JPH0521104B2 - - Google Patents
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- JPH0521104B2 JPH0521104B2 JP15697484A JP15697484A JPH0521104B2 JP H0521104 B2 JPH0521104 B2 JP H0521104B2 JP 15697484 A JP15697484 A JP 15697484A JP 15697484 A JP15697484 A JP 15697484A JP H0521104 B2 JPH0521104 B2 JP H0521104B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光学活性なスルホキシド類の新規な製
造法、さらに詳しくいえば、スルホキシド類のラ
セミ体を直接光学分割することにより、光学分割
剤として有用なスルホキシド類の光学活性体を極
めて容易に高純度かつ高収率で製造しうる工業的
有利な方法に関するものである。 従来技術 従来、一般式
造法、さらに詳しくいえば、スルホキシド類のラ
セミ体を直接光学分割することにより、光学分割
剤として有用なスルホキシド類の光学活性体を極
めて容易に高純度かつ高収率で製造しうる工業的
有利な方法に関するものである。 従来技術 従来、一般式
【式】で示されるように、
スルホキシド基に２個の異なつた置換基Ｒ及び
R′が結合した形のスルホキシド類には、硫黄原
子を不斉原子とする（＋）−体及び（−）−体の２
種の光学異性体が存在することが知られている。 ところで、前記Ｒ及びR′がそれぞれ異なる低
級アルキル基であるスルホキシド類においては、
相当するラセミ体を光学分割して光学活性体を得
る方法はこれまで知られておらず、例えば １−ブタンスルフイニルクロリド＋（−）−メン
トール ↓ （−）−メンチル１−ブタンスルフイネート＋
メチルマグネシウムブロミド ↓ （＋）−メチル−ｎ−ブチルスルホキシド のような工程で光学活性体を得る方法〔K.
Mislowet al.：J.Am.Chem.SOC.，87，1958
（1956）〕が知られている。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、この方法は、極めて特殊な試薬
を必要とし、かつはん雑な操作を必要とする多数
の工程を含む上に収率も低いなどの問題点を有
し、工業的に実施するには不適当であつた。 本発明者らは、このような事情に鑑み、スルホ
キシド類のラセミ体を直接分割して、光学活性な
スルホキシド類を高純度かつ高収率で得る工業的
な方法を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、光学
活性なβ−ジナフトールを用いることにより、そ
の目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を活性するに至つた。 問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は、一般式 （式中のR1及びR2はたがいに異なる低級アルキ
ル基である） で示されるスルホキシド類のラセミ体に、１，
1′−ビ−２−ナフトールの光学活性体を反応させ
て、前記スルホキシド類の光学活性体と１，1′−
ビ−２−ナフトールの光学活性体との包接化合物
を生成させ、これを分離したのち、分解して前記
スルホキシド類の光学活性体を得ることを特徴と
する光学活性なスルホキシド類の製造法を提供す
るものである。 本発明方法により光学分割される前記一般式
（）で示されるスルホキシド類は公知の化合物
であつて通常ラセミ体として得られるものであ
る。前記一般式（）中のR1及びR2はたがいに
異なる低級アルキル基であり、例えばメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso
−ブチル基などである。またこれらの基はハロゲ
ン原子、アルコシ基などの不活性置換基より置換
されていてもよい。このようなスルホキシド類の
具体例としては、メチル−ｎ−ブチルスルホキシ
ド、メチル−iso−ブチルスルホキシド、メチル
−ｎ−プロピルスルホキシド、メチル−エチルス
ルホキシド、エチル−ｎ−ブチルスルホキシド、
エチル−ｎ−プロピルスルホキシドなどを挙げる
ことができる。これらの中で特に好適に光学分割
できるものは、メチル−ｎ−ブチルスルホキシ
ド、メチル−iso−ブチルスルホキシド、メチル
−ｎ−プロピルスルホキシド、メチル−エチルス
ルホキシドである。 他方、光学分割剤として使用される１，1′−ビ
−２−ナフトールの光学活性体も公知であり、市
販品として容易に入手することができる。この
１，1′−ビ−２−ナフトールの光学活性体は、次
に示す立体構造を有する(R)−（＋）−体と(S)−（−）
−体の２種のエナンチオマーとして存在する。
R′が結合した形のスルホキシド類には、硫黄原
子を不斉原子とする（＋）−体及び（−）−体の２
種の光学異性体が存在することが知られている。 ところで、前記Ｒ及びR′がそれぞれ異なる低
級アルキル基であるスルホキシド類においては、
相当するラセミ体を光学分割して光学活性体を得
る方法はこれまで知られておらず、例えば １−ブタンスルフイニルクロリド＋（−）−メン
トール ↓ （−）−メンチル１−ブタンスルフイネート＋
メチルマグネシウムブロミド ↓ （＋）−メチル−ｎ−ブチルスルホキシド のような工程で光学活性体を得る方法〔K.
Mislowet al.：J.Am.Chem.SOC.，87，1958
（1956）〕が知られている。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、この方法は、極めて特殊な試薬
を必要とし、かつはん雑な操作を必要とする多数
の工程を含む上に収率も低いなどの問題点を有
し、工業的に実施するには不適当であつた。 本発明者らは、このような事情に鑑み、スルホ
キシド類のラセミ体を直接分割して、光学活性な
スルホキシド類を高純度かつ高収率で得る工業的
な方法を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、光学
活性なβ−ジナフトールを用いることにより、そ
の目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を活性するに至つた。 問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は、一般式 （式中のR1及びR2はたがいに異なる低級アルキ
ル基である） で示されるスルホキシド類のラセミ体に、１，
1′−ビ−２−ナフトールの光学活性体を反応させ
て、前記スルホキシド類の光学活性体と１，1′−
ビ−２−ナフトールの光学活性体との包接化合物
を生成させ、これを分離したのち、分解して前記
スルホキシド類の光学活性体を得ることを特徴と
する光学活性なスルホキシド類の製造法を提供す
るものである。 本発明方法により光学分割される前記一般式
（）で示されるスルホキシド類は公知の化合物
であつて通常ラセミ体として得られるものであ
る。前記一般式（）中のR1及びR2はたがいに
異なる低級アルキル基であり、例えばメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso
−ブチル基などである。またこれらの基はハロゲ
ン原子、アルコシ基などの不活性置換基より置換
されていてもよい。このようなスルホキシド類の
具体例としては、メチル−ｎ−ブチルスルホキシ
ド、メチル−iso−ブチルスルホキシド、メチル
−ｎ−プロピルスルホキシド、メチル−エチルス
ルホキシド、エチル−ｎ−ブチルスルホキシド、
エチル−ｎ−プロピルスルホキシドなどを挙げる
ことができる。これらの中で特に好適に光学分割
できるものは、メチル−ｎ−ブチルスルホキシ
ド、メチル−iso−ブチルスルホキシド、メチル
−ｎ−プロピルスルホキシド、メチル−エチルス
ルホキシドである。 他方、光学分割剤として使用される１，1′−ビ
−２−ナフトールの光学活性体も公知であり、市
販品として容易に入手することができる。この
１，1′−ビ−２−ナフトールの光学活性体は、次
に示す立体構造を有する(R)−（＋）−体と(S)−（−）
−体の２種のエナンチオマーとして存在する。
【式】
この(R)−（＋）−体と(S)−（−）−体とはテトラヒ
ドロフラン中でそれぞれ＋37.7゜及び、−37.7゜の施
光度を示すものであるが、本発明方法において
は、これらのいずれのエナンチオマーも用いるこ
とができる。そして、(R)−（＋）−体を用いた場合
には、これはスルホキシド類の（＋）−体と、ま
た(S)−（−）−体を用いた場合には、スルホキシド
類の（−）一体ととそれぞれ選択的に結合して、
モル比１：１の包接化合物を形成する。 本発明方法に従つて、スルホキシド類の光学分
割を行うには、スルホキシド類のラセミ体を適当
な溶媒に溶かし、この中へ１，1′−ビ−２−ナフ
トールを加えたのち、室温で数時間ないし10数時
間放置する。この場合、各原料成分の溶解を促進
するため、あるいは形成された包接化合物の析出
を促進するために、所望に応じ加温又は冷却する
こともできる。 スルホキシド類と１，1′−ビ−２−ナフトール
との使用量は、モリ比で約２：１の割合が望まし
いが、所望ならばいずれか一方を過剰に用いるこ
ともできる。 溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ケロセ
ン、石油エーテルのような脂肪族炭化水素類、ア
セトン、メチルエチルケトンのようなケトン類、
ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭
化水素類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフランのようなエーテル類、メ
タノール、エタノールのようなアルコール類、酢
酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類などが
用いられる。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種以上混合してもよい。 次に、前記のようにして析出した包接化合物の
結晶をろ別し、必要に応じて再結晶などにより精
製したのち、それを溶媒に溶かし、シリカゲル、
アルミナゲル、シリカーアルミナゲルなどで処理
することにより１，1′−ビ−２−ナフトールの光
学活性体とスルホキシド類の光学活性体とに分割
する。また、このようなシリカゲル、アルミナゲ
ルによる処理を行う代りに、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムのようなアルカリで処理したり、
あるいは、ラセミ化を起こさない温和な条件下で
蒸留処理して各成分光学活性体に分割することも
できる。 このようにして、高純度のスルホキシド類の光
学活性体を高収率で得ることができる。 発明の効果 本発明方法はスルホキシド類のラセミ体を直接
光学分割して、該スルホキシド類の光学活性体を
工業的有利に製造する方法であり、この方法によ
ると、スルホキシド類の光学活性体が極めて容易
に、高純度かつ高収率で得られる。得られた該ス
ルホキシド類の光学活性体は、光学活性な成分と
選択的に包接化合物を形成するので、光学分割剤
として有用である。 実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
るが、本発明はこれらの例によつて何ら限定され
るものではない。 実施例 １ メチル−ｎ−ブチルスルホキシドのラセミ体
1.68ｇと(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール
〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕2.00ｇ
と
をベンゼン10mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン10
mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出した
(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−ｎ−ブチルスルホキシド１モルと
から成る包接化合物をろ取し、ベンゼン20mlで２
回再結晶したのち乾燥することにより、無色プリ
ズム状結晶〔融点152〜155℃、〔α〕D＋55.8゜（エタ
ノール中）〕2.14ｇを得た。 次に、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと酢
酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカラ
ムに通して処理したところ、（＋）−メチル−ｎ−
ブチルスルホキシド〔〔α〕D＋111゜（エタノール
中）〕0.63ｇを得た。 実施例 ２ メチル−iso−ブチルスルホキシドのラセミ体
0.84ｇと(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール
〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00ｇ
と
をベンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン５
mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出した
(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−iso−ブチルスルホキシド１モル
とから成る包接化合物をろ取し、ベンゼン５mlで
５回再結晶したのち乾燥することにより、無色プ
リズム晶〔融点122〜124℃、〔α〕D＋55.4゜（エタノ
ール中）〕0.43ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−
iso−ブチルスルホキシド〔〔α〕D＋109゜（エタノー
ル中）〕0.12ｇを得た。 実施例 ３ メチル−ｎ−プロピルスルホキシドのラセミ体
0.74ｇと(R)）−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトー
ル〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00
ｇとをベンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサ
ン５mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出
した(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モ
ルと（＋）−メチル−ｎ−プロピルスルホキシド
１モルとから成る包接化合物をろ取し、ベンゼン
10mlで２回再結晶したのち乾燥することにより、
無色プリズム状結晶〔融点157〜160℃、〔α〕D＋
54.2゜（エタノール中）〕1.00ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−ｎ
−プロピルスルホキシド〔〔α〕D＋123゜（エタノー
ル中）〕0.27ｇを得た。 実施例 ４ メチル−エチルスルホキシドのラセミ体0.64ｇ
と(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール〔〔α〕
D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00ｇとをベ
ンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン５mlを
加えて室温で12時間放置したのち、析出した(R)−
（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−エチルスルホキシド１モルとから
成る包接化合物をろ取し、ベンゼン５mlで１回再
結晶したのち乾燥することにより、無色プリズム
状結晶〔融点124〜127℃、〔α〕D＋30.5゜（エタノー
ル中）〕0.59ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−エ
チルスルホキシド〔〔α〕D＋39.1゜（エタノール中）
〕
0.14ｇを得た。
ドロフラン中でそれぞれ＋37.7゜及び、−37.7゜の施
光度を示すものであるが、本発明方法において
は、これらのいずれのエナンチオマーも用いるこ
とができる。そして、(R)−（＋）−体を用いた場合
には、これはスルホキシド類の（＋）−体と、ま
た(S)−（−）−体を用いた場合には、スルホキシド
類の（−）一体ととそれぞれ選択的に結合して、
モル比１：１の包接化合物を形成する。 本発明方法に従つて、スルホキシド類の光学分
割を行うには、スルホキシド類のラセミ体を適当
な溶媒に溶かし、この中へ１，1′−ビ−２−ナフ
トールを加えたのち、室温で数時間ないし10数時
間放置する。この場合、各原料成分の溶解を促進
するため、あるいは形成された包接化合物の析出
を促進するために、所望に応じ加温又は冷却する
こともできる。 スルホキシド類と１，1′−ビ−２−ナフトール
との使用量は、モリ比で約２：１の割合が望まし
いが、所望ならばいずれか一方を過剰に用いるこ
ともできる。 溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ケロセ
ン、石油エーテルのような脂肪族炭化水素類、ア
セトン、メチルエチルケトンのようなケトン類、
ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭
化水素類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフランのようなエーテル類、メ
タノール、エタノールのようなアルコール類、酢
酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類などが
用いられる。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種以上混合してもよい。 次に、前記のようにして析出した包接化合物の
結晶をろ別し、必要に応じて再結晶などにより精
製したのち、それを溶媒に溶かし、シリカゲル、
アルミナゲル、シリカーアルミナゲルなどで処理
することにより１，1′−ビ−２−ナフトールの光
学活性体とスルホキシド類の光学活性体とに分割
する。また、このようなシリカゲル、アルミナゲ
ルによる処理を行う代りに、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムのようなアルカリで処理したり、
あるいは、ラセミ化を起こさない温和な条件下で
蒸留処理して各成分光学活性体に分割することも
できる。 このようにして、高純度のスルホキシド類の光
学活性体を高収率で得ることができる。 発明の効果 本発明方法はスルホキシド類のラセミ体を直接
光学分割して、該スルホキシド類の光学活性体を
工業的有利に製造する方法であり、この方法によ
ると、スルホキシド類の光学活性体が極めて容易
に、高純度かつ高収率で得られる。得られた該ス
ルホキシド類の光学活性体は、光学活性な成分と
選択的に包接化合物を形成するので、光学分割剤
として有用である。 実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
るが、本発明はこれらの例によつて何ら限定され
るものではない。 実施例 １ メチル−ｎ−ブチルスルホキシドのラセミ体
1.68ｇと(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール
〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕2.00ｇ
と
をベンゼン10mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン10
mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出した
(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−ｎ−ブチルスルホキシド１モルと
から成る包接化合物をろ取し、ベンゼン20mlで２
回再結晶したのち乾燥することにより、無色プリ
ズム状結晶〔融点152〜155℃、〔α〕D＋55.8゜（エタ
ノール中）〕2.14ｇを得た。 次に、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと酢
酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカラ
ムに通して処理したところ、（＋）−メチル−ｎ−
ブチルスルホキシド〔〔α〕D＋111゜（エタノール
中）〕0.63ｇを得た。 実施例 ２ メチル−iso−ブチルスルホキシドのラセミ体
0.84ｇと(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール
〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00ｇ
と
をベンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン５
mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出した
(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−iso−ブチルスルホキシド１モル
とから成る包接化合物をろ取し、ベンゼン５mlで
５回再結晶したのち乾燥することにより、無色プ
リズム晶〔融点122〜124℃、〔α〕D＋55.4゜（エタノ
ール中）〕0.43ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−
iso−ブチルスルホキシド〔〔α〕D＋109゜（エタノー
ル中）〕0.12ｇを得た。 実施例 ３ メチル−ｎ−プロピルスルホキシドのラセミ体
0.74ｇと(R)）−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトー
ル〔〔α〕D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00
ｇとをベンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサ
ン５mlを加えて室温で12時間放置したのち、析出
した(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モ
ルと（＋）−メチル−ｎ−プロピルスルホキシド
１モルとから成る包接化合物をろ取し、ベンゼン
10mlで２回再結晶したのち乾燥することにより、
無色プリズム状結晶〔融点157〜160℃、〔α〕D＋
54.2゜（エタノール中）〕1.00ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−ｎ
−プロピルスルホキシド〔〔α〕D＋123゜（エタノー
ル中）〕0.27ｇを得た。 実施例 ４ メチル−エチルスルホキシドのラセミ体0.64ｇ
と(R)−（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール〔〔α〕
D＋37.7゜（テトラヒドロフラン中）〕1.00ｇとをベ
ンゼン５mlに溶解し、これにｎ−ヘキサン５mlを
加えて室温で12時間放置したのち、析出した(R)−
（＋）−１，1′−ビ−２−ナフトール１モルと
（＋）−メチル−エチルスルホキシド１モルとから
成る包接化合物をろ取し、ベンゼン５mlで１回再
結晶したのち乾燥することにより、無色プリズム
状結晶〔融点124〜127℃、〔α〕D＋30.5゜（エタノー
ル中）〕0.59ｇを得た。 次いで、この結晶を溶出溶媒としてベンゼンと
酢酸エチルとの等量混合物を用い、シリカゲルカ
ラムに通して処理したところ、（＋）−メチル−エ
チルスルホキシド〔〔α〕D＋39.1゜（エタノール中）
〕
0.14ｇを得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中のR1及びR2はたがいに異なる低級アルキ
ル基である） で示されるスルホキシド類のラセミ体に、１，
1′−ビ−２−ナフトールの光学活性体を反応させ
て、前記スルホキシド類の光学活性体と１，1′−
ビ−２−ナフトールの光学活性体との包接化合物
を生成させ、これを分離したのち、分解して前記
スルホキシド類の光学活性体を得ることを特徴と
する光学活性なスルホキシド類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15697484A JPS6136254A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光学活性なスルホキシド類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15697484A JPS6136254A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光学活性なスルホキシド類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136254A JPS6136254A (ja) | 1986-02-20 |
| JPH0521104B2 true JPH0521104B2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=15639397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15697484A Granted JPS6136254A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光学活性なスルホキシド類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136254A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2765055B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1998-06-11 | 日産自動車株式会社 | 内燃機関の機械式過給装置 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15697484A patent/JPS6136254A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6136254A (ja) | 1986-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |