JPS5933539B2 - ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5933539B2 JPS5933539B2 JP11833281A JP11833281A JPS5933539B2 JP S5933539 B2 JPS5933539 B2 JP S5933539B2 JP 11833281 A JP11833281 A JP 11833281A JP 11833281 A JP11833281 A JP 11833281A JP S5933539 B2 JPS5933539 B2 JP S5933539B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- -1 iron ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- UGBIHFMRUDAMBY-UHFFFAOYSA-N lutetium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Lu+3].[Lu+3] UGBIHFMRUDAMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＬｕＡｌＭｎ０４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、ＹＦｅ２Ｏ４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は知られる。
する化合物は知られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０ｉ−で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は、
前記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−の化 。合物のＹ３
＋の代りにＬｕ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２ｆを（Ｆ
ｅ３ｆの代わりにＡｌ３＋を）置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。本発明のＬｕＡｌ
ＭｎＯ４で示される化合物は、この化合物中、ルテチウ
ムはＬｕ３＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、アルミニウ
ムは３価イオンとして存在しており、Ｌｕ３＋Ａｌ３＋
Ｍｎ２＋０ｉ−として表わすことができる。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は、
前記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−の化 。合物のＹ３
＋の代りにＬｕ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２ｆを（Ｆ
ｅ３ｆの代わりにＡｌ３＋を）置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。本発明のＬｕＡｌ
ＭｎＯ４で示される化合物は、この化合物中、ルテチウ
ムはＬｕ３＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、アルミニウ
ムは３価イオンとして存在しており、Ｌｕ３＋Ａｌ３＋
Ｍｎ２＋０ｉ−として表わすことができる。
この結晶は第１図に示すような六方晶層状構造を持つて
いる。最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小の黒丸
はアルミニウムとマンガンを示す。ＡｌとＭｎはランダ
ムに入つている。マンガンの２価イオンとＡｌの３価イ
オンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的に
は同一の位置を占めている。またルテチウムは６配位の
酸素をその周りに持つている。陰イオンである酸素は緻
密構造をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄΛ）（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ
線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである
。そして空間群はＲ丁ｍで、その晶癖は板状晶で、格子
定数は次の通りである。ａ０＝３．４２４６±Ｏ、００
０３（入）Ｃｏ■２５．０１６±Ｏ、００５（Λ）第１
表ＬｕＡｌＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
いる。最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小の黒丸
はアルミニウムとマンガンを示す。ＡｌとＭｎはランダ
ムに入つている。マンガンの２価イオンとＡｌの３価イ
オンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的に
は同一の位置を占めている。またルテチウムは６配位の
酸素をその周りに持つている。陰イオンである酸素は緻
密構造をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄΛ）（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ
線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである
。そして空間群はＲ丁ｍで、その晶癖は板状晶で、格子
定数は次の通りである。ａ０＝３．４２４６±Ｏ、００
０３（入）Ｃｏ■２５．０１６±Ｏ、００５（Λ）第１
表ＬｕＡｌＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
ルテチウム酸化物（Ｌｕ２Ｏ３）、マンガン酸化物（Ｍ
ｎＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、モル
比で約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性
雰囲気下で１３００℃以上の温度で加熱することによつ
て製造することができる。本発明に用いるルテチウム酸
化物は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物
相互の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さ
い程よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。ま
た、半導体材料として用いる場合は不純物の混入をきら
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。粒径は、前記ルテチウ
ム酸化物と同様な理由で１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、１０００℃で１日間炭酸ガスと水素の混合
ガス（混合比容量で１対１）中で仮焼し、Ｏ℃に急冷さ
せたものが反応が早くなるので好ましい。酸化アルミニ
ウムは試薬特級程度のものでよい。その粒径は前記と同
様に１０μｍ以下であることが好ましい。また１０００
℃で１日間空気中で仮焼したものが好ましい。これらの
原料をそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等を
入れ十分混合する。これらの混合割合はＬＵ２Ｏ３、Ｍ
ｎＯ，．Ａｌ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割合である
。
ｎＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、モル
比で約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性
雰囲気下で１３００℃以上の温度で加熱することによつ
て製造することができる。本発明に用いるルテチウム酸
化物は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物
相互の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さ
い程よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。ま
た、半導体材料として用いる場合は不純物の混入をきら
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。粒径は、前記ルテチウ
ム酸化物と同様な理由で１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、１０００℃で１日間炭酸ガスと水素の混合
ガス（混合比容量で１対１）中で仮焼し、Ｏ℃に急冷さ
せたものが反応が早くなるので好ましい。酸化アルミニ
ウムは試薬特級程度のものでよい。その粒径は前記と同
様に１０μｍ以下であることが好ましい。また１０００
℃で１日間空気中で仮焼したものが好ましい。これらの
原料をそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等を
入れ十分混合する。これらの混合割合はＬＵ２Ｏ３、Ｍ
ｎＯ，．Ａｌ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割合である
。
この割合をはずれると目的とする層状化合物を得ること
ができない。これらの混合物を石英または白金の容器に
封入して非酸化性雰囲気下で加熱する。
ができない。これらの混合物を石英または白金の容器に
封入して非酸化性雰囲気下で加熱する。
それはマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１３００℃以上であればよい。加熱の
際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急冷す
るかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られたＬ
ｕＡｌＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末Ｘ線
回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１３００℃以上であればよい。加熱の
際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急冷す
るかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られたＬ
ｕＡｌＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末Ｘ線
回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
その構造は、既に本出願人が得たＹＦｅ２Ｏ４と同型で
あることがわかつた。出発混合試料と反応生成物の試料
重量を精密に秤量し、得られた試料の化学量論数が決定
された。実施例 純度９９．９％以上のルテチウム酸化物 （ＬＵ２Ｏ３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）粉末および純度９９．９％以上のアルミニ
ウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の
割合に秤量し、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合し
て平均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。
あることがわかつた。出発混合試料と反応生成物の試料
重量を精密に秤量し、得られた試料の化学量論数が決定
された。実施例 純度９９．９％以上のルテチウム酸化物 （ＬＵ２Ｏ３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）粉末および純度９９．９％以上のアルミニ
ウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の
割合に秤量し、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合し
て平均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内径８１１）内に入れて溶封した。
これを１５００℃に設定された箱型のシリコニツト炉内
に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室温ま
で急速に冷却した。得られたものはＬｕＡｌＭｎＯ４の
六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状は第１
表に示す通りであつた。
これを１５００℃に設定された箱型のシリコニツト炉内
に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室温ま
で急速に冷却した。得られたものはＬｕＡｌＭｎＯ４の
六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状は第１
表に示す通りであつた。
図面は本発明のＬｕＡｌＭｎＯ４の結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＬｕＡｌＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ ルテチウム酸化物（Ｌｕ＿２Ｏ＿３）、マンガン酸
化物（ＭｎＯ）およびアルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）を、
モル比で約１対２対１の割合で混合し、この混合物を非
酸化性雰囲気下で１３００℃以上の温度で加熱すること
を特徴とするＬｕＡｌＭｎＯ＿４で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833281A JPS5933539B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833281A JPS5933539B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820725A JPS5820725A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS5933539B2 true JPS5933539B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=14734036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833281A Expired JPS5933539B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933539B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107413A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | 電源断処理方法 |
| JPS63266993A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Tamura Electric Works Ltd | ボタン電話装置 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833281A patent/JPS5933539B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107413A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | 電源断処理方法 |
| JPS63266993A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Tamura Electric Works Ltd | ボタン電話装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820725A (ja) | 1983-02-07 |
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