JPS5942364A - プロスタグランジンf類の製造法 - Google Patents
プロスタグランジンf類の製造法Info
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- JPS5942364A JPS5942364A JP15281082A JP15281082A JPS5942364A JP S5942364 A JPS5942364 A JP S5942364A JP 15281082 A JP15281082 A JP 15281082A JP 15281082 A JP15281082 A JP 15281082A JP S5942364 A JPS5942364 A JP S5942364A
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- prostaglandin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブI:+7タグランジンF類の製造法に関する
。さらに詳細には7−スルホニルオキシプロスタグラン
ジンF類を還元反応に付すことによるプロスタグランジ
ンF類の製造法に関する。
。さらに詳細には7−スルホニルオキシプロスタグラン
ジンF類を還元反応に付すことによるプロスタグランジ
ンF類の製造法に関する。
プロスタグランジンF類の典型的化合物であるプロスタ
グランジンF2αは子宮平滑筋収縮作用、腸管収縮作用
を有し、陣痛促進剤、腸管運動亢進剤等の医薬品として
利用されている有用な化合物である。
グランジンF2αは子宮平滑筋収縮作用、腸管収縮作用
を有し、陣痛促進剤、腸管運動亢進剤等の医薬品として
利用されている有用な化合物である。
従来これらのプロスタグランジンF類の製造−6=
については数多くの方法が知られており(J、B。
Bindraら+ Prostaglandln 5
ynthesis、AcademicPress (1
977:1.参照)、代表的す方法トシテは、 (11アラキドン酸又はジホモ−γ−リルン酸より生合
成によって得る方法(B、Samuelssonら・至
lΣ・−・凪・旦・匣・・志・410(1965)、)
e (11) 重要中間体であるCoreyラクトンを経
由する方法(E、J、Coreyら、 J、Amer
、Chem、Soc、+92 、397(1970)、
) 。
ynthesis、AcademicPress (1
977:1.参照)、代表的す方法トシテは、 (11アラキドン酸又はジホモ−γ−リルン酸より生合
成によって得る方法(B、Samuelssonら・至
lΣ・−・凪・旦・匣・・志・410(1965)、)
e (11) 重要中間体であるCoreyラクトンを経
由する方法(E、J、Coreyら、 J、Amer
、Chem、Soc、+92 、397(1970)、
) 。
(lit) 重要中間体である2−置換−2−シクロ
ベンテノン体を経由する方法(C,J、Sihら、−り
とと、島3.シニ、、 97 、865 (1975)
、 ) 。
ベンテノン体を経由する方法(C,J、Sihら、−り
とと、島3.シニ、、 97 、865 (1975)
、 ) 。
(lv) s 、 6−ジヒドロプロスタグランジン
E2またはF、αを選択的に還元する方法(E、S。
E2またはF、αを選択的に還元する方法(E、S。
Ferdinandi ら、旦an、 J、 Chem
、、 4f4 、 1070 ’(1971) ;
C,T(、Linら+ Prosta 1andin
+ IL377 (1976) 、 ) 。
、、 4f4 、 1070 ’(1971) ;
C,T(、Linら+ Prosta 1andin
+ IL377 (1976) 、 ) 。
等が挙げられる。しかしながらこれらの方法において、
生合成によって得る方法(II)では原料である多価不
飽和脂肪酸の入手が困難であり、しかもこれからの収率
が非常に低く、副生成物からの精製・分取が困難である
。また化学合成によって得る方法(n)、 (n+)及
び(lv)では出発原料を得るのに多くの工程を有し、
容易に出発原料が得られてもかかる出発原料からのプロ
スタグランジンの収率は非常に低い等の欠点がある。
生合成によって得る方法(II)では原料である多価不
飽和脂肪酸の入手が困難であり、しかもこれからの収率
が非常に低く、副生成物からの精製・分取が困難である
。また化学合成によって得る方法(n)、 (n+)及
び(lv)では出発原料を得るのに多くの工程を有し、
容易に出発原料が得られてもかかる出発原料からのプロ
スタグランジンの収率は非常に低い等の欠点がある。
近年これらの諸欠点を克服すべく、ブースタグランジン
骨格の直接合成法として、2−シクロベンテノン系への
共役付加反応に続く工/レートの捕捉過程を用いた三成
分連結ブーセス法が考案されている( G、 5tor
kら、ユ、 Amer、 Chem。
骨格の直接合成法として、2−シクロベンテノン系への
共役付加反応に続く工/レートの捕捉過程を用いた三成
分連結ブーセス法が考案されている( G、 5tor
kら、ユ、 Amer、 Chem。
Soc、、 97.6260 (1975) ; K、
G、Untchら、ニジエバシュ、、 44.3755
(1979)参照)。しかし、これらの試みはエルレ
ートの捕捉を低分子化合物であるホルムアルデヒド、ト
リメチルシリルクロリドを用いて行ない、得られる中間
体を経由して、化学合成によりプロスタグランジン骨格
合成を達成するという多段階を経なければならない難点
を有し、全収率も低いという欠点を有している。
G、Untchら、ニジエバシュ、、 44.3755
(1979)参照)。しかし、これらの試みはエルレ
ートの捕捉を低分子化合物であるホルムアルデヒド、ト
リメチルシリルクロリドを用いて行ない、得られる中間
体を経由して、化学合成によりプロスタグランジン骨格
合成を達成するという多段階を経なければならない難点
を有し、全収率も低いという欠点を有している。
また、従来、スルホニルオキシアルカン類の水素化ホウ
素ナトリウムによる還元反応はそれ自体公知(R,0,
Hutchinら、J、O工z、che二、、す。
素ナトリウムによる還元反応はそれ自体公知(R,0,
Hutchinら、J、O工z、che二、、す。
2259 (IQ78 )参照)であるが、プロスタグ
ランジン系へ適用した例は本発明者らの知るかぎり無い
。
ランジン系へ適用した例は本発明者らの知るかぎり無い
。
本発明者らはかかる点に着目し、プロスタグランジンF
類の有利な化学合成法すなわち(1)容易に得られる出
発原料を用いろ、 (II)反応工程が短い、 (II
+)全収率が高い等の利点を有する合成法を見出すべく
鋭意研究した結果、保護された4−ヒドロキシ−2−シ
クロベンテノン類より一段階の反応により高収率で得ら
れる7−ヒドロキシプロスタグランジンE類から、7位
のヒドロキシ基の選択的除央および9位のカルボニル基
の還元を行なうことにより、プロスタグランジンF類が
得られろことを見い出し本発明に到達したものである。
類の有利な化学合成法すなわち(1)容易に得られる出
発原料を用いろ、 (II)反応工程が短い、 (II
+)全収率が高い等の利点を有する合成法を見出すべく
鋭意研究した結果、保護された4−ヒドロキシ−2−シ
クロベンテノン類より一段階の反応により高収率で得ら
れる7−ヒドロキシプロスタグランジンE類から、7位
のヒドロキシ基の選択的除央および9位のカルボニル基
の還元を行なうことにより、プロスタグランジンF類が
得られろことを見い出し本発明に到達したものである。
−〇 −
すなわち本発明は、下記式CI〕
−1〇−
で表わされる7−スルホニルオキシブpスタグランジン
F類を還元反応に付すことを特徴とする、下記式(T[
) R で表わされるプロスタグランジンF類の製造法である。
F類を還元反応に付すことを特徴とする、下記式(T[
) R で表わされるプロスタグランジンF類の製造法である。
本発明の製造法において原料化合物である上記式CI)
で表わされる7−スルホニルオキシブpスタグランジン
F類において、Bは−CH2−CH2−。
で表わされる7−スルホニルオキシブpスタグランジン
F類において、Bは−CH2−CH2−。
−CH=CH−又は−〇=C−を表わし、−CH=CH
−の場合には、二重結合に関してシス、トランスあるい
はそれらの任意の割合の混合物を含むが、好ましいのは
シスである。
−の場合には、二重結合に関してシス、トランスあるい
はそれらの任意の割合の混合物を含むが、好ましいのは
シスである。
上記式〇)においてR1は水素原子、C1〜C7゜のア
ルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基。
ルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基。
置換もしくは非置換のシクロアルキル基、又は置換もし
くは非置換のフェニル(c、〜C2)アルキル基を表わ
す。
くは非置換のフェニル(c、〜C2)アルキル基を表わ
す。
C1〜C1oのアルキル基としては、例えば、メチル、
エチル、n−プロピル+ +so 7’ロピル。
エチル、n−プロピル+ +so 7’ロピル。
n−ブチル、 Bee−ブチル、 tert−ブチ
ル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−
オクチル、n−ノニルおよびn−デシル等の直鎖状又は
分岐状のものを挙げることができる。
ル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−
オクチル、n−ノニルおよびn−デシル等の直鎖状又は
分岐状のものを挙げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル基の置換基としては、例
えばハpゲン原子、ヒドロキシ基。
えばハpゲン原子、ヒドロキシ基。
C7〜C7アシロキシ基、ハロゲン原子で置換されてい
てもよいC1〜C4アルキル基、ハロゲン原子で置換さ
れていてもよいC7〜C4アルフキシ基。
てもよいC1〜C4アルキル基、ハロゲン原子で置換さ
れていてもよいC7〜C4アルフキシ基。
ニトリル基、カルボキシル基又は(C5〜C,)アルコ
キシカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原子としては
、弗素、塩素又は臭素等、特に弗素又は塩素が好ましい
。C2〜C7アシロキシ基としては、例えばアセトキシ
、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキシ、 ts
o−ブチリルオキシ、n−バレリルオキシ+ 180
−バレリルオキシ、カプロイルオキシ、エナンチルオキ
シ又はベンゾイルオキシを挙げることができる。
キシカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原子としては
、弗素、塩素又は臭素等、特に弗素又は塩素が好ましい
。C2〜C7アシロキシ基としては、例えばアセトキシ
、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキシ、 ts
o−ブチリルオキシ、n−バレリルオキシ+ 180
−バレリルオキシ、カプロイルオキシ、エナンチルオキ
シ又はベンゾイルオキシを挙げることができる。
ハロゲンで置換されていてもよいC1〜C4フルキル基
としては、メチル、工千ル、n−プロピル+ 180
−プロピル、n−ブチル、クロルメチル、ジクロロメチ
ル、トリフルオロメチル等を好ましいものとして挙げる
ことができる。ノ10ゲンで置換されていてもよいC1
〜C4アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキ
シ、 n −プpボキシ、 1so−プpポキシ、
n−ブトキシ。
としては、メチル、工千ル、n−プロピル+ 180
−プロピル、n−ブチル、クロルメチル、ジクロロメチ
ル、トリフルオロメチル等を好ましいものとして挙げる
ことができる。ノ10ゲンで置換されていてもよいC1
〜C4アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキ
シ、 n −プpボキシ、 1so−プpポキシ、
n−ブトキシ。
クロロメトキシ、ジクpロメトキシ、トリフルオpメト
キシ醇を好ましいものとして挙げると 13− とができる。(C8〜C6)アルフキジカルボニル基と
しては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等
を挙げることができる。
キシ醇を好ましいものとして挙げると 13− とができる。(C8〜C6)アルフキジカルボニル基と
しては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等
を挙げることができる。
置換フェニル基は、上記の如き置換基を1〜3個、好ま
しくは1個持つことができる。
しくは1個持つことができる。
置換もしくは非置換のシクロアルキル基としては、上記
したと同じ置換基で置換されているか又は非置換の、飽
和又は不飽和のC6〜C8、好ましくはC3〜C6、特
に好ましくはC6の基、例えばシクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロヘキセニル、シクロヘブ千ル、シクロ
オクチル等を挙げることができる。
したと同じ置換基で置換されているか又は非置換の、飽
和又は不飽和のC6〜C8、好ましくはC3〜C6、特
に好ましくはC6の基、例えばシクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロヘキセニル、シクロヘブ千ル、シクロ
オクチル等を挙げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル(C8〜Ct )アルキ
ル基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基で
置換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネチ
ル、β−フヱネチルを挙げられる。
ル基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基で
置換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネチ
ル、β−フヱネチルを挙げられる。
R1としては水素原子、C3〜C5゜のアルキル基が好
ましく、特にメチル基が好ましい。
ましく、特にメチル基が好ましい。
14−
上記式CI)においてR2はハロゲン原子で置換されて
(・てもよいC1〜C4のアルキル基、置換もしくは非
置換のフェニル基又は置換もしくは非置換のフェニル(
C,〜C2)アルキル基である。
(・てもよいC1〜C4のアルキル基、置換もしくは非
置換のフェニル基又は置換もしくは非置換のフェニル(
C,〜C2)アルキル基である。
ハロゲンで置換されていてもよいC1〜C4アルキル基
としては、メチル、エチル、n−プロピル+ igo
−プロピル、n−ブチル、t−ブチル。
としては、メチル、エチル、n−プロピル+ igo
−プロピル、n−ブチル、t−ブチル。
りl:II:Iエチル、ジクphiメチル、トリフルオ
ロメチル、ノナフルオルブチル等を好ましいものとして
挙げることができる。
ロメチル、ノナフルオルブチル等を好ましいものとして
挙げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル基の置換基としては、例
えばハロゲン原子、ヒト戸キシ基。
えばハロゲン原子、ヒト戸キシ基。
C7〜C,アシロキシ基、ハロゲン原子で置換されてい
てもよ(・C5〜C4アルキル基、ハロゲン原子で置換
されていてもよいC7〜C4アルフキシ基。
てもよ(・C5〜C4アルキル基、ハロゲン原子で置換
されていてもよいC7〜C4アルフキシ基。
ニトロ基、ニトリル基、カルボキシル基又は(C1〜C
,)アルフキジカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原
子としては、弗素、塩素又は臭素等、特に弗素又は塩素
が好ましい。C2〜C,アシロキシ基としては、例えば
アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキシ
、1so−ブチリルオキシ、n−バレリルオキシ+
!!10−バレリル刊キシオキシロイルオキシ、エナン
チルオキシ又はベンゾイルオキシを挙げることができる
。ハロゲン原子で置換されていてもよいC1〜C4アル
キル基としては上記したと同じ置換基を好ましいものと
して挙げることができる。
,)アルフキジカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原
子としては、弗素、塩素又は臭素等、特に弗素又は塩素
が好ましい。C2〜C,アシロキシ基としては、例えば
アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキシ
、1so−ブチリルオキシ、n−バレリルオキシ+
!!10−バレリル刊キシオキシロイルオキシ、エナン
チルオキシ又はベンゾイルオキシを挙げることができる
。ハロゲン原子で置換されていてもよいC1〜C4アル
キル基としては上記したと同じ置換基を好ましいものと
して挙げることができる。
ハロゲン原子で置換されていてもよいC8〜c4アルコ
キシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、n−プロ
ポキシ+ 1so−プロポキシIn−ブトキシ、クロ
ロメトキシ、ジクロロメトキシ。
キシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、n−プロ
ポキシ+ 1so−プロポキシIn−ブトキシ、クロ
ロメトキシ、ジクロロメトキシ。
トリフルオルメトキシ的を好ましいものとして挙げるこ
とができる。(C7〜C6)アルコキシヵルポニノ!基
としては、例えばメトキシカルボニル、工Fキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル。
とができる。(C7〜C6)アルコキシヵルポニノ!基
としては、例えばメトキシカルボニル、工Fキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル。
ヘキシルオキシカルボニル等を昂げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル(C,〜C2)アルキル
基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基で置
換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネチル
、β−フェネチルを挙げられる。
基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基で置
換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネチル
、β−フェネチルを挙げられる。
R2としてはメチル、トリフルオロメチル、p−トルイ
ル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
ル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
上記式(IIT)においてR3およびR4は同一もしく
は異なり、水素原子、水酸基又は保護された水酸基を表
わす。ここで保護基としては)!J(C。
は異なり、水素原子、水酸基又は保護された水酸基を表
わす。ここで保護基としては)!J(C。
〜C1)炭化水素−シリル基、水酸基の酸素原子と共に
7セタ一ル結合を形成する基又はC2〜C1の7シル基
が好ましく挙げられる。
7セタ一ル結合を形成する基又はC2〜C1の7シル基
が好ましく挙げられる。
) ’) (C1〜C1)炭化水素シリル基としては、
例えハトリメチルシリル、トリエチルシリル。
例えハトリメチルシリル、トリエチルシリル。
t−ブチルジメチルシリル基の如き) !j (C,〜
C4)フルキルシリル、t−ブチルジフェニルシリル基
の如きジフェニル(C1〜C4) yルキルシリル又は
トリベンジルシリル基等を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
C4)フルキルシリル、t−ブチルジフェニルシリル基
の如きジフェニル(C1〜C4) yルキルシリル又は
トリベンジルシリル基等を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
水酸基の酸素原子と共に7セタ一ル結合を形成する基と
しては1例えばメトキシメチル、117− −エトキシエチル、2−メトキシ−プロパン−2−イル
、2−エトキシプロパン−2−イル。
しては1例えばメトキシメチル、117− −エトキシエチル、2−メトキシ−プロパン−2−イル
、2−エトキシプロパン−2−イル。
(2−メトキシエトキシ)メチル、ベンジルオキシメチ
ル、子トラヒドロピランー2−イル。
ル、子トラヒドロピランー2−イル。
テトラヒドロフラン−2−イル、4−メトキシテトラヒ
ドロピラン−4−イル又は6.6−シメチルー3−オキ
サ−2−オキソービシクρ〔3゜1.0〕ヘキサ−4−
イル基を挙げることができる。これらのうち、1−エト
キシエチル、2−メトキシプロパン−2−イル、(2−
メトキシエトキシ)メチル、テトラヒドロビラン−2−
イル、4−メトキシテトラヒドロピラン−4−イル又は
6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキンービシクロ
(3,1,0)ヘキサ−4−イル基が好ましい。
ドロピラン−4−イル又は6.6−シメチルー3−オキ
サ−2−オキソービシクρ〔3゜1.0〕ヘキサ−4−
イル基を挙げることができる。これらのうち、1−エト
キシエチル、2−メトキシプロパン−2−イル、(2−
メトキシエトキシ)メチル、テトラヒドロビラン−2−
イル、4−メトキシテトラヒドロピラン−4−イル又は
6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキンービシクロ
(3,1,0)ヘキサ−4−イル基が好ましい。
Ct%C,アシル基としては、例えばアセチル。
プロピオニル、n−ブチリル+ 1so−ブチリル。
n−バレリル+ 1so−バレリル、カプロイル。
エナンチル、ベンゾイル等を挙げることができる。これ
らのうち、c、〜c6脂肪族アシル基例え18− ばアセチル、n−又は1so−ブチリル、カプロイル又
はベンゾイルが好ましく・。
らのうち、c、〜c6脂肪族アシル基例え18− ばアセチル、n−又は1so−ブチリル、カプロイル又
はベンゾイルが好ましく・。
R3およびR4としてはt−ブチルジメチルシリル基、
テトラヒドロビラン−2−イル基、4−メトキシテトラ
ヒドロビラン−4−イル基、6゜6−シメチルー3−オ
キサ−2−オキソ−ビシクロ(3,1,0)ヘキサ−4
−イル基で保護された水酸基が特に好ましい。
テトラヒドロビラン−2−イル基、4−メトキシテトラ
ヒドロビラン−4−イル基、6゜6−シメチルー3−オ
キサ−2−オキソ−ビシクロ(3,1,0)ヘキサ−4
−イル基で保護された水酸基が特に好ましい。
上記式(I)においてR5は非置換のC1〜C8のアル
キル基;置換されていてもよいフェニル基。
キル基;置換されていてもよいフェニル基。
フェノキシ基、C1〜C6のアルコキシ基もしくはC3
〜C,ジクロフルキル基で置換されている置換C1〜C
,アルキル基;又は置換もしくは非置換のシクロアルキ
ル基である。C5〜C1!の非置換のアルキル基として
は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよ<、例えば
メチル、エチル+ n −プロピル、 igo−プ
ロピル、n−ブチル+ n −ペンチル、n−ヘキシ
ル、2−メチル−1−ヘキシル、2.2−ジメチル−1
−ヘキシル、2−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル
、n−ヘプチル、n−オクチル等を桔げることかできる
。
〜C,ジクロフルキル基で置換されている置換C1〜C
,アルキル基;又は置換もしくは非置換のシクロアルキ
ル基である。C5〜C1!の非置換のアルキル基として
は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよ<、例えば
メチル、エチル+ n −プロピル、 igo−プ
ロピル、n−ブチル+ n −ペンチル、n−ヘキシ
ル、2−メチル−1−ヘキシル、2.2−ジメチル−1
−ヘキシル、2−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル
、n−ヘプチル、n−オクチル等を桔げることかできる
。
置換C3〜C,アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖
状のいずれでおってもよく、例六ばメチル、エチル、n
−プロピル、1so−7’ロピル。
状のいずれでおってもよく、例六ばメチル、エチル、n
−プロピル、1so−7’ロピル。
n−ブチル、 8ec−ブチル、t−ブチル+1−ペ
ンチル等を挙げることができる。これらの置換アルキル
基は、フェニル基;フェノキシ基;メトキシ、エトキシ
、n−プロポキシ、1po−プpボキシ、n−ブトキシ
+ 1so−ブトキシ。
ンチル等を挙げることができる。これらの置換アルキル
基は、フェニル基;フェノキシ基;メトキシ、エトキシ
、n−プロポキシ、1po−プpボキシ、n−ブトキシ
+ 1so−ブトキシ。
t−ブトキシ、n−ペントキシ、n−ヘキソキシなどの
01〜C6アルコキシ基;あるいはシクロペンチル、シ
クロヘキシルなどのC6〜c6シクロアルキル基で置換
されて(・る。これらの置換基はさらにR1の置換フェ
ニル基の置換基として挙げた置換基によって置換されて
いてもよい。
01〜C6アルコキシ基;あるいはシクロペンチル、シ
クロヘキシルなどのC6〜c6シクロアルキル基で置換
されて(・る。これらの置換基はさらにR1の置換フェ
ニル基の置換基として挙げた置換基によって置換されて
いてもよい。
置換C1〜C,アルキル基としては、これらのうち例え
ば弗素原子、塩素原子、メチル、エチルもしくはトリフ
ルオルメチル基で置換されていてもよいフェノキシ基又
はフェニル基によって置換されたC1〜C2フルキル基
、又はブpポキシメチル、エトキシエチル、プロポキシ
エチル。
ば弗素原子、塩素原子、メチル、エチルもしくはトリフ
ルオルメチル基で置換されていてもよいフェノキシ基又
はフェニル基によって置換されたC1〜C2フルキル基
、又はブpポキシメチル、エトキシエチル、プロポキシ
エチル。
ブトキシメチル、メトキシプロピル、2−エトキシ−1
,1−ジメチルエチル、プロポキシジメチルメチル、又
はシクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、シク
ロヘキシルジメチルメチル、2−シクロヘキシル−1,
1−ジメチルエチル等が好ましい。
,1−ジメチルエチル、プロポキシジメチルメチル、又
はシクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、シク
ロヘキシルジメチルメチル、2−シクロヘキシル−1,
1−ジメチルエチル等が好ましい。
置換もしくは非置換のシクロアルキル基としてはR1に
挙げたものと同じものを挙げることができる。
挙げたものと同じものを挙げることができる。
R5としては、n−ペンチル、n−ヘキシル。
2−メチル−1−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル
、2.2−ジメチル−1−ヘキシル、シクロヘキシルメ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル基、又はメチル
基が好ましい。
、2.2−ジメチル−1−ヘキシル、シクロヘキシルメ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル基、又はメチル
基が好ましい。
上記式(1)においてR6は水素原子、メチル基。
エチニル基(−CミCH)又は保護されたエチニル基で
ある。保護されたエチニル基としては、例えばトリメチ
ルシリルエチニル、t−ブチルジメチルシリルエチニル
差等カ好ましい。これら 21− のうち、水素原子又はメチル基が好ましい。R6として
は水素原子が特に好ましい。
ある。保護されたエチニル基としては、例えばトリメチ
ルシリルエチニル、t−ブチルジメチルシリルエチニル
差等カ好ましい。これら 21− のうち、水素原子又はメチル基が好ましい。R6として
は水素原子が特に好ましい。
上記式(1)の表示/は一重結合又は二重結合を表わす
。特に二重結合が好ましく・。
。特に二重結合が好ましく・。
上記式CI)で表わされる7−スルホニルオキシプロス
タグランジンF類は、その7位、8位。
タグランジンF類は、その7位、8位。
9位、11位、12位、および15位に不斉炭素原子を
有するため各種の立体異性体が存在するが、本発明で用
いられる7−スルホニルオキシプロスタグランジンF類
はこれらすべての立体異性体、光学異性体、及びそれら
の任意の割合の混合物を包含する。
有するため各種の立体異性体が存在するが、本発明で用
いられる7−スルホニルオキシプロスタグランジンF類
はこれらすべての立体異性体、光学異性体、及びそれら
の任意の割合の混合物を包含する。
これらのうち、特に下記式〔■′〕
22−
[−はβ−配置を衣わす。 」で表わさ
れる7−スルホニルオキシプロスタグランジンF類、す
7cわち11位と12位の置換基が互いにトランスの立
体配置を持つもので表示/が二重結合のものが好ましい
。
れる7−スルホニルオキシプロスタグランジンF類、す
7cわち11位と12位の置換基が互いにトランスの立
体配置を持つもので表示/が二重結合のものが好ましい
。
また上記式〔1′〕の7−スルホニルオキシプロスタグ
ランジンF類を、7位、8位、9位の炭素原子のまわり
の配置によって例示すれば下記式(I’a )〜(I’
h) (I’a ) 、 (I’b )(I
’c ) (l’a )CI’e
) (r・、〕(I’g)
(I’h)で表わされる化合物が
挙げられる。本発明においては、その15−:r−ピ体
、それらの鐘像体およびそれらの異性体の任意の割合の
混合物を包含する。
ランジンF類を、7位、8位、9位の炭素原子のまわり
の配置によって例示すれば下記式(I’a )〜(I’
h) (I’a ) 、 (I’b )(I
’c ) (l’a )CI’e
) (r・、〕(I’g)
(I’h)で表わされる化合物が
挙げられる。本発明においては、その15−:r−ピ体
、それらの鐘像体およびそれらの異性体の任意の割合の
混合物を包含する。
本発明にあっては、上記式(I)の7−スルホニルオキ
シプロスタグランジンF類を還元反応に付すことKよっ
て下記式〔π〕 R で表わされるプロスタグランジンF類を得る。
シプロスタグランジンF類を還元反応に付すことKよっ
て下記式〔π〕 R で表わされるプロスタグランジンF類を得る。
本発明において還元反応剤は水素化ホウ素金属化合物が
好ましい。水素化ホウ素金属化合物としては水素化ホウ
素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ、特に好ましく
は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。
好ましい。水素化ホウ素金属化合物としては水素化ホウ
素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ、特に好ましく
は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。
還元反応溶媒としては、 N、N−ジメチルホルムアミ
ド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルス
ルホキシド等の非プロトン性極性溶媒が用いられ、特に
ヘキサメチルホスホリックトリアミド又はジメチルスル
ホキシドが好25− ましい。
ド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルス
ルホキシド等の非プロトン性極性溶媒が用いられ、特に
ヘキサメチルホスホリックトリアミド又はジメチルスル
ホキシドが好25− ましい。
本発明の上記式(1)の7−スルホニルオキシプロスタ
グランジンF類の還元によるプロスタグランジンF類の
製造条件は以下の通りである。
グランジンF類の還元によるプロスタグランジンF類の
製造条件は以下の通りである。
還元反応に用(・られる水素化ホウ素金属化合物は、上
記式(I)で表わされる7−スルホニルオキシプロスタ
グランジンF類に対し好ましくは0.5〜50倍モル、
特に好ましくは0.6〜10倍モル用いる。溶媒の使用
量は反応をすみやかに進行させるのに十分な量があれば
良く、通常は原料化合物CI)に対し1〜1000倍容
量、好ましくは5〜100倍容量が用いられる。反応温
度は使用する原料、試薬、溶媒によって異なるが0℃か
ら150℃の範囲、好ましくは30℃から100℃の範
囲で行なわれる。反応時間は条件により異なるが、0.
1〜48時間程度が好ましく、さらに好ましくは0.1
〜24時間である。反応の進行は薄層クロマトグラフィ
ー等の方法により追跡され、原料の消失をもって終了と
みなす。反応後、上記式〔■〕で表わされ−26= るプロスタグランジンF類は反応液を通常の方法で処理
することにより分離・精製される。すなわち、例えば抽
出、洗浄、乾燥、濃縮、クロマトグラフィー等の組合わ
せによる方法により分離精製される。
記式(I)で表わされる7−スルホニルオキシプロスタ
グランジンF類に対し好ましくは0.5〜50倍モル、
特に好ましくは0.6〜10倍モル用いる。溶媒の使用
量は反応をすみやかに進行させるのに十分な量があれば
良く、通常は原料化合物CI)に対し1〜1000倍容
量、好ましくは5〜100倍容量が用いられる。反応温
度は使用する原料、試薬、溶媒によって異なるが0℃か
ら150℃の範囲、好ましくは30℃から100℃の範
囲で行なわれる。反応時間は条件により異なるが、0.
1〜48時間程度が好ましく、さらに好ましくは0.1
〜24時間である。反応の進行は薄層クロマトグラフィ
ー等の方法により追跡され、原料の消失をもって終了と
みなす。反応後、上記式〔■〕で表わされ−26= るプロスタグランジンF類は反応液を通常の方法で処理
することにより分離・精製される。すなわち、例えば抽
出、洗浄、乾燥、濃縮、クロマトグラフィー等の組合わ
せによる方法により分離精製される。
原料化合物である上記式CI)の7−スルホニルオキシ
プロスタグランジンF類は、下記式() で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類を還元することによって製造される。かかる方法は
新規な方法であり、従って本発明によれば同時に以下の
製造法も提供される。
プロスタグランジンF類は、下記式() で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類を還元することによって製造される。かかる方法は
新規な方法であり、従って本発明によれば同時に以下の
製造法も提供される。
すなわち、下記式(m)
で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類を還元反応に付して下記式(I)で表わされる7−
スルホニルオキシプロスタグランジンF類を得、次いで
還元反応に付すことを特徴とする下記式(II) 0■ で表わされるプロスタグランジンF類の製造法である。
E類を還元反応に付して下記式(I)で表わされる7−
スルホニルオキシプロスタグランジンF類を得、次いで
還元反応に付すことを特徴とする下記式(II) 0■ で表わされるプロスタグランジンF類の製造法である。
上記式〔■〕ニオイテ、B、 R’、 R”、 R3,
R’、 R’。
R’、 R’。
R6及び表示、7は、上記式〇)において述べた同様の
ものである。
ものである。
上記式(m)の7−スルホニルオキシプロスタグランジ
ンE類は、下記反応式に示されるように特開昭55−1
53725号公報記載の如き方法等により、シクロベン
テノン類より7−ヒドマキシプpスタグランジンE類を
得、次いでスルホニル化し、所望によっては脱保護ある
いは加水分解反応に付すことKよって製造される。
ンE類は、下記反応式に示されるように特開昭55−1
53725号公報記載の如き方法等により、シクロベン
テノン類より7−ヒドマキシプpスタグランジンE類を
得、次いでスルホニル化し、所望によっては脱保護ある
いは加水分解反応に付すことKよって製造される。
29−
上記式〔■〕の7−スルホニルオキシプロスタグランジ
ンE類の還元反応は、前述した上記式%式% ンF類の還元反応と同様にして行なうことができる。
ンE類の還元反応は、前述した上記式%式% ンF類の還元反応と同様にして行なうことができる。
すなわち還元反応剤は水素化ホウ素金属化合物が好まし
い。水素化ホウ素金属化合物とI−ては、水素化ホウ素
リチウム、水素化ホウ素ナト 30− リウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が
挙げられ、特に好ましくは水素化ホウ素ナトリウムが用
いられる。
い。水素化ホウ素金属化合物とI−ては、水素化ホウ素
リチウム、水素化ホウ素ナト 30− リウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が
挙げられ、特に好ましくは水素化ホウ素ナトリウムが用
いられる。
還元反応溶媒としては、N、N−ジメチルホルムアミド
、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスル
ホキシド等の非プロトン性極性溶媒が用いられ、特にヘ
キサメチルホスホリックトリ7ミド又はジメチルスルホ
キシドが好ましい。
、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスル
ホキシド等の非プロトン性極性溶媒が用いられ、特にヘ
キサメチルホスホリックトリ7ミド又はジメチルスルホ
キシドが好ましい。
上記式CII+)の7−スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンE類の還元によるプロスタグランジンF類の製造
榮件は以下の通りである。
ンジンE類の還元によるプロスタグランジンF類の製造
榮件は以下の通りである。
還元反応に用いられる水素化ホウ素金属化合物は、上記
式(m)で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグ
ランジンE類に対し好ましくは0.5〜50倍モル、特
に好ましくは0.6〜10倍モル用いる。溶媒の使用量
は反応をすみやかに進行させるのに十分な量があれば良
く、通常は原料化合物(m〕に対し1〜1000倍容量
、好ましくは5〜100倍容量が用いられるう反応温度
は、使用する原料、試薬、溶媒によって異なるが0℃か
ら150℃の範囲、好ましくは30°Cかも100℃の
範囲で行なわれる。反応時間は東件により異なるが、0
.1〜48時間程度が好ましく、さらに好ましくは0.
1〜24時間である。反応の進行は薄層クロマトグラフ
ィー等の方法により追跡され、原料の消失をもって終了
とみなす。反応後、上記式(1)で表わされるプロスタ
グランジンF類は反応液を通常の方法で処理することに
より分離・精製される。すなわち、例えば抽出、洗浄、
乾燥、濃縮、りpマドグラフィー等の組合わせによる方
法により分離精製される。
式(m)で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグ
ランジンE類に対し好ましくは0.5〜50倍モル、特
に好ましくは0.6〜10倍モル用いる。溶媒の使用量
は反応をすみやかに進行させるのに十分な量があれば良
く、通常は原料化合物(m〕に対し1〜1000倍容量
、好ましくは5〜100倍容量が用いられるう反応温度
は、使用する原料、試薬、溶媒によって異なるが0℃か
ら150℃の範囲、好ましくは30°Cかも100℃の
範囲で行なわれる。反応時間は東件により異なるが、0
.1〜48時間程度が好ましく、さらに好ましくは0.
1〜24時間である。反応の進行は薄層クロマトグラフ
ィー等の方法により追跡され、原料の消失をもって終了
とみなす。反応後、上記式(1)で表わされるプロスタ
グランジンF類は反応液を通常の方法で処理することに
より分離・精製される。すなわち、例えば抽出、洗浄、
乾燥、濃縮、りpマドグラフィー等の組合わせによる方
法により分離精製される。
尚、本発明にあっては、上記式(m)の7−スルホニル
オキシプロスタグランジンE類を還元し、次いで得られ
る上記式(I)の7−スルホニルオキシプロスタグラン
ジンE類を単離することなく、更にそのまま還元反応を
継続して目的とする上記式(II)のプロスタグランジ
ンF類を得ることもできる。
オキシプロスタグランジンE類を還元し、次いで得られ
る上記式(I)の7−スルホニルオキシプロスタグラン
ジンE類を単離することなく、更にそのまま還元反応を
継続して目的とする上記式(II)のプロスタグランジ
ンF類を得ることもできる。
本発明の還元反応に付して得られるプロスタグランジン
F類(II)は、8位および9位の炭素原子の回りの配
置により例示すれば、下記式%式%() () ) で表わされる化合物が挙げられる。本発明においてはそ
れらの異性体の任意の割合の混合物を33− 包含する。
F類(II)は、8位および9位の炭素原子の回りの配
置により例示すれば、下記式%式%() () ) で表わされる化合物が挙げられる。本発明においてはそ
れらの異性体の任意の割合の混合物を33− 包含する。
かくして、本発明の方法により、上記式(II〕で表わ
されるプロスタグランジンF類が容易に入手される原料
化合物である7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類(,1)あるいは7−スルホニルオキシプロスタグ
ランジンE類Dir)より簡便に得られる。
されるプロスタグランジンF類が容易に入手される原料
化合物である7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類(,1)あるいは7−スルホニルオキシプロスタグ
ランジンE類Dir)より簡便に得られる。
本発明により得られるプロスタグランジンF類は子宮平
滑筋収縮作用、Wk管収縮作用等のプロスタグランジン
F、α様の生理作用が期待され、医薬品としての有用性
が期待される化合物であり、また他の有用なプロスタグ
ランジン類、例えばプシスタグランジンE類、プpスタ
グランジンI類に導くことができる有用な中間体ともな
り得る。
滑筋収縮作用、Wk管収縮作用等のプロスタグランジン
F、α様の生理作用が期待され、医薬品としての有用性
が期待される化合物であり、また他の有用なプロスタグ
ランジン類、例えばプシスタグランジンE類、プpスタ
グランジンI類に導くことができる有用な中間体ともな
り得る。
本発明の製造法はかがる有用な化合物を容易に入手し得
る原料化合物より簡便に提供するものであり、その意義
は極めて大きい。
る原料化合物より簡便に提供するものであり、その意義
は極めて大きい。
34−
実施例1
(1)7−ヒドロキシ−5,6−ジヒドロ−15−デオ
キシ−13,14−:)ヒドロ−17,18゜19.2
0−テトラノルプロスタグランジンE2メチルエステル
1l−t−ブチルジメチルシリルエーテルの7−8およ
び7−1体およびそねらの61体の混合物41 W (
0,097nynoJ)を無水ジクロロメタンo、5m
lに溶解し一40℃に冷却し、無水トリエチルアミン1
5μl(o、11mmoAりを加えた後メタンスルホニ
ルクロリドs、s μi (0,11mmol)を加え
た。
キシ−13,14−:)ヒドロ−17,18゜19.2
0−テトラノルプロスタグランジンE2メチルエステル
1l−t−ブチルジメチルシリルエーテルの7−8およ
び7−1体およびそねらの61体の混合物41 W (
0,097nynoJ)を無水ジクロロメタンo、5m
lに溶解し一40℃に冷却し、無水トリエチルアミン1
5μl(o、11mmoAりを加えた後メタンスルホニ
ルクロリドs、s μi (0,11mmol)を加え
た。
−40℃で1.5時間攪拌した後、氷水上にあけエーテ
ルで抽出し、有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。濾過濃縮し、7−メタンスルホニルオキシ−
5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−13,14−ジヒ
ドロ−17,18,19,20−テトラノルプロスタグ
ランジンE2メチルエステル1l−t−ブチルジメチル
シリルエーテルの7−8および7−1体およびそれらの
dJ体の混合物を含む油状物42■を得た。
ルで抽出し、有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。濾過濃縮し、7−メタンスルホニルオキシ−
5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−13,14−ジヒ
ドロ−17,18,19,20−テトラノルプロスタグ
ランジンE2メチルエステル1l−t−ブチルジメチル
シリルエーテルの7−8および7−1体およびそれらの
dJ体の混合物を含む油状物42■を得た。
スペクトルデータ
NMR:δCDCl、 ;
3.04及び3.08 (s、 3H)。
3.67 (s + 3H) +
3.9〜4.4 (m、 IH)。
5.4〜5.8 (m、 IH)
(11) 上記反応で得た7−メタンスルホニルオキ
シ−5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−13゜14−
ジヒドロ−17,18,19,20−テトラノルプロス
タグランジンE2メチルエステル1l−t−ブチルジメ
チルシリルエーテルの9−8および9−1体、それらの
7−8および7−1体およびそれらの61体の混合物を
含む油状物31.8■を得た。
シ−5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−13゜14−
ジヒドロ−17,18,19,20−テトラノルプロス
タグランジンE2メチルエステル1l−t−ブチルジメ
チルシリルエーテルの9−8および9−1体、それらの
7−8および7−1体およびそれらの61体の混合物を
含む油状物31.8■を得た。
スペクトルデータ
NMR:δCDIJ、 ;
3.10 (s、 3H)、 3.67 (s、 3H
)。
)。
4.0〜4.2 (m、 IH)1
4.2〜4.5 (m、 11()。
52〜5.6 (m、 1)()
dl di
(lit) (1)の方法により得た7−メタンスル
ホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−1
3,14−ジヒドロ−17,18,1!1.20−テト
ラノルプロスタグランジンE2メチルエステル1l−t
−ブチルジメチルシリルエーテルの9−8および9−1
体、それらの7−8お37− よび7−1体、およびそれらのdi体の混合物を含む油
状物261A9を無水へキサメチルホスホリックトリア
ミド0.3mlに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム7即
(o、1s mmoJ)を加え、室温で50分間、次い
で60°Cで1.5時間攪拌した。水を加えエーテルで
抽出し、有機層 □を水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。
ホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−15−デオキシ−1
3,14−ジヒドロ−17,18,1!1.20−テト
ラノルプロスタグランジンE2メチルエステル1l−t
−ブチルジメチルシリルエーテルの9−8および9−1
体、それらの7−8お37− よび7−1体、およびそれらのdi体の混合物を含む油
状物261A9を無水へキサメチルホスホリックトリア
ミド0.3mlに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム7即
(o、1s mmoJ)を加え、室温で50分間、次い
で60°Cで1.5時間攪拌した。水を加えエーテルで
抽出し、有機層 □を水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。
f過濃縮後、シリカゲル薄層クロマトグラフィーにて分
離精製し、5.6−ジヒドロ−15−デオキシ−13,
14−ジヒドロ−+ 7.18゜19.20−テトラノ
ルプロスタグランジンF2メチルエステル1l−t−ブ
チルジメチルシリルエーテルの9−8お゛よび9−1体
、およびそれらの67体の混合物5.3■(収率24%
)を得た。
離精製し、5.6−ジヒドロ−15−デオキシ−13,
14−ジヒドロ−+ 7.18゜19.20−テトラノ
ルプロスタグランジンF2メチルエステル1l−t−ブ
チルジメチルシリルエーテルの9−8お゛よび9−1体
、およびそれらの67体の混合物5.3■(収率24%
)を得た。
実施例2
38−
(1) (7R) −7−ヒドロキシ−5,6−ジヒ
ドロプロスタグランジンE2メチルエステル1】115
−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル200吋(
328μmat )を無水ピリジン2 m7!に溶かし
水冷攪拌しながらメタンスルホニルクロリド76μ71
(985μmol )を加え、0°Cで1.5時間攪拌
した。氷水上にあけ、ペンタンで抽出し、有機層を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。r過
濃M(7R)−7−メタンスルホニルオキシ−5,6−
ジヒドロプロスタグランジンE2メチルエステル11.
15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む
油状物210■を得た。
ドロプロスタグランジンE2メチルエステル1】115
−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル200吋(
328μmat )を無水ピリジン2 m7!に溶かし
水冷攪拌しながらメタンスルホニルクロリド76μ71
(985μmol )を加え、0°Cで1.5時間攪拌
した。氷水上にあけ、ペンタンで抽出し、有機層を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。r過
濃M(7R)−7−メタンスルホニルオキシ−5,6−
ジヒドロプロスタグランジンE2メチルエステル11.
15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む
油状物210■を得た。
スペクトルデータ
NMR:δcDct、 ;
3.04(8,3H)、 s、6s(s、 3T()。
3.8〜4.4 (’m、 2H)。
5+3〜L8 (m、 3 T()
ru(液膜);
1744、 +365. 1252. 1175゜8
34σ−1 0SiX
08iX(11) 上記反応で得た( 7 R)
−7−メタンスルホニルオキシ−5,6−ジヒドロプル
スタブランジンF2メチルエステル+3+5−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテル210■をエタノール
1.sm/に溶かし、水素化ホウ素ナトリウム13ダ(
334μmo/ )のエタノール0.5ml溶液へ水冷
攪拌しながら加えた。0℃で1時間攪拌した後、飽和食
塩水を加え、エーテルで抽出した。有機層を水洗し無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。r過濃縮し、(7R)−
7−メタンスルホニルオキシ−5,6−ジヒドロプルス
タブランジンF2メチルエステル11.15−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテルの7−Rおよび7−8
の混合物を含む油状物180■を得た。
34σ−1 0SiX
08iX(11) 上記反応で得た( 7 R)
−7−メタンスルホニルオキシ−5,6−ジヒドロプル
スタブランジンF2メチルエステル+3+5−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテル210■をエタノール
1.sm/に溶かし、水素化ホウ素ナトリウム13ダ(
334μmo/ )のエタノール0.5ml溶液へ水冷
攪拌しながら加えた。0℃で1時間攪拌した後、飽和食
塩水を加え、エーテルで抽出した。有機層を水洗し無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。r過濃縮し、(7R)−
7−メタンスルホニルオキシ−5,6−ジヒドロプルス
タブランジンF2メチルエステル11.15−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテルの7−Rおよび7−8
の混合物を含む油状物180■を得た。
スペクトルデータ
NMR:δCD(J、 ;
3.09(a、 31()、 3.65(n、 3H)
。
。
3.7〜4.5 (m、 3H) 。
5.2〜5.7(m、 31N
IR(液膜);
350(1,1737,1358,1252゜1173
.832傭 (110(1)の方法で得た(?R)−7−スルホニル
−yl−キシ−5,6−ジヒドロプロスタグランジンF
2メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメチ
ルシリルエーテルの9−8および9−R体の混合物を含
む油状物180町を無水へキサメチルホスホリックトリ
アミド1.5−に溶かし、水素化ホウ素すFリウム37
■41− (0,9s mmo71)を加え、50℃で1.5時間
攪拌した。飽和食塩水を加え、ヘキサンで抽出した。有
機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、r過濃
縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離精製
し、5.6−ジヒドロプルスタブランジンF2メチルエ
ステル11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエ
ーテルの9−8および9−R体の混合物77〜(収率4
9%)を得た。
.832傭 (110(1)の方法で得た(?R)−7−スルホニル
−yl−キシ−5,6−ジヒドロプロスタグランジンF
2メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメチ
ルシリルエーテルの9−8および9−R体の混合物を含
む油状物180町を無水へキサメチルホスホリックトリ
アミド1.5−に溶かし、水素化ホウ素すFリウム37
■41− (0,9s mmo71)を加え、50℃で1.5時間
攪拌した。飽和食塩水を加え、ヘキサンで抽出した。有
機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、r過濃
縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離精製
し、5.6−ジヒドロプルスタブランジンF2メチルエ
ステル11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエ
ーテルの9−8および9−R体の混合物77〜(収率4
9%)を得た。
実施例3
(1) (7n ) −7−ヒドロキシプロスタグラ
ンジンE1メチルエステル11.15−ビス−t−ブチ
ルジメチルシリルエーテル30〜(49μmat )を
無水ピリジン0.51+1/に溶かし、室温で攪拌しな
がらメタンスルホニルクρリド42− 11.4μJ(+47μmol )を加え、2時間攪拌
した。反応液を氷水上へあげペンタンで抽出し、有機層
を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。r過濃縮し
、(7R)−7−メタンスルホニルオキシプロスタグラ
ンジンE。
ンジンE1メチルエステル11.15−ビス−t−ブチ
ルジメチルシリルエーテル30〜(49μmat )を
無水ピリジン0.51+1/に溶かし、室温で攪拌しな
がらメタンスルホニルクρリド42− 11.4μJ(+47μmol )を加え、2時間攪拌
した。反応液を氷水上へあげペンタンで抽出し、有機層
を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。r過濃縮し
、(7R)−7−メタンスルホニルオキシプロスタグラ
ンジンE。
メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメチル
シリルエーテルを含む油状物31m9を得た。
シリルエーテルを含む油状物31m9を得た。
スペクトルデータ
NMR:δCDC4;
3.08(St 3H)+ 3.65CB+ 3
H)+3.8〜4.4 (m、 2 H) +5.3〜
5.8 (m、 3 H) IR(液膜); 1729.1363,1253,1175゜1 833(m CII) (1)の方法で得た(7R)−7−スルホ
ニルオキシプロスタグランジンE、メチルエステル11
.15−ビス−t−ブチルジノチルシリルエーテルを含
む油状物33119を無水へキサメチルホスホリックト
リアミドo、3mJに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム
g my (240μmol )を加え80℃で5時間
攪拌した。飽和食塩水を加え、ヘキサンで抽出し、有機
層を水洗した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。f過
濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離精
製し、プpスタグランジンF、αメチルエステル11.
15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル9ダ(
収率31%)およびプロスタグランジンF、βメチルエ
ステル11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエ
ーテル5■(収率17%)を得た。
H)+3.8〜4.4 (m、 2 H) +5.3〜
5.8 (m、 3 H) IR(液膜); 1729.1363,1253,1175゜1 833(m CII) (1)の方法で得た(7R)−7−スルホ
ニルオキシプロスタグランジンE、メチルエステル11
.15−ビス−t−ブチルジノチルシリルエーテルを含
む油状物33119を無水へキサメチルホスホリックト
リアミドo、3mJに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム
g my (240μmol )を加え80℃で5時間
攪拌した。飽和食塩水を加え、ヘキサンで抽出し、有機
層を水洗した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。f過
濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離精
製し、プpスタグランジンF、αメチルエステル11.
15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル9ダ(
収率31%)およびプロスタグランジンF、βメチルエ
ステル11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエ
ーテル5■(収率17%)を得た。
実施例4
実施例2(1)と同様の方法によって得た7−メタンス
ルホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−16゜17.1
B、19.20−ペンタノルー15−シクロペンチルプ
ロスタグランジンF、メチルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテル9−8および9−
R,7−8および7−R体の混合物を含む油状物73■
を、実施例2(nDとほぼ同様に処理することにより5
.6−ジヒドロ−16,17,1B、19.20−ペン
タノルー15−シクロペンチルプロスタグランジンF、
メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメチル
シリルエーテルの9−8および9−’R体の混合物27
■(収率42チ)を得た。
ルホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−16゜17.1
B、19.20−ペンタノルー15−シクロペンチルプ
ロスタグランジンF、メチルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテル9−8および9−
R,7−8および7−R体の混合物を含む油状物73■
を、実施例2(nDとほぼ同様に処理することにより5
.6−ジヒドロ−16,17,1B、19.20−ペン
タノルー15−シクロペンチルプロスタグランジンF、
メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメチル
シリルエーテルの9−8および9−’R体の混合物27
■(収率42チ)を得た。
45一
実施例5
実施例2(1)と同様の方法によって得た7−メタンス
ルホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−16゜17.1
B、19.20−ペンタノルー15−シクロヘキシルプ
ロスタグランジンF2メチルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテル9−8および9−
R,7−8および7−R体の混合物を含む油状物56■
を実施例2 (Ill)とはぼ同様に処理することによ
り5,6−デヒドq −16,17,1B、19.20
−ペンタノルー15−シクロヘキシルプロスタグランジ
ンF、メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジ
ノチルシリルエーテルの9−8および9−R体の混合物
23η(収率47チ)を得た。
ルホニルオキシ−5,6−ジヒドロ−16゜17.1
B、19.20−ペンタノルー15−シクロヘキシルプ
ロスタグランジンF2メチルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテル9−8および9−
R,7−8および7−R体の混合物を含む油状物56■
を実施例2 (Ill)とはぼ同様に処理することによ
り5,6−デヒドq −16,17,1B、19.20
−ペンタノルー15−シクロヘキシルプロスタグランジ
ンF、メチルエステル11.15−ビス−t−ブチルジ
ノチルシリルエーテルの9−8および9−R体の混合物
23η(収率47チ)を得た。
46−
実施例6
実施例3(1)の方法で得た(7R)−7−スルホニル
オキシブロスタグランジンE、メチルエステル11.1
5−ビスーt−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油
状物31■を無水ジメチルスルホキシド0.5−に溶か
し、水素化ホウ素ナトリウム15#(39?μmol)
を加え、50℃で20時間攪拌した。飽和食塩水を加え
、ヘキサンで抽出し、有機層を水洗した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。VX*濃縮後シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて分離精製し、ブpスタグランジン
F、αメチルエステル11,15−ビス−1−ブチルジ
メチルシリルエーテル10■(収率34チ)およびプロ
スタグランジンF、βメチルエステル11.15−ビス
ーt−プチルジエチルシリルエーテル5■(lts11
7’%)を得た。
オキシブロスタグランジンE、メチルエステル11.1
5−ビスーt−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油
状物31■を無水ジメチルスルホキシド0.5−に溶か
し、水素化ホウ素ナトリウム15#(39?μmol)
を加え、50℃で20時間攪拌した。飽和食塩水を加え
、ヘキサンで抽出し、有機層を水洗した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。VX*濃縮後シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて分離精製し、ブpスタグランジン
F、αメチルエステル11,15−ビス−1−ブチルジ
メチルシリルエーテル10■(収率34チ)およびプロ
スタグランジンF、βメチルエステル11.15−ビス
ーt−プチルジエチルシリルエーテル5■(lts11
7’%)を得た。
実施例7
実施例3(1)と同様の方法によって得た(17S)−
7−メタンスルホニルオキシ−17,20−ジメチルプ
ロスタグランジンE1メチルエステル11.15−ビス
(テトラヒドロピラン−2−イル)エーテルの7−8お
よび?−R体の混合物を含む油状物80ダを実施例3と
ほぼ同様に処理することにより、(178)−17,2
0−ジエチルプロスタグランジンF、メチルエステル1
1.15−ビス(テトラヒドロピラン−2−イル)エー
テルの9−8および9−8体の混合物36■(収率53
%)を得た。
7−メタンスルホニルオキシ−17,20−ジメチルプ
ロスタグランジンE1メチルエステル11.15−ビス
(テトラヒドロピラン−2−イル)エーテルの7−8お
よび?−R体の混合物を含む油状物80ダを実施例3と
ほぼ同様に処理することにより、(178)−17,2
0−ジエチルプロスタグランジンF、メチルエステル1
1.15−ビス(テトラヒドロピラン−2−イル)エー
テルの9−8および9−8体の混合物36■(収率53
%)を得た。
実施例1〜7
上i8実施例1〜7で得たプロスタグランジンF類のス
ペクトルデータの主な値を以下に示す。
ペクトルデータの主な値を以下に示す。
49−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式CI) で表わされるツースルホニルオキシプロスタグランジン
F類を還元反応に付すことを特徴とする下記式[Ir) u で表わされるプロスタグランジンF類の製造法。 2、還元反応剤として水素化ホウ素金属化合物を用いる
特許請求の範囲第1項記載のプロスタグランジンF類の
製造法。 3、水素化ホウ素金属化合物が水素化ホウ素ナトリウム
である特許請求の範囲第2項記載のプロスタグランジン
F類の製造法。 4、還元反応溶媒としてヘキサメチルオスポリツクトリ
アミド又はジメチルスルホキシドを用いる特許請求の範
囲第1項〜第3項のいずれか1項記載のプロスタグラン
ジンF類の製造法。 5、上記式〔■〕においてR1がメチル基である特許請
求の範囲第1項〜第4項のいずれか1項記載のプロスタ
グランジンF類の製造法。 6、上記式(1)においてR6が水素原子である特許請
求の範囲第1項〜第7項のいずれか1項記載のプロスタ
グランジンF類のi4進法。 7、上記式(1)においてR11がn−ペンチル基。 n−ヘキシル基、2−メチル−1−ヘキシル基、2−メ
チル−2−ヘキシル基、2,2−ジメチル−1−ヘキシ
ル基、シクロペンチル基。 シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシル基。 又はメチル基である特許請求の範囲第1項〜第6項のい
ずれか1項記載のプロスタグランジンF類の製造法。 8、上記式[T)においてR”、R’がt−ブチルジメ
チルシリル基、テトラヒドロビラン−2−イル基、4−
メトキシテトラヒドロピラフ−4−イル基、又は6.6
−シメチルー3−オ七す−2−オキソービシクロ(3,
1,0)ヘキサ−4−イル基で保護された水酸基である
特許請求の範囲第1項〜第7項のいずれか1項記載のプ
ロスタグランジンF類の製造法。 9、上記式〔■〕においてR2がメチル基である特許請
求の範囲第1項〜第8項記載のプロスタグランジンF類
の製造法。 10、下記式(m) で表わされる7−スルホニルオキシプロスタグランジン
E類を還元反応に付して下記式(1)で表わされる7−
スルホニルオキシプロスタグランジンE類を得、次いで
還元反応に付すことを特徴とする下記式(II) 5− で表わされるプロスタグランジンF類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15281082A JPS5942364A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プロスタグランジンf類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15281082A JPS5942364A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プロスタグランジンf類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942364A true JPS5942364A (ja) | 1984-03-08 |
| JPH0141139B2 JPH0141139B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=15548642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15281082A Granted JPS5942364A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プロスタグランジンf類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4886903A (en) * | 1983-10-07 | 1989-12-12 | Teijin Limited | Process for production of prostaglandins D2 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15281082A patent/JPS5942364A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4886903A (en) * | 1983-10-07 | 1989-12-12 | Teijin Limited | Process for production of prostaglandins D2 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141139B2 (ja) | 1989-09-04 |
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