JPS5892238A - 三次元回路素子の製造方法 - Google Patents
三次元回路素子の製造方法Info
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- JPS5892238A JPS5892238A JP19117081A JP19117081A JPS5892238A JP S5892238 A JPS5892238 A JP S5892238A JP 19117081 A JP19117081 A JP 19117081A JP 19117081 A JP19117081 A JP 19117081A JP S5892238 A JPS5892238 A JP S5892238A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- crystal layer
- semiconductor
- semiconductor single
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、三次元回路素子の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来、半導体集積回路を多層化する類似の技術として、
半導体集積回路上に非晶質絶縁体を形成し、導電性配線
体を作成する方法があった。
半導体集積回路上に非晶質絶縁体を形成し、導電性配線
体を作成する方法があった。
次に従来技術について説明する。第１図は、通常の半導
体プロセスで製造される集積回路を示す。□半導体単結
晶基板ｉｌ＋に不純物拡散等のプロセスにより集積回路
全作成する。
体プロセスで製造される集積回路を示す。□半導体単結
晶基板ｉｌ＋に不純物拡散等のプロセスにより集積回路
全作成する。
その後、その表面に非晶質絶縁体層（２）を形成し、そ
の絶縁体層中に導電性配線体Ｑ３を２層配線し上部の金
属配線体α尋と接続する。
の絶縁体層中に導電性配線体Ｑ３を２層配線し上部の金
属配線体α尋と接続する。
このように、従来の集積回路は非晶質絶縁体内に多層配
線体を設けることで高集積化を図っていた。
線体を設けることで高集積化を図っていた。
従来技術では、半導体集積回路上に非晶質絶縁体を形成
すること、及び半導体集積回路が製造工程により絶縁体
に凹凸を生じることなどにより平担な半導体単結晶をエ
ピタキシャル形成できず、したがって半導体集積回路を
多層化できない欠点があった。
すること、及び半導体集積回路が製造工程により絶縁体
に凹凸を生じることなどにより平担な半導体単結晶をエ
ピタキシャル形成できず、したがって半導体集積回路を
多層化できない欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、半導体集積回路上に絶縁体単結
晶層と半導体単結晶層を順次エピタキシャル形成するこ
とＫより集積回路が多層化できる三次元回路素子の製造
方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、半導体集積回路上に絶縁体単結
晶層と半導体単結晶層を順次エピタキシャル形成するこ
とＫより集積回路が多層化できる三次元回路素子の製造
方法を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において（ｌｌｆｌ半導体単結晶基板、０υは半導体
単結晶基板＋１１に形成された第１の不純物拡散層、（
２）ハ半導体単結晶基板ｉｌ＋の表面に形成された絶縁
体単結晶層、（３）は絶縁体単結晶層（２）の表面に形
成された半導体単結晶層、Ｑ］）ハ半導体単結晶層（３
）に形成された第２の不純ｉ拡散層である。
図において（ｌｌｆｌ半導体単結晶基板、０υは半導体
単結晶基板＋１１に形成された第１の不純物拡散層、（
２）ハ半導体単結晶基板ｉｌ＋の表面に形成された絶縁
体単結晶層、（３）は絶縁体単結晶層（２）の表面に形
成された半導体単結晶層、Ｑ］）ハ半導体単結晶層（３
）に形成された第２の不純ｉ拡散層である。
なお、絶縁体単結晶層（２）及び半導体単結晶層（３）
は、エピタキシャル形成されるが、半導体単結晶基板（
１）第１の不純物拡散層ａυは、半導体単結晶基板＋１
１に作られるか、または半導体単結晶基板（り上にエピ
タキシャル形成した半導体単結晶層（図には示していな
い）作成しても良い。
は、エピタキシャル形成されるが、半導体単結晶基板（
１）第１の不純物拡散層ａυは、半導体単結晶基板＋１
１に作られるか、または半導体単結晶基板（り上にエピ
タキシャル形成した半導体単結晶層（図には示していな
い）作成しても良い。
絶縁体単結晶層（２）を通して、半導体単結晶基板（１
）と半導体単結晶層（３）の接続に必要な箇所のみ、不
純物拡散により、導電性配線体（ト）が作られまた、＠
は、半導体単結晶基板（１）および半導体単結晶層（３
）の各々に不純物拡散により埋めこまれた配線体である
。
）と半導体単結晶層（３）の接続に必要な箇所のみ、不
純物拡散により、導電性配線体（ト）が作られまた、＠
は、半導体単結晶基板（１）および半導体単結晶層（３
）の各々に不純物拡散により埋めこまれた配線体である
。
以下その形成法を述べる。
半導体単結晶基板ｆｉ＋の不純物拡散層Ｏυは、通常の
半導体プロセスで行なわれるが、各活性素子を接続する
配線は、半導体基板内に不純物拡散による導電性配線体
の埋込みにより行い、表面層に凹凸を生じないプロセス
がとられる。この平担性を持つ半導体単結晶層に結晶性
の類似した絶縁物、例えばＳｔ単結晶に対するサファイ
ア等を電子ビーム或いはレーザによる蒸着後アニール等
によりエピタキシャル成長させる。これは、半導体単結
晶基板（１）と半導体単結晶層（３）を電気的に分離す
るためになされるもので、接続に必要な箇所は不純物拡
散による導電性配線体の埋込みにより接続される０ 絶縁体単結晶層（２）上に、さらに半導体単結晶をエピ
タキシャル成長させ半導体単結晶層（３）全形成する。
半導体プロセスで行なわれるが、各活性素子を接続する
配線は、半導体基板内に不純物拡散による導電性配線体
の埋込みにより行い、表面層に凹凸を生じないプロセス
がとられる。この平担性を持つ半導体単結晶層に結晶性
の類似した絶縁物、例えばＳｔ単結晶に対するサファイ
ア等を電子ビーム或いはレーザによる蒸着後アニール等
によりエピタキシャル成長させる。これは、半導体単結
晶基板（１）と半導体単結晶層（３）を電気的に分離す
るためになされるもので、接続に必要な箇所は不純物拡
散による導電性配線体の埋込みにより接続される０ 絶縁体単結晶層（２）上に、さらに半導体単結晶をエピ
タキシャル成長させ半導体単結晶層（３）全形成する。
この半導体単結晶層（３）に不純物拡散層を作成する方
法は、半導体単結晶基板（１）の場合と同様である。
法は、半導体単結晶基板（１）の場合と同様である。
前述した方法で、順次集積回路を多層化できることは言
うまでもない。
うまでもない。
以上のようにこの発明によれば、半導体集積回路上に絶
縁体単結晶層、半導体単結晶層と順次エピタキシャル形
成することにより多層化した集積回路、すなわち三次元
回路素子を大規模に製作できる効果がある。
縁体単結晶層、半導体単結晶層と順次エピタキシャル形
成することにより多層化した集積回路、すなわち三次元
回路素子を大規模に製作できる効果がある。
ｌｌＸ１図は、従来の技術で製造した集積回路の断面図
、第２図は、この発明の一実施例を示す三次元回路素子
の断面図である。 図において、（１）は半導体単結晶基板、（２）に絶縁
体単結晶層、（３）は半導体単結晶層、ａυは第１の不
純物拡散層、ａ２は非晶質絶縁体層、（至）は導電性配
線体、ａ４は金属配線体、Ｑ］）は第２の不純物拡散第
２層、＠は不純物拡散配線体である。 代理人 葛野信− 第１図 第２図
、第２図は、この発明の一実施例を示す三次元回路素子
の断面図である。 図において、（１）は半導体単結晶基板、（２）に絶縁
体単結晶層、（３）は半導体単結晶層、ａυは第１の不
純物拡散層、ａ２は非晶質絶縁体層、（至）は導電性配
線体、ａ４は金属配線体、Ｑ］）は第２の不純物拡散第
２層、＠は不純物拡散配線体である。 代理人 葛野信− 第１図 第２図
Claims (1)
- 集積回路が形成された半導体第１結晶層に絶縁体単結晶
層をエピタキシャル法により形成し、前記絶縁体単結晶
層に層間接続するための導電性配線体を作成し、ざらに
前記絶縁体単結晶層に半導体単結晶層をエビタルシャル
形成してこの層に集積回路の形成することを特徴とする
三次元回路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117081A JPS5892238A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 三次元回路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117081A JPS5892238A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 三次元回路素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892238A true JPS5892238A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16270058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19117081A Pending JPS5892238A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 三次元回路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892238A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338278A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19117081A patent/JPS5892238A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338278A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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