JPH0723023B2 - 光学的記録媒体 - Google Patents
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- JPH0723023B2 JPH0723023B2 JP59230981A JP23098184A JPH0723023B2 JP H0723023 B2 JPH0723023 B2 JP H0723023B2 JP 59230981 A JP59230981 A JP 59230981A JP 23098184 A JP23098184 A JP 23098184A JP H0723023 B2 JPH0723023 B2 JP H0723023B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
（従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ピ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりTeを使用することが知られている。Teは低融点、
低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録において
高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易く、酸化され
ると透明になり記録が出来なくなるという問題がある。
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりTeを使用することが知られている。Teは低融点、
低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録において
高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易く、酸化され
ると透明になり記録が出来なくなるという問題がある。
上記問題点を改良したものとして、Teを合金化したも
の、Teの低酸化物、Teを有機膜中に分散させたもの等が
ある（たとえば、特開昭53-31104号公報、特開昭58-543
38号公報、特開昭57-98394号公報）。
の、Teの低酸化物、Teを有機膜中に分散させたもの等が
ある（たとえば、特開昭53-31104号公報、特開昭58-543
38号公報、特開昭57-98394号公報）。
（発明の目的） 本発明者らは、このようなTeを中心とする系について、
さらに種々検討した結果、経時安定性、C/N比（Carrier
−to−Noiseratio）、ピット形状、コントラストをさら
に向上しえた記録媒体を得、本発明に到達した。
さらに種々検討した結果、経時安定性、C/N比（Carrier
−to−Noiseratio）、ピット形状、コントラストをさら
に向上しえた記録媒体を得、本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、SF6ガスの存在下、Teを蒸
発させることにより、基板上に、Teが50〜95容量％の割
合のTe-SF6プラズマ堆積膜を形成させてなる光学的記録
媒体にある。
発させることにより、基板上に、Teが50〜95容量％の割
合のTe-SF6プラズマ堆積膜を形成させてなる光学的記録
媒体にある。
（発明の構成） まず、本発明に係る記録媒体の基板としては、ガラス、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
一般に１〜1.5mm程度から選ばれる。
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
一般に１〜1.5mm程度から選ばれる。
本発明においては、この基板上にTe-SF6プラズマ堆積膜
を形成させる。TeとしてはTe単体もしくはTeを含む化合
物、たとえばPbTe、MoTe2、TeO2等でも良い。
を形成させる。TeとしてはTe単体もしくはTeを含む化合
物、たとえばPbTe、MoTe2、TeO2等でも良い。
一方、他の原料であるフッ化硫黄ガスとしてはSF6が用
いられる。
いられる。
本発明に係る記録用媒体は、SF6ガスを導入した真空容
器中でグロー放電を行なうとともに、Teを蒸発させて、
基板上にTe-SF6プラズマ堆積膜を形成させることにより
得られる。
器中でグロー放電を行なうとともに、Teを蒸発させて、
基板上にTe-SF6プラズマ堆積膜を形成させることにより
得られる。
グロー放電に際しては、高周波法又は直流法の常法によ
ることができ、ラジカル及びイオン種を生成させること
により堆積膜が形成される。基板温度は、室温ないし基
板の軟化点未満に保持される。Teを含んだSF6プラズマ
堆積膜の厚みは、通常50Å〜１μ程度、好ましくは200
〜1,000Å程度である。
ることができ、ラジカル及びイオン種を生成させること
により堆積膜が形成される。基板温度は、室温ないし基
板の軟化点未満に保持される。Teを含んだSF6プラズマ
堆積膜の厚みは、通常50Å〜１μ程度、好ましくは200
〜1,000Å程度である。
本発明に係る記録媒体においては、プラズマ堆積膜とし
て、さらに物性向上のため、Te-SF6-有機化合物プラズ
マ堆積膜とすることができる。
て、さらに物性向上のため、Te-SF6-有機化合物プラズ
マ堆積膜とすることができる。
すなわち、上記SF6に加え、さらに有機化合物をガスと
して真空容器内に導入しグロー放電を行ない、同時にTe
を蒸発させることにより、基板上にTe-SF6-有機化合物
プラズマ堆積膜を形成させることにより本発明に係る記
録媒体を得ることができる。
して真空容器内に導入しグロー放電を行ない、同時にTe
を蒸発させることにより、基板上にTe-SF6-有機化合物
プラズマ堆積膜を形成させることにより本発明に係る記
録媒体を得ることができる。
上記第３の原料としての有機化合物としては、従来、有
機放電重合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に使用される。
機放電重合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に使用される。
たとえば、好適にはベンゼン、スチレン、クロロベンゼ
ン等のベンゼンないしベンゼン誘導体、ヘキサメチルジ
シロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフィ
ン化合物、メタン等のパラフィン類、ピリジン等のピリ
ジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮ含有化
合物が挙げられる。また、ジメチルテルル、ジエチルテ
ルル等のアルキル化金属等も使用しうる。
ン等のベンゼンないしベンゼン誘導体、ヘキサメチルジ
シロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフィ
ン化合物、メタン等のパラフィン類、ピリジン等のピリ
ジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮ含有化
合物が挙げられる。また、ジメチルテルル、ジエチルテ
ルル等のアルキル化金属等も使用しうる。
その他一般溶剤として使用されているカーボネート類、
エーテル類、エステル類、尿素類等を挙げることもでき
る。
エーテル類、エステル類、尿素類等を挙げることもでき
る。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光学記録用媒体の製造のための装
置の一例であり、図中（１）は反応容器、（２）はSF6
（及び有機化合物）ガス導入口、（３）は基板、（４）
は高周波コイル、（５）はTe蒸着用抵抗加熱器、（６）
は膜厚モニター、（７）はシャッター、（８）は排気口
である。プラズマ堆積膜の作製は、反応容器（１）を10
-6Torr台まで排気した後、SF6（及び有機化合物）ガス
を導入口（２）より導入し、反応容器（１）の内圧を５
×10-5〜５×10-3Torrとなるようにする。ガス導入後、
高周波コイル（４）に高周波を印加し放電を起こさせ
る。これと同時に蒸着用抵抗加熱器（５）からTeを蒸発
させ、基板（３）上にTe-SF6（−有機化合物）プラズマ
堆積膜が得られる。Teの蒸発量は膜厚モニター（６）で
監視する。
第１図は本発明に係る光学記録用媒体の製造のための装
置の一例であり、図中（１）は反応容器、（２）はSF6
（及び有機化合物）ガス導入口、（３）は基板、（４）
は高周波コイル、（５）はTe蒸着用抵抗加熱器、（６）
は膜厚モニター、（７）はシャッター、（８）は排気口
である。プラズマ堆積膜の作製は、反応容器（１）を10
-6Torr台まで排気した後、SF6（及び有機化合物）ガス
を導入口（２）より導入し、反応容器（１）の内圧を５
×10-5〜５×10-3Torrとなるようにする。ガス導入後、
高周波コイル（４）に高周波を印加し放電を起こさせ
る。これと同時に蒸着用抵抗加熱器（５）からTeを蒸発
させ、基板（３）上にTe-SF6（−有機化合物）プラズマ
堆積膜が得られる。Teの蒸発量は膜厚モニター（６）で
監視する。
Teの含有量はTeの蒸着速度、あるいはSF6（−有機化合
物）の堆積条件を変えること、すなわち、堆積膜の成膜
速度の二者のうちいずれかを変えることにより制御でき
る。得られた膜が半導体レーザの波長で十分な吸収を示
すように、Te含有量は50〜95容量％とする。
物）の堆積条件を変えること、すなわち、堆積膜の成膜
速度の二者のうちいずれかを変えることにより制御でき
る。得られた膜が半導体レーザの波長で十分な吸収を示
すように、Te含有量は50〜95容量％とする。
TeとSF6との二成分系の場合には残部すなわち５〜50容
量％がSF6となり、Te、SF6及び有機化合物の三成分系の
場合には残部すなわち５〜50容量％がSF6と有機化合物
からなるのが良い。この三成分系の場合には有機化合物
がSF6より多く含まれているのが好ましい。
量％がSF6となり、Te、SF6及び有機化合物の三成分系の
場合には残部すなわち５〜50容量％がSF6と有機化合物
からなるのが良い。この三成分系の場合には有機化合物
がSF6より多く含まれているのが好ましい。
本発明に係る記録用媒体は上記のように基板上に、上記
プラズマ堆積膜を形成させてなるが、さらに基板と堆積
膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔形状の向
上等のために下引層を設けることもでき、さらには、記
録媒体の保護のために堆積膜上に保護膜を設けることも
できる。
プラズマ堆積膜を形成させてなるが、さらに基板と堆積
膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔形状の向
上等のために下引層を設けることもでき、さらには、記
録媒体の保護のために堆積膜上に保護膜を設けることも
できる。
本発明に係る光学的記録用媒体は、光ディスク記録媒体
として有用であり、レーザビームを照射して加熱するこ
とにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
として有用であり、レーザビームを照射して加熱するこ
とにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
実施例１ 真空容器を２×10-5Torrまで排気した後、六フッ化硫黄
（SF6）とジメチルホルムアミド（DMF）の混合ガスを導
入し、コイル状の電極（180mmφ、３ターン、ピッチ15m
m）に13.56MHzの高周波電圧を印加してグロー放電を行
なう。
（SF6）とジメチルホルムアミド（DMF）の混合ガスを導
入し、コイル状の電極（180mmφ、３ターン、ピッチ15m
m）に13.56MHzの高周波電圧を印加してグロー放電を行
なう。
SF6ガス流量6sccm、DMFガス流量3sccm、ガス圧５×10-3
Torr、放電電力100Wでグロー放電をおこすと同時にTeを
抵抗加熱で蒸発させ、Te-SF6-DMFプラズマ堆積膜を形成
させる。堆積速度を300Å/minとし、300ÅのTe-SF6-DMF
プラズマ堆積膜を成膜し、波長830nm、媒体上4mWの半導
体レーザで記録すると、150nsecで記録を行なうことが
できた。
Torr、放電電力100Wでグロー放電をおこすと同時にTeを
抵抗加熱で蒸発させ、Te-SF6-DMFプラズマ堆積膜を形成
させる。堆積速度を300Å/minとし、300ÅのTe-SF6-DMF
プラズマ堆積膜を成膜し、波長830nm、媒体上4mWの半導
体レーザで記録すると、150nsecで記録を行なうことが
できた。
また、この膜は耐酸化性に優れ、60℃、80％RH中に10日
間保存しても膜の光学的反射率の低下はみられなかっ
た。
間保存しても膜の光学的反射率の低下はみられなかっ
た。
実施例２ SF6ガス2sccm、DMFガス流量4sccmとし、他の堆積条件は
実施例１と同様にし、400ÅのTe-SF6-DMFプラズマ堆積
膜を成膜した。この膜は100nsecで記録可能で、かつ耐
酸化性に優れ、60℃、80％RH中に20日間保存しても膜の
光学的反射率は初期値の３％しか低下しない。
実施例１と同様にし、400ÅのTe-SF6-DMFプラズマ堆積
膜を成膜した。この膜は100nsecで記録可能で、かつ耐
酸化性に優れ、60℃、80％RH中に20日間保存しても膜の
光学的反射率は初期値の３％しか低下しない。
実施例３ SF6ガス2sccm、DMFガス流量2.5sccm、ガス圧５×10-4To
rr、放電電力200W、堆積速度150Å/minで300Å成膜し
た。
rr、放電電力200W、堆積速度150Å/minで300Å成膜し
た。
この膜は（200nsecで記録可能で）C/N58dBが得られた。
実施例４ SF6ガス流量9sccm、ガス圧５×10-3Torr、放電電力200
W、堆積速度400Å/minで300ÅのTe-SF6プラズマ堆積膜
を成膜した。
W、堆積速度400Å/minで300ÅのTe-SF6プラズマ堆積膜
を成膜した。
この膜は60℃、80％RH中に10日間保存して膜の光学的反
射率の低下は初期値の20％であった。
射率の低下は初期値の20％であった。
（発明の効果） 本発明に係る記録用媒体はC/N比、ピット形状、コント
ラスト、経時安定性にすぐれる。
ラスト、経時安定性にすぐれる。
第１図は、本発明に係る記録用媒体の製造のための装置
の一例を示す。 図中（１）は反応容器、（２）はガス導入口、（３）は
基板、（４）は高周波コイル、（５）はTe蒸着用抵抗加
熱器をそれぞれ示す。
の一例を示す。 図中（１）は反応容器、（２）はガス導入口、（３）は
基板、（４）は高周波コイル、（５）はTe蒸着用抵抗加
熱器をそれぞれ示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 田村 孝憲 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−104996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−113535（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】SF6ガスの存在下、Teを蒸発させることに
より、基板上に、Teが50〜95容量％の割合のTe-SF6プラ
ズマ堆積膜を形成させてなる光学的記録媒体。 - 【請求項２】有機化合物ガスを導入することにより基板
上に、Teが50〜95容量％の割合のTe-SF6-有機化合物プ
ラズマ堆積膜を形成させてなる特許請求の範囲第１項記
載の光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230981A JPH0723023B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230981A JPH0723023B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110348A JPS61110348A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0723023B2 true JPH0723023B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=16916353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230981A Expired - Lifetime JPH0723023B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723023B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589232A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5957790A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
| JPS59104996A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Canon Inc | 光記録方法 |
| JPS59113535A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-06-30 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| NL8300422A (nl) * | 1983-02-04 | 1984-09-03 | Philips Nv | Methode voor de vervaardiging van een optisch uitleesbare informatieschijf. |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP59230981A patent/JPH0723023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110348A (ja) | 1986-05-28 |
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