JPS5933542B2 - ＹＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS5933542B2 JPS5933542B2 JP56118335A JP11833581A JPS5933542B2 JP S5933542 B2 JPS5933542 B2 JP S5933542B2 JP 56118335 A JP56118335 A JP 56118335A JP 11833581 A JP11833581 A JP 11833581A JP S5933542 B2 JPS5933542 B2 JP S5933542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- layered structure
- ygamno
- structure represented
- hexagonal layered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＹＧａＭｎＯ４で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来、ＹＦｅ２Ｏ４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は知られる。
する化合物は知られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−の化合 。物のＦｅ３
＋の代りにＧａ３＋、Ｆｅ３＋の代りにＭｎ２＋を置き
かえた新規な化合物およびその製造法を提供するにある
。本発明のＹＧａＭｎＯ４で示される化合物は、この化
合物中、イットリウムはＹ３＋イオン、マンガンはＭｎ
３＋、ガリウムは３価イオンとして存在しており、Ｙ３
＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋ＯＨ−として表わすことができる。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０１−の化合 。物のＦｅ３
＋の代りにＧａ３＋、Ｆｅ３＋の代りにＭｎ２＋を置き
かえた新規な化合物およびその製造法を提供するにある
。本発明のＹＧａＭｎＯ４で示される化合物は、この化
合物中、イットリウムはＹ３＋イオン、マンガンはＭｎ
３＋、ガリウムは３価イオンとして存在しており、Ｙ３
＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋ＯＨ−として表わすことができる。
この結晶は第１図に示すような六方晶層状構造を持つて
いる。最大の丸は酸素、中丸はイットリウム、最小の黒
丸はガリウムとマンガンを示す。ＧａとＭｎはランダム
に入つている。マンガンの２価イオンとガリウムの３価
イオンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的
には同一の位置を占めている。またＹは６配位の酸素を
その周りに持つている。陰イオンである酸素は緻密構造
をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（
ｄλ）（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対
する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである。
いる。最大の丸は酸素、中丸はイットリウム、最小の黒
丸はガリウムとマンガンを示す。ＧａとＭｎはランダム
に入つている。マンガンの２価イオンとガリウムの３価
イオンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的
には同一の位置を占めている。またＹは６配位の酸素を
その周りに持つている。陰イオンである酸素は緻密構造
をとつている。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（
ｄλ）（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対
する相対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである。
そして空間群はＲ「ｍで、その晶癖は板状晶で、格子定
数は次の通りである。ａ０＝３．４６７３±Ｏ、０００
７（入）ｃ０＝２５．２９２±Ｏ、０Ｏ６（入）第１表
ＹＧａＭｎＯ４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
数は次の通りである。ａ０＝３．４６７３±Ｏ、０００
７（入）ｃ０＝２５．２９２±Ｏ、０Ｏ６（入）第１表
ＹＧａＭｎＯ４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
イツトリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３）、マンガン酸化物（Ｍ
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１３００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるイツトリウム酸化
物は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相
互の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい
程よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１３００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるイツトリウム酸化
物は市販のものをそのまま使用してもよいが、酸化物相
互の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい
程よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
また半導体材料として用いる場合は不純物の混入をきら
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。
うので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数時
間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは通
常の試薬特級程度のものでよい。
粒径は前記、イツトリウム酸化物と同様な理由で１０μ
ｍ以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、０℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。
その粒径は前記と同様に１０μｍであることが好ましい
。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好まし
い。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール類、
アセトン等を入れ十分混合する。これらの混合割合はＹ
２Ｏ３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割
合である。この割合をはずれると目的とする層状化合物
を得ることができない。これらの混合物を白金の容器に
封入して非酸化性雰囲気下で加熱する。
ｍ以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、０℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。
その粒径は前記と同様に１０μｍであることが好ましい
。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好まし
い。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール類、
アセトン等を入れ十分混合する。これらの混合割合はＹ
２Ｏ３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対１の割
合である。この割合をはずれると目的とする層状化合物
を得ることができない。これらの混合物を白金の容器に
封入して非酸化性雰囲気下で加熱する。
それはマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１３００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に弓出せばよい。得られ
たＹＧａＭｎＯ４イヒ合物は黒色金属光沢を有し、粉末
Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１３００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に弓出せばよい。得られ
たＹＧａＭｎＯ４イヒ合物は黒色金属光沢を有し、粉末
Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
反応の前後に於ける試料重量を精密に秤量することによ
つて、得られた試料の化学量論数が決定された。実施例 純度９９．９％以上のイツトリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３）
粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉
末および純度９９．９％以上のガリウム酸化物（Ｇａ２
Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し、乳鉢
内でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。
つて、得られた試料の化学量論数が決定された。実施例 純度９９．９％以上のイツトリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３）
粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉
末および純度９９．９％以上のガリウム酸化物（Ｇａ２
Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量し、乳鉢
内でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内径８７！Ｔｍ）内に入れて溶封し
た。これを１５００℃に設定された箱型のシリコニツト
炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室
温まで急速に冷却した。得られたものはＹＧａＭｎＯ４
の六方晶系の層状化合物であつた。その結果の性状は第
１表に示す通りであつた。
た。これを１５００℃に設定された箱型のシリコニツト
炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取出し、室
温まで急速に冷却した。得られたものはＹＧａＭｎＯ４
の六方晶系の層状化合物であつた。その結果の性状は第
１表に示す通りであつた。
図面は本発明のＹＧａＭｎＯ４の結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＹＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物。 ２ イットリウム酸化物（Ｙ＿２Ｏ＿３）、マンガン酸
化物（ＭｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）
を、モル比で約１対２対１の割合で混合し、この混合物
を非酸化性雰囲気下で１３００℃以上の温度で加熱する
ことを特徴とするＹＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118335A JPS5933542B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118335A JPS5933542B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820728A JPS5820728A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS5933542B2 true JPS5933542B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=14734114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118335A Expired JPS5933542B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933542B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181818A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-10 | Daito Seiki Kk | 竪形帯鋸盤 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56118335A patent/JPS5933542B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820728A (ja) | 1983-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5934656B2 (ja) | ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943424B2 (ja) | ＴｍＦｅＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933539B2 (ja) | ＬｕＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933541B2 (ja) | ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933536B2 (ja) | ＬｕＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933540B2 (ja) | ＥｒＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943412B2 (ja) | ＬｕＦｅＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933537B2 (ja) | ＴｍＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933535B2 (ja) | ＹｂＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5933538B2 (ja) | ＴｍＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶糸の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943416B2 (ja) | ＹｂＦｅＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943409B2 (ja) | ＹＦｅＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943413B2 (ja) | ＴｍＦｅＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606893B2 (ja) | ＬｕＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606890B2 (ja) | ＬｕＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041618B2 (ja) | ＹｂＦｅＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041622B2 (ja) | ＬｕＧａＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943410B2 (ja) | ＥｒＦｅＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606889B2 (ja) | ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041620B2 (ja) | ＹｂＧａＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0513093B2 (ja) | ||
| JPS606892B2 (ja) | ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606891B2 (ja) | ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943417B2 (ja) | ＬｕＦｅＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943420B2 (ja) | ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |