JPS5916367A - マルチトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトランジスタの構造に関するもので、特に、ベ
ース及びエミッタ、コレクタの引き出し用電極の構造に
特徴を有するマルチトランジスタの構造に関するもので
ある。

単一ノエミッターベースーコレクタ構造ではなく、複数
のエミッターペースを形成することによってトランジス
タの特性を向上させることが考えられている。この場合
にコレクタ埋込み層のない構造とするとコレクタ領域の
抵抗が大きくなるだめに、良好な伝達特性を得にくくな
る。従来、一般に用いられるマルチエミッタトランジス
タにおいては、複数の分離したベース拡散領域−それぞ
れエヤツタ拡散領域を形成し、それらのベース拡散領域
の下方にコレクタ埋込み層を形成したものが知られてい
る。これによって電流ｌ特性の伸びを良くすることが考
えられている。

上記のように、埋込み層を用いることのできるマルチト
ランジスタにおいては、良好な伝達特性を得ることが可
ｎＨとなるが、埋込み層の形成が容易なエピタキシアル
構造ではない、誘電体分離構造、ＳＯ８構造のようなト
ランジスタにおいては埋込み層の形成が困難となり、満
足（特性を得ることが難しくなる。

本発明は、上記のような問題を解決して、埋込み層のな
い構造においてマルチトラ、ンジスタの特性を向上させ
ることを目的とするものである。特に、薄噂トランジス
タとしで、誘電体分離、ｓｏｇ１７１Ｊ造に適したマル
チトランジスタを得ることを目的とする。

埋込み層を用いない誘暇゛体分ド准によるマルチトラン
ジ）りとして、ベース領域の周囲に高濃度層を形成して
これにコレクタ引出し用電極を接続するものが提案され
ている。本発明は、このような構造のマルチトランジス
タの構造の改良に関するものである。

不発ψ］によるマルチトランジスタは、複数のベース拡
散領域内にそれぞれエミッタ拡散領１．を形成するとと
もに、ベース拡散領域の周囲に高濃度に不純′吻がドー
プされたコレクタ引出し用の拡散層を形成した構造で、
ベース引出し用電極、コレクタ引出し用′成極、エミッ
タ引出し用電極に次のような特徴を有するものである。

第一に、ベース引出し用電臣を引き出す方向と、コレク
タ引出し用′成極及びエミッタ引出し用電極を引き出す
方向とが逆方向となっている点である。第二に、エミッ
タ引出し用厄甑は拡散抵抗領域の一端に接続され、他端
からまた引き出されるとともに、この拡散抵抗領域とコ
レクタ引出し用電極とが絶縁層を介して交差している点
である。

以下、図面に従りて、本発明の実施例につき説明する。

第１図は、本発明によるマルチトランジスタの一例を示
す平面図である。ある導電型のシリコン基板に複数の反
対導電型の拡散領域が形成されこれがベース領域１１と
なる。したがって、このベース領域の周囲のある導′ｒ
ｌｆ、型の基板はコレクタ領域１２となる。ベース領域
１１の中にある導電型の不純物を拡散した領域が形成さ
れてエミッタ領域１３となる。ベース領域１１を取り囲
むコレクタ領域には、ある導電型の不純物が高濃度にド
ープされたコレクタ引出し用拡散Ｐ！１４が形成されて
いる。ベース領域１１はそれぞれベース引出し用電極１
５にオーム性接続されて引き出される。

同様に、エミッタ領域１′５はエミッタ引出し用電極１
６に、コレクタ引出し用拡散層１４はコレクタ引出し用
電極１７に接続されている。

第２図は、第１図に示したマルチトランジスタのｘ−ｘ
’断面図である。これで明らかなように、ある、半導体
基板に反対導電型の不純物がドープされた拡散領域を形
成してこれをベース領域１１とし、次にベース領域内に
ある導電型の不純物がドープされてエミッタ頭載１３が
拡散される。更にある導電型の不純物が高濃度にドーグ
されたコレクタ引出し用拡散層１４が形成されて、同じ
基板の表面部分に複数のエミッタ、ベース、及びコレク
タを有するトランジスタが形成される。複数のエミッタ
、ベース、コレクタはそれぞれ、エミッタ引出し用電極
１６、ベース引出し用電極１５、コレクタ引出し用ｆＦ
Ｌ極１７に接続されて同じイト号伝送路に接続されてい
る。

第１図に示されているように、複数本の引出し用電極は
それぞれ同一領域に接続されているもの同士が同じ方向
に接続されており、コレクタ領域の外側において接続さ
れている。すなわち、ベース引出し用電極１５は絶縁層
上を図の左側に引き出されて接続されており、同様にコ
レクタ引出し用７１Ｉ極１７は図の右側に引き川さノｔ
で接続されてい石。エミッタ引出し用電極１６は、ベー
ス引出し用電極１５と反対の方向、すなわちコレクタ引
出し用電極１７と同じ方向に引き出される。

上記のように、複数のエミッタ引出し用電極１６と複数
のコレクタ引出し用電極１７とが同じ方向に引き出され
る。鴨合には、電、極を交差させなければならなくなる
。そとで、本発明によるマルチトランジスタにおいては
、第１図に示すように、拡散抵抗領域１８を形成してこ
れにエミッタ引出し用電極１６を接続する。すなわち、
８８３図に示すように、基板と反対導電型の不純物をド
ープした拡散抵抗領域１８が形成されて、その一端にエ
ミッタ引出し用？σ、隠１６が接続され、他端には信号
を取り出すためのトｕ極が形成される。拡散抵抗領域１
８０表面には、８１０２などの絶ｍ層１９−１）１形成
さ２れ、その上にコレクタ引出し用宵１極１７が配線さ
れる。

本発明によるマルチトランジスタ□の等価回路を第４図
に示す。信号の流れはベース（Ｂ）からエミッタ（乃と
いう方向となる。すなわち、それぞ九のトランジスタの
ベースに印加される信号に従ってエミッタから信号が得
られるようになるもので、エミッタには抵抗が接続され
たことになる。

本発明によるマルチトランジスタに、ち・いては、信号
の伝播遅延を考慮して、ベースと工２ツタを逆方向に引
き出しており、しかも、コレクタとエミッタを前記のよ
うな手段によって交差させている。これによってｉ上流
集中を抑圧できるという効果だけでなく、直流的なベー
ス・エミッタ間のｄ圧の分配が良好となるとともに、交
す１シ的な信号の伝換遅延が揃うために高周波特性σ）
伸びが生じる。

したがつて、第５図に示すように、応答特性も人力信号
（−、）に対して出力信号（ｂ）が得られるようになる
。従来の出力信号（Ｃ）に比較して忠実にパルス波形を
再現できるようになっている。このような特性は、従来
の単一のコレクタを用いた構造のトランジスタでは得る
ととができない。また、エミッタを拡散抵抗層に接続し
て交差しているので、帰還効果によって電流分配の均一
化が行なわれる利点もある。々お拡散抵抗領域１８はア
ルミ等の配線層を用いた多層配線によって構成してもよ
いことは当然である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるマルチトランジスタの一例の平面
図、第２図はその側面断面図、第３図は同じく部分正面
断面図であり、第４図は本発明によるマルチトランジス
タの等価回路図、第５１！２＋はその応答特性図を示す
。　・ １１・・・・・・ベース領域、　　１２・・・・・・コ
レクタ領域。 １６・”°・・°エミクタ領域、１４・・・・・・コレ
クタ引出し用拡散層、　　１５・・・・・・ベース引出
し用電極。 １６・・・・・・エミッタ引出し用電極、　　１７・・
・・・・コレクタ引出し用電極、　　１８・・・・・・
拡散抵抗領域。 １９・・・・・・絶縁層 特許出願人　自動計測技術研究組合 代理人　弁理士　大　１）　　優

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のベース拡散領域内にそれぞれエミッタ拡散領域が
   形成され、該ベース拡散領域の周囲にコレクタ引出し用
   高濃度拡散便域を形成したマルチトランジスタにおいて
   、エミッタ及びコレクタの′に極の引出し方向とベース
   の電極の引き出し方向が逆方向となるように電極が形成
   され、かつ、エミッタの引き出し電極に接続される抵抗
   領域とコレクタの引き出し電極とが絶縁層を介して交差
   して成るマルチトランジスタ。