JPS5833848A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS5833848A
JPS5833848A JP56132510A JP13251081A JPS5833848A JP S5833848 A JPS5833848 A JP S5833848A JP 56132510 A JP56132510 A JP 56132510A JP 13251081 A JP13251081 A JP 13251081A JP S5833848 A JPS5833848 A JP S5833848A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
semiconductor device
oxidized aluminum
thickness
aluminum oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56132510A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Fujizu
隆夫 藤津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56132510A priority Critical patent/JPS5833848A/ja
Publication of JPS5833848A publication Critical patent/JPS5833848A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の改良に関する。
近年、半導体装置の信頼性を高めるために種種の技術が
開発されている。就中、耐湿性を高めて高信頼性を得る
ために半導体素子の・臂、シペーシ１ンやモールド樹脂
の改良が図られている。しかしながら、従来の半導体装
置では、ダンディング線が接続された一ンディングノ４
　ｙドは、ダンディング線が接続された領域を除く領域
が通常アルミニウムの表面が露出した状態でモールド樹
脂で封止されていたシ、或はセラミ、クパ、ケージ内に
収納されている。このためモールド樹脂やセラミックパ
ッケージ内に侵入した塩素イオン等によって？ンディン
グノ臂、ドの露出表面が腐食され、半導体装置の信頼性
を著しく劣下させる欠点があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、耐湿性を
高めて信頼性の向上を図った半導体装置を提供するもの
である。
以下、本発明の実施例について説明する。
図は、本発明の一実施例の断面図である。図中１は、半
導体基板２の所定領域に形成された配線層３上に形成さ
れた一ンｙ”イングパ、ドでアル。ｌンディングノ４　
ｙド１には、金線などからなるダンディング線４が接続
されている。ダンディング線４が接続された領域を除い
て、Ｉンディングノ臂ツド１の表面には膜厚が３０００
Ｘ以上の酸化アルミニウム膜５が形成されている。
ここで、酸化アルミニウム膜５の形成方法としては、下
記表から明らかなように８０℃以上の純水でＩイルする
と急速に酸化アルミニウムをがンディング・譬、ドの表
面に成長させることができるので、８０℃以上の純水中
で約５分間処理するのが望ましい。
表 （注、表は、２０〜１００℃の各々の温度で純水中で５
分間処理した際に？ンｒイング・譬ツドの表面に形成さ
れるＡＡ２０．膜の膜厚を示している。）なお、高温酸
化やプラズマ酸化によっても酸化アルミニウム膜を容易
に形成できるが、素子を傷めやすくしかも生産性を低下
させるので好ましくない。また、酸化アルミニウム膜の
膜厚が３０００Ｘに達しない場合には、がンディング・
々ラド１の表面を塩素イオン等から十分に保護すること
ができず耐食性を向上させることができない。
このようにがンディングパ、ド１の表面を酸化アルミニ
ウム膜５で覆って耐湿性の向上を図った素子をモールド
樹脂で一体に封止し、所定の信頼性を満足する半導体装
置の歩留を調べたところ、従来の表面が露出されたゲン
ディングパ、ドを有する半導体装置に比べて１０％向上
していることが判った。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
ビンディング線が接続された領域を除く露出表面を膜厚
が３０００Ｘ以上の酸化アルミニウム膜で覆って耐湿性
を向上させたので、極めて高い信頼性を有するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例の断面図である。 １・・・がンディングノ臂、ド、２・・・半導体基板、
３・・・配線層、４・・・ビンディング線、５・・・酸
化アルミニウム膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダンディング線が接続された領域を除く露出表面に膜厚
    が３０００１以上の酸化アル１ニウム膜を形成してなる
    メンディングツ゛奢ツドを半導体基板上の所定領域に設
    けたことを特徴とする半導体装置。
JP56132510A 1981-08-24 1981-08-24 半導体装置 Pending JPS5833848A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56132510A JPS5833848A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56132510A JPS5833848A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5833848A true JPS5833848A (ja) 1983-02-28

Family

ID=15083027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56132510A Pending JPS5833848A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5833848A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution
EP0753890A3 (en) * 1995-07-14 1997-03-05 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Electrode structure for semiconductor device, method for its production and body mounted with semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52117551A (en) * 1976-03-29 1977-10-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS5632263A (en) * 1979-08-06 1981-04-01 Sunbeam Plastics Corp Small amount takinggout closing tool for one body

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52117551A (en) * 1976-03-29 1977-10-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS5632263A (en) * 1979-08-06 1981-04-01 Sunbeam Plastics Corp Small amount takinggout closing tool for one body

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution
EP0753890A3 (en) * 1995-07-14 1997-03-05 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Electrode structure for semiconductor device, method for its production and body mounted with semiconductor device
US6603207B2 (en) 1995-07-14 2003-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode structure for semiconductor device, method for forming the same, mounted body including semiconductor device and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0629147U (ja) リード露出型半導体パッケージ
JPH03504659A (ja) 銅含有リードフレームに対するプラスチック封入体の粘着度を向上させる方法
JP4480318B2 (ja) 複合半導体素子及びその製造方法
JPS63179557A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH0546098B2 (ja)
JPS5445570A (en) Manufacture for semiconductor element
JPS5932895B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS60195955A (ja) 半導体装置
JPS5951139B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製法
JPS60150657A (ja) レジンモ−ルド半導体装置
JPH06302744A (ja) 成形パッケージ装置用リードフレーム加工方法
JPS62235763A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS62296541A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6175554A (ja) 半導体装置
JPS6394640A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0360035A (ja) 半導体装置
JPH0529379A (ja) 半導体装置およびそれの製造方法
JPS63128634A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04168726A (ja) 半導体装置
JPH06349814A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0311736A (ja) 集積回路の配線電極
JPS6226834A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2596246B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH08181267A (ja) 複合リードフレーム用接着基材及びそれを用いた複合リードフレーム
JPH04179245A (ja) 半導体装置