JPH0524184B2 - - Google Patents
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- JPH0524184B2 JPH0524184B2 JP14262182A JP14262182A JPH0524184B2 JP H0524184 B2 JPH0524184 B2 JP H0524184B2 JP 14262182 A JP14262182 A JP 14262182A JP 14262182 A JP14262182 A JP 14262182A JP H0524184 B2 JPH0524184 B2 JP H0524184B2
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Landscapes
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Description
本発明は、新規なジスアゾ化合物およびその製
造方法に関する。 従来から、ある種のジスアゾ化合物が、電子写
真用感光体の一の形態である積層型感光体の、電
荷発生層に用いられる電荷発生顔料として、有効
であることが知られている。ここでいう積層型感
光体とは、導電性支持体上に、光によつて、電荷
担体を生成する能力を有する電荷発生顔料を、適
切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液の塗布ある
いは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散液
の塗布などにより薄層として電荷発生層を形成せ
しめ、その上に電荷発生層で生成した電荷担体を
効率よく注入され得て、しかもその移動を行うと
ころの電荷搬送層(通常この電荷搬送層は、電荷
搬送物質と、結着樹脂とからなる。)を形成せし
めた感光体である。従来、この種の感光体に使用
されるジスアゾ化合物として、例えば、特開昭47
−37543号公報、及び、特開昭52−55643号公報な
どに記載されているベンジジン系ジスアゾ化合物
あるいは特開昭52−8832号公報に記載されている
スチルベン系ジスアゾ化合物などが知られてい
る。しかしながら、従来のジスアゾ化合物を用い
た積層型の感光体は一般に感度が低く、また、可
視域の感光波長域がおよそ450〜700nmに亘つて
おり、この感光波長特性から云つて赤色原稿の画
像再現性が悪かつた。そのため、この感光体を実
装する場合は、赤色光をカツトするフイルターを
用いる必要があるなどの理由から複写機設計上の
不利があつた。 本発明の目的は、電子写真感光体において有効
な、特に先に述べた積層型の感光体において有効
な新規なジスアゾ化合物を提供することにあり、
本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型の感光体
は、従来のジスアゾ化合物を用いた感光体と比べ
その感度が高く、また、その感光波長域が可視域
の短波長側(およそ450〜600nm)にしかないた
め、赤色原稿の複写画像再現性も優れたものであ
る。 また、本発明の他の目的は、上記ジスアゾ化合
物の製造方法を提供することにある。 本発明の1つは、一般式()で表わされる新
規なジスアゾ化合物である。 一般式() 〔式中、Aは
造方法に関する。 従来から、ある種のジスアゾ化合物が、電子写
真用感光体の一の形態である積層型感光体の、電
荷発生層に用いられる電荷発生顔料として、有効
であることが知られている。ここでいう積層型感
光体とは、導電性支持体上に、光によつて、電荷
担体を生成する能力を有する電荷発生顔料を、適
切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液の塗布ある
いは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散液
の塗布などにより薄層として電荷発生層を形成せ
しめ、その上に電荷発生層で生成した電荷担体を
効率よく注入され得て、しかもその移動を行うと
ころの電荷搬送層(通常この電荷搬送層は、電荷
搬送物質と、結着樹脂とからなる。)を形成せし
めた感光体である。従来、この種の感光体に使用
されるジスアゾ化合物として、例えば、特開昭47
−37543号公報、及び、特開昭52−55643号公報な
どに記載されているベンジジン系ジスアゾ化合物
あるいは特開昭52−8832号公報に記載されている
スチルベン系ジスアゾ化合物などが知られてい
る。しかしながら、従来のジスアゾ化合物を用い
た積層型の感光体は一般に感度が低く、また、可
視域の感光波長域がおよそ450〜700nmに亘つて
おり、この感光波長特性から云つて赤色原稿の画
像再現性が悪かつた。そのため、この感光体を実
装する場合は、赤色光をカツトするフイルターを
用いる必要があるなどの理由から複写機設計上の
不利があつた。 本発明の目的は、電子写真感光体において有効
な、特に先に述べた積層型の感光体において有効
な新規なジスアゾ化合物を提供することにあり、
本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型の感光体
は、従来のジスアゾ化合物を用いた感光体と比べ
その感度が高く、また、その感光波長域が可視域
の短波長側(およそ450〜600nm)にしかないた
め、赤色原稿の複写画像再現性も優れたものであ
る。 また、本発明の他の目的は、上記ジスアゾ化合
物の製造方法を提供することにある。 本発明の1つは、一般式()で表わされる新
規なジスアゾ化合物である。 一般式() 〔式中、Aは
【式】(式中R1〜R4
は次の通り、R2がOCH3の時R1,R3,R4はH;
R2がCH3の時R1,R3,R4はH;R3がCH3の時
R1,R2,R4がH;R1がClの時R2,R3,R4はH;
R2がClの時R1,R3,R4がH;R1がBrの時R2,
R3,R4はH;R2がBrの時R1,R3,R4がH;R3
がBrの時R1,R2,R4がH;R2がFの時R1,R3,
R4がH;R2がIの時R1,R3,R4がH;R2がCF3
の時R1,R3,R4がH;R1がNO2の時R2,R3,R4
がH;R2がNO2の時R1,R3,R4がH;R2がCN
の時R1,R3,R4がH;R1,R4がClの時R2,R3は
H;R1がCH3,R4がClの時R2,R3がHを示す。) 又は
R2がCH3の時R1,R3,R4はH;R3がCH3の時
R1,R2,R4がH;R1がClの時R2,R3,R4はH;
R2がClの時R1,R3,R4がH;R1がBrの時R2,
R3,R4はH;R2がBrの時R1,R3,R4がH;R3
がBrの時R1,R2,R4がH;R2がFの時R1,R3,
R4がH;R2がIの時R1,R3,R4がH;R2がCF3
の時R1,R3,R4がH;R1がNO2の時R2,R3,R4
がH;R2がNO2の時R1,R3,R4がH;R2がCN
の時R1,R3,R4がH;R1,R4がClの時R2,R3は
H;R1がCH3,R4がClの時R2,R3がHを示す。) 又は
【式】を示す。〕
で表わされる。
また、本発明の他の1つは式()
で表わされる2,7−ジアミノアントラキノンを
ジアゾ化して一般式() (式中、Yはアニオン官能基を表わす。) で表わされるテトラゾニウム塩とし、ついでこの
テトラゾニウム塩と (式中、R1、R2、R3、R4は前記と同じ) 又は
ジアゾ化して一般式() (式中、Yはアニオン官能基を表わす。) で表わされるテトラゾニウム塩とし、ついでこの
テトラゾニウム塩と (式中、R1、R2、R3、R4は前記と同じ) 又は
【式】とを反
応させることを特徴とする、一般式()
(式中Aは前記と同じ)で表されるジスアゾ化
合物の製造方法である。 式()で表わしたテ
トラゾニウム塩化合物は、ジスアゾ化合物の有用
な中間体であり、適当なカツプラーと組み合わせ
ることにより、アントキノン骨格を有し、その2
位および7位にアゾ基を有する広汎なジスアゾ化
合物を合成することができる。そして、このジス
アゾ化合物は電子写真感光体の光導電材料、特に
電荷発生材料としての用途が期待される。 一般式()のテトラゾニウム塩化合物におけ
るアニオン官能基の代表例としてはCl ,Br ,
I ,OBF4 ,PF6 ,
合物の製造方法である。 式()で表わしたテ
トラゾニウム塩化合物は、ジスアゾ化合物の有用
な中間体であり、適当なカツプラーと組み合わせ
ることにより、アントキノン骨格を有し、その2
位および7位にアゾ基を有する広汎なジスアゾ化
合物を合成することができる。そして、このジス
アゾ化合物は電子写真感光体の光導電材料、特に
電荷発生材料としての用途が期待される。 一般式()のテトラゾニウム塩化合物におけ
るアニオン官能基の代表例としてはCl ,Br ,
I ,OBF4 ,PF6 ,
【式】
ClO4
OSO42
,
【式】AsF6
,SbF6
,が
挙げられ、好ましくは、BF4
である。
本発明の式()で表わされるジスアゾ化合物
は前述のように積層型の電子写真感光体の電荷発
生物質として有用であるが、さらに、樹脂中に電
荷発生物質と電荷搬送物質とを分散させた単層型
の感光層を有する電子写真感光体における電荷発
生物質として、また、樹脂中に光導電性物質を分
散させた感光層を有する電子写真感光体における
光導電性物質としても有用である。 一般式()のテトラゾニウム塩は新規化合物
エチルでその製造方法は、2,7−ジアミノアン
トラキノンのジアゾ化は、これを例えば塩酸ある
いは硫酸のような無機酸中で亜硝酸ナトリウムを
−10℃ないし20℃にて添加することにより行なわ
れる。このジアゾ化反応は、およそ30分間から3
時間で完結する。さらにこのジアゾ化反応液に、
例えばホウフツ化水素酸あるいは、ホウフツ化ナ
トリウム水溶液などを加えることによりテトラゾ
ニウム塩が得られる。 前記一般式()のジスアゾ化合物の製造は、
上記のジアゾ化反応液を、そのままカツプラーに
作用せしめることによつても行なうことができる
し、また、ジアゾ化反応液に、例えばホウフツ化
水素酸あるいはホウフツ化ナトリウム水溶液など
を加えて一般式()のテトラゾニウム塩として
沈澱させることによつて、テトラゾニウム塩を単
離してから、これと一般式()のカツプラーを
反応せしめることによつても得ることができる。
実際には、この反応は、N,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)や、ジメチルスルホキシドなど
の有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカツプラー
を混合溶解しておき、これを約−10℃ないし40℃
に酢酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を
滴下することにより行なわれる。この反応はおよ
そ5分間ないし3時間で完結する。反応終了後、
析出している結晶を取し適切な方法により精製
(例えば、水あるいは/および有機溶剤による洗
浄、再結晶法など)することにより上記ジスアゾ
化合物の製造は完了する。 このようにして製造される本発明のテトラゾニ
ウム塩およびジスアゾ化合物の製造例を示せば次
の通りである。 製造例 2,7−ジアミノアントラキノン4.76grを氷冷
下に濃硫酸40mlに溶解した。この溶液を冷水100
mlに注入し、さらに、この混合物に、亜硝酸アト
リウム3.0grを水10mlに溶解した溶液を0〜5℃
にて約20分間を要して滴下した。この反応混合物
を約0℃でさらに40分間撹拌したのち、冷水400
mlに注入し、ついで少量の不溶物をを別したの
ち、液に42%HBF4を50ml加えた。析出してく
る沈澱を取し、100mlの冷水で洗浄したのち、
メタノール100mlでさらに洗浄を行ない、ついで、
乾燥して、淡褐色のアントラキノン−2,7−ビ
スジアゾニウムビステトラフルオロボレート7.16
g(82.1%)を得た。 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) νH2 2280cm-1 νco 1680cm-1 元素分析値C14H6N4O2B2F8として 実測値 計算値 N% 13.03 13.22 また、第1図に赤外線吸収スペクトル図を示し
た。 ついで、このようにして得たテトラゾニウム塩
2.18gr(0.005モル)および一般式()で示され
るカツプラー0.01モルをDMF300mlに溶解し、こ
れに酢酸ナトリウム1.64grを水14mlに溶解した溶
液を室温にて約15分間で滴下した。滴下終了後、
同温度でさらに2時間撹拌したのち析出している
結晶を取した。得られた粗結晶ケーキを
DMF300mlに分散し、80℃で2時間撹拌したのち
再び結晶を取し、さらにこの操作を2回繰り返
した。その後、結晶を水洗して乾燥し、本発明の
ジスアゾ化合物を得た。表−1および表−2に上
記製造例に従つて合成した本発明のジスアゾ化合
物例を示す。
は前述のように積層型の電子写真感光体の電荷発
生物質として有用であるが、さらに、樹脂中に電
荷発生物質と電荷搬送物質とを分散させた単層型
の感光層を有する電子写真感光体における電荷発
生物質として、また、樹脂中に光導電性物質を分
散させた感光層を有する電子写真感光体における
光導電性物質としても有用である。 一般式()のテトラゾニウム塩は新規化合物
エチルでその製造方法は、2,7−ジアミノアン
トラキノンのジアゾ化は、これを例えば塩酸ある
いは硫酸のような無機酸中で亜硝酸ナトリウムを
−10℃ないし20℃にて添加することにより行なわ
れる。このジアゾ化反応は、およそ30分間から3
時間で完結する。さらにこのジアゾ化反応液に、
例えばホウフツ化水素酸あるいは、ホウフツ化ナ
トリウム水溶液などを加えることによりテトラゾ
ニウム塩が得られる。 前記一般式()のジスアゾ化合物の製造は、
上記のジアゾ化反応液を、そのままカツプラーに
作用せしめることによつても行なうことができる
し、また、ジアゾ化反応液に、例えばホウフツ化
水素酸あるいはホウフツ化ナトリウム水溶液など
を加えて一般式()のテトラゾニウム塩として
沈澱させることによつて、テトラゾニウム塩を単
離してから、これと一般式()のカツプラーを
反応せしめることによつても得ることができる。
実際には、この反応は、N,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)や、ジメチルスルホキシドなど
の有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカツプラー
を混合溶解しておき、これを約−10℃ないし40℃
に酢酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を
滴下することにより行なわれる。この反応はおよ
そ5分間ないし3時間で完結する。反応終了後、
析出している結晶を取し適切な方法により精製
(例えば、水あるいは/および有機溶剤による洗
浄、再結晶法など)することにより上記ジスアゾ
化合物の製造は完了する。 このようにして製造される本発明のテトラゾニ
ウム塩およびジスアゾ化合物の製造例を示せば次
の通りである。 製造例 2,7−ジアミノアントラキノン4.76grを氷冷
下に濃硫酸40mlに溶解した。この溶液を冷水100
mlに注入し、さらに、この混合物に、亜硝酸アト
リウム3.0grを水10mlに溶解した溶液を0〜5℃
にて約20分間を要して滴下した。この反応混合物
を約0℃でさらに40分間撹拌したのち、冷水400
mlに注入し、ついで少量の不溶物をを別したの
ち、液に42%HBF4を50ml加えた。析出してく
る沈澱を取し、100mlの冷水で洗浄したのち、
メタノール100mlでさらに洗浄を行ない、ついで、
乾燥して、淡褐色のアントラキノン−2,7−ビ
スジアゾニウムビステトラフルオロボレート7.16
g(82.1%)を得た。 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) νH2 2280cm-1 νco 1680cm-1 元素分析値C14H6N4O2B2F8として 実測値 計算値 N% 13.03 13.22 また、第1図に赤外線吸収スペクトル図を示し
た。 ついで、このようにして得たテトラゾニウム塩
2.18gr(0.005モル)および一般式()で示され
るカツプラー0.01モルをDMF300mlに溶解し、こ
れに酢酸ナトリウム1.64grを水14mlに溶解した溶
液を室温にて約15分間で滴下した。滴下終了後、
同温度でさらに2時間撹拌したのち析出している
結晶を取した。得られた粗結晶ケーキを
DMF300mlに分散し、80℃で2時間撹拌したのち
再び結晶を取し、さらにこの操作を2回繰り返
した。その後、結晶を水洗して乾燥し、本発明の
ジスアゾ化合物を得た。表−1および表−2に上
記製造例に従つて合成した本発明のジスアゾ化合
物例を示す。
【表】
【表】
【表】
これらの新規なジスアゾ化合物は常温において
赤〜赤紫色の粉体である。第2図から第13図に
は本発明の代表的なジスアゾ化合物の赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)を示した。 第2図…化合物No.3 第3図…化合物No.6 第4図…化合物No.7 第5図…化合物No.8 第6図…化合物No.9 第7図…化合物No.11 第8図…化合物No.12 第9図…化合物No.14 第10図…化合物No.16 第11図…化合物No.17 第12図…化合物No.18 第13図…化合物No.20 本発明のジスアゾ化合物は、前述の通り、電子
写真感光体の感光材料として、特に積層型感光体
の電荷発生材料として有効であり、その点を明ら
かにするために、以下に具体的な用途例を示す。
また、本発明の進歩性を明らかにするために、従
来のジスアゾ化合物との比較も同様に示す。 用途例 本発明のジスアゾ化合物No.12を76重量部、ポリ
エステル樹脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)
のテトラヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)
1260重量部、およびテトラヒドロフラン3700重量
部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液
をアルミニウム蒸着したポリエステルベース(導
電性支持体)のアルミ面上にドクターブレードを
用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約1μmの電荷
発生層を形成した。一方、9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド 1−メチル−1−フエニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パ
ンライトK1300,帝人化成株式会社製)2重量部
およびテトラヒドロフラン16重量部を混合溶解し
て溶液としたのち、これを前記電荷発生層上にド
クターブレードで塗布し80℃で2分間次いで100
℃で5分間乾燥して厚さ約20μmの電荷搬送層を
形成せしめ、第20図に示した積層型の感光体(A)
を作成した。 また、比較のために、上記感光体の作成手順に
従い、本発明のジスアゾ化合物の代りに 前述した特開昭45−37543号公報および特開
昭52−55643号公報に開示されているベンジジ
ン系ジスアゾ化合物である4,4′−ビス(2−
ヒドロキシ−3−フエニルカルバモイル−1−
ナフチルアゾ)−3,3′−ジクロルジフエニル
および、 特開昭52−8832号公報に記載されているスチ
ルベン系ジスアゾ化合物化合物である4,4′−
ビス(2−ヒドロキシ−3−フエニルカルバモ
イル−1−ナフチルアゾ)スチルベン を用いた以外は全く同様にして、それぞれ感光体
(B)および感光体(C)を作成した。 このようにして作成した感光体(A),(B)および(C)
について、市販の静電複写紙試験装置(川口電機
製作所製、SP−428型)を用いて、その静電特性
を測定した。すなわち、まず感光体に−6KVの
コロナ放電を20秒間行なつて、負帯電させ、その
時の表面電位を測定して、Vdo(ボルト)を求め、
そのまま20秒間暗所で、暗減衰させて、その時の
表面電位を測定してVpo(ボルト)とした。つい
で、タングステンランプから、その表面が照度20
ルツクスになるよう感光層に光照射を施し、その
表面電位がVpoの1/2になる迄の時間(秒)を求
めて、露光量E1/2(ルツクス・秒)とした。同
様に、Vpoの1/5及び1/10になる迄時間(秒)を
求めて、露光量E1/5(ルツクス・秒)及びE1/1
0(ルツクス・秒)を求めた。この結果を表−3
に示した。
赤〜赤紫色の粉体である。第2図から第13図に
は本発明の代表的なジスアゾ化合物の赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)を示した。 第2図…化合物No.3 第3図…化合物No.6 第4図…化合物No.7 第5図…化合物No.8 第6図…化合物No.9 第7図…化合物No.11 第8図…化合物No.12 第9図…化合物No.14 第10図…化合物No.16 第11図…化合物No.17 第12図…化合物No.18 第13図…化合物No.20 本発明のジスアゾ化合物は、前述の通り、電子
写真感光体の感光材料として、特に積層型感光体
の電荷発生材料として有効であり、その点を明ら
かにするために、以下に具体的な用途例を示す。
また、本発明の進歩性を明らかにするために、従
来のジスアゾ化合物との比較も同様に示す。 用途例 本発明のジスアゾ化合物No.12を76重量部、ポリ
エステル樹脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)
のテトラヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)
1260重量部、およびテトラヒドロフラン3700重量
部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液
をアルミニウム蒸着したポリエステルベース(導
電性支持体)のアルミ面上にドクターブレードを
用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約1μmの電荷
発生層を形成した。一方、9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド 1−メチル−1−フエニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パ
ンライトK1300,帝人化成株式会社製)2重量部
およびテトラヒドロフラン16重量部を混合溶解し
て溶液としたのち、これを前記電荷発生層上にド
クターブレードで塗布し80℃で2分間次いで100
℃で5分間乾燥して厚さ約20μmの電荷搬送層を
形成せしめ、第20図に示した積層型の感光体(A)
を作成した。 また、比較のために、上記感光体の作成手順に
従い、本発明のジスアゾ化合物の代りに 前述した特開昭45−37543号公報および特開
昭52−55643号公報に開示されているベンジジ
ン系ジスアゾ化合物である4,4′−ビス(2−
ヒドロキシ−3−フエニルカルバモイル−1−
ナフチルアゾ)−3,3′−ジクロルジフエニル
および、 特開昭52−8832号公報に記載されているスチ
ルベン系ジスアゾ化合物化合物である4,4′−
ビス(2−ヒドロキシ−3−フエニルカルバモ
イル−1−ナフチルアゾ)スチルベン を用いた以外は全く同様にして、それぞれ感光体
(B)および感光体(C)を作成した。 このようにして作成した感光体(A),(B)および(C)
について、市販の静電複写紙試験装置(川口電機
製作所製、SP−428型)を用いて、その静電特性
を測定した。すなわち、まず感光体に−6KVの
コロナ放電を20秒間行なつて、負帯電させ、その
時の表面電位を測定して、Vdo(ボルト)を求め、
そのまま20秒間暗所で、暗減衰させて、その時の
表面電位を測定してVpo(ボルト)とした。つい
で、タングステンランプから、その表面が照度20
ルツクスになるよう感光層に光照射を施し、その
表面電位がVpoの1/2になる迄の時間(秒)を求
めて、露光量E1/2(ルツクス・秒)とした。同
様に、Vpoの1/5及び1/10になる迄時間(秒)を
求めて、露光量E1/5(ルツクス・秒)及びE1/1
0(ルツクス・秒)を求めた。この結果を表−3
に示した。
【表】
また、本発明にかかわる感光体(A)の感光波長域
を調べるために、次の測定手順によつて分光感度
の測定を行なつた。 まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表
面電位を−800ボルト以上に帯電し、その表面電
位が−800ボルトになるまで暗減衰させ、表面電
位が−800ボルトになつたときにモノクロメータ
ーを用いて分光した1μW/cm2の単色光を感光体
に照射した。そして、その表面電位が−400Vに
減衰するまでの時間(秒)を求め、半減露光量
(μW・sec/cm2)を算出した。一方、露光によつ
て得られる見掛け上の電位差400ボルトから暗減
衰による電位の減衰分を差引いた露光により実際
に得られている電位差を求め、この電位差と上記
の半減露光量とから光減衰速度((Volt・cm2・
μW-1・sec-1)を算出し、感度とした。この分光
感度曲線を第21図に示した。 表−3の結果から明らかなように、本発明のジ
スアゾ化合物を用いた感光体(A)は従来のジスアゾ
化合物を用いた感光体(B)および(C)と比較してきわ
めて感度が高いことが判る。 また、第15図から、本発明のジスアゾ化合物
を用いた感光体(A)は、その感光波長域がおよそ
450〜600nmであることが判り、このことより、
赤色原稿の画像再現性のよいことが理解できる。
を調べるために、次の測定手順によつて分光感度
の測定を行なつた。 まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表
面電位を−800ボルト以上に帯電し、その表面電
位が−800ボルトになるまで暗減衰させ、表面電
位が−800ボルトになつたときにモノクロメータ
ーを用いて分光した1μW/cm2の単色光を感光体
に照射した。そして、その表面電位が−400Vに
減衰するまでの時間(秒)を求め、半減露光量
(μW・sec/cm2)を算出した。一方、露光によつ
て得られる見掛け上の電位差400ボルトから暗減
衰による電位の減衰分を差引いた露光により実際
に得られている電位差を求め、この電位差と上記
の半減露光量とから光減衰速度((Volt・cm2・
μW-1・sec-1)を算出し、感度とした。この分光
感度曲線を第21図に示した。 表−3の結果から明らかなように、本発明のジ
スアゾ化合物を用いた感光体(A)は従来のジスアゾ
化合物を用いた感光体(B)および(C)と比較してきわ
めて感度が高いことが判る。 また、第15図から、本発明のジスアゾ化合物
を用いた感光体(A)は、その感光波長域がおよそ
450〜600nmであることが判り、このことより、
赤色原稿の画像再現性のよいことが理解できる。
第1図は製造例のテトラゾニウム塩化合物の赤
外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
第2図〜第13図は、本発明の代表的なジスアゾ
化合物の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)
である。第14図は本発明にかかわる電子写真感
光体の拡大断面図で、11はポリエステルベー
ス、22はアルミニウム蒸着膜、33は電荷発生
層、44は電荷搬送層を表わす。 第15図は本発明にかかわる電子写真感光体の分
光感度曲線である。
外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
第2図〜第13図は、本発明の代表的なジスアゾ
化合物の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)
である。第14図は本発明にかかわる電子写真感
光体の拡大断面図で、11はポリエステルベー
ス、22はアルミニウム蒸着膜、33は電荷発生
層、44は電荷搬送層を表わす。 第15図は本発明にかかわる電子写真感光体の分
光感度曲線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式() 〔式中、Aは
【式】 (式中R1〜R4は次の通り、R2がOCH3の時R1,
R3,R4はH;R2がCH3の時R1,R3,R4はH;R3
がCH3の時R1,R2,R4がH;R1がClの時R2,
R3,R4はH;R2がClの時R1,R3,R4がH;R1が
Brの時R2,R3,R4はH;R2がBrの時R1,R3,
R4がH;R3がBrの時R1,R2,R4がH;R2がF
の時R1,R3,R4がH;R2がIの時R1,R3,R4が
H;R2がCF3の時R1,R3,R4がH;R1がNO2の
時R2,R3,R4がH;R2がNO2の時R1,R3,R4が
H;R2がCNの時R1,R3,R4がH;R1,R4がCl
の時R2,R3はH;R1がCH3,R4がClの時R2,R3
がHを示す。) 又は【式】を示す。〕 で表わされるジスアゾ化合物。 2 式() で表わされる2,7−ジアミノアントラキノンを
ジアゾ化して一般式() (式中、Yはアニオン官能基を表わす) で表わされるテトラゾニウム塩とし、ついでこの
テトラゾニウム塩と 式中、R1〜R4は次の通り、R2がOCH3の時R1,
R3,R4はH;R2がCH3の時R1,R3,R4はH;R3
がCH3の時R1,R2,R4がH;R1がClの時R2,
R3,R4はH;R2がClの時R1,R3,R4がH;R1が
Brの時R2,R3,R4はH;R2がBrの時R1,R3,
R4がH;R3がBrの時R1,R2,R4がH;R2がF
の時R1,R3,R4がH;R2がIの時R1,R3,R4が
H;R2がCF3の時R1,R3,R4がH;R1がNO2の
時R2,R3,R4がH;R2がNO2の時R1,R3,R4が
H;R2がCNの時R1,R3,R4がH;R1,R4がCl
の時R2,R3はH;R1がCH3,R4がClの時R2,R3
がHを示す。) 又は【式】 のカプラーと反応させることを特徴とする一般式
() 〔式中、Aは
【式】 又は【式】 (式中、R1,R2,R3,R4は前記と同じ)〕で
表わされるジスアゾ化合物の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14262182A JPS5933253A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
| US06/493,913 US4486522A (en) | 1982-05-20 | 1983-05-12 | Tetrazonium salt, novel disazo compound, method of preparing same and electrophotographic element using same |
| GB08314007A GB2122211B (en) | 1982-05-20 | 1983-05-20 | Disazo compounds and electrophotographic elements containing them |
| DE3318510A DE3318510C2 (de) | 1982-05-20 | 1983-05-20 | Bisazoverbindung, Verfahren zu deren Herstellung und die Bisazoverbindung enthaltendes elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JP41785290A JPH03264555A (ja) | 1982-08-19 | 1990-12-28 | テトラゾニウム塩化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14262182A JPS5933253A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41785290A Division JPH03264555A (ja) | 1982-08-19 | 1990-12-28 | テトラゾニウム塩化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933253A JPS5933253A (ja) | 1984-02-23 |
| JPH0524184B2 true JPH0524184B2 (ja) | 1993-04-07 |
Family
ID=15319592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14262182A Granted JPS5933253A (ja) | 1982-05-20 | 1982-08-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933253A (ja) |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP14262182A patent/JPS5933253A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5933253A (ja) | 1984-02-23 |
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