JPH0628268B2 - 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 - Google Patents
半導体ペレツトのダイボンデイング方法Info
- Publication number
- JPH0628268B2 JPH0628268B2 JP60206786A JP20678685A JPH0628268B2 JP H0628268 B2 JPH0628268 B2 JP H0628268B2 JP 60206786 A JP60206786 A JP 60206786A JP 20678685 A JP20678685 A JP 20678685A JP H0628268 B2 JPH0628268 B2 JP H0628268B2
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- Japan
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- preform foil
- preform
- semiconductor pellet
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- foil pieces
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 title claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 50
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、第1図に示すようにリードフレーム1に形成
したアイランド部2のようにリードフレームの所定箇所
に、半導体ペレット3を、金箔又は半田箔等のような金
属箔製のプリフォーム箔片を用いてダイボンディングす
る方法に関するものである。
したアイランド部2のようにリードフレームの所定箇所
に、半導体ペレット3を、金箔又は半田箔等のような金
属箔製のプリフォーム箔片を用いてダイボンディングす
る方法に関するものである。
このようにリードフレーム1に形成した幅寸法(T)で
長さ寸法(X)のアイランド部2の上面に、幅寸法
(S)で長さ寸法(L)の半導体ペレット3をプリフォ
ーム箔片を使用してダンボンディングするに際して、従
来は、第4図及び第5図に示すように、前記半導体ペレ
ット3の幅寸法(S)よりも2Aだけ狭い幅寸法(W)
に形成したプリフォーム箔片用素材テープから、前記半
導体ペレット3の長さ寸法(L)と略等しい長さ寸法
(L)のプリフォーム箔片4を裁断し、このプリフォー
ム箔片4を、前記半導体ペレット3と前記アイランド部
2との間に介挿し、このプリフォーム箔片4を加熱溶融
した状態で、半導体ペレット3をアイランド部2に対し
て適宜の圧力で押圧しながら、第5図の実線の位置から
幅方向に対して距離(A)だけ右側に離れた一転鎖線の
位置と、実線の位置から幅方向に対して距離(A)だけ
左側に離れた二点鎖線の位置との間を複数回にわたって
往復動させることによってダイボンディングするように
している。
長さ寸法(X)のアイランド部2の上面に、幅寸法
(S)で長さ寸法(L)の半導体ペレット3をプリフォ
ーム箔片を使用してダンボンディングするに際して、従
来は、第4図及び第5図に示すように、前記半導体ペレ
ット3の幅寸法(S)よりも2Aだけ狭い幅寸法(W)
に形成したプリフォーム箔片用素材テープから、前記半
導体ペレット3の長さ寸法(L)と略等しい長さ寸法
(L)のプリフォーム箔片4を裁断し、このプリフォー
ム箔片4を、前記半導体ペレット3と前記アイランド部
2との間に介挿し、このプリフォーム箔片4を加熱溶融
した状態で、半導体ペレット3をアイランド部2に対し
て適宜の圧力で押圧しながら、第5図の実線の位置から
幅方向に対して距離(A)だけ右側に離れた一転鎖線の
位置と、実線の位置から幅方向に対して距離(A)だけ
左側に離れた二点鎖線の位置との間を複数回にわたって
往復動させることによってダイボンディングするように
している。
このように半導体ペレット3をアイランド部2に対して
押圧しながらその幅方向に往復動する操作をスクラブと
称するもので、このスクラブは、半導体ペレット3を幅
方向に往復動することによって溶融状態のプリフォーム
箔片4を半導体ペレット3の幅一杯にまで引き延ばすこ
とによって、リードフレーム1におけるアイランド部2
に対して半導体ペレット3をその全面にわたって溶着さ
せるためである。
押圧しながらその幅方向に往復動する操作をスクラブと
称するもので、このスクラブは、半導体ペレット3を幅
方向に往復動することによって溶融状態のプリフォーム
箔片4を半導体ペレット3の幅一杯にまで引き延ばすこ
とによって、リードフレーム1におけるアイランド部2
に対して半導体ペレット3をその全面にわたって溶着さ
せるためである。
従って、プリフォーム箔片4の幅寸法(W)は、半導体
ペレット3の幅寸法(S)からスクラブにおける往復動
のストローク(2A)を差し引いた値、つまり、S−2
A=Wに定められる。
ペレット3の幅寸法(S)からスクラブにおける往復動
のストローク(2A)を差し引いた値、つまり、S−2
A=Wに定められる。
そして、このダイボンディングにおいては、プリフォー
ム箔片4の使用量を出来る丈少なくすることがコストダ
ウンに寄与できる。このために、プリフォーム箔片4の
幅寸法(W)を狭くすると、前記スクラブにおいて半導
体ペレット3の往復動させるときのストローク(2A)
を大きくしなければならないことになる。
ム箔片4の使用量を出来る丈少なくすることがコストダ
ウンに寄与できる。このために、プリフォーム箔片4の
幅寸法(W)を狭くすると、前記スクラブにおいて半導
体ペレット3の往復動させるときのストローク(2A)
を大きくしなければならないことになる。
しかし、このようにスクラブにおける往復動のストロー
ク(2A)を大きくすることは、当該スクラブに要する
時間の増大を招来するばかりか、前記のようにアイラン
ド部2に対して半導体ペレット3をダイボンディングす
る場合には、スクラブにおける往復動のストローク(2
A)が、アイランド部2の幅寸法(T)から半導体ペレ
ット3の幅寸法(S)を差し引いた寸法を越えることが
ないようにつまりT−S>2Aにしなければならない
(ストローク2AがT−Sを越えると、半導体ペレット
3がアイランド部2の幅以上に往復動することになるの
で、溶融状態のプリフォーム箔片4が、アイランド部2
における左右両端面2a,2bからはみ出すと言う不具
合が発生する)から、スクラブにおける往復動のストロ
ークの増大、延いてはプリフォーム箔片4の幅寸法
(W)の縮小には或る限界値が存在するのであった。
ク(2A)を大きくすることは、当該スクラブに要する
時間の増大を招来するばかりか、前記のようにアイラン
ド部2に対して半導体ペレット3をダイボンディングす
る場合には、スクラブにおける往復動のストローク(2
A)が、アイランド部2の幅寸法(T)から半導体ペレ
ット3の幅寸法(S)を差し引いた寸法を越えることが
ないようにつまりT−S>2Aにしなければならない
(ストローク2AがT−Sを越えると、半導体ペレット
3がアイランド部2の幅以上に往復動することになるの
で、溶融状態のプリフォーム箔片4が、アイランド部2
における左右両端面2a,2bからはみ出すと言う不具
合が発生する)から、スクラブにおける往復動のストロ
ークの増大、延いてはプリフォーム箔片4の幅寸法
(W)の縮小には或る限界値が存在するのであった。
本発明は、スクラブにおける往復動のストロークを増大
することなくプリフォーム箔片の使用量を節減できるよ
うにすることを目的とするものである。
することなくプリフォーム箔片の使用量を節減できるよ
うにすることを目的とするものである。
この目的を達成するため本発明は、リードフレームにお
ける所定箇所の上面に、半導体ペレットの幅より狭い幅
のプリフォーム箔片を載置し、その上に載置した半導体
ペレットを、前記プリフォーム箔片を加熱溶融した状態
でリードフレームに対して押圧しながら、幅方向に往復
動させるようにしたダイボンディング方法において、前
記プリフォーム箔片を、細い幅の二枚のプリフォーム箔
片にし、この両プリフォーム箔片の幅寸法を、少なくと
も、前記半導体ペレットの幅寸法の半分から前記往復動
のストローク寸法を差し引いた寸法にする一方、この両
プリフォーム箔片を、前記往復動のストローク寸法と略
等しい間隔を隔てて平行に並べるようにした。
ける所定箇所の上面に、半導体ペレットの幅より狭い幅
のプリフォーム箔片を載置し、その上に載置した半導体
ペレットを、前記プリフォーム箔片を加熱溶融した状態
でリードフレームに対して押圧しながら、幅方向に往復
動させるようにしたダイボンディング方法において、前
記プリフォーム箔片を、細い幅の二枚のプリフォーム箔
片にし、この両プリフォーム箔片の幅寸法を、少なくと
も、前記半導体ペレットの幅寸法の半分から前記往復動
のストローク寸法を差し引いた寸法にする一方、この両
プリフォーム箔片を、前記往復動のストローク寸法と略
等しい間隔を隔てて平行に並べるようにした。
以下、本発明の実施例を、図面の第2図及び第3図につ
いて説明する。
いて説明する。
幅寸法(T)で長さ寸法(X)のアイランド部2の上面
に、幅寸法(S)で長さ寸法(L)の半導体ペレット3
を、プリフォーム箔片を使用してダイボンディングする
際して、プリフォーム箔片として二枚のプリフォーム箔
片4aを使用し、この両プリフォーム箔片4aの幅寸法
(Wa)を、半導体ペレット3の幅寸法(S)の半分か
らスクラブにおける往復動ストローク(2A)を差し引
いた寸法、つまりWa=S/2−2Aの寸法の細幅に設
定し、この両プリフォーム箔片4aを、アイランド部2
の上面に、当該両プリフォーム箔片4a間に前記往復動
ストローク(2A)と等しい間隔を隔てて平行に並べて
載置し、その上に、半導体ペレット3を載置する。
に、幅寸法(S)で長さ寸法(L)の半導体ペレット3
を、プリフォーム箔片を使用してダイボンディングする
際して、プリフォーム箔片として二枚のプリフォーム箔
片4aを使用し、この両プリフォーム箔片4aの幅寸法
(Wa)を、半導体ペレット3の幅寸法(S)の半分か
らスクラブにおける往復動ストローク(2A)を差し引
いた寸法、つまりWa=S/2−2Aの寸法の細幅に設
定し、この両プリフォーム箔片4aを、アイランド部2
の上面に、当該両プリフォーム箔片4a間に前記往復動
ストローク(2A)と等しい間隔を隔てて平行に並べて
載置し、その上に、半導体ペレット3を載置する。
そして、両プリフォーム箔片4aを加熱溶融した状態
で、半導体ペレット3をアイランド部2に対して適宜の
圧力で押圧しながら、第3図の実線の位置から幅方向に
対して距離(A)だけ右側に離れた一点鎖線の位置と、
実線の位置から幅方向に対して距離(A)だけ左側に離
れた二点鎖線の位置との間を往復動させると言う所謂ス
クラブを行う。
で、半導体ペレット3をアイランド部2に対して適宜の
圧力で押圧しながら、第3図の実線の位置から幅方向に
対して距離(A)だけ右側に離れた一点鎖線の位置と、
実線の位置から幅方向に対して距離(A)だけ左側に離
れた二点鎖線の位置との間を往復動させると言う所謂ス
クラブを行う。
この往復動ストローク(2A)のスクラブにより両プリ
フォーム箔片4aの各々は、いずれも左右方向に引き延
ばされることになるが、両プリフォーム箔片4aの幅寸
法(Wa)を、前記のようにWa=S/2−2Aにし、
且つ、両プリフォーム箔片4a間の間隔を前記往復動ス
トローク(2A)と等しい(2A)にしたことにより、
両プリフォーム箔片4aは、半導体ペレット3の左右両
端部3a、3bまで引き延ばされると共に、当該両プリ
フォーム箔片4a間において両プリフォーム箔片4a同
志が互いに繁がるように引き延ばされるから、半導体ペ
レット3をアイランド部2に対して当該半導体ペレット
3の全面について溶着できることになる。
フォーム箔片4aの各々は、いずれも左右方向に引き延
ばされることになるが、両プリフォーム箔片4aの幅寸
法(Wa)を、前記のようにWa=S/2−2Aにし、
且つ、両プリフォーム箔片4a間の間隔を前記往復動ス
トローク(2A)と等しい(2A)にしたことにより、
両プリフォーム箔片4aは、半導体ペレット3の左右両
端部3a、3bまで引き延ばされると共に、当該両プリ
フォーム箔片4a間において両プリフォーム箔片4a同
志が互いに繁がるように引き延ばされるから、半導体ペ
レット3をアイランド部2に対して当該半導体ペレット
3の全面について溶着できることになる。
この場合、両プリフォーム箔片4aの合計面積はWa×
L×2となり、プリフォーム箔片の面積を、前記従来の
場合におけるプリフォーム箔片の面積よりも2A×L、
つまり各プリフォーム箔片4a間の部分の面積だけ縮小
できるから、スクラブにおける往復動のストロークを増
大することなく、プリフォーム箔片の使用量を節減でき
るのである。
L×2となり、プリフォーム箔片の面積を、前記従来の
場合におけるプリフォーム箔片の面積よりも2A×L、
つまり各プリフォーム箔片4a間の部分の面積だけ縮小
できるから、スクラブにおける往復動のストロークを増
大することなく、プリフォーム箔片の使用量を節減でき
るのである。
そして、両プリフォーム箔片4aの幅寸法(Wa)を前
記のようにWa=S/2−2Aにし、且つ、量プリフォ
ーム箔片4a間の間隔を2Aにしたときが、プリフォー
ム箔片の使用量が最少の値になるが、実際には、両プリ
フォーム箔片4aの幅寸法(Wa)に、若干の余裕を持
たせるべきである。
記のようにWa=S/2−2Aにし、且つ、量プリフォ
ーム箔片4a間の間隔を2Aにしたときが、プリフォー
ム箔片の使用量が最少の値になるが、実際には、両プリ
フォーム箔片4aの幅寸法(Wa)に、若干の余裕を持
たせるべきである。
以上の通り本発明によると、リードフレームと半導体ペ
レットとの間に介挿するプリフォーム箔片を二枚にし
て、これを幅方向に間隔を明けて並べたことにより、ダ
イボンディングにおけるスクラブに際しての往復動スト
ロークを増大することなく、ひいては、スクラブに要す
る時間の増大を招来することなく、高価なプリフォーム
材の使用量を、前記各プリフォーム箔片間の間隔の面積
分だけ節減できるから、ダイボンディングに要するコス
トを大幅に低減できる効果を有する。
レットとの間に介挿するプリフォーム箔片を二枚にし
て、これを幅方向に間隔を明けて並べたことにより、ダ
イボンディングにおけるスクラブに際しての往復動スト
ロークを増大することなく、ひいては、スクラブに要す
る時間の増大を招来することなく、高価なプリフォーム
材の使用量を、前記各プリフォーム箔片間の間隔の面積
分だけ節減できるから、ダイボンディングに要するコス
トを大幅に低減できる効果を有する。
第1図はリードフレームの平面図、第2図は本発明にお
ける第1実施例の方法を示す拡大平面図、第3図は第2
図のIII−III視断面図、第4図は従来の方法を示す拡大
平面図、第5図は第4図のV−V視断面図である。 1……リードフレーム、2……アイランド部、3……半
導体ペレット、4a……プリフォーム箔片。
ける第1実施例の方法を示す拡大平面図、第3図は第2
図のIII−III視断面図、第4図は従来の方法を示す拡大
平面図、第5図は第4図のV−V視断面図である。 1……リードフレーム、2……アイランド部、3……半
導体ペレット、4a……プリフォーム箔片。
Claims (1)
- 【請求項1】リードフレームにおける所定箇所の上面
に、半導体ペレットの幅より狭い幅のプリフォーム箔片
を載置し、その上に載置した半導体ペレットを、前記プ
リフォーム箔片を加熱溶融した状態でリードフレームに
対して押圧しながら、幅方向に往復動させるようにした
ダイボンディング方法において、前記プリフォーム箔片
を、細い幅の二枚のプリフォーム箔片にし、この両プリ
フォーム箔片の幅寸法を、少なくとも、前記半導体ペレ
ットの幅寸法の半分から前記往復動のストローク寸法を
差し引いた寸法にする一方、この両プリフォーム箔片
を、前記往復動のストローク寸法と略等しい間隔を隔て
て平行に並べたことを特徴とする半導体ペレットのダイ
ボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206786A JPH0628268B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206786A JPH0628268B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266641A JPS6266641A (ja) | 1987-03-26 |
| JPH0628268B2 true JPH0628268B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16529069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206786A Expired - Lifetime JPH0628268B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628268B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49126267A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS50160773A (ja) * | 1974-06-18 | 1975-12-26 | ||
| JPS5940537A (ja) * | 1982-08-28 | 1984-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0614525B2 (ja) * | 1982-12-11 | 1994-02-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60206786A patent/JPH0628268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266641A (ja) | 1987-03-26 |
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