JPS5923552A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5923552A
JPS5923552A JP57131957A JP13195782A JPS5923552A JP S5923552 A JPS5923552 A JP S5923552A JP 57131957 A JP57131957 A JP 57131957A JP 13195782 A JP13195782 A JP 13195782A JP S5923552 A JPS5923552 A JP S5923552A
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor device
lead
iron
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP57131957A
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English (en)
Inventor
Takashi Ishida
尚 石田
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Kunizo Sawara
佐原　邦造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5923552A publication Critical patent/JPS5923552A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリードフレームを用いる半導体装置に関し、特
に微細なリードフレームの電気的特性の向上を図った半
導体装置に関するものである。
半導体素子ベレットのパッケージにリードフレームを使
用する半導体、中でもセラミック製の容器を使用する半
導体装置では、リードフレームと容器との熱的整合性を
合わせるためにリードフレームの材質には鉄系合金を使
用している。しかしながら、この釉の材質ではリード幅
を微／ＪＳに形成したときにはリード部分の抵抗値が高
くなり、電気的特性が悪化するという問題がある。また
、この種の材質ではペレットとの電気的接続を行なうＡ
Ａワイヤのボンディング性が劣るという問題もある。
本発明は以上に鑑みなされたものでその目的は、鉄系合
金のリードフレームを微細化構造にした場合にも電気的
特性を向上することができしかもワイヤボンディング性
を向上することができる半導体装置を提供することにあ
る。
このような目的を達成するために本発明は鉄系合金のリ
ードフレームのワイヤボンディング部にアルミニウム層
を形成し、他の部分には低抵抗の金属層を形成している
。
以下、本発明を図示の実施例にて説明する。
図は本発明の半導体装置の要部拡大断面図であシ、１は
タブ２およびリード部３を一体に形成したリードフレー
ムである。このリードフレーム１はパッケージ容器を構
成するセラミックとの熱的整合性を合わせるために４２
７０イ等の鉄系合金にて形成されている。前記タブ２上
にはペースト４等を用いて半導体素子ベレット５を固着
している。
一方、前記リード部３は、その内側上面部、つまり前記
ベレット５と電気的な接続を行なうワイヤ６のボンディ
ング部にアルミニウム層７を形成し、このアルミニウム
層７上にワイヤ６をボンディングするようにしている。
また、リード部３の他の部分の上面や下面には、例えば
銅等の低抵抗の金属層８を形成している。これらはいず
れも蒸着等によって形成している。
したがって、このリードフレーム１では、ワイヤ６のボ
ンディングはアルミニウム層７によって良好なポンディ
ング性が得られ、一方低抵抗の金属層８によって電気的
特性を向上することができる。これにより、リードフレ
ーム１が微細に形成された場合にも電気的特性を悪化さ
せることはない。
以上のように本発明によれば鉄系合金のリードフレーム
のワイヤボンディング性を向上しかつ電気的特性を向上
でき、リードフレームの微細イヒに対して有効になると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の半導体装置の断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・リー
ト°部、５・・・ペレット、６・・・ワイ−２，７−・
・アルミニウム層、８・・・金属層（低抵抗層）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体バック゛−ジ内に内装した半導体素子ペレッ
    トの外部導出用リードとして鉄系合金のリードフレーム
    を用いる半導体装置において、前記リードフレームは金
    属ワイヤのボンディング部にはア、Ｑ／ミニウム層を形
    成し、他の部分には低抵抗の金属帯あるいは金属層を形
    成したことを特徴とする半導体装置。
JP57131957A 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置 Pending JPS5923552A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57131957A JPS5923552A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57131957A JPS5923552A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5923552A true JPS5923552A (ja) 1984-02-07

Family

ID=15070159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57131957A Pending JPS5923552A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

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JP (1) JPS5923552A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6156011U (ja) * 1984-09-17 1986-04-15
JPS6294810U (ja) * 1985-12-06 1987-06-17

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6156011U (ja) * 1984-09-17 1986-04-15
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