JPH065936A - 超伝導トランジスタ - Google Patents
超伝導トランジスタInfo
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- JPH065936A JPH065936A JP4156469A JP15646992A JPH065936A JP H065936 A JPH065936 A JP H065936A JP 4156469 A JP4156469 A JP 4156469A JP 15646992 A JP15646992 A JP 15646992A JP H065936 A JPH065936 A JP H065936A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超伝導トランジスタの製造が行われ易く、且
つ高速で低消費電力な超伝導トランジスタ構造を提供す
る。 【構成】 エミッタ・ベース・コレクタの少なくともコ
レクタを金属と成した超伝導トランジスタ、及びエミッ
タ・ベース・コレクタの少なくともベースを金属と成し
た超伝導トランジスタ、及びエミッタ・ベース・コレク
タの少なくともコレクタを金属と成した超伝導トランジ
スタとエミッタ・ベース・コレクタの少なくともベース
を金属と成した超伝導トランジスタとエミッタ・ベース
・コレクタの少なくともコレクタを金属と成した超伝導
トランジスタとを相補型に構成した超伝導トランジス
タ。
つ高速で低消費電力な超伝導トランジスタ構造を提供す
る。 【構成】 エミッタ・ベース・コレクタの少なくともコ
レクタを金属と成した超伝導トランジスタ、及びエミッ
タ・ベース・コレクタの少なくともベースを金属と成し
た超伝導トランジスタ、及びエミッタ・ベース・コレク
タの少なくともコレクタを金属と成した超伝導トランジ
スタとエミッタ・ベース・コレクタの少なくともベース
を金属と成した超伝導トランジスタとエミッタ・ベース
・コレクタの少なくともコレクタを金属と成した超伝導
トランジスタとを相補型に構成した超伝導トランジス
タ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導トランジスタの
構造に関する。
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超伝導トランジスタは特開平ー３
０３７７０、特開平２ー１４４９７７、特開平２ー１９
１３８２及び特開平２ー１８１４８１等に示されている
如く、ベース及びコレクタは酸化物超伝導体か或は半導
体で構成されるのが通例であった。
０３７７０、特開平２ー１４４９７７、特開平２ー１９
１３８２及び特開平２ー１８１４８１等に示されている
如く、ベース及びコレクタは酸化物超伝導体か或は半導
体で構成されるのが通例であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、必ずしも超伝導トランジスタが製造し易くな
いと云う課題や、高速化や低消費電力化が図れない場合
があると言う課題があった。
によると、必ずしも超伝導トランジスタが製造し易くな
いと云う課題や、高速化や低消費電力化が図れない場合
があると言う課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、超伝導トランジスタの製造が行われ易く、且つ高速
で低消費電力な超伝導トランジスタ構造を提供する事を
目的とする。
し、超伝導トランジスタの製造が行われ易く、且つ高速
で低消費電力な超伝導トランジスタ構造を提供する事を
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成する為に、本発明は、超伝導トランジスタに
関し、（１） エミッタ・ベース・コレクタの少なくと
もコレクタを金属と成す手段を取る事、及び（２） エ
ミッタ・ベース・コレクタの少なくともベースを金属と
成す手段を取る事、及び（３） エミッタ・ベース・コ
レクタの少なくともコレクタを金属と成した超伝導トラ
ンジスタとエミッタ・ベース・コレクタの少なくともベ
ースを金属と成した超伝導トランジスタとを相補型に構
成する手段を取る事、等の手段を取る。
目的を達成する為に、本発明は、超伝導トランジスタに
関し、（１） エミッタ・ベース・コレクタの少なくと
もコレクタを金属と成す手段を取る事、及び（２） エ
ミッタ・ベース・コレクタの少なくともベースを金属と
成す手段を取る事、及び（３） エミッタ・ベース・コ
レクタの少なくともコレクタを金属と成した超伝導トラ
ンジスタとエミッタ・ベース・コレクタの少なくともベ
ースを金属と成した超伝導トランジスタとを相補型に構
成する手段を取る事、等の手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】図１は、本発明の一実施例を示す超伝導ト
ランジスタの断面図である。すなわち、石英やセラミッ
ク等から成る絶縁基板１０１上にイットリュウム・バリ
ュウム・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜１０２を
スパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成して
正孔伝導型ｐのコレクタＣと成し、該酸化物超伝導体膜
１０２上にチタンー白金、アルミニュウム、チタンータ
ングステン、ニオビュウムあるいはその他の金属や合金
から成る金属膜１０３をスパッタ法や分子線エピタキシ
ャル法等により極めて薄く１ナノメータから１０ナノメ
ータ厚さに形成して電子伝導型ｎのベースＢと成し、該
金属膜１０３上にイットリュウム・バリュウム・銅酸化
物等から成る酸化物超伝導体膜１０４をスパッタ法や分
子線エピタキシャル法等により形成して正孔伝導型ｐの
エミッタＥと成し、ｐ−ｎ−ｐトランジスタを形成した
ものである。尚、エミッタあるいはコレクタのいずれか
一方が半導体膜で構成されても良い。
ランジスタの断面図である。すなわち、石英やセラミッ
ク等から成る絶縁基板１０１上にイットリュウム・バリ
ュウム・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜１０２を
スパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成して
正孔伝導型ｐのコレクタＣと成し、該酸化物超伝導体膜
１０２上にチタンー白金、アルミニュウム、チタンータ
ングステン、ニオビュウムあるいはその他の金属や合金
から成る金属膜１０３をスパッタ法や分子線エピタキシ
ャル法等により極めて薄く１ナノメータから１０ナノメ
ータ厚さに形成して電子伝導型ｎのベースＢと成し、該
金属膜１０３上にイットリュウム・バリュウム・銅酸化
物等から成る酸化物超伝導体膜１０４をスパッタ法や分
子線エピタキシャル法等により形成して正孔伝導型ｐの
エミッタＥと成し、ｐ−ｎ−ｐトランジスタを形成した
ものである。尚、エミッタあるいはコレクタのいずれか
一方が半導体膜で構成されても良い。
【０００８】図２は、本発明の他の実施例を示す超伝導
トランジスタの断面図である。すなわち、石英やセラミ
ック等から成る絶縁基板２０１上にイットリュウム・バ
リュウム・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜２０２
をスパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成し
て正孔伝導型ｐのコレクタＣと成し、該酸化物超伝導体
膜２０２上に１ナノメータから５ナノメータ厚さ程度の
チタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸化膜や金属酸
化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素膜等の半導体
膜等から成るトンネル膜又は量子井戸２０３を分子線エ
ピタキシャル法等により形成し、該トンネル膜又は量子
井戸２０３上にチタンー白金、アルミニュウム、チタン
ータングステン、ニオビュウムあるいはその他の金属や
合金から成る金属膜２０４をスパッタ法や分子線エピタ
キシャル法等により極めて薄く１ナノメータから１０ナ
ノメータ厚さに形成して電子伝導型ｎのベースＢと成
し、該金属膜２０４上に１ナノメータから５ナノメータ
厚さ程度のチタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸化
膜や金属酸化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素膜
等の半導体膜等から成るトンネル膜又は量子井戸２０５
を分子線エピタキシャル法等により形成し、該トンネル
膜又は量子井戸２０５上にイットリュウム・バリュウム
・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜２０６をスパッ
タ法や分子線エピタキシャル法等により形成して正孔伝
導型ｐのエミッタＥと成し、ｐ−ｎ−ｐトランジスタを
形成したものである。尚、トンネル膜又は量子井戸、２
０３及び２０５はいずれか一方のみであっても良い。更
に、エミッタあるいはコレクタのいずれか一方が半導体
膜で構成されても良い。
トランジスタの断面図である。すなわち、石英やセラミ
ック等から成る絶縁基板２０１上にイットリュウム・バ
リュウム・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜２０２
をスパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成し
て正孔伝導型ｐのコレクタＣと成し、該酸化物超伝導体
膜２０２上に１ナノメータから５ナノメータ厚さ程度の
チタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸化膜や金属酸
化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素膜等の半導体
膜等から成るトンネル膜又は量子井戸２０３を分子線エ
ピタキシャル法等により形成し、該トンネル膜又は量子
井戸２０３上にチタンー白金、アルミニュウム、チタン
ータングステン、ニオビュウムあるいはその他の金属や
合金から成る金属膜２０４をスパッタ法や分子線エピタ
キシャル法等により極めて薄く１ナノメータから１０ナ
ノメータ厚さに形成して電子伝導型ｎのベースＢと成
し、該金属膜２０４上に１ナノメータから５ナノメータ
厚さ程度のチタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸化
膜や金属酸化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素膜
等の半導体膜等から成るトンネル膜又は量子井戸２０５
を分子線エピタキシャル法等により形成し、該トンネル
膜又は量子井戸２０５上にイットリュウム・バリュウム
・銅酸化物等から成る酸化物超伝導体膜２０６をスパッ
タ法や分子線エピタキシャル法等により形成して正孔伝
導型ｐのエミッタＥと成し、ｐ−ｎ−ｐトランジスタを
形成したものである。尚、トンネル膜又は量子井戸、２
０３及び２０５はいずれか一方のみであっても良い。更
に、エミッタあるいはコレクタのいずれか一方が半導体
膜で構成されても良い。
【０００９】図３は、本発明のその他の実施例を示す超
伝導トランジスタの断面図である。すなわち、石英やセ
ラミック等から成る絶縁基板３０１上にチタンー白金、
アルミニュウム、チタンータングステン、ニオビュウム
あるいはその他の金属や合金から成る金属膜３０２をス
パッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成して電
子伝導型ｎのコレクタＣと成し、該金属膜３０２上にイ
ットリュウム・バリュウム・銅酸化物等から成る酸化物
超伝導体膜３０３をスパッタ法や分子線エピタキシャル
法等により１０ナノメータから１００ナノメータ厚さ程
度形成して正孔伝導型ｐのベースＢと成し、該酸化物超
伝導体膜３０３上にチタンー白金、アルミニュウム、チ
タンータングステン、ニオビュウムあるいはその他の金
属や合金から成る金属膜３０４をスパッタ法や分子線エ
ピタキシャル法等により形成して電子伝導型ｎのエミッ
タＥと成し、ｎーｐ−ｎトランジスタを形成したもので
ある。尚、エミッタは半導体膜で構成されても良い。
伝導トランジスタの断面図である。すなわち、石英やセ
ラミック等から成る絶縁基板３０１上にチタンー白金、
アルミニュウム、チタンータングステン、ニオビュウム
あるいはその他の金属や合金から成る金属膜３０２をス
パッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成して電
子伝導型ｎのコレクタＣと成し、該金属膜３０２上にイ
ットリュウム・バリュウム・銅酸化物等から成る酸化物
超伝導体膜３０３をスパッタ法や分子線エピタキシャル
法等により１０ナノメータから１００ナノメータ厚さ程
度形成して正孔伝導型ｐのベースＢと成し、該酸化物超
伝導体膜３０３上にチタンー白金、アルミニュウム、チ
タンータングステン、ニオビュウムあるいはその他の金
属や合金から成る金属膜３０４をスパッタ法や分子線エ
ピタキシャル法等により形成して電子伝導型ｎのエミッ
タＥと成し、ｎーｐ−ｎトランジスタを形成したもので
ある。尚、エミッタは半導体膜で構成されても良い。
【００１０】図４は、本発明の更にその他の実施例を示
す超伝導トランジスタの断面図である。すなわち、石英
やセラミック等から成る絶縁基板３０１上にチタンー白
金、アルミニュウム、チタンータングステン、ニオビュ
ウムあるいはその他の金属や合金から成る金属膜４０２
をスパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成し
て電子伝導型ｎのコレクタＣと成し、該金属膜４０２上
に１ナノメータから５ナノメータ厚さ程度のチタン酸ス
トロンチュウム膜やシリコン酸化膜や金属酸化膜あるい
はシリコン膜やガリュム・砒素膜等の半導体膜等から成
るトンネル膜又は量子井戸４０３を分子線エピタキシャ
ル法等により形成し、該トンネル膜又は量子井戸４０３
上にイットリュウム・バリュウム・銅酸化物等から成る
酸化物超伝導体膜４０４をスパッタ法や分子線エピタキ
シャル法等により１０ナノメータから１００ナノメータ
厚さ程度形成して正孔伝導型ｐのベースＢと成し、該酸
化物超伝導体膜４０４上に１ナノメータから５ナノメー
タ厚さ程度のチタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸
化膜や金属酸化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素
膜等の半導体膜等から成るトンネル膜又は量子井戸４０
５を分子線エピタキシャル法等により形成し、該トンネ
ル膜又は量子井戸４０５上にチタンー白金、アルミニュ
ウム、チタンータングステン、ニオビュウムあるいはそ
の他の金属や合金から成る金属膜４０６をスパッタ法や
分子線エピタキシャル法等により形成して電子伝導型ｎ
のエミッタＥと成し、ｎーｐ−ｎトランジスタを形成し
たものである。尚、トンネル膜又は量子井戸、４０３及
び４０５はいずれか一方のみであっても良い。更に、エ
ミッタは半導体膜で構成されても良い。
す超伝導トランジスタの断面図である。すなわち、石英
やセラミック等から成る絶縁基板３０１上にチタンー白
金、アルミニュウム、チタンータングステン、ニオビュ
ウムあるいはその他の金属や合金から成る金属膜４０２
をスパッタ法や分子線エピタキシャル法等により形成し
て電子伝導型ｎのコレクタＣと成し、該金属膜４０２上
に１ナノメータから５ナノメータ厚さ程度のチタン酸ス
トロンチュウム膜やシリコン酸化膜や金属酸化膜あるい
はシリコン膜やガリュム・砒素膜等の半導体膜等から成
るトンネル膜又は量子井戸４０３を分子線エピタキシャ
ル法等により形成し、該トンネル膜又は量子井戸４０３
上にイットリュウム・バリュウム・銅酸化物等から成る
酸化物超伝導体膜４０４をスパッタ法や分子線エピタキ
シャル法等により１０ナノメータから１００ナノメータ
厚さ程度形成して正孔伝導型ｐのベースＢと成し、該酸
化物超伝導体膜４０４上に１ナノメータから５ナノメー
タ厚さ程度のチタン酸ストロンチュウム膜やシリコン酸
化膜や金属酸化膜あるいはシリコン膜やガリュム・砒素
膜等の半導体膜等から成るトンネル膜又は量子井戸４０
５を分子線エピタキシャル法等により形成し、該トンネ
ル膜又は量子井戸４０５上にチタンー白金、アルミニュ
ウム、チタンータングステン、ニオビュウムあるいはそ
の他の金属や合金から成る金属膜４０６をスパッタ法や
分子線エピタキシャル法等により形成して電子伝導型ｎ
のエミッタＥと成し、ｎーｐ−ｎトランジスタを形成し
たものである。尚、トンネル膜又は量子井戸、４０３及
び４０５はいずれか一方のみであっても良い。更に、エ
ミッタは半導体膜で構成されても良い。
【００１１】図５は、本発明の相補型超伝導トランジス
タの一実施例を示す断面図である。すなわち、石英やセ
ラミック等から成る絶縁基板５０１上に、前記図１及び
図３の実施例に示すｐ−ｎ−ｐトランジスタとｎーｐ−
ｎトランジスタを相補型に組合せて構成したものであ
り、＋Ｖｃ1とーＶｃ2はコレクタｐ−ｎ−ｐトランジス
タとｎーｐ−ｎトランジスタ印加電圧とその極性を示し
たものであり、ｐ−ｎ−ｐトランジスタのエミッタＥは
酸化物超伝導体膜５０７、ベースＢは金属膜５０６、コ
レクタＣは酸化物超伝導体膜５０５で構成されて成り、
そしてｎーｐ−ｎトランジスタのエミッタＥは金属膜５
０４、ベースＢは酸化物超伝導体膜５０３、コレクタＣ
は金属膜５０２で構成されて成る。
タの一実施例を示す断面図である。すなわち、石英やセ
ラミック等から成る絶縁基板５０１上に、前記図１及び
図３の実施例に示すｐ−ｎ−ｐトランジスタとｎーｐ−
ｎトランジスタを相補型に組合せて構成したものであ
り、＋Ｖｃ1とーＶｃ2はコレクタｐ−ｎ−ｐトランジス
タとｎーｐ−ｎトランジスタ印加電圧とその極性を示し
たものであり、ｐ−ｎ−ｐトランジスタのエミッタＥは
酸化物超伝導体膜５０７、ベースＢは金属膜５０６、コ
レクタＣは酸化物超伝導体膜５０５で構成されて成り、
そしてｎーｐ−ｎトランジスタのエミッタＥは金属膜５
０４、ベースＢは酸化物超伝導体膜５０３、コレクタＣ
は金属膜５０２で構成されて成る。
【００１２】図６は、本発明の相補型超伝導トランジス
タの他の実施例を示す断面図である。すなわち、石英や
セラミック等から成る絶縁基板６０１上に、前記図２及
び図４の実施例に示すｐ−ｎ−ｐトランジスタとｎーｐ
−ｎトランジスタを相補型に組合せて構成したものであ
り、＋Ｖｃ1とーＶｃ2はコレクタｐ−ｎ−ｐトランジス
タとｎーｐ−ｎトランジスタ印加電圧とその極性を示し
たものであり、ｐ−ｎ−ｐトランジスタのエミッタＥは
酸化物超伝導体膜６１１、ベースＢは金属膜６０９、コ
レクタＣは酸化物超伝導体膜６０７で構成されて成り、
そしてｎーｐ−ｎトランジスタのエミッタＥは金属膜６
０６、ベースＢは酸化物超伝導体膜６０４、コレクタＣ
は金属膜６０２で構成されて成り、エミッタＥとベース
Ｂ間あるいはベースＢとコレクタＣ間にはトンネル膜又
は量子井戸６１０、６０８、６０５、あるいは６０３が
形成されて成る。
タの他の実施例を示す断面図である。すなわち、石英や
セラミック等から成る絶縁基板６０１上に、前記図２及
び図４の実施例に示すｐ−ｎ−ｐトランジスタとｎーｐ
−ｎトランジスタを相補型に組合せて構成したものであ
り、＋Ｖｃ1とーＶｃ2はコレクタｐ−ｎ−ｐトランジス
タとｎーｐ−ｎトランジスタ印加電圧とその極性を示し
たものであり、ｐ−ｎ−ｐトランジスタのエミッタＥは
酸化物超伝導体膜６１１、ベースＢは金属膜６０９、コ
レクタＣは酸化物超伝導体膜６０７で構成されて成り、
そしてｎーｐ−ｎトランジスタのエミッタＥは金属膜６
０６、ベースＢは酸化物超伝導体膜６０４、コレクタＣ
は金属膜６０２で構成されて成り、エミッタＥとベース
Ｂ間あるいはベースＢとコレクタＣ間にはトンネル膜又
は量子井戸６１０、６０８、６０５、あるいは６０３が
形成されて成る。
【００１３】尚、本実施例ではｐ−ｎ−ｐあるいはｎー
ｐ−ｎトランジスタが縦型に形成されているが、ｐ−ｎ
−ｐあるいはｎーｐ−ｎトランジスタは横型すなわちラ
テラル・トランジスタであっても良く、更に、ｐ−ｎ−
ｐトランジスタとｎーｐ−ｎトランジスタを相補型に組
み合わせる場合に図１の実施例と図４の実施例との組合
せによる構成や図２の実施例と図４の実施例との組合せ
による構成を行っても良い事は言う迄も無い。。
ｐ−ｎトランジスタが縦型に形成されているが、ｐ−ｎ
−ｐあるいはｎーｐ−ｎトランジスタは横型すなわちラ
テラル・トランジスタであっても良く、更に、ｐ−ｎ−
ｐトランジスタとｎーｐ−ｎトランジスタを相補型に組
み合わせる場合に図１の実施例と図４の実施例との組合
せによる構成や図２の実施例と図４の実施例との組合せ
による構成を行っても良い事は言う迄も無い。。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、高速且つ低消費電力の超
伝導トランジスタの製造が行い易く成る効果がある。
伝導トランジスタの製造が行い易く成る効果がある。
【図１】 本発明の一実施例を示す超伝導トランジスタ
の断面図。
の断面図。
【図２】 本発明の他の実施例を示す超伝導トランジス
タの断面図。
タの断面図。
【図３】 本発明のその他の実施例を示す超伝導トラン
ジスタの断面図。
ジスタの断面図。
【図４】 本発明の更にその他の実施例を示す超伝導ト
ランジスタの断面図。
ランジスタの断面図。
【図５】 本発明の相補型超伝導トランジスタの一実施
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図６】 本発明の相補型超伝導トランジスタの他の実
施例を示す断面図。
施例を示す断面図。
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１・・・絶縁基
板 １０２、１０４、２０２、２０６、３０３、４０４、５
０３、５０５、５０７、６０４、６０７、６１１・・・
酸化物超伝導体膜 １０３、２０４、３０２、３０４、４０２、４０６、５
０２、５０４、５０６、６０２、６０６、６０９・・・
金属膜 ２０３、２０５、４０３、４０５、６０２、６０５、６
０８、６１０・・・トンネル膜又は量子井戸 Ｅ・・・エミッタ Ｂ・・・ベース Ｃ・・・コレクタ ｎ・・・電子伝導型 ｐ・・・正孔伝導型 ＋Ｖｃ1・・・ｐ−ｎ−ｐトランジスタのコレクタ正印
加電圧 ーＶｃ2・・・ｎーｐ−ｎトランジスタのコレクタ負印
加電圧
板 １０２、１０４、２０２、２０６、３０３、４０４、５
０３、５０５、５０７、６０４、６０７、６１１・・・
酸化物超伝導体膜 １０３、２０４、３０２、３０４、４０２、４０６、５
０２、５０４、５０６、６０２、６０６、６０９・・・
金属膜 ２０３、２０５、４０３、４０５、６０２、６０５、６
０８、６１０・・・トンネル膜又は量子井戸 Ｅ・・・エミッタ Ｂ・・・ベース Ｃ・・・コレクタ ｎ・・・電子伝導型 ｐ・・・正孔伝導型 ＋Ｖｃ1・・・ｐ−ｎ−ｐトランジスタのコレクタ正印
加電圧 ーＶｃ2・・・ｎーｐ−ｎトランジスタのコレクタ負印
加電圧
Claims (3)
- 【請求項１】 エミッタ・ベース・コレクタの少なくと
もコレクタを金属と成す事を特徴とする超伝導トランジ
スタ。 - 【請求項２】 エミッタ・ベース・コレクタの少なくと
もベースを金属と成す事を特徴とする超伝導トランジス
タ。 - 【請求項３】 エミッタ・ベース・コレクタの少なくと
もコレクタを金属と成す事を特徴とする超伝導トランジ
スタとエミッタ・ベース・コレクタの少なくともベース
を金属と成す事を特徴とする超伝導トランジスタとを相
補型に構成した事を特徴とする超伝導トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156469A JPH065936A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超伝導トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156469A JPH065936A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超伝導トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065936A true JPH065936A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15628433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156469A Pending JPH065936A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超伝導トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403765C (zh) * | 2001-02-09 | 2008-07-16 | 佳能株式会社 | 信息处理装置及其控制方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156469A patent/JPH065936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403765C (zh) * | 2001-02-09 | 2008-07-16 | 佳能株式会社 | 信息处理装置及其控制方法 |
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