JPS5986268A - 変調ド−ピング層を動作層とするシヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、高速動作トランジスターとして使用するショ
ットキーゲート型電界効果トランジスターに関する。

〔従来技術と問題点〕

ショットキー型トランジスターにおいては、従来、深さ
方向に均一にドーピングされたエピタキシャル層を用い
て、ショットキー電極を設けた構造で、空乏層幅をより
小さくするためには、ショットキー電極をより微細化す
ることが要求される。

しかし、現状において、このショットキーゲート電極幅
は、ａ／〜ａ３．１１　ｔｍにまで到達しているが、こ
れ以上の微細化を行うことは、技術的に極めて困極接合
部分での空乏層幅をより小さくすることが望まれている
。

〔発明の構成〕

本発明は上記の点に鑑みなされたショットキーゲート型
電界効果トランジスターで、その特徴は、深さ方向に変
調ドーピングされた層を動作層とする構造にある。

〔実施例〕

本発明のショットキーゲート型電界効果トランジスター
の断面図を第１図に示して説明する。

動作層であるエピタキシャル層６において、変調ドーピ
ングを行い、エピタキシャル層内に極薄（０，００／〜
Ｏ，／　、ｆｆ　ｍ　’）の低ドーピング層４を形成し
、凸状に加工した後、さらにその周囲にショットキー電
極２を設けることによってエピタキシャル１３内の空乏
層を、低ドーピング層４に優先的に広げることが可能と
なる。この結果、極めて空乏層幅（第１図では電流方向
が縦型のトランジスターであるので、空乏層厚と表現し
た方が正確であるが、こ＼では電流方向が横型のトラン
ジスターに合わ第２図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の電界
効果トランジスターの製造′プロセスについての説明図
である。

第２図（ａ）に示すようにｎ型Ｇａ　Ａｓ基板１０（キ
ャリア密度／　Ｘ　１０”ｃｍ−’）上にｓｎドープｎ
型ＧａＡｓエピタキシ・ヤル層８（キャリア密度／ｘ１
０ａｎ、厚さ／、ｕｍ）を形成する際、途中、変調ドー
ピングを行うことによって、深さａｊ；　、ａ　ｍのと
ころに、ノンドープｎ型ＧａＡＳ層９（キャリア密度３
；×１０ｃｍ、厚さＱ、／、ｕｍ）を設ける。次に第２
図（ｂ）に示すようにエピタキシャル層表面にｌＡＱｐ
ｍφのＳ１０．Ｌｌｌを形成した後、スパッタエツチン
グにより、／、ｕｍ深さまでエツチングを施し、第２図
（（：）のような凸状部分を形成する。

その後、第２図（ｄ）　、　（ｅ）に示すように５ＩＯ
２絶縁膜１２、Ａｉ電極膜１６をそれぞれ０３．ａｍづ
〈順に形成した後、Ｓ１０□を化学エツチングすること
により、第２図げ）のようになり、さらにオーミック電
極としてＡｕ　−Ｇｅ　−Ｎｉ　１４を蒸着することに
より、最終的に第２図（ｇ）の構造が得られた。この製
造プロセスにおいて、前述したような従来法におけるシ
ョットＧａ５ｈ等の材料あるいは他の変調ドーピング動
作層作製できる材料であれば、本発明のトランジスター
の構造ならびにその製造方法も実施例に述べたような単
純な構造あるいは方法に限定されるものではない。

〔効果〕

本発明の効果は、ショットキーゲート型電界効り簡単な
方法で増大することができることである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のショットキーゲート型電界効果トラ
ンジスターの実施例断面図、第２図（ａ）〜（ｇ）は本
発明の製造プロセスについての説明図である。 １．７．１４・・・オーミック電！、２．１３・、ショ
ク）　キー電ｔｉＬ　３１８・・・半導体エピタキシャ
ル層、４．９・・・ノンドープエピタキシャルＪｉ、５
，１１．１２・・・絶縁膜、６．１０・・・半導体基板
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　半導体基板表面上に、深さ方向に変調ドーピング
   されたエピタキシャル層を動作層として形成し、さらに
   、このエピタキシャル層を凸状に加工した後、凸状部分
   の周囲に絶縁膜とショットキーゲート電極、凸状部分の
   表面と基板裏面とにオーミック電極を設けたことを特徴
   とする変調ドーピング層を動作層とするショットキーゲ
   ート型電界効果トランジスター。