JPH0646501B2 - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特に折り重ね
形マイナループの順180度ターンコーナパターンに近接
して配置される磁気バブル転送パターンのパターン構造
に関するものである。

〔発明の背景〕

第１図は磁気バブルメモリ素子のメモリ領域を形成する
一本のマイナループを示したものであり、磁気バブルメ
モリ素子のメモリ領域にはこの種のマイナループを多数
個並列に配列して構成されている。同図において、磁気
バブル転送路を実線で簡略化して示してあり、矢印Ｐ方
向は磁気バブルの転送方向を示す。このようなマイナル
ープは同図に示すように閉ループ状の転送路で構成され
る。この閉ループ転送路の形状としては同図(2)に示す
単純ループ形マイナループ１から最近では高密度磁気バ
ブルメモリ素子の実現に最適な同図(b)，(c)，(d)に示
す折り重ね形マイナループ２，３，４が良く用いられる
ようになつた。この折り重ね形ループの形状として第１
図(b)，(c)，(d)に示した以外にも種々のタイプのもの
がある。このような折り重ね形マイナループの例として
は、例えばIEEE Trans．MAG−15。No.6,P1691〜P1696
に開示されている。

このようなマイナループを構成するパーマロイ方式転送
路の基本要素パターンとしては、第２図(a)に示す非対
称シエブロンパターン５，同図(b)に示すハーフデイス
クパターン６，同図(c)に示すＣパターン７あるいは同
図(d)に示すクラブフツトパターン８が用いられる。

このように構成されるマイナループにおいては、第１図
に点線の丸印で示すように磁気バブルの転送方向Ｐを逆
方向とするためのターンコーナ部がそれぞれ設けられて
おり、これらのターンコーナ部には図中に示す順180度
ターンコーナ部ａおよび逆180度ターンコーナ部ｂがあ
る。

第３図は前述した順180度ターンコーナａ部の一例を示
す要部拡大パターン平面図である。同図において、10a,
10b,10c,10dは１本の折り重ね形マイナループを構成す
る磁気バブル転送路、11は転送路10a,10b,10c,10dを構
成する第１の基本転送パターン、１２は順180度ターン
コーナパターン、１３，１４は第１の基本転送パターン
１１と順180度ターンコーナパターン１２との間を接続
する第２，第３の基本転送パターン、１５は第３の基本
パターン１４と順180度ターンコーナパターン１２とを
接続するショートバーバターン、１６は第２の基本転送
パターン１３と順180度ターンコーナパターン１２とを
接続バーパターン、１７は転送路10a,10dとゲート部Ｇ
とを接続する第４の基本転送パターン、１８は第４の基
本転送パターン１７間に接続された第５の基本転送パタ
ーンである。

各転送路において、ゲート部Ｇや折り返しコーナ部に近
いところは、第１の基本転送パターン１１の周期よりも
大きい周期の転送パターンが使用される。例えば、第５
の基本転送パターン１８の周期λ′は第１の基本転送パ
ターン１１の周期λに対してλ＜λ′の関係を有して形
成されている。そして、転送路10cに矢印Ｐ方向に転送
されてきた磁気バブルは、これらのパターン面内に加え
られる回転磁界H_Rによつて第１の基本転送パターン１
１，第２の基本転送パターン１３，第３の基本転送パタ
ーン１４，ショートバーパターン１５を介して順１８０
度ターンコーナパターン１２に順次転送され、さらにこ
の順180度ターンコーナパターン１２により転送方向Ｐ
を反時計廻り方向に180度転換され、転送路10bへと転送
される。この場合、前述したシヨートバーパターン１５
およびバーパターン１６は、パターンボリウムの大きい
転送パターンからパターンボリウムの小さい転送パター
ンへ磁気バブルが転送する際、転送マージンが大幅に低
下するのを防止させる機能を有している。

しかしながら、このように構成された順１８０度ターン
コーナ部において、転送路10cと転送路10dとの間を結合
させるシヨートバーパターン15と接続される第３の基本
転送パターン１４，第５基本転送パターン１８に、磁気
バブルＢが転送されるとき、バイアス磁界H_Bの下限値側
で同図に示すように対向するシヨートバーパターン１５
の先端部に磁気バブルＢが伸びるというエラーが発生す
ることがわかつた。同様に転送路10aと転送路10bとの間
においても、第４の基本転送パターン１７に転送された
磁気バブルＢがバーパターン１６の先端部に伸びるとい
うエラーが発生することがわかつた。この結果、これら
のエラーの発生により、磁気バブルメモリ素子の総合バ
イアス磁界マージンが大きく制限され、第４図に示すよ
うに回転磁界H_Rが大きくなるほど、このエラー領域Ｅが
拡大され、磁気バブルメモリ素子の特性を損なうという
大きな問題となつていた。

〔発明の目的〕

したがつて本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、順１８０度タ
ーンコーナ部に発生する転送エラーを除去し、転送特性
を向上させた磁気バブルメモリ素子を提供することにあ
る。

〔発明の概要〕

本発明は、隣り合う転送路１０ｂ、１０ｃ間に挿入され
た補助バーパターン１５の各先端との距離が遠くなるよ
う、各先端の隣の転送路に位置する転送パターン１
８′，１４′の頂点を各先端から遠ざかる方向にずらす
ことにより、バブル引き伸びエラーを防ぎ、転送マージ
ンを向上させたものである。本発明によれば下記の磁気
バブルメモリ素子が提供される。

磁気バブルを転送し、入り口及び出口の脚部と、頂点を
持つ山型の背中部とを有する転送パターン（１１，１
３，１７・・・）を複数個配列し、転送方向がそれぞれ
第１の方向、それと逆の第２方向及び上記第１の方向に
ある第１（１０ｄ）、第２（１０ｃ）及び第３（１０
ｂ）の転送路と、 以上第２及び第３の転送路間で転送方向を転換するター
ンコーナパターン（１２）、 磁気バブルの転送を補助し、一方の先端が上記コーナパ
ターンと上記第２の転送路における第１の転送パターン
（１４′）との間に挿入され、他方の先端が上記第１の
転送路において、上記コーナパターンにほぼ背中合わせ
で近接する第２の転送パターン（１８′）と上記第１の
転送パターンにほぼ背中合わせで近接する第３の転送パ
ターン（１７）との間に挿入された、屈曲したバーパタ
ーン（１５）とを具備して成り、 上記第１及び上記第２の転送パターンの頂点の位置をそ
れぞれ、上記他方の先端及び上記一方の先端から、それ
ぞれの中心位置よりも遠ざかる位置（Ｌ₁，Ｌ₂）に設定
した磁気バブルメモリ素子 〔発明の実施例〕 次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第５図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するための順180度ターンコーナ部の要部拡大パ
ターン平面図であり、第３図と同一部分は同一符号を付
す。同図において、シヨートバーパターン１５と接続さ
れる第３の基本転送パターン１４′および第５の基本転
送パターン１８′は、そのパターン頂点位置が磁気バブ
ル転送方向Ｐに対して逆方向となる方向に偏位させた転
送パターンで形成されている。そして、シヨートバーパ
ターン15の先端部から第３の基本転送パターン１４′の
頂点位置までの距離L₁およびショートバーパターン15の
他方の先端部から第５の基本転送パターン１８′の頂点
位置までの距離L₂が第３図の距離よりも大きくして形成
されている。同様にこの順180度ターンコーナ部を構成
するバーパターン１６に接続される第４の基本転送パタ
ーン１７′もその頂点位置が磁気バブル転送方向Ｐと逆
方向に偏位させた転送パターンで形成され、バーパター
ン１６の先端部から基本転送パターン１７′の頂点まで
の距離L₃も第３図の距離よりも大きくして形成されてい
る。この場合、第３，第４，第５の基本転送パターン1
4′,17′,18′は第６図に示すように転送パターン２０
の頂点C₁が、従来頂点C₁がパターン端までの距離l₁,l₂
がl₁＝l₃に対して磁気バブル転送方向Ｐと逆方向に偏心
させたパターンを用いる。

このような構成によれば、シヨートバーパターン１５の
各先端部から第３の基本転送パターン14′の頂点までの
距離L₁，第５の基本転送パターン18′の頂点までの距離
L₃およびバーパターン１６の先端部から第４の基本転送
パターン１７′の頂点までの距離L₃が長くなり、その結
果、各バーパターン１５，１６の先端部に発生する吸引
磁極から遠ざかるため、磁気バブルがバーパターン１
５，１６の先端部に伸びる転送エラーがなくなり、バイ
アス磁界マージンを拡大させることができる。

なお、前述した実施例においては、バーパターン先端部
とこのバーパターンに接続される転送パターンの頂点と
の間の距離を拡大させる手段として転送パターンの頂点
を偏心させた場合について説明したが本発明はこれに限
定されるものではなく、第７図に示すように転送パター
ン21の磁気バブル転送方向Ｐと直交する方向の高さh₁を
従来パターンの高さh₂に対して低く（h₁＜h₂）形成する
ことによつても前述した距離L₁,L₂,L₃を増大できるの
で、前述と全く同等の効果が得られることは言うまでも
ない。

また、前述した実施例においては、転送路パターンとし
てシエプロンパターンを用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、第２図
(b)，(c)，(d)にそれぞれ示すハーフデイスクパター
ン，Ｃパターン，クラプフツトパターンで構成される転
送路に適用しても前述と全く同等の効果が得られること
は勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、順180度ターンコ
ーナ部に発生する転送エラーを除去し、バイアス磁界マ
ージンを拡大させることができるので、品質，信頼性の
高い磁気バブルメモリ素子が得られるという極めて優れ
た効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はマイナループの構成例を示す図、第２図はその
転送パターン例を示す図、第３図は従来の順180度ター
ンコーナ部の一例を示す要部拡大パターン平面図、第４
図は従来の順180度ターンコーナ部の転送特性を示す
図、第５図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例
を説明するための順180度ターンコーナ部を示す要部拡
大パターン平面図、第６図，第７図は本発明に係わる転
送パターンの一例を示す拡大平面図である。 １……単純ループ形マイナループ、２，３，４……折り
重ね形マイナループ、５……非対称シエブロンパター
ン、６……ハーフデイスクパターン、７……Ｃパター
ン、８……クラブフツトパターン、10a,10b,10c,10d…
…磁気バブル転送路、１１……第１の基本転送パター
ン、１２……順180度ターンコーナパターン、１３……
第２の基本転送パターン、１４′……第３の基本転送パ
ターン、１５……シヨートバーパターン、１６……バー
パターン、１７′……第４の基本転送パターン、１８′
……第５の基本転送パターン、２０……基本転送パター
ン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 裕則 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 鈴木 哲昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 慶田 久彌 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 西山 清一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 関野 充 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 (72)発明者 中▲ダイ▼ 浩 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 (72)発明者 門山 俊哉 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気バブルを転送し、入り口及び出口の脚
   部と、頂点を持つ山型の背中部とを有する転送パターン
   （１１，１３，１７・・・）を複数個配列し、転送方向
   がそれぞれ第１の方向、それと逆の第２の方向及び上記
   第１の方向にある第１（１０ｄ）、第２（１０ｃ）及び
   第３（１０ｂ）の転送路と、 上記第２及び第３の転送路間で転送方向を転換するター
   ンコーナパターン（１２）と、 磁気バブルの転送を補助し、一方の先端が上記コーナパ
   ターンと上記第２の転送路における第１の転送パターン
   （１４′）との間に挿入され、他方の先端が上記第１の
   転送路において、上記コーナパターンにほぼ背中合わせ
   で近接する第２の転送パターン（１８′）と上記第１の
   転送パターンにほぼ背中合わせで近接する第３の転送パ
   ターン（１７）との間に挿入された、屈曲したバーパタ
   ーン（１５）とを具備して成り、 上記第１及び上記第２の転送パターンの頂点の位置をそ
   れぞれ、上記他方の先端及び上記一方の先端から、それ
   ぞれの中心位置よりも遠ざかる位置（Ｌ₁,Ｌ₂) に設定
   したことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。