JPS58140141A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS58140141A JPS58140141A JP57023202A JP2320282A JPS58140141A JP S58140141 A JPS58140141 A JP S58140141A JP 57023202 A JP57023202 A JP 57023202A JP 2320282 A JP2320282 A JP 2320282A JP S58140141 A JPS58140141 A JP S58140141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- thickness
- wall thickness
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置にかかシ、内部リードの
平面に対して半導体ベレットが載置されるアイランドの
平面が下方に位置されている構造（以下ディンプル構造
と称す）の薄型樹脂封止半導体装置に関する。
平面に対して半導体ベレットが載置されるアイランドの
平面が下方に位置されている構造（以下ディンプル構造
と称す）の薄型樹脂封止半導体装置に関する。
従来、ディンプル構造でない半導体装量はボンディング
ワイヤーが半導体ベレットと接触しそうになる場合が多
く、この場合ボンティングワイヤーの引き上げ尋の修正
をしなけれはならなかったが、ディンプル構造のものは
この修正の工数をなくシ、組立工程の安定化をはかる構
造としてデ。
ワイヤーが半導体ベレットと接触しそうになる場合が多
く、この場合ボンティングワイヤーの引き上げ尋の修正
をしなけれはならなかったが、ディンプル構造のものは
この修正の工数をなくシ、組立工程の安定化をはかる構
造としてデ。
アルインライン製樹脂封止半導体装置に使われている。
このディンプル構造の効果は大きい。しかし、全樹脂肉
厚が１．５關程度の薄型半導体装置においては、以下の
理山でディンプル構造は実現できなかった。
厚が１．５關程度の薄型半導体装置においては、以下の
理山でディンプル構造は実現できなかった。
第１に従来の構造は内部リードから上方の樹脂肉厚と下
方の樹脂肉厚とが同じであるか、又は第１図に断面図を
示すように封止樹脂１１の上方の樹脂肉厚ｌの方が下方
の樹脂肉厚ｍよシも大きかったために、上方と下方の樹
脂肉厚の関係が従来のままでディンプル構造にすれば、
アイランド１５から下方の樹脂肉厚が＆端Ｋｌｌ＜なシ
、温度サイクル試験部の熱的環境試験でこの部分に樹脂
クラ、りが発生し、信頼性が低下した。
方の樹脂肉厚とが同じであるか、又は第１図に断面図を
示すように封止樹脂１１の上方の樹脂肉厚ｌの方が下方
の樹脂肉厚ｍよシも大きかったために、上方と下方の樹
脂肉厚の関係が従来のままでディンプル構造にすれば、
アイランド１５から下方の樹脂肉厚が＆端Ｋｌｌ＜なシ
、温度サイクル試験部の熱的環境試験でこの部分に樹脂
クラ、りが発生し、信頼性が低下した。
第２に樹脂クラックが発生しないようにアイラノド１ｓ
０位飯を内部リード１４の位置よシ少しだけ下けた程度
ではディンプル構造の効果を十分に発揮できずボンディ
ングワイヤー１２の修正を完全になくすことはできなか
った。また、全樹脂肉厚を厚くすれは樹脂クラックは発
生しなくなるがｒＩＩＩ蚤という％命が損われた。尚、
第１図で１３は半導体ペレットである。
０位飯を内部リード１４の位置よシ少しだけ下けた程度
ではディンプル構造の効果を十分に発揮できずボンディ
ングワイヤー１２の修正を完全になくすことはできなか
った。また、全樹脂肉厚を厚くすれは樹脂クラックは発
生しなくなるがｒＩＩＩ蚤という％命が損われた。尚、
第１図で１３は半導体ペレットである。
不発もの目的は全樹脂肉厚は従来の１まで、ボンティン
グワイヤーの修正をティンプル構造によって完全になく
して組立工数の削減と組立工程の安定化をはかシ、かつ
ディンプル構造にしたことによる樹脂クラ、りの発生麹
の信頼性の低下のない＃＃型衛脂封止半導体装置を提供
することにある。
グワイヤーの修正をティンプル構造によって完全になく
して組立工数の削減と組立工程の安定化をはかシ、かつ
ディンプル構造にしたことによる樹脂クラ、りの発生麹
の信頼性の低下のない＃＃型衛脂封止半導体装置を提供
することにある。
上ｌじ目的を達成するため本発明は、内部リードから下
方の樹脂肉厚が内部リードから上方の樹脂肉離よりも厚
いことを％黴とする。
方の樹脂肉厚が内部リードから上方の樹脂肉離よりも厚
いことを％黴とする。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例を示す断面図である。
内部リード１４とアイランド１５との位置差（以下ディ
ンプル量と称す）をＤとすると、内部リード１４から下
方の樹脂肉厚Ｍは従来のものに比ベディンプル量りだけ
厚く、内部リード１４から上方の樹脂肉厚りはディンプ
ル量りだけ薄くなっておシ、結局、全樹脂肉厚Ｔは従来
のものと同じである。従来の半導体装置と本発明の実施
例の半導体装置との厚さの関係を表１に示す。
ンプル量と称す）をＤとすると、内部リード１４から下
方の樹脂肉厚Ｍは従来のものに比ベディンプル量りだけ
厚く、内部リード１４から上方の樹脂肉厚りはディンプ
ル量りだけ薄くなっておシ、結局、全樹脂肉厚Ｔは従来
のものと同じである。従来の半導体装置と本発明の実施
例の半導体装置との厚さの関係を表１に示す。
表１ 厚さの関係（単位■）
従来の半導体装ｋ（ａ）と、樹脂肉厚！９ｍは従来のも
のと同じであるがディンプル量α３關のディンプル構造
をもつ半導体装置（ｂ）と、同じディンプル量α３１１
ＢＴｈもつ本発明の実施例の半導体装置（ｃ）とのボン
ティングワイヤーの修正率および温度サイクル試験結果
を表２に示す。
のと同じであるがディンプル量α３關のディンプル構造
をもつ半導体装置（ｂ）と、同じディンプル量α３１１
ＢＴｈもつ本発明の実施例の半導体装置（ｃ）とのボン
ティングワイヤーの修正率および温度サイクル試験結果
を表２に示す。
半導体装＆ ：５２ビン、全樹脂肉厚１．５龍アイ
ランドサイズ：０．６Ｘ０．６■２デインプル量 ：０
，３１＋１１ 樹 脂 二市販のエポキシ樹脂 試験条件 ニー６５℃〜室温〜＋１５０℃のサイク
ル 表２ 修正率と温度サイクル試験結果 ＆２から明らかなように、本発明の実施例（ｃ）は従来
と簡じ樹脂肉厚で従来のものに比べて温度サイクル性を
低下させること危くボンディングワイヤーの修正が完全
になくされ、工数削減と組立工程の安定化がはかられて
いる。
ランドサイズ：０．６Ｘ０．６■２デインプル量 ：０
，３１＋１１ 樹 脂 二市販のエポキシ樹脂 試験条件 ニー６５℃〜室温〜＋１５０℃のサイク
ル 表２ 修正率と温度サイクル試験結果 ＆２から明らかなように、本発明の実施例（ｃ）は従来
と簡じ樹脂肉厚で従来のものに比べて温度サイクル性を
低下させること危くボンディングワイヤーの修正が完全
になくされ、工数削減と組立工程の安定化がはかられて
いる。
また、本発明は下方の樹脂肉厚の増加量はディンプル量
りと同じでなくてもよい。
りと同じでなくてもよい。
本発明の半導体装置を作製するためには、トランスファ
ー成形金型の下金型のキャビティ深さを深くシ、上金型
のキャビティ深さを浅くすれば良い０ 本発明は薄型樹脂封止半導体装置に限られるものでなく
、デュアルインライン型樹脂封止半導体装置にも同様に
適用できる。
ー成形金型の下金型のキャビティ深さを深くシ、上金型
のキャビティ深さを浅くすれば良い０ 本発明は薄型樹脂封止半導体装置に限られるものでなく
、デュアルインライン型樹脂封止半導体装置にも同様に
適用できる。
第１図は従来の薄型樹脂封止半導体装置の断面図である
。第２図はティンプル構造をもつ本発明の実施例の薄型
樹脂封止半導体装置の断面図である。 尚、図においてｍｌｌ・・・・・・封止樹脂、１２・・
す・・ボンディングワイヤー、１３・・・・・・半！（
１ベレ、ト、１４・・・・・・内部リード、１５・・・
・・・アイランド５ｌｅＬ・・・・・・内部リードから
上方の樹脂肉厚、ｍ、Ｍ・・・・・・内部リードから下
あの樹脂肉厚、ｔ、Ｔ・・団・全樹脂肉厚、Ｄ・・・・
・・ディンプル量、ｐ、Ｐ・・・・・・半導体ベレット
の厚さくＰは図示していない）、ｆ。 Ｆ・・・・・・リードの厚さ、ｈ、Ｈ・・・・・・半導
体ベレット表面からのボンティングワイヤーの高さであ
る。 ５ 第１閏 第２閏
。第２図はティンプル構造をもつ本発明の実施例の薄型
樹脂封止半導体装置の断面図である。 尚、図においてｍｌｌ・・・・・・封止樹脂、１２・・
す・・ボンディングワイヤー、１３・・・・・・半！（
１ベレ、ト、１４・・・・・・内部リード、１５・・・
・・・アイランド５ｌｅＬ・・・・・・内部リードから
上方の樹脂肉厚、ｍ、Ｍ・・・・・・内部リードから下
あの樹脂肉厚、ｔ、Ｔ・・団・全樹脂肉厚、Ｄ・・・・
・・ディンプル量、ｐ、Ｐ・・・・・・半導体ベレット
の厚さくＰは図示していない）、ｆ。 Ｆ・・・・・・リードの厚さ、ｈ、Ｈ・・・・・・半導
体ベレット表面からのボンティングワイヤーの高さであ
る。 ５ 第１閏 第２閏
Claims (1)
- 内部リードの平１ｉｉＯＫ対して半ｉ体ペレ、トが載置
されるアイランドの平面が下方に位置されてなる樹脂封
止型半導体装置において、該内部リードから下方のモー
ルド肉厚が該内部リードから上方のモールド肉厚よシ厚
いことを％徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023202A JPS58140141A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023202A JPS58140141A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140141A true JPS58140141A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12104077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023202A Pending JPS58140141A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175454A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール |
| JPH0283961A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法、それにより得られる半導体装置およびそれに用いる半導体ウエハ |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023202A patent/JPS58140141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175454A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール |
| JPH0283961A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法、それにより得られる半導体装置およびそれに用いる半導体ウエハ |
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