JPS5933540B2 - ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5933540B2 JPS5933540B2 JP11833381A JP11833381A JPS5933540B2 JP S5933540 B2 JPS5933540 B2 JP S5933540B2 JP 11833381 A JP11833381 A JP 11833381A JP 11833381 A JP11833381 A JP 11833381A JP S5933540 B2 JPS5933540 B2 JP S5933540B2
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Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＥｒＧａＭｎＯ４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、ＹＦｅ２Ｏ４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は知られる。
する化合物は知られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋川一で示されるよ
うに、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イオ
ンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持つ
ている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前記
Ｙ３＋Ｆｅ゛＋Ｆｅ゜＋ＯＨ−の化合物のＹ３＋の代り
にＥｒ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２＋を、Ｆｅ３＋の
代わりにＧａ３＋を置きかえた新規な化合物およびその
製造法を提供するにある。本発明のＥｒＧａＭｎ０４で
示される化合物は、この化合物中、エルビウムはＥｒ３
＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価イオン
として存在しており、Ｅｒ３＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋ＯＨ−
として表わすことができる。この結晶は第１図に示すよ
うな六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中
丸はエルビウム、最小の黒丸はガリウムとマンガンを示
す。ＧａとＭｎはランダムに入つている。マンガンの２
価イオンとＧａの３価イオンは５配位の酸素イオンによ
つて囲まれ、結晶学的には同一の位置を占めている。ま
たＥｒは６配位の酸素をその周りに持つている。陰イオ
ンである酸素は緻密構造をとつている。この結晶の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ入）（ｄｏは実測、ｄｃは計
算値を示す）、Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第
１表の通りである。
うに、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イオ
ンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持つ
ている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前記
Ｙ３＋Ｆｅ゛＋Ｆｅ゜＋ＯＨ−の化合物のＹ３＋の代り
にＥｒ３＋、Ｆｅ２＋の代りにＭｎ２＋を、Ｆｅ３＋の
代わりにＧａ３＋を置きかえた新規な化合物およびその
製造法を提供するにある。本発明のＥｒＧａＭｎ０４で
示される化合物は、この化合物中、エルビウムはＥｒ３
＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価イオン
として存在しており、Ｅｒ３＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋ＯＨ−
として表わすことができる。この結晶は第１図に示すよ
うな六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中
丸はエルビウム、最小の黒丸はガリウムとマンガンを示
す。ＧａとＭｎはランダムに入つている。マンガンの２
価イオンとＧａの３価イオンは５配位の酸素イオンによ
つて囲まれ、結晶学的には同一の位置を占めている。ま
たＥｒは６配位の酸素をその周りに持つている。陰イオ
ンである酸素は緻密構造をとつている。この結晶の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ入）（ｄｏは実測、ｄｃは計
算値を示す）、Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ％）は第
１表の通りである。
そして空間群はＲ「ｍで、その晶癖は板状晶で、格子定
数は次の通りである。ａ０＝１３．４７３７±Ｏ、００
０２（λ）ｃ０＝２５．２９８±Ｏ、ｏｏ５（λ）第１
表ＥｒＧａＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
数は次の通りである。ａ０＝１３．４７３７±Ｏ、００
０２（λ）ｃ０＝２５．２９８±Ｏ、ｏｏ５（λ）第１
表ＥｒＧａＭｎ０４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
エルビウム酸化物（Ｅｒ２Ｏ３）、マンガン酸化物（Ｍ
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１０００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるエルビウム酸化物
は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互
の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程
よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１０００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるエルビウム酸化物
は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互
の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程
よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
また、半導体材料として用いる場合は不純物の混入をき
らうので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数
時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは
通常の試薬特級程度のものでよい。
らうので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数
時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは
通常の試薬特級程度のものでよい。
粒径は前記、エルビウム酸化物と同様な理由で１０μｍ
以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日間
炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中で
仮焼し、Ｏ℃に急冷させたものが反応が早くなるので好
ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。そ
の粒径は前記と同様に１０μｍ以下であることが好まし
い。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好ま
しい。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール類
、アセトン等を入れ十分混合する。こ紅らの混合割合は
Ｅｒ２Ｏ：３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対
１の割合である。この割合をはずれると目的とする層状
化合物を得ることができない。これらの混合物を石英ま
たは白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱する
。
以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日間
炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中で
仮焼し、Ｏ℃に急冷させたものが反応が早くなるので好
ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。そ
の粒径は前記と同様に１０μｍ以下であることが好まし
い。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好ま
しい。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール類
、アセトン等を入れ十分混合する。こ紅らの混合割合は
Ｅｒ２Ｏ：３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対
１の割合である。この割合をはずれると目的とする層状
化合物を得ることができない。これらの混合物を石英ま
たは白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱する
。
そればマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１０００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られ
たＥｒＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末
Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１０００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られ
たＥｒＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉末
Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
試料重量を反応の前後で精密に秤量し、得られた化合物
の化学量論数を決定した。実施例純度９９，９％以上の
エルビウム酸化物 （Ｅｒ２Ｏ３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）、純度９９．９％以上のガリウム酸化物（
Ｇａ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し
、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。
の化学量論数を決定した。実施例純度９９，９％以上の
エルビウム酸化物 （Ｅｒ２Ｏ３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）、純度９９．９％以上のガリウム酸化物（
Ｇａ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し
、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内径８ｍｍ）内に入れて溶封した。
これを１３００℃に設定された箱型のシリコニツト炉内
に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室温ま
で急速に冷却した。得られたものはＥｒＧａＭｎＯ４の
六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状は第１
表に示す通りであつた。
これを１３００℃に設定された箱型のシリコニツト炉内
に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室温ま
で急速に冷却した。得られたものはＥｒＧａＭｎＯ４の
六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状は第１
表に示す通りであつた。
図面は本発明のＥｒＧａＭｎＯ４の結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＥｒＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ エルビウム酸化物（Ｅｒ＿２Ｏ＿３）、マンガン酸
化物（ＭｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）
を、モル比で約１対２対１の割合で混合し、この混合物
を非酸化性雰囲気下で１０００℃以上の温度で加熱する
ことを特徴とするＥｒＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶
系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833381A JPS5933540B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833381A JPS5933540B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820726A JPS5820726A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS5933540B2 true JPS5933540B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=14734060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833381A Expired JPS5933540B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933540B2 (ja) |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833381A patent/JPS5933540B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820726A (ja) | 1983-02-07 |
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