JPS5943834B2 - 半導体受光装置の製造方法 - Google Patents
半導体受光装置の製造方法Info
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- JPS5943834B2 JPS5943834B2 JP57216037A JP21603782A JPS5943834B2 JP S5943834 B2 JPS5943834 B2 JP S5943834B2 JP 57216037 A JP57216037 A JP 57216037A JP 21603782 A JP21603782 A JP 21603782A JP S5943834 B2 JPS5943834 B2 JP S5943834B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゲルマニウム基板を有する半導体受光装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
ゲルマニウムは高温度の熱処理によつてその結晶構造が
乱されやすいという性質を有する。
乱されやすいという性質を有する。
従来よりヒ素（Ａｓ）やアンチモン（Ｓｂ）や亜鉛（Ｚ
ｎ）をゲルマニウム基板に熱拡散することが行なわれて
いるが、これらの拡散温度は高いため、長時間熱処理し
て表面から深くまで拡散層を形成しようとすると、ゲル
マニウム基板に悪影響を与えるという問題があつた。こ
のためゲルマニウム基板に深い不純物層、殊にｐ・形不
純物層を形成することが困難であつた。ところが他方、
近年、１μｍ帯光通信用受光素子としてゲルマニウム受
光素子の必要性が増加してきた。従来のゲルマニウム受
光素子は、第１図に示すように、ｐ形ゲルマニウム基板
１に受光面を構成する高不純物濃度のｎ＋形層２を形成
し、ｎ形ガ５−トリシダ層３を設け、ゲルマニウム基板
１の表面はｎ＋形層２以外の部分が二酸化シリコン層（
ＳｉＯ２）４によつて被覆されていた。
ｎ）をゲルマニウム基板に熱拡散することが行なわれて
いるが、これらの拡散温度は高いため、長時間熱処理し
て表面から深くまで拡散層を形成しようとすると、ゲル
マニウム基板に悪影響を与えるという問題があつた。こ
のためゲルマニウム基板に深い不純物層、殊にｐ・形不
純物層を形成することが困難であつた。ところが他方、
近年、１μｍ帯光通信用受光素子としてゲルマニウム受
光素子の必要性が増加してきた。従来のゲルマニウム受
光素子は、第１図に示すように、ｐ形ゲルマニウム基板
１に受光面を構成する高不純物濃度のｎ＋形層２を形成
し、ｎ形ガ５−トリシダ層３を設け、ゲルマニウム基板
１の表面はｎ＋形層２以外の部分が二酸化シリコン層（
ＳｉＯ２）４によつて被覆されていた。
ゲルマニウム基板を用いて受光素子を構成すると、シリ
コンを用いたときよりも基板中で発生した少数キャリア
がｐｎ接合の空乏層まで拡散することによつて生じる拡
散電流が大となる。室温における暗電流は大部分がこの
拡散電流に起因するから、ゲルマニウム受光素子は暗電
流が大きいという欠点を有していた。その上、二酸化シ
リコン層４内に帯電された正電荷の作用で、これと接す
るｐ形ゲ）Ｌ−■ニウム基板１の表面にはｎ形反転層が
生じてしまう。このため、ｐｎ接合の空乏層は反転層に
沿つて横方向に拡がり、等価的な接合面積が増大するた
め、拡散電流や表面もれ電流を増加させていた。しかる
に、ゲルマニウム基板にｐ形不純物、層を低温度で形成
する適当な方法がなかつたのでｎ形反転層を防止する有
効な方法が見い出されていなかつた。第２図は他の従来
のゲルマニウム受光素子を示すもので、ｎ形ゲルマニウ
ム基板５にボロンＢをイオン注入してｐ＋形層６を形成
し、亜鉛Ｚｎを熱拡散してｐ形ガードリング層Ｔを形成
したものである。この従来例では亜鉛は８００℃以上の
高温で熱処理されるのでゲルマニウム結晶に悪影響を与
えて暗電流は大となる。さらに亜鉛は拡散係数が比較的
小さいので、ガードリング層７の断面の曲率半径が比較
的小となり電界の集中が起こり、また亜鉛の不純物濃度
は比較的高いので、空乏層はｎ形ゲルマニウム基板５の
方向に主として拡がるだけなので耐圧が低いという欠点
があつた。本発明は上述の従来の欠点に鑑みて、ｎ形ゲ
ルマニウム基板に低温度で深いｐ形ガードリング層を形
成することにより、低暗電流化を図り、耐圧を向上した
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本
発明の目的は、ｎ形ゲルマニウム基板にベリリウムＢｅ
をイオン注入してｐ形ガードリング層を形成する工程と
、該ｎ形ゲルマニウム基板の表面において前記ｐ形ガー
ドリング層の内側に、該ｐ形ガードリング層に接して高
不純物濃度のｐ形層を形成する工程とを有することによ
り達成される。
コンを用いたときよりも基板中で発生した少数キャリア
がｐｎ接合の空乏層まで拡散することによつて生じる拡
散電流が大となる。室温における暗電流は大部分がこの
拡散電流に起因するから、ゲルマニウム受光素子は暗電
流が大きいという欠点を有していた。その上、二酸化シ
リコン層４内に帯電された正電荷の作用で、これと接す
るｐ形ゲ）Ｌ−■ニウム基板１の表面にはｎ形反転層が
生じてしまう。このため、ｐｎ接合の空乏層は反転層に
沿つて横方向に拡がり、等価的な接合面積が増大するた
め、拡散電流や表面もれ電流を増加させていた。しかる
に、ゲルマニウム基板にｐ形不純物、層を低温度で形成
する適当な方法がなかつたのでｎ形反転層を防止する有
効な方法が見い出されていなかつた。第２図は他の従来
のゲルマニウム受光素子を示すもので、ｎ形ゲルマニウ
ム基板５にボロンＢをイオン注入してｐ＋形層６を形成
し、亜鉛Ｚｎを熱拡散してｐ形ガードリング層Ｔを形成
したものである。この従来例では亜鉛は８００℃以上の
高温で熱処理されるのでゲルマニウム結晶に悪影響を与
えて暗電流は大となる。さらに亜鉛は拡散係数が比較的
小さいので、ガードリング層７の断面の曲率半径が比較
的小となり電界の集中が起こり、また亜鉛の不純物濃度
は比較的高いので、空乏層はｎ形ゲルマニウム基板５の
方向に主として拡がるだけなので耐圧が低いという欠点
があつた。本発明は上述の従来の欠点に鑑みて、ｎ形ゲ
ルマニウム基板に低温度で深いｐ形ガードリング層を形
成することにより、低暗電流化を図り、耐圧を向上した
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本
発明の目的は、ｎ形ゲルマニウム基板にベリリウムＢｅ
をイオン注入してｐ形ガードリング層を形成する工程と
、該ｎ形ゲルマニウム基板の表面において前記ｐ形ガー
ドリング層の内側に、該ｐ形ガードリング層に接して高
不純物濃度のｐ形層を形成する工程とを有することによ
り達成される。
本発明者は、ゲルマニウム基板に各種の不純物をイオン
注入して調べたところ、ベリリウムをイオン注入したと
き第３図に示すような不純物濃度分布が得られることを
見い出した。
注入して調べたところ、ベリリウムをイオン注入したと
き第３図に示すような不純物濃度分布が得られることを
見い出した。
曲線Ａ，Ｂは加速電圧１００ＫｅＶで、ドーズ量はそれ
ぞれ５Ｘ１０１４礪二２と２×１０１４丁２の場合、ま
た曲線Ｃ，Ｄは加速電圧５０Ｋｅでドーズ量はそれぞれ
１×１０１４ｍ１と５×１０１３ｃｍ−２の場合を示す
。いずれも、ウエハ不純物濃度４×１０１５ａ「３で、
６４６すＣ１時間の熱処理を加えたものである。この不
純物濃度分布によれば、たとえば曲線Ａは、ベリリウム
が表面付近で１０１８丁３以上の高キヤリア濃度を示し
、表面から深さ方向に沿つて濃度は急に低下するが、そ
の後、低濃度領域が伸びて１２μｍ程の深さまで達する
ことがわかる。他の曲線Ｂ，Ｃ，Ｄもほぼ同様な不純物
濃度分布を示す。これに対して、ゲルマニウム基板にヒ
素をイオン注入したときは、加速電圧１５０ＫｅＶ１ド
ーズ量５×１０１３１，６９５℃で４時間熱処理しても
表面濃度約１０１８０ｆｎ−３，拡散深さ１．５μｍ程
度である。したがつて、ゲルマニウム基板にベリリウム
をイオン注入することにより、ヒ素やアンチモンを熱拡
散する場合に比べれば匁論のことヒ素や亜鉛をイオン注
入する場合に比べても、低温度にて、表面高濃度でかつ
表面から深くまで伸びた低濃度の不純物層を形成できる
ものである。
ぞれ５Ｘ１０１４礪二２と２×１０１４丁２の場合、ま
た曲線Ｃ，Ｄは加速電圧５０Ｋｅでドーズ量はそれぞれ
１×１０１４ｍ１と５×１０１３ｃｍ−２の場合を示す
。いずれも、ウエハ不純物濃度４×１０１５ａ「３で、
６４６すＣ１時間の熱処理を加えたものである。この不
純物濃度分布によれば、たとえば曲線Ａは、ベリリウム
が表面付近で１０１８丁３以上の高キヤリア濃度を示し
、表面から深さ方向に沿つて濃度は急に低下するが、そ
の後、低濃度領域が伸びて１２μｍ程の深さまで達する
ことがわかる。他の曲線Ｂ，Ｃ，Ｄもほぼ同様な不純物
濃度分布を示す。これに対して、ゲルマニウム基板にヒ
素をイオン注入したときは、加速電圧１５０ＫｅＶ１ド
ーズ量５×１０１３１，６９５℃で４時間熱処理しても
表面濃度約１０１８０ｆｎ−３，拡散深さ１．５μｍ程
度である。したがつて、ゲルマニウム基板にベリリウム
をイオン注入することにより、ヒ素やアンチモンを熱拡
散する場合に比べれば匁論のことヒ素や亜鉛をイオン注
入する場合に比べても、低温度にて、表面高濃度でかつ
表面から深くまで伸びた低濃度の不純物層を形成できる
ものである。
本発明の方法によれば、少くとも７００℃以下の温度で
ｐ形不純物層を形成できるので、ゲルマニウム基板の結
晶構造が悪影響を受けて暗電流が増加することを抑制で
きる。第４図は本発明にかかるゲルマニウム受光素子の
製造方法の一実施例を示す。
ｐ形不純物層を形成できるので、ゲルマニウム基板の結
晶構造が悪影響を受けて暗電流が増加することを抑制で
きる。第４図は本発明にかかるゲルマニウム受光素子の
製造方法の一実施例を示す。
ｐ形ゲルマニウム基板１１（ａ図）の表面を二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）からなる酸化膜１２で被覆し、通常の
フオトエツチング技術により窓開けし、７５０℃で２．
５時間アンチモン拡散を行なつて、ｎ形ガードリング層
１３を形成する（ｂ図）。次に再び表面を酸化膜１４で
被覆したあと、ガードリング層１３の外側の部分を窓開
けし、ベリリウムをイオン注入により加速電圧１００Ｋ
ｅＶ１ドーズ量２Ｘ１０１Ｓ「２で基板１１に打ち込ん
だのち（ｃ図）、表面を酸化膜で被覆してから、６４６
℃で１時間の熱処理を加えることにより、活性化して拡
散を行ないｐ形チヤンネルストツパ層１５を形成する（
ｄ図）。第２図の不純物濃度分布から明らかなように、
ベリリウムは表面付近で高濃度すなわち約１０１８−？
しかも表面から深くまで、すなわち１０１６ｃＴｎ−３
の濃度のゲルマニウム基板の場合約６μｍまで拡散され
る。次にガードリング層１３の内側の酸化膜を除去し、
ヒ素を６２０℃で１８分拡散し、３０００〜４０００人
の薄さで高不純物濃度を有するｎ＋形層１６を形成する
（ｅ図）。ｎ＋形層１６の表面は受光面として作用する
。次に、アルミニウムＡｌ電極１７をガードリング層１
３の表面に蒸着する（ｆ図）。なお、ガードリング層１
３はｎ＋形層１６の周辺部の耐圧を高めるためのもので
ある。また、ｐ形ゲルマニウム基板１１に対する電極は
、受光素子の裏面に金メツキしたステムをボンデイング
することにより設けられるもので図示を省略した。以上
のようにして製造されたゲルマニウム受光素子は、ｐ形
ゲルマニウム基板１１に形成されたｎ＋形層１６からな
り、少くともｎ＋形層よりも深い、望ましくは５μｍ以
上の深さを有するベリリウムのイオン注入で形成された
チヤンネルストツパ層１５を有するものである。
コン（ＳｉＯ２）からなる酸化膜１２で被覆し、通常の
フオトエツチング技術により窓開けし、７５０℃で２．
５時間アンチモン拡散を行なつて、ｎ形ガードリング層
１３を形成する（ｂ図）。次に再び表面を酸化膜１４で
被覆したあと、ガードリング層１３の外側の部分を窓開
けし、ベリリウムをイオン注入により加速電圧１００Ｋ
ｅＶ１ドーズ量２Ｘ１０１Ｓ「２で基板１１に打ち込ん
だのち（ｃ図）、表面を酸化膜で被覆してから、６４６
℃で１時間の熱処理を加えることにより、活性化して拡
散を行ないｐ形チヤンネルストツパ層１５を形成する（
ｄ図）。第２図の不純物濃度分布から明らかなように、
ベリリウムは表面付近で高濃度すなわち約１０１８−？
しかも表面から深くまで、すなわち１０１６ｃＴｎ−３
の濃度のゲルマニウム基板の場合約６μｍまで拡散され
る。次にガードリング層１３の内側の酸化膜を除去し、
ヒ素を６２０℃で１８分拡散し、３０００〜４０００人
の薄さで高不純物濃度を有するｎ＋形層１６を形成する
（ｅ図）。ｎ＋形層１６の表面は受光面として作用する
。次に、アルミニウムＡｌ電極１７をガードリング層１
３の表面に蒸着する（ｆ図）。なお、ガードリング層１
３はｎ＋形層１６の周辺部の耐圧を高めるためのもので
ある。また、ｐ形ゲルマニウム基板１１に対する電極は
、受光素子の裏面に金メツキしたステムをボンデイング
することにより設けられるもので図示を省略した。以上
のようにして製造されたゲルマニウム受光素子は、ｐ形
ゲルマニウム基板１１に形成されたｎ＋形層１６からな
り、少くともｎ＋形層よりも深い、望ましくは５μｍ以
上の深さを有するベリリウムのイオン注入で形成された
チヤンネルストツパ層１５を有するものである。
本発明の上記実施例に従うゲルマニウム受光素子では、
チヤンネルストツパ層１５が酸化膜１４と接する部分の
ベリリウムによるｐ形キヤリア濃度が高いので、ｎ形反
転層が形成されることはない。
チヤンネルストツパ層１５が酸化膜１４と接する部分の
ベリリウムによるｐ形キヤリア濃度が高いので、ｎ形反
転層が形成されることはない。
このため空乏層が横方向に広がらないから、拡散電流お
よび表面もれ電流を小とできる。また、ｐ形チヤンネル
ストツパ層１５は表面から深くまで伸びるので、ｐ形ゲ
ルマニウム基板１１よりも高い不純物濃度を有する領域
が大となる。高不純物濃度領域では、少数キヤリアすな
わちここでは電子による拡散電流は減少するから、ｐ形
チヤンネルストツパ層１５によつてｐ形ゲルマニウム基
板１１の拡散電流を小とできる。チヤンネルストツパ層
のない従来の受光素子は、約１０プＡの暗電流が生じた
のに対して、本発明によつて製造された受光素子では暗
電流を約１０−６Ａに低下できるので、受光素子の最低
受光レベルを低くすることができる。なお、第４図に示
した製造工程において、イオン注入されたベリリウムの
熱処理工程（ｄ図）と、ヒ素の熱拡散によるｎ＋形層１
６の形成工程（ｅ図）とを同時に行なつてもよい。
よび表面もれ電流を小とできる。また、ｐ形チヤンネル
ストツパ層１５は表面から深くまで伸びるので、ｐ形ゲ
ルマニウム基板１１よりも高い不純物濃度を有する領域
が大となる。高不純物濃度領域では、少数キヤリアすな
わちここでは電子による拡散電流は減少するから、ｐ形
チヤンネルストツパ層１５によつてｐ形ゲルマニウム基
板１１の拡散電流を小とできる。チヤンネルストツパ層
のない従来の受光素子は、約１０プＡの暗電流が生じた
のに対して、本発明によつて製造された受光素子では暗
電流を約１０−６Ａに低下できるので、受光素子の最低
受光レベルを低くすることができる。なお、第４図に示
した製造工程において、イオン注入されたベリリウムの
熱処理工程（ｄ図）と、ヒ素の熱拡散によるｎ＋形層１
６の形成工程（ｅ図）とを同時に行なつてもよい。
次に、第５図は本発明による受光素子の製造方法の他の
実施例を示す。
実施例を示す。
ｎ形ゲルマニウム基板２１（ａ図）の表面を二酸シリコ
ンよりなる酸化膜２２で被覆し、これに通常のフオトエ
ツチング技術により窓開けしてベリリウムを加速電圧５
０ＫｅＶ１ドーズ量１×１０１４１でイオン注入して（
ｂ図）、ｐ形ガードリング層２３を形成し、酸化膜２２
を窓開けしてインジニウムＩｎを加速電圧９０ＫｅＶ１
ドーズ量２Ｘ１０１３ｃｍ−２でイオン注入し（ｃ図）
、ｐ＋形層２４を形成する（ｄ図）。
ンよりなる酸化膜２２で被覆し、これに通常のフオトエ
ツチング技術により窓開けしてベリリウムを加速電圧５
０ＫｅＶ１ドーズ量１×１０１４１でイオン注入して（
ｂ図）、ｐ形ガードリング層２３を形成し、酸化膜２２
を窓開けしてインジニウムＩｎを加速電圧９０ＫｅＶ１
ドーズ量２Ｘ１０１３ｃｍ−２でイオン注入し（ｃ図）
、ｐ＋形層２４を形成する（ｄ図）。
そして、表面を酸化膜２２で被覆し、６４６℃で１時間
熱処理を行ない、ｐ形ガードリング層２３を深さ約６μ
ｍに形成する。また、同時にｐ＋形層２４は約１０００
への薄さで１０１８Ｃ７！ｌ−３程の高濃度に形成され
る。次にｐ＋形層２４の表面の酸化膜を除去し（ｅ図）
、受光面として作用させるとともに、ガードリング層２
３の表面にアルミニウムを蒸着することにより電極２５
を取り付ける。以上のように製造されたゲルマニウム受
光素子はｎ形ゲルマニウム基板２１とｐ＋形層２４およ
びｐ形ガードリング層２３とからなる。
熱処理を行ない、ｐ形ガードリング層２３を深さ約６μ
ｍに形成する。また、同時にｐ＋形層２４は約１０００
への薄さで１０１８Ｃ７！ｌ−３程の高濃度に形成され
る。次にｐ＋形層２４の表面の酸化膜を除去し（ｅ図）
、受光面として作用させるとともに、ガードリング層２
３の表面にアルミニウムを蒸着することにより電極２５
を取り付ける。以上のように製造されたゲルマニウム受
光素子はｎ形ゲルマニウム基板２１とｐ＋形層２４およ
びｐ形ガードリング層２３とからなる。
この実施例に従うゲルマニウム受光素子は、ｐ形ガード
リング層２３の深さが５岬以上と深く形成できるのでｐ
形ガードリング層２３の断面の曲率半径は大とでき、ま
た、ｐ形ガードリング層２３のキヤリア濃度は１０］６
０ＩｒＬ６と比較的低いので、空乏層はｐ形ガードリン
グ層２３とｎ形ゲルマニウム基板２１との両方に向かつ
て広がる。
リング層２３の深さが５岬以上と深く形成できるのでｐ
形ガードリング層２３の断面の曲率半径は大とでき、ま
た、ｐ形ガードリング層２３のキヤリア濃度は１０］６
０ＩｒＬ６と比較的低いので、空乏層はｐ形ガードリン
グ層２３とｎ形ゲルマニウム基板２１との両方に向かつ
て広がる。
このため、耐圧が高くなる。さらに、ｎ形ゲルマニウム
基板にｐ形ガードリング層、ｐ＋形層を形成しているの
で、ｐ形ゲルマニウム基板を使用した場合よりも低雑音
にできる。以上説明したように本発明によれば、ｎ型ゲ
ルマニウム基板にベリリウムをイオン注入することによ
り、７００℃以下の低温度でｐ形ガードリング層を形成
できるので、低暗電流を達成でき、さらに、該ｐ形ガー
ドリング層は深さが深くかつキヤリア濃度が比較的低い
ので高耐圧化が図れる半導体装置の製造方法を提供でき
る。
基板にｐ形ガードリング層、ｐ＋形層を形成しているの
で、ｐ形ゲルマニウム基板を使用した場合よりも低雑音
にできる。以上説明したように本発明によれば、ｎ型ゲ
ルマニウム基板にベリリウムをイオン注入することによ
り、７００℃以下の低温度でｐ形ガードリング層を形成
できるので、低暗電流を達成でき、さらに、該ｐ形ガー
ドリング層は深さが深くかつキヤリア濃度が比較的低い
ので高耐圧化が図れる半導体装置の製造方法を提供でき
る。
第１図及び第２図には従来の受光素子を示す断面図、第
３図はベリリウムをゲルマニウム基板にイオン注入した
場合の不純物濃度分布を示す図、第４図は本発明の製造
方法の一実施例を示す工程図、第５図は本発明の製造方
法の他の実施例を示す工程図である。 １１・・・・・・ｐ形ゲルマニウム基板、１３・・・・
・・ｎ形ガードリング層、１５・・・・・・ｐ形チヤン
ネルストツパ層、１６・・・・・・ｎ＋形層、２１・・
・・・・ｎ形ゲルマニウム基板、２３・・・・・・ｐ形
ガードリング層、２４・・・・・・ｐ＋形層。
３図はベリリウムをゲルマニウム基板にイオン注入した
場合の不純物濃度分布を示す図、第４図は本発明の製造
方法の一実施例を示す工程図、第５図は本発明の製造方
法の他の実施例を示す工程図である。 １１・・・・・・ｐ形ゲルマニウム基板、１３・・・・
・・ｎ形ガードリング層、１５・・・・・・ｐ形チヤン
ネルストツパ層、１６・・・・・・ｎ＋形層、２１・・
・・・・ｎ形ゲルマニウム基板、２３・・・・・・ｐ形
ガードリング層、２４・・・・・・ｐ＋形層。
Claims (1)
- １ ｎ形ゲルマニウム基板にベリリウムをイオン注入し
てｐ形ガードリング層を形成する工程と、該ｎ形ゲルマ
ニウム基板の表面において前記ｐ形ガードリング層の内
側に該ｐ形ガードリング層に接して該ｐ形ガードリング
層より高不純物濃度のｐ形層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216037A JPS5943834B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216037A JPS5943834B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体受光装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12504779A Division JPS5649523A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151074A JPS58151074A (ja) | 1983-09-08 |
| JPS5943834B2 true JPS5943834B2 (ja) | 1984-10-24 |
Family
ID=16682290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57216037A Expired JPS5943834B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943834B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296541U (ja) * | 1989-01-14 | 1990-08-01 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57216037A patent/JPS5943834B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296541U (ja) * | 1989-01-14 | 1990-08-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58151074A (ja) | 1983-09-08 |
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