JPS58133620A - 磁気ヘツド及びその製法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製法Info
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- JPS58133620A JPS58133620A JP1656582A JP1656582A JPS58133620A JP S58133620 A JPS58133620 A JP S58133620A JP 1656582 A JP1656582 A JP 1656582A JP 1656582 A JP1656582 A JP 1656582A JP S58133620 A JPS58133620 A JP S58133620A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ヘッド及びその製法、%にアモルファス
(非晶*)磁気ヘッドに進用して好適な磁気ヘッド及び
その製法を提供するものである。
(非晶*)磁気ヘッドに進用して好適な磁気ヘッド及び
その製法を提供するものである。
この非晶質磁性材料は、メタルと、いわゆるメタロイド
との合金より成り、このメタルは、re。
との合金より成り、このメタルは、re。
Co、Ni等の遷移金属より成り、またメタロイドは合
金を非晶質化するために含有させる元素で、B、P%C
や、引、ムi勢が組み合せられて用いられる。このうち
、Fe−Co−8に−B系の磁性合金は、飽和磁束密度
Bmが大きく、透磁率μを熱処理によって大きくでき、
磁気ヘッドのコア材として注目されている。
金を非晶質化するために含有させる元素で、B、P%C
や、引、ムi勢が組み合せられて用いられる。このうち
、Fe−Co−8に−B系の磁性合金は、飽和磁束密度
Bmが大きく、透磁率μを熱処理によって大きくでき、
磁気ヘッドのコア材として注目されている。
ところが、このような非晶質磁性合金は、磁気ヘッドを
製造する過程での接合処理時等の熱処理や、加工、及び
取扱い上の機械的強度等の問題から、磁気的特性に劣化
を招来し易いなど、4jI軸性及び歩留りKlla点が
ある。
製造する過程での接合処理時等の熱処理や、加工、及び
取扱い上の機械的強度等の問題から、磁気的特性に劣化
を招来し易いなど、4jI軸性及び歩留りKlla点が
ある。
本発明は、この種アモルシアス磁気ヘットヲ、磁気特性
の劣化を招来することなく安定ζ高い歩留りをもって得
ることのできる磁気ヘッド及びその製法を提供するもの
である。
の劣化を招来することなく安定ζ高い歩留りをもって得
ることのできる磁気ヘッド及びその製法を提供するもの
である。
以下図面を参照して本発明による磁気ヘッドの−例とそ
の製法の一例を詳細に説明する。
の製法の一例を詳細に説明する。
m1図に示すように例えばリボン状に得られた□合金薄
板を、最終的に得る磁気ヘッドのトラック輪に相当する
厚さ例えば20μmK両面研磨して非晶貴金属磁性材料
薄板(1)を得る。この非晶質金属磁性材料は、冒Wj
iに述べたようにメタル、例えばFe、co、N4%の
遷移金属と非晶−化するメタロイドB、P、C−1?−
81%A1等の合金、例えばFe−Co−8i−B系合
金より構成されるが、例えば仁のFe−Co−8i−B
糸材料は、その各成分の配合比によって、その飽和磁束
密[Bsや、結晶化温度Tx。
板を、最終的に得る磁気ヘッドのトラック輪に相当する
厚さ例えば20μmK両面研磨して非晶貴金属磁性材料
薄板(1)を得る。この非晶質金属磁性材料は、冒Wj
iに述べたようにメタル、例えばFe、co、N4%の
遷移金属と非晶−化するメタロイドB、P、C−1?−
81%A1等の合金、例えばFe−Co−8i−B系合
金より構成されるが、例えば仁のFe−Co−8i−B
糸材料は、その各成分の配合比によって、その飽和磁束
密[Bsや、結晶化温度Tx。
キュIJ−ojjA度Tc等が変るものであり、そのメ
タル分が多くなれば、8mは大となるものの非晶質化か
されに〈〈なり、結晶化し易くなってTxが低下してく
る。逆にメタシイド分が多くなると、非晶質の状態を保
持し易くなってTxは上るがB$カa 下Y ルeそし
て、(Fe*Co)go (81,8)go程度の組成
でTxとTcかほぼ等しく、これよりメタロイドが多く
なるとTxが、Tx ) Tcとなってくる。
タル分が多くなれば、8mは大となるものの非晶質化か
されに〈〈なり、結晶化し易くなってTxが低下してく
る。逆にメタシイド分が多くなると、非晶質の状態を保
持し易くなってTxは上るがB$カa 下Y ルeそし
て、(Fe*Co)go (81,8)go程度の組成
でTxとTcかほぼ等しく、これよりメタロイドが多く
なるとTxが、Tx ) Tcとなってくる。
本発明製法においては、非晶貴金属磁性材料薄板(1)
として、例えばメタルが7s原子−の、Co7(Lm−
Pet 7−81 sj −B@合金、すなわち’l’
c (Tx (D %性を有する非晶質磁性合金によっ
て構成する。
として、例えばメタルが7s原子−の、Co7(Lm−
Pet 7−81 sj −B@合金、すなわち’l’
c (Tx (D %性を有する非晶質磁性合金によっ
て構成する。
そして、側2図に示すように1薄[(1)の両面に後述
するガード材板との接合を強固に行わせるための金属ま
たは金属の酸化物層、例えばCr 、 8i01、λ1
80s等の表面層(2)をメッキ、蒸着、スパッタリン
グ等によって数百^から数jmの厚さに被着する。
するガード材板との接合を強固に行わせるための金属ま
たは金属の酸化物層、例えばCr 、 8i01、λ1
80s等の表面層(2)をメッキ、蒸着、スパッタリン
グ等によって数百^から数jmの厚さに被着する。
一方、第3図に示すように磁性体ブロック例えば−−Z
nyエライトブロック(3)K板状の非磁性体(4)を
高融点ガラスによって接合合体したガード材ブーツク(
5)を用意する。
nyエライトブロック(3)K板状の非磁性体(4)を
高融点ガラスによって接合合体したガード材ブーツク(
5)を用意する。
このブロック(51K 、第4図に示すように1非磁性
体(4)狗から溝加工を施して磁性体ブロック(3)K
入り込む複数の溝(6)を平行配列する。
体(4)狗から溝加工を施して磁性体ブロック(3)K
入り込む複数の溝(6)を平行配列する。
そして、縞s図に示すように1各溝(6)内に非磁性無
機接合材、例えば低融点ガラス(7)を充填する。
機接合材、例えば低融点ガラス(7)を充填する。
この低融点ガラスは、例えばPi)0− BgoB −
ZnO系のガラスで、その軟化温度か350°Cのガラ
スが用いられ優る。
ZnO系のガラスで、その軟化温度か350°Cのガラ
スが用いられ優る。
このブロック(5)を第5図中鎖fIM匂、1:、す・
・・・・KT−すように、各溝(6)を横切る方向に1
図示の例では溝(6)と直交する方向に所豊の機械的強
度を保有し得る厚さの例えばlOO声mの厚さに切断し
てm6図に示すようにガード材板(8)を得る。
・・・・KT−すように、各溝(6)を横切る方向に1
図示の例では溝(6)と直交する方向に所豊の機械的強
度を保有し得る厚さの例えばlOO声mの厚さに切断し
てm6図に示すようにガード材板(8)を得る。
このようにして得た複数のガード材板(8)間に第2図
で説明した両面に表面層(2)を形成した非晶貴金属磁
性材料薄板(1)を夫々挾み込んで接合し接合14 (
9)を得る。この場合ガード材板(8)の薄板(1)と
の法合面は予め平滑に鏡面研磨され、とこに非磁性無機
接合材の例えば上述したと同様のPbO−n5os−Z
nO系低融点左2スを100OXから数μml1)塵さ
にスパッタリング等によって被着しCs?<。このよう
Kしてガード材板(8)と非晶質金属磁性材料薄板+1
)とな交互に積層した状態で治具に挟み込み加圧し、こ
の非晶質金属磁性材料薄板(1)のキエリーm&Tc(
例えばTc−290℃)より高く且つこれe)結晶化温
度1゛x(例えばTx−40s℃)より低い第1の19
T定温嵐Tpの例えば390℃klO分間保持し、この
温度から第2の所定温度Ts、すなわち低融点ガラスの
固着温度すなわち固化温度の近傍ノ250℃まで急冷す
る。ここで急冷とは#!lの所定温度から#!2の所定
温度に至らしめる時間を1分間以下とした場合を指称す
る。七〇fg2の温度から常温まで5℃/分以下の速度
で徐冷する。
で説明した両面に表面層(2)を形成した非晶貴金属磁
性材料薄板(1)を夫々挾み込んで接合し接合14 (
9)を得る。この場合ガード材板(8)の薄板(1)と
の法合面は予め平滑に鏡面研磨され、とこに非磁性無機
接合材の例えば上述したと同様のPbO−n5os−Z
nO系低融点左2スを100OXから数μml1)塵さ
にスパッタリング等によって被着しCs?<。このよう
Kしてガード材板(8)と非晶質金属磁性材料薄板+1
)とな交互に積層した状態で治具に挟み込み加圧し、こ
の非晶質金属磁性材料薄板(1)のキエリーm&Tc(
例えばTc−290℃)より高く且つこれe)結晶化温
度1゛x(例えばTx−40s℃)より低い第1の19
T定温嵐Tpの例えば390℃klO分間保持し、この
温度から第2の所定温度Ts、すなわち低融点ガラスの
固着温度すなわち固化温度の近傍ノ250℃まで急冷す
る。ここで急冷とは#!lの所定温度から#!2の所定
温度に至らしめる時間を1分間以下とした場合を指称す
る。七〇fg2の温度から常温まで5℃/分以下の速度
で徐冷する。
このよ5にして非晶貴金属磁性材料薄板(11とガード
材板(8)とが交互に接合された接合体(91を得る。
材板(8)とが交互に接合された接合体(91を得る。
次に諏7図中鎖線b1eb2mbB・・・・・K示すよ
うに接合体(9)を溝(6)内においてその深さ方向及
び延長方向を含む面と、更に互いKT4り合う溝(6)
関において平行に切断して、#!8図に示すように、前
述の溝(6)内における切断面Jabh””°において
分離された切断ブロックを対のブロック(lσ1)及び
(10b)としてその互いに切断された溝(6)内にお
ける切断面を研磨して少くとも一方のブロック、図示の
例ではブロック(IOJI) K非晶質金属磁性材料薄
板(1)を横切る方向に、後述する磁気ギャップの深さ
を規制し、且つヘッド巻線を挿通ずるに供する巻線溝稙
υを切り込む。
うに接合体(9)を溝(6)内においてその深さ方向及
び延長方向を含む面と、更に互いKT4り合う溝(6)
関において平行に切断して、#!8図に示すように、前
述の溝(6)内における切断面Jabh””°において
分離された切断ブロックを対のブロック(lσ1)及び
(10b)としてその互いに切断された溝(6)内にお
ける切断面を研磨して少くとも一方のブロック、図示の
例ではブロック(IOJI) K非晶質金属磁性材料薄
板(1)を横切る方向に、後述する磁気ギャップの深さ
を規制し、且つヘッド巻線を挿通ずるに供する巻線溝稙
υを切り込む。
その後、両射のプレツク(XOa)及び(10b)の互
いの切断研磨面の少くとも一方の溝■より非磁性体(4
)を有する@において、同様の磁気ギャップ長を規制す
る所要の厚さのギャップスペーサ(図示せず)を、例え
ば8儀O雪、Cr等の選択的スノ(ツタリング膜によっ
て形成する。その後、第10図に示すように、このギャ
ップスペーサを有する対のプロッタ(101)及び(1
0b)の切断研磨面を突き合せ【その少くとも一方に設
けた巻線溝(Iυ内に前述したと同様の組成を有する非
磁性無機接合材の低融点ガラス棒Q3を挿入し、前述し
たと同様のIN度プロゲラ建ングをもって低融点ガラス
棒0と前述した低融点ガラス、すなわち非磁性無機接合
材(7)を軟化させ、両プpツク(10m)及び(10
b)を接合合体して両ブロック(10a)及び(10b
)の互いの突き合わせ面Kraむ非晶質金属磁性材料薄
板(11の耳いの端面な前述のギャップスペーサを介し
て突き合わせ対向させ、その突き合わせ端面間に作動磁
気ギャップgを形成する。
いの切断研磨面の少くとも一方の溝■より非磁性体(4
)を有する@において、同様の磁気ギャップ長を規制す
る所要の厚さのギャップスペーサ(図示せず)を、例え
ば8儀O雪、Cr等の選択的スノ(ツタリング膜によっ
て形成する。その後、第10図に示すように、このギャ
ップスペーサを有する対のプロッタ(101)及び(1
0b)の切断研磨面を突き合せ【その少くとも一方に設
けた巻線溝(Iυ内に前述したと同様の組成を有する非
磁性無機接合材の低融点ガラス棒Q3を挿入し、前述し
たと同様のIN度プロゲラ建ングをもって低融点ガラス
棒0と前述した低融点ガラス、すなわち非磁性無機接合
材(7)を軟化させ、両プpツク(10m)及び(10
b)を接合合体して両ブロック(10a)及び(10b
)の互いの突き合わせ面Kraむ非晶質金属磁性材料薄
板(11の耳いの端面な前述のギャップスペーサを介し
て突き合わせ対向させ、その突き合わせ端面間に作動磁
気ギャップgを形成する。
次に%第10図に示すように、対のブ四ツタ(1G鳳)
及び(10b)が接合された磁気ヘッドプ四ツクa2の
非磁性体(4)が接合された側の面を研磨して磁気媒体
との対接面Fを形成し、非晶質金属磁性材料薄板(1)
間のガード材ブーツタの中間部において薄板(1)の面
方向に8って謔10図中鎖*’s*匂。
及び(10b)が接合された磁気ヘッドプ四ツクa2の
非磁性体(4)が接合された側の面を研磨して磁気媒体
との対接面Fを形成し、非晶質金属磁性材料薄板(1)
間のガード材ブーツタの中間部において薄板(1)の面
方向に8って謔10図中鎖*’s*匂。
Cs−・・・・に示す面で切断する。
このようにして、第11図に示すように複数の磁気へッ
ドプア0を得る。そし【このコア00巻線溝aυKm)
i11041を壱回挿遇すれば目的とする磁気ヘッドが
得られる。
ドプア0を得る。そし【このコア00巻線溝aυKm)
i11041を壱回挿遇すれば目的とする磁気ヘッドが
得られる。
このようにして得た磁気ヘッドは、第8図で説明した対
のブロック(10M)及び(10b)の各部より成る;
ア牛体対(1Bal)及び(15b)が突き合せ接合さ
れて構成されるものであり、これらコア半休対(10)
及び(Ilb)の突き合せ面間において、磁気媒体との
対接面FiC臨んで金属磁性材料薄板(1)の端面間に
ギャップスペーサが介在され工作励磁気ギャップgが形
成され、両コア半休対(15り及び(Ills)の接合
部におい(両コア亭体(15り及び(15b) K跨っ
て非磁性無機接合材の主として低融点ガラス(7)Kよ
って接合された磁気ヘッドが得られる。
のブロック(10M)及び(10b)の各部より成る;
ア牛体対(1Bal)及び(15b)が突き合せ接合さ
れて構成されるものであり、これらコア半休対(10)
及び(Ilb)の突き合せ面間において、磁気媒体との
対接面FiC臨んで金属磁性材料薄板(1)の端面間に
ギャップスペーサが介在され工作励磁気ギャップgが形
成され、両コア半休対(15り及び(Ills)の接合
部におい(両コア亭体(15り及び(15b) K跨っ
て非磁性無機接合材の主として低融点ガラス(7)Kよ
って接合された磁気ヘッドが得られる。
上述の本発明構成によれば、作動磁気ギャップgを形成
する非晶質金属磁性材料薄板(1)がガード羽振(8)
間において挾み込壕れた構成を有し、しかも両ガード材
板(8)関に跨って充填された非磁性無機接合材(主と
して(7) ) Kよって接合された構成を有するので
機械的に安定した、従って磁気的特性が安定した91M
性の為い磁気ヘッドを得ることができる。tた、このガ
ード材板(8)の後方部は磁性体(3)より成る構成と
したのでこれKより′C磁気ヘッドの後方磁路な構成す
ることができ、これに伴つ″CC気気抵抗小さく、前号
においては磁気ギャップgK殊束の集中を行わせること
ので参る構成とされるものである。
する非晶質金属磁性材料薄板(1)がガード羽振(8)
間において挾み込壕れた構成を有し、しかも両ガード材
板(8)関に跨って充填された非磁性無機接合材(主と
して(7) ) Kよって接合された構成を有するので
機械的に安定した、従って磁気的特性が安定した91M
性の為い磁気ヘッドを得ることができる。tた、このガ
ード材板(8)の後方部は磁性体(3)より成る構成と
したのでこれKより′C磁気ヘッドの後方磁路な構成す
ることができ、これに伴つ″CC気気抵抗小さく、前号
においては磁気ギャップgK殊束の集中を行わせること
ので参る構成とされるものである。
また、その製造過程において、非磁性無機接合材として
非晶貴金属磁性材料薄板(1)とガード材板(8+との
接合をなし、また対のブロック(10畠)及び(10b
)の接合をなすものであるが、この巻金の熱処理を特殊
な温度プロゲラ電ングによって行ったことによって安定
した磁気特性を有する磁気ヘッドを製造し得るものであ
る。すなわち前述したように本発明における接合作業の
熱処理は、第12図中実線−1四に示すように非晶質磁
性材料薄板のキエリ一温度Tcより高く結晶化銀71
Txより低い第1の所定の温fTp、例えば390℃に
保持しこれより固着温度近傍の温g Ts K急冷し、
その後常温まで徐冷するという温度プロゲラ電ングをと
るものであるが、このようにすることにより1この磁気
ヘッドの製造過程での例えばガラス熔融による接合部l
!によってそのアモルファス磁性材料薄板の磁気特性に
劣化を生じさせる不都合を回避できる。すなわち、本発
明製法においては、その接合に当ってその接合材として
のガラスの軟化温度以上の第1の温度Tpic′bIJ
熱するものであるが、この温度’rpをTc < Tp
< Txとし、アモルファス磁性薄板に結晶化を生じ
させない温度でのアニールをなし、この温度からガラス
の固着温度近傍まで急冷、すなわち、ガラスが流動性を
有し、金属との関に熱膨張率の差が生じていてもその流
動性によって1.金属の伸縮に対する追従がなされて両
者間に応力が生じることのない範囲で急冷し、その後徐
冷するといさ熱処理をなす。
非晶貴金属磁性材料薄板(1)とガード材板(8+との
接合をなし、また対のブロック(10畠)及び(10b
)の接合をなすものであるが、この巻金の熱処理を特殊
な温度プロゲラ電ングによって行ったことによって安定
した磁気特性を有する磁気ヘッドを製造し得るものであ
る。すなわち前述したように本発明における接合作業の
熱処理は、第12図中実線−1四に示すように非晶質磁
性材料薄板のキエリ一温度Tcより高く結晶化銀71
Txより低い第1の所定の温fTp、例えば390℃に
保持しこれより固着温度近傍の温g Ts K急冷し、
その後常温まで徐冷するという温度プロゲラ電ングをと
るものであるが、このようにすることにより1この磁気
ヘッドの製造過程での例えばガラス熔融による接合部l
!によってそのアモルファス磁性材料薄板の磁気特性に
劣化を生じさせる不都合を回避できる。すなわち、本発
明製法においては、その接合に当ってその接合材として
のガラスの軟化温度以上の第1の温度Tpic′bIJ
熱するものであるが、この温度’rpをTc < Tp
< Txとし、アモルファス磁性薄板に結晶化を生じ
させない温度でのアニールをなし、この温度からガラス
の固着温度近傍まで急冷、すなわち、ガラスが流動性を
有し、金属との関に熱膨張率の差が生じていてもその流
動性によって1.金属の伸縮に対する追従がなされて両
者間に応力が生じることのない範囲で急冷し、その後徐
冷するといさ熱処理をなす。
このような熱処理を経たアモルファス磁性材料薄板の周
波数−透磁率特性は菖1811中−一(至)に示す、尚
、アモルファス磁性材料薄板の接合処理等の加工前の透
磁率はl MHzで1020%0出2″e wooであ
り、本発明によるときは、その特性が殆んど低下してい
ない、これに比し、第1の所定温度Tpから常温まで1
00℃/1時間の徐冷をなした#!12図中−線Qυで
示す温度プpグラ−ングをとった場合、その周波数−透
磁率特性は鮪13図中−11M(至)に示すようにその
特性が低下する。すなわち、このように急冷退部を経る
ことなく徐冷されたものは磁性材料薄板に結晶化が生じ
その特性が低下する。また前述した第1の所定温fTp
がら常温まで空冷によって急冷した第12図中曲aji
(2)に示す温度プラミングをとった場合の周波数−透
磁率特性は、#!13図中曲線(至)k示すように1そ
の周波数特性の劣化は招来しないが、この熱処理によっ
て亀裂が発生し易くなるという不都合が生じてくる。
波数−透磁率特性は菖1811中−一(至)に示す、尚
、アモルファス磁性材料薄板の接合処理等の加工前の透
磁率はl MHzで1020%0出2″e wooであ
り、本発明によるときは、その特性が殆んど低下してい
ない、これに比し、第1の所定温度Tpから常温まで1
00℃/1時間の徐冷をなした#!12図中−線Qυで
示す温度プpグラ−ングをとった場合、その周波数−透
磁率特性は鮪13図中−11M(至)に示すようにその
特性が低下する。すなわち、このように急冷退部を経る
ことなく徐冷されたものは磁性材料薄板に結晶化が生じ
その特性が低下する。また前述した第1の所定温fTp
がら常温まで空冷によって急冷した第12図中曲aji
(2)に示す温度プラミングをとった場合の周波数−透
磁率特性は、#!13図中曲線(至)k示すように1そ
の周波数特性の劣化は招来しないが、この熱処理によっ
て亀裂が発生し易くなるという不都合が生じてくる。
鍋、岨14図中曲!IwJは本発明製法によって得た本
発明によるアモルファス磁気ヘッドの磁気ヘッド特性を
示すもので、同図9曲!l@υは、Mfi−Zlフェラ
イトヘッドの同様の特性な示し、これらを比較して明ら
かなように本発明によるものは、すぐれた特性を示す、
この特性の濁定は、磁気ギャップのギャップ長を、夫々
0.5smとし、磁気テープとの相対速度を7m/秒と
した場合である。
発明によるアモルファス磁気ヘッドの磁気ヘッド特性を
示すもので、同図9曲!l@υは、Mfi−Zlフェラ
イトヘッドの同様の特性な示し、これらを比較して明ら
かなように本発明によるものは、すぐれた特性を示す、
この特性の濁定は、磁気ギャップのギャップ長を、夫々
0.5smとし、磁気テープとの相対速度を7m/秒と
した場合である。
尚、上述した例においては、第12図中曲線(2)k示
す温度プμダ5建ングによる熱処理を、各接合工程で行
った場合であるが、成る場合は、このブーグラミングに
よる熱処理を最終の接合工程においてのみ行っても、先
に生じたアモルファス磁性材料における接合融着時のダ
メージの回復がなされ、結果的に前述した例とほぼ同様
の効果を得ることができる。
す温度プμダ5建ングによる熱処理を、各接合工程で行
った場合であるが、成る場合は、このブーグラミングに
よる熱処理を最終の接合工程においてのみ行っても、先
に生じたアモルファス磁性材料における接合融着時のダ
メージの回復がなされ、結果的に前述した例とほぼ同様
の効果を得ることができる。
また、本発明製法においては、アモルファス磁性材料と
して、その結晶化温度Txがキュリ一温度Tcより大で
あるものを対象としてキ瓢り一温度’Tc以上で結晶化
温度Txより低い温度で、いわばアニールし、その後固
着温度まで急冷するという熱処理をなして磁気特性、す
なわち透磁率の向±をはかるものであるが1本発IIA
Kよる磁気ヘッドとしては、アモルファス磁性材料とし
てTx (Tcのものを用いる場合にも適用でき、仁の
場合には、最終工程において透磁率声を向上させるため
の回転磁場中でのアニール(熱処II)を行う。
して、その結晶化温度Txがキュリ一温度Tcより大で
あるものを対象としてキ瓢り一温度’Tc以上で結晶化
温度Txより低い温度で、いわばアニールし、その後固
着温度まで急冷するという熱処理をなして磁気特性、す
なわち透磁率の向±をはかるものであるが1本発IIA
Kよる磁気ヘッドとしては、アモルファス磁性材料とし
てTx (Tcのものを用いる場合にも適用でき、仁の
場合には、最終工程において透磁率声を向上させるため
の回転磁場中でのアニール(熱処II)を行う。
また、磁気ヘッドの構造も、第11園に示したもののよ
うに、接着剤(7)が磁気媒体との対接面FKwIAむ
構造とする場合に限らず第1s図及び菖16図に示すよ
うに接着剤(71、したがって溝(6)を、磁気媒体と
の対接面Fより後方の磁性体(3)を有する部分に形成
するようにすることもでき、この場合は、溝(6)の形
成を、第3図で説明した非磁性体(3)との接合前に形
成する。
うに、接着剤(7)が磁気媒体との対接面FKwIAむ
構造とする場合に限らず第1s図及び菖16図に示すよ
うに接着剤(71、したがって溝(6)を、磁気媒体と
の対接面Fより後方の磁性体(3)を有する部分に形成
するようにすることもでき、この場合は、溝(6)の形
成を、第3図で説明した非磁性体(3)との接合前に形
成する。
更に、また上述した例では、磁気ギャップgがコアの厚
さ方向に平行に形成した場合であるが、このギャップg
が斜めに、所要のアジマスをもって形成される磁気ヘッ
ドに適用することもでき、この場合においては、第5図
で説明したブロック(51に対する切断面a1e”!*
”l・・・・・を溝(6)の延長方向と直交しない所要
の角度で横切る面とし、第7図で説明した磁性材料薄板
(1)とガード材板(8)との接合が斜めに行われるよ
うに丁れば良い。
さ方向に平行に形成した場合であるが、このギャップg
が斜めに、所要のアジマスをもって形成される磁気ヘッ
ドに適用することもでき、この場合においては、第5図
で説明したブロック(51に対する切断面a1e”!*
”l・・・・・を溝(6)の延長方向と直交しない所要
の角度で横切る面とし、第7図で説明した磁性材料薄板
(1)とガード材板(8)との接合が斜めに行われるよ
うに丁れば良い。
jlに1図ないし諏11図は本発明による磁気ヘッドの
一例の工梅図、812図はその温度プロゲラ建ング図、
第13図は熱処理と周波数−透磁率特性との関係を示す
図、114図は磁気ヘッドの出力特性図、第1s図及び
第16図は夫々本発明による磁気ヘッドの6例の拡大#
)視惑である。 (1)は非晶質磁性材料薄板、(8)はガード材板、(
10m)(10b)は=ア牛体対、gは磁気ギャップで
ある。 !S4図 第5図 第7図 第12図 第13図 IM Jpj 3M
−/−1’:j(Ill)第1と図 第1
6ト:
一例の工梅図、812図はその温度プロゲラ建ング図、
第13図は熱処理と周波数−透磁率特性との関係を示す
図、114図は磁気ヘッドの出力特性図、第1s図及び
第16図は夫々本発明による磁気ヘッドの6例の拡大#
)視惑である。 (1)は非晶質磁性材料薄板、(8)はガード材板、(
10m)(10b)は=ア牛体対、gは磁気ギャップで
ある。 !S4図 第5図 第7図 第12図 第13図 IM Jpj 3M
−/−1’:j(Ill)第1と図 第1
6ト:
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ガード材板間に金属磁性材料薄板を保持し【なる
コア牛体対を所要の厚さのギャップスペーサを介して接
合して上記金属磁性材料薄板の端m関に磁気ギャップを
形成してなる磁気ヘッ′ドにおいて、上記ガード材板の
上記コア半休対の突き合わせ部において上記両コア半休
Kj1って非磁性無機接合剤が充填されてなる磁気ヘッ
ド。 2、非晶質磁性材料のキエリー温直より高く且つ販非晶
質磁性材料の結晶化温度より低い第1の所定温度でガラ
スを溶−し非晶質磁性材料を接合する工程と、次いで該
第1の所定の温度から該ガラスの固着温度近傍の第2の
所定の温fまで急冷する工程と、該第2の所定の温度か
ら徐冷する工程とを含む磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1656582A JPS58133620A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気ヘツド及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1656582A JPS58133620A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気ヘツド及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133620A true JPS58133620A (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=11919804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1656582A Pending JPS58133620A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気ヘツド及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146410A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US4697217A (en) * | 1982-10-13 | 1987-09-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetic head having a main core of sheet amorphous magnetic material |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1656582A patent/JPS58133620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697217A (en) * | 1982-10-13 | 1987-09-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetic head having a main core of sheet amorphous magnetic material |
| JPS62146410A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
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