JPS5933541B2 - ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5933541B2 JPS5933541B2 JP11833481A JP11833481A JPS5933541B2 JP S5933541 B2 JPS5933541 B2 JP S5933541B2 JP 11833481 A JP11833481 A JP 11833481A JP 11833481 A JP11833481 A JP 11833481A JP S5933541 B2 JPS5933541 B2 JP S5933541B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- -1 iron ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＨｏＧａＭｎ０４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、ＹＦｅ。
０４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は知
られる。
られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋ＯＨ−で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋ＯＨ−の化合 。物のＹ３＋
の代りにＨｏ３＋、Ｆｅ″ｆの代りにＭｎ２＋を（Ｆｅ
３＋の代りにＧａ３−に）置きかえた新規な化合物およ
びその製造法を提供するにある。本発明のＨｏＧａＭｎ
０４で示される化合物は、この化合物中、ホルミウムは
Ｈｏ３＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価
イオンとして存在しており、Ｈｏ３＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋
川一として表わすことができる。この結晶は第１図に示
すような六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素
、中丸はホルミウム、最小の黒丸はガリウムとマンガン
を示す。ＧａとＭｎはランダムに入つている。マンガン
の２価イオンとガリウムの３価イオンは５配位の酸素イ
オンによつて囲まれ、結晶学的には同一の位置を占めて
いる。また、Ｈｏは６配位の酸素をその周りに持つてい
る。陰イオンである酸素は緻密構造をとつている。この
結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ入）（ｄｏは実測
、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対する相対反射強度（
Ｉ％）は第１表の通りである。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。本発明は前
記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋ＯＨ−の化合 。物のＹ３＋
の代りにＨｏ３＋、Ｆｅ″ｆの代りにＭｎ２＋を（Ｆｅ
３＋の代りにＧａ３−に）置きかえた新規な化合物およ
びその製造法を提供するにある。本発明のＨｏＧａＭｎ
０４で示される化合物は、この化合物中、ホルミウムは
Ｈｏ３＋イオン、マンガンはＭｎ２＋、ガリウムは３価
イオンとして存在しており、Ｈｏ３＋Ｇａ３＋Ｍｎ２＋
川一として表わすことができる。この結晶は第１図に示
すような六方晶層状構造を持つている。最大の丸は酸素
、中丸はホルミウム、最小の黒丸はガリウムとマンガン
を示す。ＧａとＭｎはランダムに入つている。マンガン
の２価イオンとガリウムの３価イオンは５配位の酸素イ
オンによつて囲まれ、結晶学的には同一の位置を占めて
いる。また、Ｈｏは６配位の酸素をその周りに持つてい
る。陰イオンである酸素は緻密構造をとつている。この
結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ入）（ｄｏは実測
、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対する相対反射強度（
Ｉ％）は第１表の通りである。
そして空間群はＲ「ｍで、その晶癖は板状晶で、格子定
数は次の通りである。ａｏ■ ３４９０５±Ｏ、０００
４（λ）Ｃｏ■ ２５．１３６±Ｏ、００８（入）第１
表ＨｏＧａＭｎＯ４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
数は次の通りである。ａｏ■ ３４９０５±Ｏ、０００
４（λ）Ｃｏ■ ２５．１３６±Ｏ、００８（入）第１
表ＨｏＧａＭｎＯ４ この化合物は触媒材料ならびに半導体材料として有用な
ものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
ホルミウム酸化物（ＨＯ２Ｏ３）、マンガン酸化物（Ｍ
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１０００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるホルミウム酸化物
は市囚ｐものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互
の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程
よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
ｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を、モル比で
約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化性雰囲
気下で１０００℃以上の温度で加熱することによつて製
造することができる。本発明に用いるホルミウム酸化物
は市囚ｐものをそのまま使用してもよいが、酸化物相互
の反応を速やかに進行させるためには、粒径が小さい程
よく、特に１０μｍ以下であることが好ましい。
また、半導体材料として用いる場合は不純物の混入をき
らうので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数
時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは
通常の試薬特級程度のものでよい。
らうので、原料は純度が高く、また、約１０００℃で数
時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化マンガンは
通常の試薬特級程度のものでよい。
粒径は前記、ホルミウム酸化物と同様な理由で１０μｍ
以下であることが好ましい。また、１０００′Ｃで１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、Ｏ℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。
その粒径は前記と同様に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好
ましい。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール
類、アセトン等を入れ十分混合する。これらの混合割合
はＨＯ２Ｏ３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対
１の割合である。この割合をはずれると目的とする層状
化合物を得ることができない。これらの混合物を石英ま
たは白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱する
。
以下であることが好ましい。また、１０００′Ｃで１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、Ｏ℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化ガリウムは試薬特級程度のものでよい。
その粒径は前記と同様に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また８００℃で１日間空気中で仮焼したものが好
ましい。これらの原料をそのまま、あるいはアルコール
類、アセトン等を入れ十分混合する。これらの混合割合
はＨＯ２Ｏ３、ＭｎＯ．Ｇａ２Ｏ３をモル比で１対２対
１の割合である。この割合をはずれると目的とする層状
化合物を得ることができない。これらの混合物を石英ま
たは白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱する
。
それはマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１０００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ′Ｃに
急冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得ら
れたＨＯＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉
末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１０００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後はＯ′Ｃに
急冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得ら
れたＨＯＧａＭｎＯ４化合物は黒色金属光沢を有し、粉
末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが分つた。
試料重量を加熱の前後で精密に秤量し、得られた化合物
の化学量論数を決定した。実施例純度９９．９％以上の
ホルミウム酸化物 （ＨＯ２Ｏ３）粉末、純度９９，９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）粉末および純度９９．９％以上のガリウム
酸化物（Ｇａ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合
に秤量し、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合して平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。
の化学量論数を決定した。実施例純度９９．９％以上の
ホルミウム酸化物 （ＨＯ２Ｏ３）粉末、純度９９，９％以上の酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）粉末および純度９９．９％以上のガリウム
酸化物（Ｇａ２Ｏ３）粉末をモル比で１対２対１の割合
に秤量し、乳鉢内でアセトンを加えて十分に混合して平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内径８ｍ７ｆＬ）内に入れて溶封し
た。これを１３００℃に設定された箱型のシリコニツト
炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取り出し、
室温まで急速に冷却した。得られたものはＨＯＧａＭｎ
Ｏ４の六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状
は第１表に示す通りであつた。
た。これを１３００℃に設定された箱型のシリコニツト
炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を取り出し、
室温まで急速に冷却した。得られたものはＨＯＧａＭｎ
Ｏ４の六方晶系の層状化合物であつた。その結晶の性状
は第１表に示す通りであつた。
図面は本発明のＨＯＧａＭｎＯ４の結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はホルミウム、最小黒丸はガリウ
ムとマンガンを示す。
ムとマンガンを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＨｏＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ ホルミウム酸化物（Ｈｏ＿２Ｏ＿３）、マンガン酸
化物（ＭｎＯ）および酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）
を、モル比で約１対２対１の割合で混合し、この混合物
を非酸化性雰囲気下で１０００℃以上の温度で加熱する
ことを特徴とするＨｏＧａＭｎＯ＿４で示される六方晶
系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833481A JPS5933541B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833481A JPS5933541B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820727A JPS5820727A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS5933541B2 true JPS5933541B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=14734086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833481A Expired JPS5933541B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＨｏＧａＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933541B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021020811A2 (ko) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 노욱래 | 약물 주입 카트리지 및 이를 포함하는 약물 주입기 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833481A patent/JPS5933541B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021020811A2 (ko) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 노욱래 | 약물 주입 카트리지 및 이를 포함하는 약물 주입기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820727A (ja) | 1983-02-07 |
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