JPS596861B2 - 5−〔(2−ハロゲノ−1−ヒドロキシ)アルキル〔カルボスチリル誘導体の製造法 - Google Patents
5−〔(2−ハロゲノ−1−ヒドロキシ)アルキル〔カルボスチリル誘導体の製造法Info
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Landscapes
- Quinoline Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は5−〔(2−ハロゲノー1−ヒドロキ5 シ)
アルキル〕カルボスチリル誘導体の製造法に関する。
アルキル〕カルボスチリル誘導体の製造法に関する。
本発明により得られる5−〔(2−ハロゲノー1−ヒド
ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体は一般式〔式
中R1、R2及びR3は同一又は異なつて水素原子、C
1〜C3の低級アルキル基を示し、Xはハロゲン原子を
示す。
ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体は一般式〔式
中R1、R2及びR3は同一又は異なつて水素原子、C
1〜C3の低級アルキル基を示し、Xはハロゲン原子を
示す。
3・4位の点線は飽和結合又は二重結合を示す。
〕で表わされる化合物である。本発明の上記化合物は新
規化合物であり、該化合物に例えばアルキルアミンを反
応させて気管支拡張薬、末梢血管拡張薬及び脳血管拡張
薬として有用な5−〔(2−アルキルアミノ−1−ヒド
ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体を合成するた
めの中間体として重要である。本発明に係る5−〔(2
−ハロゲノ一1−ヒドロキシ)アルキル〕カルボスチリ
ル誘導体は一般式〔式中R1、R2、R3及び3.4位
の点線は上記に同じ〕で表わされる5−(1・2−エポ
キシアルキル)カルボスチリル誘導体と一般式〔式中X
は上記に同じ〕で表わされるハロゲン化水素酸とを反応
させることにより製造される。
規化合物であり、該化合物に例えばアルキルアミンを反
応させて気管支拡張薬、末梢血管拡張薬及び脳血管拡張
薬として有用な5−〔(2−アルキルアミノ−1−ヒド
ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体を合成するた
めの中間体として重要である。本発明に係る5−〔(2
−ハロゲノ一1−ヒドロキシ)アルキル〕カルボスチリ
ル誘導体は一般式〔式中R1、R2、R3及び3.4位
の点線は上記に同じ〕で表わされる5−(1・2−エポ
キシアルキル)カルボスチリル誘導体と一般式〔式中X
は上記に同じ〕で表わされるハロゲン化水素酸とを反応
させることにより製造される。
本発明の出発物質即ち式(1)で表わされる化合物は新
規化合物であり、例えば次のようにして得られる。即ち
第1工程は一般式〔式中R1、R2及び3・4位の点線
は上記に同じ〕で表わされる公知のカルボスチリル誘導
体と、般式〔式中R3は上記に同じ、X牡ハロゲン原子
を示す〕で表わされる酸ハライドとを公知のフリーデル
ークラフツ触媒の存在下で反応させる。
規化合物であり、例えば次のようにして得られる。即ち
第1工程は一般式〔式中R1、R2及び3・4位の点線
は上記に同じ〕で表わされる公知のカルボスチリル誘導
体と、般式〔式中R3は上記に同じ、X牡ハロゲン原子
を示す〕で表わされる酸ハライドとを公知のフリーデル
ークラフツ触媒の存在下で反応させる。
次いで第2工程は、ハロゲン分子又はハロゲン化剤を用
いて第1工程で得られた一般式〔式中R1、R2、R3
及び3・4位の点線は上記に同じ〕で表わされる5−ア
ルカノイルカルボスチリル誘導体をハロゲン化する。
いて第1工程で得られた一般式〔式中R1、R2、R3
及び3・4位の点線は上記に同じ〕で表わされる5−ア
ルカノイルカルボスチリル誘導体をハロゲン化する。
最後に第3工程では公知の還元剤を用いて第2工程で得
られた一般式〔式中R1、R2、R3、3.4位め点線
及びXは上記に同じ〕で表わされる5−d−ハロゲノア
ルカノイルカルボスチリル誘導体を還元する。
られた一般式〔式中R1、R2、R3、3.4位め点線
及びXは上記に同じ〕で表わされる5−d−ハロゲノア
ルカノイルカルボスチリル誘導体を還元する。
以下第1工程、第2工程及び第3工程について詳しく説
明する。第1工程の出発物質である式()で表わされる
化合物は公知のカルボスチリル誘導体である。
明する。第1工程の出発物質である式()で表わされる
化合物は公知のカルボスチリル誘導体である。
第1工程の他の1方の出発物質である式()で表わされ
る化合物も公知の酸ハライドであつて、具体例としては
例えばハロゲン化アセチル、・・口ゲン化プロピオニル
、ハロゲン化−n−ブチリル等が挙げられ、ハロゲン原
子としては塩素、臭素等が挙げられる。式()で表わさ
れる化合物及び式()で表わされる化合物の使用割合は
、通常前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好ましく
は等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。第1工程に用
いられるフリーデルークラフッ触媒としては公知のもの
が使用され例えば無水塩化アルミニウム、チタンクロラ
イド等が挙げられる。式()で表わされる化合物及びフ
リーデルークラフツ触媒の使用割合は、通常前者に対し
て後者を等モル〜5倍モル、好ましくは等モル〜4倍モ
ル用いるのが望ましい。第1工程に於ける反応はジクロ
ロエタン、ジクロロメタン等のハロゲン化アルキル、二
硫化炭素、ニトロベンゼン等の溶媒の存在下あるいは過
剰の酸ハライドを溶媒として行なわれる。
る化合物も公知の酸ハライドであつて、具体例としては
例えばハロゲン化アセチル、・・口ゲン化プロピオニル
、ハロゲン化−n−ブチリル等が挙げられ、ハロゲン原
子としては塩素、臭素等が挙げられる。式()で表わさ
れる化合物及び式()で表わされる化合物の使用割合は
、通常前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好ましく
は等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。第1工程に用
いられるフリーデルークラフッ触媒としては公知のもの
が使用され例えば無水塩化アルミニウム、チタンクロラ
イド等が挙げられる。式()で表わされる化合物及びフ
リーデルークラフツ触媒の使用割合は、通常前者に対し
て後者を等モル〜5倍モル、好ましくは等モル〜4倍モ
ル用いるのが望ましい。第1工程に於ける反応はジクロ
ロエタン、ジクロロメタン等のハロゲン化アルキル、二
硫化炭素、ニトロベンゼン等の溶媒の存在下あるいは過
剰の酸ハライドを溶媒として行なわれる。
第1工程に於て反応温度は通常室温〜120℃、好まし
くは50〜80℃であり、反応時間は通常1〜15時間
、好ましくは3〜10時間でよい。次に第2工程に於て
上記式()で表わされる5−アルカノイルカルボスチリ
ル誘導体のハロゲン化反応はハロゲン分子またはN−ハ
ロゲノコハク酸イミド等の・・ロゲン化剤を用(・て行
なうことができる。
くは50〜80℃であり、反応時間は通常1〜15時間
、好ましくは3〜10時間でよい。次に第2工程に於て
上記式()で表わされる5−アルカノイルカルボスチリ
ル誘導体のハロゲン化反応はハロゲン分子またはN−ハ
ロゲノコハク酸イミド等の・・ロゲン化剤を用(・て行
なうことができる。
式()で表わされる化合物とハロゲン分子若しくはハロ
ゲン化剤との使用割合は、通常前者に対して後者を等モ
ル〜10倍モル、好ましくは等モル〜5倍モル用いるの
が望ましい。ハロゲンとしては塩素、臭素等が挙げられ
る。第2工程に於ける反応に用いられる溶媒はジクロロ
メタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等
のハロゲン化アルキル溶媒が適当である。第2工程に於
て反応温度は通常氷冷下〜反応溶媒の沸点、好ましくは
室温〜40℃であり、この温度で反応は容易に進む。反
応時間は通常1〜10時間である。第2工程の反応に於
て過酸化ベンゾイル、過酸化水素等の過酸化物のような
ラジカル反応開始剤を用いても差支えはない。次に第3
工程に於て用いられる還元剤としては公知のものが広く
使用され例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素化アルミ
ニウムリチウム等が挙げられる。
ゲン化剤との使用割合は、通常前者に対して後者を等モ
ル〜10倍モル、好ましくは等モル〜5倍モル用いるの
が望ましい。ハロゲンとしては塩素、臭素等が挙げられ
る。第2工程に於ける反応に用いられる溶媒はジクロロ
メタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等
のハロゲン化アルキル溶媒が適当である。第2工程に於
て反応温度は通常氷冷下〜反応溶媒の沸点、好ましくは
室温〜40℃であり、この温度で反応は容易に進む。反
応時間は通常1〜10時間である。第2工程の反応に於
て過酸化ベンゾイル、過酸化水素等の過酸化物のような
ラジカル反応開始剤を用いても差支えはない。次に第3
工程に於て用いられる還元剤としては公知のものが広く
使用され例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素化アルミ
ニウムリチウム等が挙げられる。
式()で表わされる化合物及び還元剤の使用割合は還元
剤の種類、温度等に応じて広く適宜に選択できるが、通
常は前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好ましくは
等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。第3工程の反応
に於ける溶媒としては、還元剤として水素化ホウ素ナト
リウムを用いる場合にはカセイソーダ等の塩基性水溶液
、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級
アルコール及び塩基性水溶液との混合溶媒が適当であり
、還元剤として水素化アルミニウムリチウムを用いる場
合にはテトラヒドロフラン、ジグライム等の溶媒を用い
るのがよい。第3工程に於て反応温度は通常0〜50℃
好ましくはO〜30℃で行なうのがよい。反応時間は通
常1〜10時間、好ましくは3〜8時間がよい。式(1
)で表わされる出発物質は上記の如くして得ることがで
きる。
剤の種類、温度等に応じて広く適宜に選択できるが、通
常は前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好ましくは
等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。第3工程の反応
に於ける溶媒としては、還元剤として水素化ホウ素ナト
リウムを用いる場合にはカセイソーダ等の塩基性水溶液
、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級
アルコール及び塩基性水溶液との混合溶媒が適当であり
、還元剤として水素化アルミニウムリチウムを用いる場
合にはテトラヒドロフラン、ジグライム等の溶媒を用い
るのがよい。第3工程に於て反応温度は通常0〜50℃
好ましくはO〜30℃で行なうのがよい。反応時間は通
常1〜10時間、好ましくは3〜8時間がよい。式(1
)で表わされる出発物質は上記の如くして得ることがで
きる。
本発明の他の1方の出発物質であるハロゲン化水素酸は
公知の化合物であつて、塩酸、臭化水素酸等を挙げるこ
とができる。
公知の化合物であつて、塩酸、臭化水素酸等を挙げるこ
とができる。
本発明の反応に用いられるハロゲン化水素酸はガス状で
も用いられるが、一般には塩酸等の水溶液として用いる
のが好ましい。上記式(1)で表わされる化合物とハロ
ゲン化水素酸との使用割合は通常前者に対して後者を過
剰量とする。本発明に於ける反応温度は通常−15〜1
50℃、好ましくは室温ないし100℃が望ましい。
も用いられるが、一般には塩酸等の水溶液として用いる
のが好ましい。上記式(1)で表わされる化合物とハロ
ゲン化水素酸との使用割合は通常前者に対して後者を過
剰量とする。本発明に於ける反応温度は通常−15〜1
50℃、好ましくは室温ないし100℃が望ましい。
反応時間は通常1〜15時間、好ましくは5〜10時間
である。本発明で得られる5−〔(2−ハロゲノ一1ヒ
ドロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体は、下記の
反応行程式に示す方法に従つて、気管支拡張薬、末梢血
管拡張薬及び脳血管拡張薬として有用な式()で表わさ
れる5−〔(2−アルキルアミノ−1−ヒドロキシ)ア
ルキル〕カルボスチリル誘導体を合成することができる
。
である。本発明で得られる5−〔(2−ハロゲノ一1ヒ
ドロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体は、下記の
反応行程式に示す方法に従つて、気管支拡張薬、末梢血
管拡張薬及び脳血管拡張薬として有用な式()で表わさ
れる5−〔(2−アルキルアミノ−1−ヒドロキシ)ア
ルキル〕カルボスチリル誘導体を合成することができる
。
〔式中R1、R2、R3、3・4位の点線及びXは上記
に同じ。
に同じ。
R4及びR5は同一又は異なつて水素原子、C1〜C4
の低級アルキル基を示す。〕本発明の式()で表わされ
る化合物と式()で表わされる化合物との使用割合は通
常前者に対して後者を等モルないし大過剰である。該反
応に於いては原料としてのアミン()が過剰量用いられ
る場合は溶媒として使用される為無溶媒でもよく、又適
当な溶媒を用いて反応を行なつてもよい。この際溶媒と
しては水、メタノール、エタノール、イソプロパノール
、アセトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、テトラヒド
ロフラン等が用いられる。反応温度は通常室温ないし加
熱還流下、好ましくは室温ないし70℃であり、この温
度で反応は容易に進行し好収率で目的化合物である5−
〔(2−アルキルアミノ−1−ヒドロキシ)アルキル〕
カルボスチリル誘導体()が得られる。反応時間は通常
1〜10時間、好ましくは2〜6時間がよい。次に上記
式()で表わされる公知のカルボスチリル誘導体と式(
)で表わされる酸・・ラードとを反応させて式()で表
わされる5−アルカノイルカルボスチリル誘導体を製造
する第1工程の一実施態様、式()で表わされる5−ア
ルカノイルカルボスチリル誘導体をハロゲン化して式(
V)で表わされる5−α−ハロゲノアルカノイルカルボ
スチリル誘導体を製造する第2工程の一実施態様及び式
(V)で表わされる5−α−ハロゲノアルカノイルカル
ボスチリル誘導体を還元して式(1)で表わされる5−
(1・2−エポキシアルキル)カルボスチリル誘導体を
製造する一実施態様をそれぞれ参考例1、参考例2、参
考例3に示し、さらに本発明の実施例を示す。
の低級アルキル基を示す。〕本発明の式()で表わされ
る化合物と式()で表わされる化合物との使用割合は通
常前者に対して後者を等モルないし大過剰である。該反
応に於いては原料としてのアミン()が過剰量用いられ
る場合は溶媒として使用される為無溶媒でもよく、又適
当な溶媒を用いて反応を行なつてもよい。この際溶媒と
しては水、メタノール、エタノール、イソプロパノール
、アセトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、テトラヒド
ロフラン等が用いられる。反応温度は通常室温ないし加
熱還流下、好ましくは室温ないし70℃であり、この温
度で反応は容易に進行し好収率で目的化合物である5−
〔(2−アルキルアミノ−1−ヒドロキシ)アルキル〕
カルボスチリル誘導体()が得られる。反応時間は通常
1〜10時間、好ましくは2〜6時間がよい。次に上記
式()で表わされる公知のカルボスチリル誘導体と式(
)で表わされる酸・・ラードとを反応させて式()で表
わされる5−アルカノイルカルボスチリル誘導体を製造
する第1工程の一実施態様、式()で表わされる5−ア
ルカノイルカルボスチリル誘導体をハロゲン化して式(
V)で表わされる5−α−ハロゲノアルカノイルカルボ
スチリル誘導体を製造する第2工程の一実施態様及び式
(V)で表わされる5−α−ハロゲノアルカノイルカル
ボスチリル誘導体を還元して式(1)で表わされる5−
(1・2−エポキシアルキル)カルボスチリル誘導体を
製造する一実施態様をそれぞれ参考例1、参考例2、参
考例3に示し、さらに本発明の実施例を示す。
さらに式()で表わされる5−〔(2−アルキルアミノ
1−ヒ下ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体の製
造例を参考例4〜7として示す。参考例 1 8−ヒドロキシカルボスチリル10y(0.062モル
)に二硫化炭素20m1及び塩化n−ブチリル187(
0.17モル)を加えて氷冷攪拌下、塩化アルミニウム
257(0.19モル)を少量ずつ加え十分混合する。
1−ヒ下ロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体の製
造例を参考例4〜7として示す。参考例 1 8−ヒドロキシカルボスチリル10y(0.062モル
)に二硫化炭素20m1及び塩化n−ブチリル187(
0.17モル)を加えて氷冷攪拌下、塩化アルミニウム
257(0.19モル)を少量ずつ加え十分混合する。
次に浴温80℃で10時間加熱した後傾斜して二硫化炭
素層を除き、砕水を加えて残留物を結晶化させる。析出
した結晶を沢取し、水洗、乾燥後メタノールより再結晶
して融点225℃(分解点)の5−n−ブチリル一8−
ヒドロキシカルボスチリル12.77を得る。参考例
25−n−ブチリル一8−ヒドロキシカルボスチリル2
3,17(0.1モル)にクロロホルム500m1を加
え、室温攪拌下臭素167(0.1モル)を徐々に滴下
し、臭素の色が消えるまで攪拌を続ける。
素層を除き、砕水を加えて残留物を結晶化させる。析出
した結晶を沢取し、水洗、乾燥後メタノールより再結晶
して融点225℃(分解点)の5−n−ブチリル一8−
ヒドロキシカルボスチリル12.77を得る。参考例
25−n−ブチリル一8−ヒドロキシカルボスチリル2
3,17(0.1モル)にクロロホルム500m1を加
え、室温攪拌下臭素167(0.1モル)を徐々に滴下
し、臭素の色が消えるまで攪拌を続ける。
濃縮乾固した後残留物をメタノールより再結晶して、融
点218〜219℃(分解点)の5(d−ブロモ−n−
ブチリル)−8−ヒドロキシカルボスチリル24,67
を得る。参考例 3 5−(α−プロモブチリル)−8−ヒドロキシカルボス
チリル6.27(0,02モル)をメタノール200m
1に溶解し、水素化ホウ素ナトリウム2.27(0.0
58モル)を溶解させた10%カセイソーダ水溶液20
m1を氷冷攪拌下徐々に滴加する。
点218〜219℃(分解点)の5(d−ブロモ−n−
ブチリル)−8−ヒドロキシカルボスチリル24,67
を得る。参考例 3 5−(α−プロモブチリル)−8−ヒドロキシカルボス
チリル6.27(0,02モル)をメタノール200m
1に溶解し、水素化ホウ素ナトリウム2.27(0.0
58モル)を溶解させた10%カセイソーダ水溶液20
m1を氷冷攪拌下徐々に滴加する。
室温で4時間攪拌後減圧下で濃縮乾固し、残渣に水50
m1を加えさらに塩酸を加えてPH7〜8とし、析出す
る結晶を沢取、水洗、乾燥の後少量のエタノールに溶解
させ氷冷下エーテルを加えて結晶化させることによつて
、融点211〜212℃の無色プリズム結晶5−(1・
2−エポキシブチル)−8−ヒドロキシカルボスチリル
2.7yを得る。実施例 1 5−(1・2−エポキシブチル)−8−ヒドロキシカル
ボスチリル2.67に47%臭化水素酸水溶液50m1
を加え、80℃で4時間攪拌する。
m1を加えさらに塩酸を加えてPH7〜8とし、析出す
る結晶を沢取、水洗、乾燥の後少量のエタノールに溶解
させ氷冷下エーテルを加えて結晶化させることによつて
、融点211〜212℃の無色プリズム結晶5−(1・
2−エポキシブチル)−8−ヒドロキシカルボスチリル
2.7yを得る。実施例 1 5−(1・2−エポキシブチル)−8−ヒドロキシカル
ボスチリル2.67に47%臭化水素酸水溶液50m1
を加え、80℃で4時間攪拌する。
反応終了後減圧下で濃縮乾固しエタノール50m1を加
える。さらに活性炭を加えて脱色し、沢液を濃縮乾固す
る。次いで少量のエタノールを加え氷冷下エーテルを加
えて結晶化し、さらにエタノールから再結晶して融点1
89〜190℃の淡黄色針状結晶5−〔(2−ブロモ−
1−ヒドロキシ)ブチル〕−8−ヒドロキシカルボスチ
リル2.07を得る。実施例 2 5−(1・2−エポキシエチル)−8−メトキシ−1−
メチルカルボスチリル4.07に30%塩酸水溶液10
m1を加え、80℃で8時間撹拌する。
える。さらに活性炭を加えて脱色し、沢液を濃縮乾固す
る。次いで少量のエタノールを加え氷冷下エーテルを加
えて結晶化し、さらにエタノールから再結晶して融点1
89〜190℃の淡黄色針状結晶5−〔(2−ブロモ−
1−ヒドロキシ)ブチル〕−8−ヒドロキシカルボスチ
リル2.07を得る。実施例 2 5−(1・2−エポキシエチル)−8−メトキシ−1−
メチルカルボスチリル4.07に30%塩酸水溶液10
m1を加え、80℃で8時間撹拌する。
反応終了後50m1の水を加え、氷冷して析出する結晶
を沢取し、冷水で洗浄後乾燥する。次いでアセトンから
再結晶して融点166〜167℃の無色粉末状結晶5−
〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕−8−メト
キシ−1−メチルカルボスチリル2.3yを得る。実施
例 3 5−(1・2−エポキシエチル)−8−ヒドロキシカル
ボスチリル3.2′Itを使用し、実施例2と同様にし
て、エタノール一水より再結晶して、5一〔(2−クロ
ロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−ヒドロキシカルボス
チリル1.97を得る。
を沢取し、冷水で洗浄後乾燥する。次いでアセトンから
再結晶して融点166〜167℃の無色粉末状結晶5−
〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕−8−メト
キシ−1−メチルカルボスチリル2.3yを得る。実施
例 3 5−(1・2−エポキシエチル)−8−ヒドロキシカル
ボスチリル3.2′Itを使用し、実施例2と同様にし
て、エタノール一水より再結晶して、5一〔(2−クロ
ロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−ヒドロキシカルボス
チリル1.97を得る。
Mp2O8〜209.5℃実施例 4
5−(1・2−エポキシエチル)−8−ヒドロキシ−3
・4−ジヒドロカルボスチリル3.27を使用し、実施
例2と同様にして、5−〔(2−クロロ−1−ヒドロキ
シ)エチル〕−8−ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカル
ボスチリル1.87を得る。
・4−ジヒドロカルボスチリル3.27を使用し、実施
例2と同様にして、5−〔(2−クロロ−1−ヒドロキ
シ)エチル〕−8−ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカル
ボスチリル1.87を得る。
Mpll2〜115ロC
参考例 4
5−〔(2−フロモー1−ヒドロキシ)ブチル〕8−ヒ
ドロキシカルボスチリル2.07をメタノール50m1
に溶解しイソプロピルアミン30m1を加え、60℃で
2時間反応させる。
ドロキシカルボスチリル2.07をメタノール50m1
に溶解しイソプロピルアミン30m1を加え、60℃で
2時間反応させる。
反応終了後減圧下で濃縮乾固しエタノール20m1を加
えさらに濃縮乾固を繰り返した後、塩酸飽和エタノール
を加え冷却下結晶化させる。さらにエタノールより再結
晶して融点210〜212℃の白色粉末状結晶の5−〔
(2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロキシ)ブチル〕
−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩0.97を得る
。参考例 5 5−〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−メ
トキシ−1−メチルカルボスチリル2.37をイソプロ
パノール50m1に溶解し、イソプロピルアミン10W
LIを加え60℃で5時間攪拌する。
えさらに濃縮乾固を繰り返した後、塩酸飽和エタノール
を加え冷却下結晶化させる。さらにエタノールより再結
晶して融点210〜212℃の白色粉末状結晶の5−〔
(2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロキシ)ブチル〕
−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩0.97を得る
。参考例 5 5−〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−メ
トキシ−1−メチルカルボスチリル2.37をイソプロ
パノール50m1に溶解し、イソプロピルアミン10W
LIを加え60℃で5時間攪拌する。
反応終了後減圧下で濃縮乾固し残渣にエタノール30m
1を加えて濃縮乾固を繰り返した後、アセトン30m1
を加えさらにアセトン溶液に濃塩酸を加えてPHを2〜
3とし冷却下結晶化させる。析出する結晶をf取しエタ
ノールより再結晶して融点178〜180℃の5−〔(
2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロキシ)エチル〕−
8−メトキシ1−メチルカルボスチリル塩酸塩0.87
を得る。参考例 65−〔(2−クロロ−1−ヒドロキ
シ)エチル〕−8−ヒドロキシカルボスチリル3.0V
を70%エチルアミン水溶液50m1に加え60℃で5
時間攪拌する。
1を加えて濃縮乾固を繰り返した後、アセトン30m1
を加えさらにアセトン溶液に濃塩酸を加えてPHを2〜
3とし冷却下結晶化させる。析出する結晶をf取しエタ
ノールより再結晶して融点178〜180℃の5−〔(
2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロキシ)エチル〕−
8−メトキシ1−メチルカルボスチリル塩酸塩0.87
を得る。参考例 65−〔(2−クロロ−1−ヒドロキ
シ)エチル〕−8−ヒドロキシカルボスチリル3.0V
を70%エチルアミン水溶液50m1に加え60℃で5
時間攪拌する。
反応終了後減圧下で濃縮乾固し残渣にエタノール30m
1を加え、更に濃縮乾固を繰り返す。その後塩化水素飽
和エタノール30meを加え冷却下エーテルを加えて結
晶化させる。さらにメタノール−エーテルより再結晶し
て融点190〜192℃の白色粉末状結晶の5−〔(2
−エチルアミノ−1−ヒドロキシ)エチル〕−8−ヒド
ロキシカルボスチリル塩酸塩1.37を得る。参考例
75−〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−
ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリルを用い、
参考例6と同様にして5−〔(2イソプロピルアミノ−
1−ヒドロキシ)エチル〕8−ヒドロキシ−3・4−ジ
ヒドロカルボスチリル塩酸塩を得る。
1を加え、更に濃縮乾固を繰り返す。その後塩化水素飽
和エタノール30meを加え冷却下エーテルを加えて結
晶化させる。さらにメタノール−エーテルより再結晶し
て融点190〜192℃の白色粉末状結晶の5−〔(2
−エチルアミノ−1−ヒドロキシ)エチル〕−8−ヒド
ロキシカルボスチリル塩酸塩1.37を得る。参考例
75−〔(2−クロロ−1−ヒドロキシ)エチル〕8−
ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリルを用い、
参考例6と同様にして5−〔(2イソプロピルアミノ−
1−ヒドロキシ)エチル〕8−ヒドロキシ−3・4−ジ
ヒドロカルボスチリル塩酸塩を得る。
白色粉末状結晶(エタノールアセトンより再結晶)、M
pl99〜201℃
pl99〜201℃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1、R^2及びR^3は同一又は異なつて水
素原子、C_1〜C_3の低級アルキル基を示す。 3・4位の点線は飽和結合又は二重結合を示す。 〕で表わされる5−(1・2−エポキシアルキル)カル
ボスチリル誘導体と一般式HX 〔式中Xはハロゲン原子を示す〕で表わされるハロゲン
化水素酸とを反応させることを特徴とする、一般式▲数
式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1、R^2、R^3、3.4位の二重結合及
びXは上記に同じ〕で表わされる5−〔(2−ハロゲノ
−1−ヒドロキシ)アルキル〕カルボスチリル誘導体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005575A JPS596861B2 (ja) | 1975-05-19 | 1975-05-19 | 5−〔(2−ハロゲノ−1−ヒドロキシ)アルキル〔カルボスチリル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005575A JPS596861B2 (ja) | 1975-05-19 | 1975-05-19 | 5−〔(2−ハロゲノ−1−ヒドロキシ)アルキル〔カルボスチリル誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51136679A JPS51136679A (en) | 1976-11-26 |
| JPS596861B2 true JPS596861B2 (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=13131003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005575A Expired JPS596861B2 (ja) | 1975-05-19 | 1975-05-19 | 5−〔(2−ハロゲノ−1−ヒドロキシ)アルキル〔カルボスチリル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596861B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127697A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-07 | 日本シイエムケイ株式会社 | 片面プリント配線基板とその製造法 |
| JPS61168292A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | オ−ケ−プリント配線株式会社 | プリント配線基板 |
| JPS61265890A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | 日本シイエムケイ株式会社 | プリント配線板とシ−ルド用トナ− |
| JPS62124896U (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-08 | ||
| JPS63111699A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-16 | 新神戸電機株式会社 | 金属箔張積層板の製造法 |
| JPS6472585A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Iwatsu Electric Co Ltd | Printed wiring board structure |
| JPS6480094A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-24 | Nippon Cmk Kk | Printed wiring board |
| JPH02288295A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH0380598A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Nec Gumma Ltd | プリント配線基板のシールド構造 |
-
1975
- 1975-05-19 JP JP6005575A patent/JPS596861B2/ja not_active Expired
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127697A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-07 | 日本シイエムケイ株式会社 | 片面プリント配線基板とその製造法 |
| JPS61168292A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | オ−ケ−プリント配線株式会社 | プリント配線基板 |
| JPS61265890A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | 日本シイエムケイ株式会社 | プリント配線板とシ−ルド用トナ− |
| JPS62124896U (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-08 | ||
| JPS63111699A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-16 | 新神戸電機株式会社 | 金属箔張積層板の製造法 |
| JPS6472585A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Iwatsu Electric Co Ltd | Printed wiring board structure |
| JPS6480094A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-24 | Nippon Cmk Kk | Printed wiring board |
| JPH02288295A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH0380598A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Nec Gumma Ltd | プリント配線基板のシールド構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51136679A (en) | 1976-11-26 |
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