JPS6042932A - ３相ソリツドステ−トリレ− - Google Patents
３相ソリツドステ−トリレ−Info
- Publication number
- JPS6042932A JPS6042932A JP15192683A JP15192683A JPS6042932A JP S6042932 A JPS6042932 A JP S6042932A JP 15192683 A JP15192683 A JP 15192683A JP 15192683 A JP15192683 A JP 15192683A JP S6042932 A JPS6042932 A JP S6042932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- ssr
- main body
- main
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、３相交流電源の負荷への供給を捨所制御する
３相ソリンドステートリレ−（以下３相ＳＳＲと記す）
に関するものである。
３相ソリンドステートリレ−（以下３相ＳＳＲと記す）
に関するものである。
従来、３相交流モータの駆動制御を行なう場合には、メ
カニカルリレーである電磁開閉器を用い、これを開閉制
御することにより該モーフへの３相い使用状況下では、
その接点の摩耗が激しくなり、下単相ＳＳＲと記す）が
あり、これは上記電磁開閉器のような接点は必要ないも
のであり、従ってイリスタ、８５．８６は図示しない制
御回路に接信号が“Ｈ”のときは、上記制御端子８５．
８６間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイク
ルにおいては、電源側主端子８１．第１ゲート補助回路
８７．制御端子８５．８６間、第２サイリスタ８４のゲ
ート、負荷側主端子８２の経路で補助電流が流れて第２
サイリスタ８４がオンし、これにより主電流が電源側主
端子８１がら第２サイリスタ８４を通って負荷側主端子
８２に流れ、また単相交流の負の半サイクルでは、同様
にして第２ゲート補助回路８８および第１サイリスタ８
３が動作し、主電流が負荷側から第１サイリスタ８３を
通って電源側に流れ、その結果負荷に単相電力が供給さ
れることとなる。
カニカルリレーである電磁開閉器を用い、これを開閉制
御することにより該モーフへの３相い使用状況下では、
その接点の摩耗が激しくなり、下単相ＳＳＲと記す）が
あり、これは上記電磁開閉器のような接点は必要ないも
のであり、従ってイリスタ、８５．８６は図示しない制
御回路に接信号が“Ｈ”のときは、上記制御端子８５．
８６間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイク
ルにおいては、電源側主端子８１．第１ゲート補助回路
８７．制御端子８５．８６間、第２サイリスタ８４のゲ
ート、負荷側主端子８２の経路で補助電流が流れて第２
サイリスタ８４がオンし、これにより主電流が電源側主
端子８１がら第２サイリスタ８４を通って負荷側主端子
８２に流れ、また単相交流の負の半サイクルでは、同様
にして第２ゲート補助回路８８および第１サイリスタ８
３が動作し、主電流が負荷側から第１サイリスタ８３を
通って電源側に流れ、その結果負荷に単相電力が供給さ
れることとなる。
一方、上記制御信号が“Ｌ ”のときは上記制御端子８
５．８６間は開放状態となり、その結果両すイリ子夕８
３，８４はオフのままで負荷には単相電力は供給されな
い。従ってこの単相ＳＳＲを用いれば、上記制御信号に
よって単相電源の負荷への供給を捨所制御できることと
なる。
５．８６間は開放状態となり、その結果両すイリ子夕８
３，８４はオフのままで負荷には単相電力は供給されな
い。従ってこの単相ＳＳＲを用いれば、上記制御信号に
よって単相電源の負荷への供給を捨所制御できることと
なる。
このような従来の状況において、上記３相交流電源の負
荷への供給を捨所制御する場合は、電磁開閉器の代わり
に上記単相ＳＳＲを組合せることによって上記寿命低下
の問題を回避することが可能であると考えられる。
荷への供給を捨所制御する場合は、電磁開閉器の代わり
に上記単相ＳＳＲを組合せることによって上記寿命低下
の問題を回避することが可能であると考えられる。
本発明は、かかる点に鑑み、３相交流電源の負荷への供
給を捨所するための装置として、上記電磁開閉器におけ
る接点の摩耗による寿命低下という問題を回避できる３
相ＳＳＲであって、かつ該３相ＳＳＲを、半導体主素子
回路及びこれをサージ電圧等から保護するアブソーバ回
路を有するＳＳＲ本体と、これをオン、オフ制御するｎ
ＩＩ！御回路部とに分割して構成し、それぞれを相互に
着脱自在とすることにより、各回路部をそれぞれ独立し
て交換でき、非常に経済的でかつ便利な３相ソリツドス
テートリレーを捉供することを目的としている。
給を捨所するための装置として、上記電磁開閉器におけ
る接点の摩耗による寿命低下という問題を回避できる３
相ＳＳＲであって、かつ該３相ＳＳＲを、半導体主素子
回路及びこれをサージ電圧等から保護するアブソーバ回
路を有するＳＳＲ本体と、これをオン、オフ制御するｎ
ＩＩ！御回路部とに分割して構成し、それぞれを相互に
着脱自在とすることにより、各回路部をそれぞれ独立し
て交換でき、非常に経済的でかつ便利な３相ソリツドス
テートリレーを捉供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による３相５ＳＲ７０を示し
、これは第３図に示すように、３相交流電源６２と負荷
である３相交流モータ６３とを接続する３相ケーブル６
４の途中に介挿され、第１図に示す主素子回路８０と同
じ回路を３つ備えた主回路部６１でもって上記３相交流
電源６２のモータ６３への供給を捨所制御するものであ
る。
、これは第３図に示すように、３相交流電源６２と負荷
である３相交流モータ６３とを接続する３相ケーブル６
４の途中に介挿され、第１図に示す主素子回路８０と同
じ回路を３つ備えた主回路部６１でもって上記３相交流
電源６２のモータ６３への供給を捨所制御するものであ
る。
そして上記３相５ＳＲ７０は、第２図に示すように、そ
れぞれ相互に分割して構成されたＳＳＲ本体１０及び制
御回路部２０からなり、上記ＳＳＲ本体ＩＯには、上述
の主回路部６１及びこれを雷等のサージ電圧から保護す
るアブソーバ回路が収納されている。またこのＳＳＲ本
体１０の上面前、後部には、上記各主素子回路８０を電
源側又は負荷側の３相ケーブル６４に接続するための主
端子１１ａ、１２ａ、１３ａ゛及び主端子１１ｂ。
れぞれ相互に分割して構成されたＳＳＲ本体１０及び制
御回路部２０からなり、上記ＳＳＲ本体ＩＯには、上述
の主回路部６１及びこれを雷等のサージ電圧から保護す
るアブソーバ回路が収納されている。またこのＳＳＲ本
体１０の上面前、後部には、上記各主素子回路８０を電
源側又は負荷側の３相ケーブル６４に接続するための主
端子１１ａ、１２ａ、１３ａ゛及び主端子１１ｂ。
１２ｂ、１３ｂが対向して形成されており、この主端子
１１ａ”−１３８及び主端子１１ｂ〜１３ｂはそれぞれ
相互に平行な直線上に配設されている。
１１ａ”−１３８及び主端子１１ｂ〜１３ｂはそれぞれ
相互に平行な直線上に配設されている。
そしてこの各主端子１１〜１３と同一線上に、上記各主
素子回路８０に制御信号を印加するためのゲート中継端
子１ｊ、１５．１６が上記各主端子１１〜１３と交互に
配設されてお一す、該ゲート中継端子１４〜１６はそれ
ぞれ上方に突出して形成されている。そして上記主端子
１１〜１３は、それぞれを隔離する外方側面が開口した
コ字状の出力バリア１７で囲まれており、これにより主
端子１１〜１３とゲート中継端子１４〜１６との絶縁距
離、即ち沿面距離と空間距離とが確保されている。なお
、１８．１９はねし穴である。
素子回路８０に制御信号を印加するためのゲート中継端
子１ｊ、１５．１６が上記各主端子１１〜１３と交互に
配設されてお一す、該ゲート中継端子１４〜１６はそれ
ぞれ上方に突出して形成されている。そして上記主端子
１１〜１３は、それぞれを隔離する外方側面が開口した
コ字状の出力バリア１７で囲まれており、これにより主
端子１１〜１３とゲート中継端子１４〜１６との絶縁距
離、即ち沿面距離と空間距離とが確保されている。なお
、１８．１９はねし穴である。
また、上記制御回路部２０には、上記主素子回路８０を
オン、オフ制御するための制御回路（図示せず）が収納
されており、その側部には１対の入力端子２２が配設さ
れ、また前、後部には３対の出力端子２３．．２４．２
５がそれぞれ対向して配設されている。そして上記出力
端子２３〜２５のそれぞれには該端子２３〜２５と上記
ＳＳＲ本体１０のゲート中継端子１４〜１６とを接続す
るための孔４３，４４．４５が形成されている。なお、
２６はこの制御回路部２０を上記ＳＳＲ本体１０に取付
けるための取付孔である。
オン、オフ制御するための制御回路（図示せず）が収納
されており、その側部には１対の入力端子２２が配設さ
れ、また前、後部には３対の出力端子２３．．２４．２
５がそれぞれ対向して配設されている。そして上記出力
端子２３〜２５のそれぞれには該端子２３〜２５と上記
ＳＳＲ本体１０のゲート中継端子１４〜１６とを接続す
るための孔４３，４４．４５が形成されている。なお、
２６はこの制御回路部２０を上記ＳＳＲ本体１０に取付
けるための取付孔である。
次に作用効果について説明する。
まずこの３相５ｓＲ７０を組立てる場合は、制御回路部
２０を、その出力端子２３〜２５の孔４３〜４５がＳＳ
Ｒ本体１０のゲート中継端子１４〜１Ｇに嵌合するよう
に上記ＳＳＲ本体】０の上に載置し、これらを取付孔２
６及びねし穴１８を使用してねしにより固定すればよい
。
２０を、その出力端子２３〜２５の孔４３〜４５がＳＳ
Ｒ本体１０のゲート中継端子１４〜１Ｇに嵌合するよう
に上記ＳＳＲ本体】０の上に載置し、これらを取付孔２
６及びねし穴１８を使用してねしにより固定すればよい
。
そして使用に際しては、外部からの制御信号線を制御回
路部２０の入力端子２２に接続し、電源側、負荷側の３
相ケーブルをＳＳＲ本体１０の主端子１１ａ、１２ａ、
１３ａ又は主端子１１ｂ。
路部２０の入力端子２２に接続し、電源側、負荷側の３
相ケーブルをＳＳＲ本体１０の主端子１１ａ、１２ａ、
１３ａ又は主端子１１ｂ。
１２ｂ、１３ｂにそれぞれ接続すればよい。
このような本実施例装置によれば、３相交流電源６２の
負荷６３への供給の捨所を無接点方式の半導体主素子回
路８０で行なうようにしたので、高頻度の開閉を行なう
使用状′５１下においても十分な耐久性、寿命が得られ
る。また、ＳＳＲ本体１０と制御回路部２０とを相互に
着脱自在としているので、そのいずれかに故障が生じて
も故障したものだけを交換すればよく、経済的である。
負荷６３への供給の捨所を無接点方式の半導体主素子回
路８０で行なうようにしたので、高頻度の開閉を行なう
使用状′５１下においても十分な耐久性、寿命が得られ
る。また、ＳＳＲ本体１０と制御回路部２０とを相互に
着脱自在としているので、そのいずれかに故障が生じて
も故障したものだけを交換すればよく、経済的である。
また制御回路部２０を、例えば位相制御機能、タイマー
機能を有するものに取替えることができ、実使用に際し
非常に便利である。
機能を有するものに取替えることができ、実使用に際し
非常に便利である。
以上のように、この発明によれば、３相交流電源の負荷
への供給の捨所を、半導体で構成した３相ＳＳＲで行な
うようにしたので、高頻度の開閉を行なう使用状況下に
おいても、十分な耐久性。
への供給の捨所を、半導体で構成した３相ＳＳＲで行な
うようにしたので、高頻度の開閉を行なう使用状況下に
おいても、十分な耐久性。
寿命を有し、しかも該３相ＳＳＲのＳＳＲ本体及び制御
回路部をそれぞれ分割して構成し、相互に着脱自在とし
たので、各回路部をそれぞれ独立して交換でき、非常に
経済的で便利な３相ソリ／トステートリレーが得られる
効果がある。
回路部をそれぞれ分割して構成し、相互に着脱自在とし
たので、各回路部をそれぞれ独立して交換でき、非常に
経済的で便利な３相ソリ／トステートリレーが得られる
効果がある。
第１図は単相ＳＳＲの半導体主素子回路の回路図、第２
図は本発明の一実施例による３相ＳＳＲの分解斜視図、
第３図は本３ 半１．１ ｓ Ｓ Ｒの使用状態を示す
図である。 １０・・・ＳＳＲ本体、２０・・・制御回路部、８０・
・・半導体主素子回路。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
図は本発明の一実施例による３相ＳＳＲの分解斜視図、
第３図は本３ 半１．１ ｓ Ｓ Ｒの使用状態を示す
図である。 １０・・・ＳＳＲ本体、２０・・・制御回路部、８０・
・・半導体主素子回路。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）３相交流電源の負荷への供給を捨所する半導体主
素子回路及びこの半導体主素子回路を異常高電圧から保
護するアブソーバ回路を有するソリッドステートリレ一
本体と、このソリッドステートリレ一本体と着脱自在に
設けられ上記半導体主素子回路を外部からの制御信号に
応してオン、オフ制御する制御回路部とを備えたことを
特徴とする３相ソリツドステートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192683A JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | ３相ソリツドステ−トリレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192683A JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | ３相ソリツドステ−トリレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042932A true JPS6042932A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0526367B2 JPH0526367B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=15529215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15192683A Granted JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | ３相ソリツドステ−トリレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042932A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527140A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-20 | Nippon Solid Co Ltd | Method of reclamation |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15192683A patent/JPS6042932A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527140A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-20 | Nippon Solid Co Ltd | Method of reclamation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526367B2 (ja) | 1993-04-15 |
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