JPH0553019B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0553019B2 JPH0553019B2 JP61077657A JP7765786A JPH0553019B2 JP H0553019 B2 JPH0553019 B2 JP H0553019B2 JP 61077657 A JP61077657 A JP 61077657A JP 7765786 A JP7765786 A JP 7765786A JP H0553019 B2 JPH0553019 B2 JP H0553019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical recording
- recording
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol.7.189.1964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol.7.189.1964））。
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネート、ポリメチルペ
ンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂や
ガラスが使用される。記録層２１としては通常
200Åから1000Å厚さのテルルセレン合金が使用
されている。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネート、ポリメチルペ
ンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂や
ガラスが使用される。記録層２１としては通常
200Åから1000Å厚さのテルルセレン合金が使用
されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、テルルセレン合金の組成を制御
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、第２高周波と記録キヤリアーとの比
（2ndH／Ｃ）が小さく、かつ、高感度で、かつ高
温高湿度においても光学特性が変化せず、ピツト
の周囲にクラツクがはいらない光記録媒体は得ら
れなかつた。
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、第２高周波と記録キヤリアーとの比
（2ndH／Ｃ）が小さく、かつ、高感度で、かつ高
温高湿度においても光学特性が変化せず、ピツト
の周囲にクラツクがはいらない光記録媒体は得ら
れなかつた。
本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、かつ高感度で信号品質の良好な真に実用的
な光記録媒体を提供することにある。
よく、かつ高感度で信号品質の良好な真に実用的
な光記録媒体を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によつて
記録しかつ読み取る光記録媒体において、セレン
層と、テルル層と、セレン層との少なくとも３層
を有し、かつ上記３層の厚さの合計が200Å未満
であることを特徴とする。
記録しかつ読み取る光記録媒体において、セレン
層と、テルル層と、セレン層との少なくとも３層
を有し、かつ上記３層の厚さの合計が200Å未満
であることを特徴とする。
本発明者らは、第１図に例を示すように基板１
の上にセレン層２、テルル層３、セレン層４と積
層して記録層を形成し、上記３層の厚さを200Å
未満とすることにより、量産性に優れ、2ndH／
Ｃが小さく高感度でかつ高耐候性を有する光記録
媒体となることを見出し、本発明に到つたもので
ある。
の上にセレン層２、テルル層３、セレン層４と積
層して記録層を形成し、上記３層の厚さを200Å
未満とすることにより、量産性に優れ、2ndH／
Ｃが小さく高感度でかつ高耐候性を有する光記録
媒体となることを見出し、本発明に到つたもので
ある。
（実施例 １）
以下本発明の実施例について説明する。内径15
mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカー
ボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、４×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まずSeを
25Å厚蒸着し、次にTeを125Å厚蒸着し、最後に
Seを25Å厚蒸着した。この光デイスクを80℃の
窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射の反射率を測定したとこ
ろ25％であつた。波長8300ÅのAlGaAs半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に絞
り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数0.625MHz
（デユーテイ50％）の条件で記録し、0.7mWで再
生した。2ndH／Ｃが最小値を示す記録パワーは
3.5mWであり、そのときの2ndH／Ｃは−36dB、
キヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は55dBと
良好であつた。比較のための25Å厚のSe、250Å
厚のTe、25Å厚のSeの光デイスクではアニール
後の基板入射反射率は41％であり、2ndH／Ｃが
最小値を示す記録パワーは4.5mWであり、その
ときの2ndH／Ｃは−32dB、Ｃ／Ｎは54dBであ
つた。比較デイスクのＣ／Ｎが反射率が大きいわ
りに低いのは、未記録ノイズが本実施例デイスク
の−67dBに比べて比較デイスクでは−64dBと悪
いためであり、膜が厚さを厚くつけるほど結晶化
しやすいことによつている。この意味からも膜厚
は薄いほうが望ましい。又、本実施例デイスクの
ように、膜厚を200Å未満とすることにより、反
射率が30％未満となるので記録前後の媒体反射率
変化を小さくできるので、フオーカス及びトラツ
キングサーボの不安定が生じない。次に、本実施
例デイスクを70℃80％の高温高湿度の環境に490
時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。これは、膜厚が200Å未満と薄いため膜
内の応力が小さくクラツクが生じないためと思わ
れる。テルルセレン合金記録膜の場合には、膜厚
が200Å以下で上記高温高湿度試験によつてピン
ポール等が発生し記録再生特性が劣化するが、本
発明の３層構成ではこのようなことがない。
mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカー
ボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、４×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まずSeを
25Å厚蒸着し、次にTeを125Å厚蒸着し、最後に
Seを25Å厚蒸着した。この光デイスクを80℃の
窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射の反射率を測定したとこ
ろ25％であつた。波長8300ÅのAlGaAs半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に絞
り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数0.625MHz
（デユーテイ50％）の条件で記録し、0.7mWで再
生した。2ndH／Ｃが最小値を示す記録パワーは
3.5mWであり、そのときの2ndH／Ｃは−36dB、
キヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は55dBと
良好であつた。比較のための25Å厚のSe、250Å
厚のTe、25Å厚のSeの光デイスクではアニール
後の基板入射反射率は41％であり、2ndH／Ｃが
最小値を示す記録パワーは4.5mWであり、その
ときの2ndH／Ｃは−32dB、Ｃ／Ｎは54dBであ
つた。比較デイスクのＣ／Ｎが反射率が大きいわ
りに低いのは、未記録ノイズが本実施例デイスク
の−67dBに比べて比較デイスクでは−64dBと悪
いためであり、膜が厚さを厚くつけるほど結晶化
しやすいことによつている。この意味からも膜厚
は薄いほうが望ましい。又、本実施例デイスクの
ように、膜厚を200Å未満とすることにより、反
射率が30％未満となるので記録前後の媒体反射率
変化を小さくできるので、フオーカス及びトラツ
キングサーボの不安定が生じない。次に、本実施
例デイスクを70℃80％の高温高湿度の環境に490
時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。これは、膜厚が200Å未満と薄いため膜
内の応力が小さくクラツクが生じないためと思わ
れる。テルルセレン合金記録膜の場合には、膜厚
が200Å以下で上記高温高湿度試験によつてピン
ポール等が発生し記録再生特性が劣化するが、本
発明の３層構成ではこのようなことがない。
（実施例）
実施例１と同様にしてTe層厚のみ100Åとし
た。アニール後の基板入射反射率は22％であつ
た。実施例１と同様にして評価したところ、記録
パワーは3.5mW、Ｃ／Ｎは51dB、2ndH／Ｃは−
37dBと良好であり、77℃80％の高温高湿度試験
においても上記特性に変化はなかつた。
た。アニール後の基板入射反射率は22％であつ
た。実施例１と同様にして評価したところ、記録
パワーは3.5mW、Ｃ／Ｎは51dB、2ndH／Ｃは−
37dBと良好であり、77℃80％の高温高湿度試験
においても上記特性に変化はなかつた。
上下のSe層の厚さはそれぞれ５〜50Åの範囲
が耐候性の観点から望ましい。
が耐候性の観点から望ましい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
高感度で信号品質がよく、サーボも安定であり、
かつ、高温高湿度においてもクラツクやピンホー
ルの生じない光記録媒体が得られ、組成制御をし
なくてもよいので量産的であり、膜厚も薄くてよ
いので製造コストも低い真に実用的な光記録媒体
が得られる。
高感度で信号品質がよく、サーボも安定であり、
かつ、高温高湿度においてもクラツクやピンホー
ルの生じない光記録媒体が得られ、組成制御をし
なくてもよいので量産的であり、膜厚も薄くてよ
いので製造コストも低い真に実用的な光記録媒体
が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，４はセレン
層、３はテルル層、２１は記録層、２２はピツト
を表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，４はセレン
層、３はテルル層、２１は記録層、２２はピツト
を表わす。
Claims (1)
- １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体において、セレン層と、テルル層と、
セレン層との少なくとも３層を有し、かつ上記３
層の厚さの合計が200Å未満であることを特徴と
する光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61077657A JPS62234246A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61077657A JPS62234246A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234246A JPS62234246A (ja) | 1987-10-14 |
| JPH0553019B2 true JPH0553019B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=13639953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61077657A Granted JPS62234246A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62234246A (ja) |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP61077657A patent/JPS62234246A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62234246A (ja) | 1987-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0474311A1 (en) | Optical data recording medium, method for writing and reading data and apparatus for recording data | |
| JPH0411928B2 (ja) | ||
| JPS6363153A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPS62234246A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2508188B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JP2508055B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH051749B2 (ja) | ||
| JP2508054B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0379776B2 (ja) | ||
| JPH051748B2 (ja) | ||
| JPH051750B2 (ja) | ||
| JPH051757B2 (ja) | ||
| JP2508056B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JP2508053B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH051745B2 (ja) | ||
| JPH0481951B2 (ja) | ||
| JPH0553020B2 (ja) | ||
| JPH051753B2 (ja) | ||
| JPH0553018B2 (ja) | ||
| JPH051754B2 (ja) | ||
| JPH051751B2 (ja) | ||
| JPH0530390B2 (ja) | ||
| JPH051758B2 (ja) | ||
| JPH051756B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |