critical patent/JPH0481952B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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    • G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
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    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術） レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol.71891964））。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、安価な半導体レーザを使用する
ためには、これらの媒体では記録感度が充分では
なかつた。
本発明の目的は、耐候性がよくかつ高感度で信
号品質の良好な光記録媒体を提供することにあ
る。
（問題を解決するための手段） 本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によつて
記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、アルキ
ル置換フタロシアニン色素の層と、テルルセレン
合金を主成分とする層との少なくとも２層を有し
ていることを特徴とする。
（作用） 光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板に
は、ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設け
られている。レーザビーム径程度の幅の溝に光が
入射すると光は回折され、ビーム中心が溝からず
れるにつれて回折光強度の空間分布が変化するの
で、これを検出してレーザビームを溝の中心に入
射させるようにサーボ系が構成されている。溝の
幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用する
レーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパ
ワーのレーザ光をピツト上を通過するように照射
することにより、ピツトの有無に起因する反射率
の変化を検出して行なう。記録層２１としては
種々の材料を使用できるが、耐候性を考慮すると
テルルセレン合金を主成分とする膜が望ましい。
しかしながら、テルルセレン合金層のみでは出力
パワーの小さい安価な半導体レーザを記録光源と
して使用することができない。そこで、基板と記
録層との間に有機物であるグアニン層を挿入する
と高感度になるという提案がなされている（特開
昭59−232895）が、本発明者らが評価したところ
によるとこの構成では耐候性が充分であるという
結果は得られなかつた。本発明者らは種々の有機
物を検討した結果、アルキル置換フタロシアニン
色素層を第１図のように設けることにより高感度
でかつ充分な耐候性の光記録媒体が得られること
を見出し、本発明に到つたものである。
（実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂デイ
スク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10-6Torr以下に排気した。蒸発源として、第１
の抵抗加熱用ボートにｔ−ブチル置換バナジルフ
タロシアニン色素を入れ、第２の抵抗加熱用ボー
トにTeを入れ、第３の抵抗加熱用ボートにSeを
入れた。まず、フタロシアニン色素を100Å厚蒸
着し、次に水晶振動子式検出器によりそれぞれの
蒸着源からの蒸着速度比を制御して共蒸着するこ
とによりセレンが23原子数パーセントで約250Å
厚のテルルセレン合金層を形成した。この光デイ
スクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールした
のち、波長8300Åにおける基板反射率を測定した
ところ32％であつた。波長8300Åの半導体レーザ
光を基板を通して入射して記録層上で1.6μm中程
度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数
3.77MHz、記録パルス幅70msec、記録パワー
5.5mwの条件で記録し、0.7mwで再生した。バン
ド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／
Ｎ）は48dBと良好であつた。この光デイスクを
70℃80％の高温高湿度の環境に60時間保存した
後、上記特性を調べた変化はなく、耐候性に優れ
た光記録媒体であることが確認された。
比較のためのアルキル置換をしていないバナジ
ルフタロシアニン色素を用いたデイスクは、上記
高温高湿条件に長時間保存しておくと光学特性が
変化して問題であつた。これは無置換バナジルフ
タロシアニンが結晶化し、波長8300Åにおける消
衰係数が大きくなるためである。例えば、ガラス
基板上にｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニン
を形成したものと、無置換バナジルフタロシアニ
ンを形成したものとを作製し、300℃１時間のア
ニールを行なうと、無置換の試料は結晶化が進行
して表面荒れをおこすがアルキル置換の試料は表
面荒れを生じない。即ち、アルキル置換のフタロ
シアニンは、その立体傷害性のために結晶化しに
くく耐候性に優れるものである。
なお、ｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニン
膜は波長8300Åにおいて吸収があり、記録ピツト
はテルルセレン合金層の孔とフタロシアニン層の
凹部とにより形成されている。
アルキル置換フタロシアニン色素層の厚さは５
Åから1000Åの範囲が望ましく、テルルセレン合
金層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録特性
の点で望ましい。セレンの含有量は原子数パーセ
ントで２から50の範囲が耐候性の点で望ましい。
テルルセレン合金層には、鉛、ヒ素、スズ、ゲ
ルマニウム、カドミウム、タリウム、アンチモ
ン、イオウ、リン、インジウム、ガリウム、亜
鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシ
ウム、タンタル、金、パラジウムの群から選ばれ
た少なくとも１種の元素を添加すると、ピツトの
形状を良好に整える場合がある。ただし添加量は
原子数パーセントで25パーセント以下が望まし
い。
アルキル置換フタロシアニン層、テルルセレン
合金層の成膜方法は本実施例の他にスパツタリン
グ法、イオンプレーテイング法、イオンビームデ
ポジシヨン法でもよい。
（発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよくかつ高感度で信号品質の良好な光記
録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光記録媒体の例を示す断面概
略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図で
ある。 図において、１は基板、２はアルキル置換フタ
ロシアニン層、３はテルルセレン合金層、２１は
記録層、２２はピツトを表わす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
    光記録媒体において、アルキル置換フタロシアニ
    ン色素の層と、テルルセレン合金を主成分とする
    層との少なくとも２層を有していることを特徴と
    する光記録媒体。
JP61155558A 1986-07-01 1986-07-01 光記録媒体 Granted JPS639575A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61155558A JPS639575A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 光記録媒体

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61155558A JPS639575A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 光記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS639575A JPS639575A (ja) 1988-01-16
JPH0481952B2 true JPH0481952B2 (ja) 1992-12-25

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JP61155558A Granted JPS639575A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 光記録媒体

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