JPS5933537B2 - ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5933537B2 JPS5933537B2 JP9465881A JP9465881A JPS5933537B2 JP S5933537 B2 JPS5933537 B2 JP S5933537B2 JP 9465881 A JP9465881 A JP 9465881A JP 9465881 A JP9465881 A JP 9465881A JP S5933537 B2 JPS5933537 B2 JP S5933537B2
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＴｍＧａＭｎ０４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、ＹＦｅ２Ｏ４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は知られる。
する化合物は知られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ゜＋Ｆｅ゛＋Ｆｅ’＋ＯＨ−の化合物のＹ３＋の代
りにＴｍ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２＋、Ｆｅ３＋の
代りにＧａ３＋を置きかえた新規な化合物およびその製
造法を提供するにある。本発明のＴｍＧａＭｎ０４で示
される化合物は、この化合物中、ツリウムはＴｍ３＋イ
オン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価イオンとし
て存在しており、Ｔｍ３＋Ｇａ２＋Ｍｎ２＋０１−とし
て表わすことができる。この結晶は第１図に示すような
六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中丸は
ツリウム、最小の黒丸はＧａとＭｎを示す。ＧａとＭｎ
はランダムに入つている。マンガンの２価イオンとＧａ
の３価イオンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結
晶学的には同一の位置を占めている。またＴｍは６配位
の酸素をその周りに持つている。陰イオンである酸素は
緻密構造をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、
面間隔（ｄλ）（ｄｏ−は実測、ｄｃは計算値を示す）
、Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りで
ある。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ゜＋Ｆｅ゛＋Ｆｅ’＋ＯＨ−の化合物のＹ３＋の代
りにＴｍ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２＋、Ｆｅ３＋の
代りにＧａ３＋を置きかえた新規な化合物およびその製
造法を提供するにある。本発明のＴｍＧａＭｎ０４で示
される化合物は、この化合物中、ツリウムはＴｍ３＋イ
オン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価イオンとし
て存在しており、Ｔｍ３＋Ｇａ２＋Ｍｎ２＋０１−とし
て表わすことができる。この結晶は第１図に示すような
六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中丸は
ツリウム、最小の黒丸はＧａとＭｎを示す。ＧａとＭｎ
はランダムに入つている。マンガンの２価イオンとＧａ
の３価イオンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結
晶学的には同一の位置を占めている。またＴｍは６配位
の酸素をその周りに持つている。陰イオンである酸素は
緻密構造をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、
面間隔（ｄλ）（ｄｏ−は実測、ｄｃは計算値を示す）
、Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りで
ある。
そして空間群はＲ３ｍで、その晶癖は板状晶で、格子定
数は次の通りである。ａｏ−３．４５６４±０．０００
１（Ａ）ｃ０＝２５．６９０±Ｏ、００２（Λ）第１表
ＴｍＧａＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
数は次の通りである。ａｏ−３．４５６４±０．０００
１（Ａ）ｃ０＝２５．６９０±Ｏ、００２（Λ）第１表
ＴｍＧａＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
ツリウム酸化物（Ｔｍ２Ｏ３）、マンガン酸化物（Ｍｎ
Ｏ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で約
１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲気
下で９００℃以上の温度で加熱することによつて製造す
ることができる。本発明に用いるツリウム酸化物は市販
のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互の反応
を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程よく、
特に１０μｍ以下であることが好ましい。
Ｏ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で約
１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲気
下で９００℃以上の温度で加熱することによつて製造す
ることができる。本発明に用いるツリウム酸化物は市販
のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互の反応
を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程よく、
特に１０μｍ以下であることが好ましい。
また半導体材料として用いる場合は不純物の混入をきら
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。粒径は前記、ツリウム
酸化物と同様な理由で１０ｐｍ以下であることが好まし
い。また、１０００゜Ｃで１日間炭酸ガスと水素の混合
ガス（混合比容量で１対１）中で仮焼し、Ｏ℃に急冷さ
せたものが反応が早くなるので好ましい。酸化ガリウム
は試薬特級程度のものでよい。その粒径は前記と同様に
１０μｍ以下であることが好ましい。また８００℃で１
日間空気中で仮焼したものが好ましい。これらの原料を
そのまま、あるいはアルコール類、アセトン等を入れ十
分混合する。これらの混合割合はＴｍ２Ｏ３、ＭｎＯ．
Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割合である。この割
合をはずれると目的とする層状化合物を得ることができ
ない。これらの混合物を石英または白金の容器に封入し
て非酸化性雰囲気下で加熱する。
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。粒径は前記、ツリウム
酸化物と同様な理由で１０ｐｍ以下であることが好まし
い。また、１０００゜Ｃで１日間炭酸ガスと水素の混合
ガス（混合比容量で１対１）中で仮焼し、Ｏ℃に急冷さ
せたものが反応が早くなるので好ましい。酸化ガリウム
は試薬特級程度のものでよい。その粒径は前記と同様に
１０μｍ以下であることが好ましい。また８００℃で１
日間空気中で仮焼したものが好ましい。これらの原料を
そのまま、あるいはアルコール類、アセトン等を入れ十
分混合する。これらの混合割合はＴｍ２Ｏ３、ＭｎＯ．
Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割合である。この割
合をはずれると目的とする層状化合物を得ることができ
ない。これらの混合物を石英または白金の容器に封入し
て非酸化性雰囲気下で加熱する。
それはマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は９００℃以上であればよく、また加熱
時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加熱
の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急冷
するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られた
ＴｍＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末Ｘ
線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は９００℃以上であればよく、また加熱
時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加熱
の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急冷
するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られた
ＴｍＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末Ｘ
線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
化合物中のマンガンイオンの価数は試料を空気中で加熱
する際の試料の重量変化を測定する重量分析法によつて
決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２Ｏ３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉末
および純度９９．９％以上のガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ
３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し、乳鉢内
でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数μｍの微
粉末混合物を得た。
する際の試料の重量変化を測定する重量分析法によつて
決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２Ｏ３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉末
および純度９９．９％以上のガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ
３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し、乳鉢内
でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数μｍの微
粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内径８ｍｍ）内に入れて、電気熔接
法で溶封した。これを１０００′Ｃに設定された箱型の
シリコニツト炉内に入れ、約４日間加熱し、その後試料
を取出し、室温まで急速に冷却した。得られたものはＴ
ｍＧａＭｎＯ４の六方晶系の層状化合物であつた。その
結晶の性状は第１表に示す通りであつた。
法で溶封した。これを１０００′Ｃに設定された箱型の
シリコニツト炉内に入れ、約４日間加熱し、その後試料
を取出し、室温まで急速に冷却した。得られたものはＴ
ｍＧａＭｎＯ４の六方晶系の層状化合物であつた。その
結晶の性状は第１表に示す通りであつた。
図面は本発明のＴｍＧａＭｎＯ４の結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＴｍＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ ツリウム酸化物（Ｔｍ＿２Ｏ＿３）、マンガン酸化
物（ＭｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）を
、モル比で約１対２対１の割合で混合し、この混合物を
非酸化性雰囲気下で９００℃以上の温度で加熱すること
を特徴とするＴｍＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465881A JPS5933537B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465881A JPS5933537B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209832A JPS57209832A (en) | 1982-12-23 |
| JPS5933537B2 true JPS5933537B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=14116350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9465881A Expired JPS5933537B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933537B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9465881A patent/JPS5933537B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209832A (en) | 1982-12-23 |
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