JPH058855B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH058855B2 JPH058855B2 JP61154391A JP15439186A JPH058855B2 JP H058855 B2 JPH058855 B2 JP H058855B2 JP 61154391 A JP61154391 A JP 61154391A JP 15439186 A JP15439186 A JP 15439186A JP H058855 B2 JPH058855 B2 JP H058855B2
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- JP
- Japan
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- ray
- exposure
- mirror
- synchrotron radiation
- shutter
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置、さらに詳しくは大面積
のＸ線マスクパターンを短時間に均一転写するこ
とのできるＸ線露光装置に関する。
のＸ線マスクパターンを短時間に均一転写するこ
とのできるＸ線露光装置に関する。
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置
の原理は第２図に示すように、蓄積リング１にお
けるシンクロトロン放射光源２より発せられたシ
ンクロトロン放射光３をＸ線吸収材によるマスク
パターンが描かれたＸ線マスク４を通して被加工
物６のレジスト膜５にマスクパターンを転写する
ものである。
の原理は第２図に示すように、蓄積リング１にお
けるシンクロトロン放射光源２より発せられたシ
ンクロトロン放射光３をＸ線吸収材によるマスク
パターンが描かれたＸ線マスク４を通して被加工
物６のレジスト膜５にマスクパターンを転写する
ものである。
シンクロトロン放射光３は電子軌道面に対して
平行な方向には均一であるが、垂直方向には鋭い
角度分布をもつため放射光源２から約10ｍ離れた
位置でも幅数mmの均一露光域しか得られない。従
来、均一露光域を拡大する方法として例えば1983
年に発行された刊行物ニユークリア・インストル
メンツ・アンド・メソツズ（Nuclear
Instruments and Method）208巻281〜286頁に
開示されている第２図に示すような振動するＸ線
ミラーによる方法が広く用いられている。第２図
において、シンクロトロン放射光３は振動するＸ
線ミラー８によつて上下方向に拡大され、Ｘ線マ
スク４を通してＸ線レジスト５に照射される。
平行な方向には均一であるが、垂直方向には鋭い
角度分布をもつため放射光源２から約10ｍ離れた
位置でも幅数mmの均一露光域しか得られない。従
来、均一露光域を拡大する方法として例えば1983
年に発行された刊行物ニユークリア・インストル
メンツ・アンド・メソツズ（Nuclear
Instruments and Method）208巻281〜286頁に
開示されている第２図に示すような振動するＸ線
ミラーによる方法が広く用いられている。第２図
において、シンクロトロン放射光３は振動するＸ
線ミラー８によつて上下方向に拡大され、Ｘ線マ
スク４を通してＸ線レジスト５に照射される。
また、Ｘ線のシヤツターとしては通常シンクロ
トロン放射光利用施設と同様に鉛等のブロツクを
上下動させる構造のものが使用されていた。
トロン放射光利用施設と同様に鉛等のブロツクを
上下動させる構造のものが使用されていた。
ところで、シンクロトロン放射光の強度は従来
の電子線励起型Ｘ線源から発するＸ線の10〜100
倍にも及び、レジスト面上で100ｍＷ／cm2程度の
線量率を得ることができる。このような場合、感
度の高いＸ線レジストを使用すると露光時間は１
秒〜５秒程度となるが、従来用いられているＸ線
シヤツターは動作時間が数秒であるためこのよう
な短時間の露光を行うことができないという欠点
があつた。
の電子線励起型Ｘ線源から発するＸ線の10〜100
倍にも及び、レジスト面上で100ｍＷ／cm2程度の
線量率を得ることができる。このような場合、感
度の高いＸ線レジストを使用すると露光時間は１
秒〜５秒程度となるが、従来用いられているＸ線
シヤツターは動作時間が数秒であるためこのよう
な短時間の露光を行うことができないという欠点
があつた。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去
し大面積、短時間の露光を行い得るＸ線露光装置
を提供することにある。
し大面積、短時間の露光を行い得るＸ線露光装置
を提供することにある。
本発明はシンクロトロン放射光源から放射され
るシンクロトロン放射光を、振動するＸ線ミラー
で反射させ、Ｘ線マスクを通して反射光をＸ線レ
ジストが塗布された被加工物上に照射するＸ線露
光装置において、前記シンクロトロン放射光源と
前記Ｘ線ミラーとの間に高速軟Ｘ線シヤツターを
設け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ線シヤ
ツターを、動作させる露光制御装置を有すること
を特徴とするＸ線露光装置である。
るシンクロトロン放射光を、振動するＸ線ミラー
で反射させ、Ｘ線マスクを通して反射光をＸ線レ
ジストが塗布された被加工物上に照射するＸ線露
光装置において、前記シンクロトロン放射光源と
前記Ｘ線ミラーとの間に高速軟Ｘ線シヤツターを
設け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ線シヤ
ツターを、動作させる露光制御装置を有すること
を特徴とするＸ線露光装置である。
以下本発明の構成について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係るＸ線露光方法の実施例を
示す概略図である。基本的構成は第２図とほぼ同
じである。同一機構部分には同一番号を付してそ
の説明を省略する。ただし、本発明ではシンクロ
トロン放射光源２と振動するＸ線ミラー８の間に
高速軟Ｘ線シヤツター１１を設置し、上記Ｘ線ミ
ラー８と連動させて上記高速軟Ｘ線シヤツター１
１を動作させる露光制御装置１３を有している。
示す概略図である。基本的構成は第２図とほぼ同
じである。同一機構部分には同一番号を付してそ
の説明を省略する。ただし、本発明ではシンクロ
トロン放射光源２と振動するＸ線ミラー８の間に
高速軟Ｘ線シヤツター１１を設置し、上記Ｘ線ミ
ラー８と連動させて上記高速軟Ｘ線シヤツター１
１を動作させる露光制御装置１３を有している。
Ｘ線露光に使用されるＸ線は波長５オングスト
ローム以上の軟Ｘ線であるため、シヤツターの材
料としてステンレス鋼、銅、タングステン、タン
タル等の金属板を使用すれば0.5mm以下で板厚で
Ｘ線を手段することができる。また、シンクロト
ロン放射光源２とＸ線ミラー８間にシヤツター１
１を設置すればＸ線シヤツター１１の上下方向の
移動距離は10mm程度で十分である。そのため、シ
ヤツターの小型、軽量にでき、動作時間を0.2秒
以下とすることは容易である。
ローム以上の軟Ｘ線であるため、シヤツターの材
料としてステンレス鋼、銅、タングステン、タン
タル等の金属板を使用すれば0.5mm以下で板厚で
Ｘ線を手段することができる。また、シンクロト
ロン放射光源２とＸ線ミラー８間にシヤツター１
１を設置すればＸ線シヤツター１１の上下方向の
移動距離は10mm程度で十分である。そのため、シ
ヤツターの小型、軽量にでき、動作時間を0.2秒
以下とすることは容易である。
また、振動するＸせミラー８によるＸ線の走査
は第３図に示すように、均一露光域を得るために
は上下にかなり余裕をもつて行う必要がある。ミ
ラー振動の周波数は装置の振動を軽減するために
も小さくした方が望ましく、１〜数Hzとするのが
一般的である。第３図は１Hzの正弦曲線に沿つて
振動させた場合であるが時間軸ａからｂ，ｃから
ｄの部分はミラーの動きが直線的でないため露光
には使用されず、この間にシヤツターの開閉を行
えば露光に影響を与えない。実際には第１図に示
すようにミラー駆動装置１４から露光制御装置１
３にミラー位置信号１６を取り込み、ミラーが第
３図ａまたはｃの位置にきたときにシヤツター開
閉信号１５をシヤツター駆動装置１２に送り、シ
ヤツター１１を開閉する。このようにすればシヤ
ツター１１の開閉はａからｂまたはｃからｄの間
に行われるので露光時間は露光面上の位置によら
ず一定となる。
は第３図に示すように、均一露光域を得るために
は上下にかなり余裕をもつて行う必要がある。ミ
ラー振動の周波数は装置の振動を軽減するために
も小さくした方が望ましく、１〜数Hzとするのが
一般的である。第３図は１Hzの正弦曲線に沿つて
振動させた場合であるが時間軸ａからｂ，ｃから
ｄの部分はミラーの動きが直線的でないため露光
には使用されず、この間にシヤツターの開閉を行
えば露光に影響を与えない。実際には第１図に示
すようにミラー駆動装置１４から露光制御装置１
３にミラー位置信号１６を取り込み、ミラーが第
３図ａまたはｃの位置にきたときにシヤツター開
閉信号１５をシヤツター駆動装置１２に送り、シ
ヤツター１１を開閉する。このようにすればシヤ
ツター１１の開閉はａからｂまたはｃからｄの間
に行われるので露光時間は露光面上の位置によら
ず一定となる。
以上述べたようにＸ線ミラー８に連動させて高
速軟Ｘ線シヤツター１１を開閉制御を行う露光制
御装置を用いて均一な短時間露光が行えることは
明らかであり、本発明の目的は達成される。
速軟Ｘ線シヤツター１１を開閉制御を行う露光制
御装置を用いて均一な短時間露光が行えることは
明らかであり、本発明の目的は達成される。
以上詳述した如く本発明によれば、シンクロト
ロン放射光を用いて大面積の均一露光を行う際、
露光の均一性を損なうことなく短時間の露光がで
きるという顕著な効果を有するＸ線露光装置を提
供できるものである。
ロン放射光を用いて大面積の均一露光を行う際、
露光の均一性を損なうことなく短時間の露光がで
きるという顕著な効果を有するＸ線露光装置を提
供できるものである。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例
を示す概略図、第２図はシンクロトロン放射光を
用いた露光の原理図、第３図はミラーの振動の一
例を示す図である。 ３……シンクロトロン放射光、４……Ｘ線マス
ク、５……Ｘ線レジスト、６……被加工物、８…
…Ｘ線ミラー、１１……Ｘ線シヤツター、１２…
…シヤツター駆動装置、１３……露光制御装置、
１４……ミラー駆動装置、１５……シヤツター開
閉信号、１６……ミラー位置信号。
を示す概略図、第２図はシンクロトロン放射光を
用いた露光の原理図、第３図はミラーの振動の一
例を示す図である。 ３……シンクロトロン放射光、４……Ｘ線マス
ク、５……Ｘ線レジスト、６……被加工物、８…
…Ｘ線ミラー、１１……Ｘ線シヤツター、１２…
…シヤツター駆動装置、１３……露光制御装置、
１４……ミラー駆動装置、１５……シヤツター開
閉信号、１６……ミラー位置信号。
Claims (1)
- １ シンクロトロン放射光源から放射されるシン
クロトロン放射光を、振動するＸ線ミラーで反射
させ、Ｘ線マスクを通してその反射光をＸ線レジ
ストが塗布された被加工物上に照射するＸ線露光
装置において、前記シンクロトロン放射光源と前
記Ｘ線ミラーとの間に高速Ｘ線シヤツターを設
け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ線シヤツ
ターを動作させる露光制御装置を有することを特
徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154391A JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154391A JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639931A JPS639931A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH058855B2 true JPH058855B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=15583111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154391A Granted JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639931A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301000A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0435016A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Toshiba Corp | 放射線露光装置 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154391A patent/JPS639931A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639931A (ja) | 1988-01-16 |
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