JPS60208986A - 新規セファロスポリン類およびその製造法 - Google Patents

新規セファロスポリン類およびその製造法

Info

Publication number
JPS60208986A
JPS60208986A JP59062226A JP6222684A JPS60208986A JP S60208986 A JPS60208986 A JP S60208986A JP 59062226 A JP59062226 A JP 59062226A JP 6222684 A JP6222684 A JP 6222684A JP S60208986 A JPS60208986 A JP S60208986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
syn
compound
salt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59062226A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0527638B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Imaizumi
今泉 弘之
Takihiro Inaba
太喜広 稲場
Takatsune Takeno
竹野 隆恒
Seiji Morita
清司 森田
Yoshiharu Murotani
室谷 美晴
Junichi Yoshida
純一 吉田
Kenichi Takashima
健一 高嶋
Shuntaro Takano
高野 俊太郎
Isamu Saikawa
才川 勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyama Chemical Co Ltd
Original Assignee
Toyama Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyama Chemical Co Ltd filed Critical Toyama Chemical Co Ltd
Priority to JP59062226A priority Critical patent/JPS60208986A/ja
Priority to AR85299823A priority patent/AR243192A1/es
Priority to AT0086985A priority patent/AT386207B/de
Priority to KR1019850001887A priority patent/KR870001796B1/ko
Priority to PT80154A priority patent/PT80154B/pt
Priority to DK132585A priority patent/DK132585A/da
Priority to FI851173A priority patent/FI86184C/fi
Priority to PL1985257893A priority patent/PL145972B1/pl
Priority to NO851166A priority patent/NO167574C/no
Priority to PL1985252525A priority patent/PL145915B1/pl
Priority to ES541520A priority patent/ES8602814A1/es
Priority to CH1242/88A priority patent/CH673460A5/de
Priority to CH1282/85A priority patent/CH669383A5/de
Publication of JPS60208986A publication Critical patent/JPS60208986A/ja
Publication of JPH0527638B2 publication Critical patent/JPH0527638B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Landscapes

  • Cephalosporin Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規セファロスポリン類、具体的にで表わさ
れるセファロスポリン(シン異性体)およびその塩に関
するものである。
本発明者らは、先に一般式 で表わされるセファロスポリン(シン異性体)またはそ
の塩が抗菌剤として極めて有用な化合物であることを見
出し、特許出願した(特開昭57−99592号、特願
昭57−200382号、特願昭58−67871号、
特願昭58−113565号、特願昭58−11431
3号)。
その後、上記化合物の製造法について、鋭意研究を重ね
た結果、本発明化合物が一般式〔■〕で表わされる化合
物の製造中間体として、またそれ自体、優れた薬理作用
を有する抗菌剤として有用であることを見出し、本発明
を完成した。
而して、本発明の目的は、一般式[II)で表わされる
有用なセファロスポリン(シン異性体)およびその塩の
製造中間体として、またそれ自体、優れた薬理作用を有
する抗菌剤として有用な一般式(I〕で表わされる化合
物およびその塩を提供することにある。
このように、一般式CI]で表わされるセファロスポリ
ン(シン異性体)およびその塩の構造上の特徴は、7位
のアミノ基に、っぎの一般式〔式中、R1は前記と同じ
意味を有する。〕で表わされる基が結合しているところ
にある。
以下、さらに本発明の詳細な説明する。
なお、本明細書において特にことわらない限り、アルキ
ルとは、直鎖または分枝鎖状c1−14アルキル、たと
えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、
n−ブチル、イソブチル、56cmブチル、tert−
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ド
デシルなど;アルケニルとは、CZ〜1oアルケニル、
たとえば、ビニル、アリル、イソプロペニル、2−ペン
テニル、フチニルなど;アリールとは、たとえば、フェ
ニル、トリル、ナフチル、インダニルなど;アルアルキ
ルとは、たとえば、ベンジル、フェネチル、4−メチル
ベンジル、ナフチルメチルなど;アシルとは、01〜1
3アシル、たとえば、アセチル、プロピオニル、フチリ
ル、ヒバロイル、ペンタンカルボニル、シクロヘキサン
カルボニル、ベンゾイル、ナフトイル、70イル、テノ
イルなど;ハロゲン原子とは、たとえば、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素原子などをそれぞれ意味するものである
。また低級とは炭素原子数1〜5を意味する。
さらに、本発明で使用されている種々の用語中、たとえ
ば、アルキル、アルケニル、アリール、アルアルキル、
アシルなどの用語がある場合も、特にことわらない限り
上述した意味を示すものである。
各式中、R1はカルボキシル基または保護されたカルボ
キシル基で置換されていてもよい低級アルキル基を、R
2は水素原子またはカルボキシル保護基を示す。カルボ
キシル基の保護基としては、従来ペニシリンおよびセフ
ァロスポリン系化合物の分野で通常使用されているもの
が挙げられ、具体的には、特開昭57−99592号、
特開昭58−77RR6号、特願昭57−200382
号、特許8j) 5 B −67871号、特願昭58
−113565号および特願昭58−114313号な
どに記載されたカルボキシル基の保護基が挙げられる。
また、各式中R3は3位エキソメチレン基と炭素−窒素
結合する置換されていてもよい複素環式基を示すが、そ
の複素環式基としては、たとえば、テトWは隣接する窒
素原子およびスルホニル基と一緒になって、5員猿また
は6員項を形成する二価の基を示す。)で表わされる基
、たとえば、1.2.6−チアジアジン−1,1−ジオ
キシド、イソチアゾリジン−1,1−ジオキシド基など
の含窒素5員または6員複素環式基が挙げられる。さら
に具体的には、1−(1,2,3,4−テトラゾリル)
、2−(1、2,3,4−テトラゾリル)、1−(1,
2,:(−)リアゾリル)、2−(1,2,3−トリア
ゾリル)、1−(1,2,4−)リアゾリル)、4−(
1,2,4−)リアゾリル)、2.3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジニル、3.6−シオキ
ソー1.2.3.6−チトラヒドロピリダジニル、6−
オキソ−1,6−ジヒドロピリミジニル、2−オキソ−
1,2−ジヒドロピラジニル、6−オキソ−1,6−ジ
ヒドロピリミジニル、2−オキソ−1,2−ジヒドロピ
リミジニル、1,2.6−チアジアジン−1,1−ジオ
キシド−2−イル、イソチアゾリジン−1,1−ジオキ
シド−2−イル基などが挙げられる。
その複素環式基における置換基としては、たとえば、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルアルキル基、
アリール基、アルケニル基、ヒドロキシル基、アルコキ
シ基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ・基、ジア
ルキルアミノ基、アシルアミノ基、アシル基、アシルオ
キシ基、アシルアルキル基、カルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カ
ルノくモイル基、アミノアルキル基、N−アルキルアミ
ノアルキル基、 N、N−ジアルキルアミノアルキル基
、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシイミノアルキル基
、アルコキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スル
ホアルキル基、スルホ基、スル7アモイルアルキル基、
スルファモイル基、カルノくモイルアルキル基、カルバ
モイルアルケニル基、N−ヒドロキシカルバモイルアル
キル基などが挙げられ、前記した複素環式基はこれら一
種以上の置換基で置換されていてもよい。これらの置換
基のうち、ヒドロキシル基およびアミノ基は、特開昭5
7−99592号、特開昭5Fl−771(86号、特
願昭57−200382号、特願昭58−67871号
、特願昭58−113565号、および特願昭58−i
1431号などに記載されたヒドロキシル基およびアミ
ン基の保護基で保護されていてもよく、同様にカルボキ
シル基もまた前述したR1におけるカルボキシル基の保
護基で保護されていてもよい。
一般式CI]または〔■〕の化合物の塩としては、従来
ペニシリンおよびセファロスポリン系化合物の分野で周
知の塩基性基または酸性基における塩が挙げられる。塩
基性基における塩としては、たとえば、塩酸、臭化水素
酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸などの鉱酸との塩;シュ
ウ酸、コハク酸、ギン−2−ヌルホン酸、トルエン−4
−スルホン酸メシチレンスルホン酸(2,4,6−)リ
メチルベンゼンスルホン酸)などのスルホン酸との塩が
挙げられ、また酸性基における塩としては、たとえば、
ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属との塩;J+
 凱 ・す^ l + I→ υ ^ J、?a L+
小マ 、l−山 11 −レ頗ム属トの塩;アンモニウ
ム塩;トリエチルアミン。
トリメチルアミン、アニリン、N、N−ジメチルアニリ
ン、ピリジン、ジシクロヘキシルアミンなどの含窒素有
機塩基との塩が挙げられる。
また、本発明は、一般式〔I〕のセファロスポリン(シ
ン異性体)およびその塩のすべての光学異性体(たとえ
ば、チアゾリン環の4位炭素原子などが不斉炭素である
ために生じてくる光学異性体など\結晶形および水和物
に及ぶものである。
本発明化合物および一般式〔■〕の化合物は、たとえば
、下に示す方法に従って製造することができる。
c以下余白) R4は、置換されていてもよいアルキル、アルアルキル
またはアリール基を示すが、その置換基としては、R3
の複素環式基の置換基として例示したものが挙げられる
。さらにこれらの置換基のうち、ヒドロキシル基および
アミノ基は、R3で例示したヒドロキシル基およびアミ
ノ基の保護基によって、カルボキシル基はR1で例示し
たカルボキシル基の保護基によって、それぞれ保護され
ていてもよい。
一般式CI)、(:IV)および(V)の化合物の塩と
しては、一般式[I]および〔■〕の化合物の塩として
例示したものが挙げられる。
一般式[VI)の化合物は、特願昭58−172254
号に記載の方法(チオールとの反応、ニトロソ化、アル
キル化、ハロゲン化など)または自体公知の方法で製造
することができる。
(イ)一般式〔■のチアゾリン化合物またはその塩の製
法(閉環反応) 一般式〔v〕のチアゾリン化合物またはその塩は、一般
式[VI)の化合物にチオ尿素を反応させることによっ
て得られる。特願昭58−172254号には、一般式
■の化合物にチオ尿素を反応させて、チアゾニル化合物
を得る方法が記載されているが、つぎに述べる溶媒中お
よび反応条件下で反応させ、反応系内から析出する結晶
を採取すれば、一般式〔v〕のチアゾリン化合物(シン
異性体)またはその塩を選択的に得ることができる。
溶媒としては、酢酸エチル、アセトン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、アセトニトリル、酢酸、塩化1チレ
ン、クロロホルム、ベンゼン、ジメチルセロソルブが挙
げられる。
またこの反応は、通常−40〜60℃、好ましくは一3
0〜20℃で行われ、反応時間は、通常30分〜5時間
、好ましくは30分〜3時間である。一般式[VI)の
化合物のシン異性体を反応に用いる場合、チオ尿素の使
用1はそのシン異性体1モルに対して1モル以上であれ
ばよい。一般式[VDの化合物がシン異性体とアンチ異
性体の混合物である場合、チオ尿素の使用量は、一般式
[VI’Jの化合物のシン異性体とアンチ異性体の構成
比率に応じて適宜調整される。その場合、生成した一般
式〔VDの化合物(シン異性体)が選択的に反応系内か
ら結晶として析出し、未反応物である一般式[VI]の
化合物のアンチ異性体を系内に残すことができる。つい
で、この残存するアンチ異性体に乾燥塩化水素、乾燥臭
化水素などの酸を添加して、シン異性体へ異性化させた
後、再び本閉環反応を行えば、シン異性体のみを単離す
ることができる。このようにして、シン異性体のみを容
易に製造することができる。本反応の終点はTLCなど
の通常繁用される方法によって容易に確認することがで
きる。
そして、目的化合物は、U V、 、NMR、13C−
NMRなどにより、チアゾリン化合物であることが確認
された。
(ロ)一般式〔■jの酸ハロゲン体またはその塩の製法 一般式[l11)の化合物またはその塩は、一般式〔V
Dの化合物またはその塩に、通常チオロエステルを酸ハ
ロゲン化物に変換しつるハロゲン化剤、好ましくは、た
とえば、塩素または臭素などを反応させることによって
容易に得ることができる。この反応は通常溶媒中で行わ
れ、使用される溶媒としては、本反応に悪影響を与えな
い限りいかなるものでもよく、たとえば、塩化メチレン
、クロロホルム、塩化エチレン、酢酸エチルなどの溶媒
およびこれらの溶媒を二種以上混合したものが挙げられ
る。また、ハロゲン化剤の使用量は、一般式〔VDの化
合物またはその塩に対して1〜数当量である。反応は、
通常−30℃〜室温の範囲で行われ、反応時間は数分〜
数時間、好ましくは15分〜2時間である。
C→ 一般式〔■〕の化合物またはその塩の製法(アシ
ル化反応) 一般式CI)の化合物またはその塩は、通常適当な溶媒
中、塩基の存在下または不存在下、一般式〔1ll)の
化合物またはその塩に、一般式〔■〕の化合物またはそ
の塩を反応させることによって得ることができる。溶媒
としては、本反応に悪影響を与えない限りいかなるもの
でもよく、たとえば、水、アセトン、ジオキサン、アセ
トニトリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレ
ン、テトラヒドロフラン、酢酸メチル、酢酸:t、チル
、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルア
セトアミド、エチレングリコールジメチルエーテル、ジ
メチルセロソルブ、ジメチルスルホキシド、スルホラン
などの溶媒およびこれらの溶媒を二′si以上混合した
ものが挙げられる。ここで用いられる塩基としては、水
酸化アルカリ、炭酸水素アルカリ、炭酸アルカリ、酢酸
アルカリなどの無機塩基またはトリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、N−メチ
ルピペリジン、N−メチルモルホリン、ルチジン、コリ
ジンなどの第三級アミンあるいはジシクロへキシルアミ
ン、ジエチルアミンなどの第二級アミンが挙げられる。
また、一般式[IV)の化合物またはその塩は、たとえ
ば、7−アミツセフアロスボラン酸を酸の存在下に、通
常の三位変換反応(特開昭57−99592号、特願昭
57−200382号、同57−206873号、同5
8−s7871号、同58−113565号、同58−
114313号など)を行い、その後4位のカルボキシ
ル基に保護基を導入すれば容易に得ることができる。
なお、一般式[IV]の化合物またはその塩は、そのア
ミン基における反応性誘導体として使用することもでき
、その反応性誘導体としては、たとえば、一般式[IV
)の化合物またはその塩とビス(トリメチルシリル)ア
セトアミド、トリメチルシリルアセトアミド、トリメチ
ルシリルクロライドなどのシリル化合物、三塩化リン、
[(:))CI、cn、−[>c” 、ぐ、、O,PC
1、(CHs CL[xO)x−pcl、(cE、 c
m、 )Rpct などのリン化合物、または(C4H
g)ssnolなどのスズ化合物との反応により生成す
るシリル誘導体、リン誘導体またはスズ誘導体などのア
シル化反応において繁用されるものが挙げられる。
一般式[III]の化合物またはその塩の使用量は、特
に限定されないが、通常一般式[IV)の化合物または
その塩に対して約0.8〜2.0倍モル、好ましくは、
約1.0〜1.5倍モルである。この反応は、通常−5
0〜50℃、好ましくは一35〜25℃で行われ、反応
時間は通常数分〜数時間である。
に)一般式(n)の化合物またはその塩の製法(脱水反
応) 一般式(I]の化合物またはその塩を脱水反応に付すこ
とにより、一般式(n)の化合物またはその塩が得られ
る。
この反応は、好ましくは、溶媒中で行われ、溶媒として
は、本反応に悪影響を与えない限りいかなるものでもよ
く、たとえば、水、メタノール、エタノール、アセトン
、アセトニトリル、ニトロメタン、酢酸メチル、酢酸エ
チル、クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロフラ
ン、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチル
アセトアミドなどの溶媒およびこれらの溶媒を二種以上
混合したものが挙げられる。また、本反応は酸の存在下
に行うのが好ましい。酸としては、たとえば、塩酸、臭
化水素酸、硫酸、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、p−
トルエンスルホン酸、メシチレンスルホン酸などのプロ
トン酸;三弗化硼素、塩化アルミニウム、塩化亜鉛など
のルイス酸;三弗化硼素・ジエチルエーテルなどのルイ
ス酸の錯化合物などが挙げられる。また、酸の使用量は
特に限定されないが、一般式(I)の化合物またはその
塩に対して0.001〜1.5倍モルが好ましい。さら
に使用する溶媒が非水溶媒である場合には、反応系内に
適当な脱水剤、たとえば、無水硫酸マグネシウムまたは
モレキュラーシーブi(どを添加してもよい。この反応
は通常室温〜冷却下で行われ、反応時間は通常数分〜数
十時間である。
このようにしで得られる一般式〔1〕〜CXI)の化合
物捷たばそれらの塩は、通常の方法で単離および分離す
ることができるし、単離および分離することなく、つぎ
の反応に使用することもできる。
また、常法によってR2がカルボキシル保護基である一
般式[II)の化合物またはその塩を、R2が水素原子
である一般式[II)の化合物またはその塩に容易に変
換することができる。さらに、常法によって、R2が水
素原子である一般式〔■〕の化合物またはその塩をsR
”がカルボキシル保護基である一般式[II]の化合物
またはその塩に容易に変換することができる。
つきに、本発明を参考例および実施例を挙げて説明する
が、本発明は、これに限定されるものでにない。
実施例1 ピバロイルオキシメチル−7−アミノ−3−(5−メチ
ル−1,2,3,4−テトラゾール−2−イル)メチル
−Δ3−セフェムー4−カルポキシレー) 4.1 F
を酢酸エチル32ゴおよびN、N −ジメチルアセトア
ミド8艷の混合溶媒に溶解させ、−30℃に冷却する。
ついで、2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チア
ゾリン−4−イル)−2−(シン)−メトキシイミノ酢
酸クロリフ下の臭化水素酸塩3,509を加え、−30
〜−20℃で2時間反応させる。反応液を酢酸エチル5
0−および飽和炭酸水素す) IJウム水溶液10ゴの
混合溶媒中へ導入する。ついで、有機層を分取し、水5
0ゴで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。
減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にジエチルエー
テル5〇−を加えて結晶を濾取すれば、融点85〜87
°C(分解)を示すピパロイルオキシメチル=7−C2
−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4
−イル)−2−(シン)−メトキシイミノアセトアミド
]−3−(5−メチル−1、2,3,4−テトラゾール
−2−イル)メチル−Δ3−セフェムー4−カルボキシ
レート4.8 P (収率78.4俤)を得る。
IR(KBr)m−1iνC−01790,1750,
’h6r。
NIITIR(CDCl2)δ値; 1.19 (9H,s、−C(CHs)a )。
2.50(3H1lI、N>虫)。
3.29 (2H−s 、C2H) 。
3.93(3H,a、−QC馬)。
5.73〜6.03(3H,m、(4H,−00%C0
−)UV(C,H,OH) i λmax 260(ε=9375 ) C以下余白) *1. ピバロイルオキシメチルエフ−アミツー−3−
(5−クロロ−1,2,4−)リアゾール−1−イル)
メチル−Δ3−セフェムー4−カルボキシレートのシュ
ウ 酸塩を原料として用いた。
*2.酢酸エチルおよびN、N−ジメチルアセトアミド
の混合溶媒の代わりに、無水 塩化メチレンを用い、さらに脱酸剤と してトリエチルアミンを用いた。
実施例2 2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−
4−イル)−2−(シン)−2−メトキシイミノ酢酸ク
ロリドの臭化水素酸塩の代わりに、2−(2−アミノ−
4−ヒト°ロキシー2−チアゾリン−4−イル)−2−
(シン)−2−メトキシイミノ酢酸プロミドの臭化水素
酸塩を用い、実施例1と同様に反応を行えば、融点85
〜87℃(分解)を示すピバロイルオキシメチル=7−
C2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリン
−4−イル)−2−(シン)−メトキシイミノアセトア
ミド〕−3−(5−メチル−1,2,3,4−テトラゾ
ール−2−イル)メチル−Δ3−セフェムー4−カルボ
キシレートを得る。
参考例1 (1)2−ヒドロキシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8
−メチルエステル20.OfをN、N−ジメチルホルム
アミ、ド100−に溶解させ、0〜5℃で炭酸カリウム
17.1tおよびクロロ酢酸tert −ブチルエステ
ル22.4tを順次加えた後、室温で3時間反応させる
。反応液を酢酸エチル400 mjおよび水200dの
混合溶媒中へ導入する。ついで、有機層を分取し、水2
00 d、IN−塩酸200−および飽和食塩水200
 mで順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にジイソプ
ロピルエーテル100IIiを加えて結晶を濾取すれば
、融点75〜77℃を示す2− tert−ブトキシカ
ルボニルメトキシイミノ−3−オキソチオ酪酸−S −
メfル:r−:Xfル14,4 t (収率42.29
6 )を得る。
IR(KBr) cm−1iνc=o 1732.17
00.1664NMR(CDCIs)δ値; 1.50 (9H,s 、−C(CHs)3)。
2.39 (3H,tI、−CH3) 。
2.4fi(3H,s、−CH5)。
4.63 (2H、s 、 OC% Co )f21 
2− tert−ブトキシカルボニルメトキシイミノ−
3−オキソチオ酪酸−8−メチルエステル10、Ofを
0〜5℃に冷却したトリフルオロ酢酸5〇−中へ10分
を要して加える。0〜5℃で1時間反応させた後、減圧
下に溶媒を留去し、得られた残留物にジイソプロピルエ
ーテル50ゴを加えて結晶を濾取すれば、融点154〜
157℃を示す2−カルボキシメトキシイミノ−3−オ
キソチオ酪酸−8−メチルエステル7.2F(収率90
.5チ)を得る。
I R(K B r ) cm−1;νc=o 173
4.1700.166ONMR(a6−、DMso )
δ値; 2.36(3H0m、 CHt ’)−2,45(3H
1fi l−CH8)14.85(2H,s、−CH2
CO) 参考例2 (1)水330 aI!に亜硝酸ナトリウム38.Of
および3−オキソチオ酪酸−8−メチルエステル66.
12を加え、5〜8℃で攪拌下に4N−硫酸21〇−を
30分を要して滴下する。滴下終了後、同温度で30分
間反応させた後、反応液を酢酸エチル500 d中に導
入する。有機層を分取し、水500−で洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残留物を炭酸ナトリウム1062を含む水
溶液650 #+7!に溶解させた後、メタノール15
0mを加える。この溶液にジメチル硫酸75.79を1
5〜20℃で滴下した後、同温度で2時間反応させる。
ついで、反応液を酢酸エチル11中に導入した後、有機
層を分取し、水300dで洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた
残留物を減圧蒸留すれば、沸点80〜86℃72wnH
gを示す2−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8
−メチルエステル(シンおよびアンチ体の混合物)60
.49(収率6B、9%)を得る。
この混合物をカラムクロマトグラフィー(和光シリカゲ
ルC−200,溶出溶媒;n−ヘキサン−ベンゼン)に
より分離精製すれば、各々油状物の2−(シン)−メト
キシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8−メチルエステル
および2−(アンチ)−メトキシイミノ−3−オキソチ
オ酪酸−8−メチルエステルが得られる。
0 2−(シン)−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪
m−5−メチルエステル IRに−))m−1; シc−o 1720,1690
.167ONMR(CDCis )δ値; 2.42r3H,g)。
2.48(3H,s) 。
4.18(3H,s) 02−(アンチ)−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪
酸−8−メチルエステル ’ IR(=−ト)o+rl ; シc−o 1750
,168ONMR(CDCIs )δ値; 2.41(3H,s)。
2.42(3H,s)。
4.16(3H,Iり (2)2−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8−
メチルエステル(シンおよびアンチ体の混合物)10.
Orを1.4−ジオキサン150dに溶解させ、ピリジ
ニウムハイドロブロマイド・パーブロマイド2o、1t
を加えて、室温で4時間反応させる。ついで、減圧下に
溶媒を留去し、得られた残留物に酢酸エチル100−お
よび水100adを加える。有機層を分取し、5チ亜硫
酸水素す) IJウム水溶液100+d、水100wt
および飽和食塩水100tntで順次洗浄した後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去す
れば、4−ブロモ−2−メトキシイミノ−3−オキソチ
オ酪酸−8−メチルエステル(シンおよびアンチ体の混
合物)1t、6f(収率80.0*)を得る。
この混合物をカラムクロマトグラフィー(和光シリカゲ
ルC−200,溶出溶媒;n−ヘキサン−ベンゼン)に
より分離精製すれば、各々油状物の4−ブロモ−2−(
シン)−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8−メ
チルエステルおよび4−ブロモー2−(アンチ)−メト
キシイミノ−3−オキソチオ酪酸−8−メチルエステル
が得られる。
o 4−ブロモー2−(シン)−メトキシイミノ−3−
オキソチオ酪酸−8−メチルエステル IR(ニー))m−1; シc−o 1705.166
5NMR(CDCi3)δ値; 2.52(3H,s−SCH3)。
4.21(3H、s 、OCHm ) −4,42(2
H,l 、BrCH2−)。
IscNMR(CDCI 、 )δ値;11.30(−
8CHs) 。
29.76(BrCH*−→。
6.4,97 (−0CHs ) − 04−7’ロモー2−(アンチ)−メトキシイミノ−3
−オキソチオ酪酸−8−メチルエステル IR(ニー ) ) cm−1;νc=o 1720,
1655NMR(CDCI、)δ値; 2.41 (3[、s 、 −8CH3) 。
4.21(3■# l I −0CHs ) *4.2
3(2H,s 1rcH2−) 同様にして、つぎの化合物を得た。
04−ブロモ−2−カルボキシメトキシイミノ−3−オ
キソチオ酪酸−8−メチルエステル(シンおよびアンチ
体の混合物) 融点;110−114℃ −IR(KBr) 1−1 iνc=o 1724.1
652HMI−j(Ci、−DMSO)δ1縦;2.5
o(3H,s、−8GH8)。
4.61(2H,S、BrCH,Co−) 。
4.95 (2H、S 、 −OCH,C0−) 。
9.27(IH,b3−COOH) さらに、上記の4−ブロモー2−カルボキシメトキシイ
ミノ−3−オキソチオ酪酸−8−メチルエステルを常法
によってジフェニルジアゾメタンと反応させ、ついで、
カラム分離を行うことによって、つぎの化合物を得た。
04−ブロモー3−オキソ−2−(シン)−ジフェニル
メトキシカルボニルメトキシイミノチオ酪酸−8−メチ
ルエステル 融点;87〜89℃ IR(KBr ) cm−1iνc=o 1750.1
714.1680.166ONMR(CDCJa)δ値
; 2.46(3H,s 、8CHs ) 。
4.08(2H1s、BrCI(2CO)。
4.87 (2H、s 、−OCH怠C0−) 。
6.95(IH,s 、−C■ぐ )。
7.29rsoH,t< 、−@X2)(3)(i) 
4−ブロモ−2−(シン)−メトキシイミノ−3−オキ
ソチオ酪酸−8−メチルエステル25.4fを酢酸エチ
ル200mに溶解させ、15〜20℃でチオ尿素7.6
fを10分を要して加える。ついで、同温度で1時間反
応させた後、析出晶を濾取すれば、2−(2−アミノ−
4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(
シン)−メトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステル
の臭化水素酸塩30.2t(収率91.5%)を得る。
IR(KBr) m−1;νc=o 1670.164
0ω)上の(i)の酢酸エチルの代わりに、溶媒として
アセトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトニ
トリル、酢酸、塩化メチレン、クロロホルム、ベンゼン
またはジメチルセロソルブを用いて、それぞれ上記反応
を行えば、同様の結果を得る。
(劫 上の(i)と同様にして、つぎの化合物を得た。
0 2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリ
ン−4−イル)−2−(シン)−ジフェニルメトキシカ
ルボニルメトキシイミノチオ酪酸−8−メチルエステル
の臭化水素酸塩 IR(KBr)cm−1i νc=o 1760,17
40,1650(4)2−(2−アミノ−4−ヒドロキ
シ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シン)−メト
キシイミノチオ酢酸−8−メチルエステルの臭化水素酸
塩8.Ofを水冷下に酢酸エチル200ゴおよび水10
0−の混合溶媒に懸濁させ、炭酸水素ナトリウム4.O
fを加えて5分間攪拌する。
ついで有機層を分取し、水1ooiで洗浄した後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下に溶媒を留去し、
得られた残留物にベンゼン3〇−を加えて結晶を濾取す
れば、融点127〜130℃を示す2−(2−アミノ−
4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(
シン)−メトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステル
5.29(収率86.7チ)を得る。
IR(KBr ) cWL−1;νc=o 164ON
MR(d6−DMSO)δ値; 6.16(IH,bs 、−0H)。
6.82 (2H、b a 、 −NHx )13ON
MR(d、−DMSO)δ値;11.10(−8CH3
)。
43.51(C−5)。
62.19(OCH3>。
102.43(C−4)。
161.85 (C−2) 。
MS (m/e ) ; 250(M++1) UV(02H,OH); λmax 232(S) (ε=8167)同様にして
、つぎの化合物を得た。
0 2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリ
ン−4−イル)−2−(シン)−ジフェニルメトキシカ
ルボニルメトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステル 融点;140〜142℃ IR(KBr)cm−1;νc=o 1728.165
2NMR(d6−DMso)δ値; 2.36 (3H,s 、5CHI) 。
6.17(IH,bg 、 −0H) 。
6.84 (3H= b a −NH2ICH<) 。
7.32(IOH,ll 、(Jx2)(5) (i)
 4−プロモー2−メトキシイミノ−3−オキソチオ酪
酸−8−メチルエステル(シンおよびアンチ体の混合物
)so、srを酢酸エチル400dに溶解させ、15〜
20℃でチオ尿素7.62を30分を要して加える。つ
いで、同温度で1時間反応させた後、析出晶を酢酸エチ
ル50m1で洗浄すれば、2−(2−アミノ−4−ヒド
ロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シン)−
メトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステルの臭化水
素酸塩31.4t(収率47.5チ)を得る。この化合
物のIRは参考例2 (31(i)で得られたものと一
致した。
(j) 上の(i)で得られた濾液を水300mで2回
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。
ついで、水冷下に乾燥塩化水素5.02を導入し、室温
で5時間放置した後、反応液を再び水300Intで2
回洗浄する。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、15〜20℃でチオ尿素3.9fを30分を要して
加える。
同温度で1時間反応させた後、析出晶を濾取し、酢酸エ
チル2o−で洗浄すれば、2−(2−アミノ−4−ヒド
ロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シン)−
メトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステルの臭化水
素酸mIO,1F(収率15.3%)を得る。
この化合物のIRは参考例2 (3) (i)で得られ
たものと一致した。
(6)(1) 4−プロモー2−メトキシイミノ−3−
オキソチオ酪酸−8−メチルエステル(シンおよびアン
チ混合筒) s o、 o gをアセトン25〇−に溶
解させ、−25〜−20’Cでチオ尿素7、59を1時
間を要して加える。同温度で2時間反応させ、析出晶を
1取した後、アセトン50−で洗浄すれば、2−(2−
アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)
−2−(シン)−メトキシイミノチオ酢酸−8−メチル
エステルの臭化水素酸塩3o、9り(収率47.5%)
を得る。
IFt(KBr)cm ’ ; )c−01650(1
) 上の(1)で得られたe液を減圧下に濃縮し、得ら
れた残留物を酢酸エチル200−に溶解させる。ついで
、水200−で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥する。0〜5℃で乾燥塩化水素2.0gを導入し、室
温で5時間反応させた後、水100−で2回洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下に溶媒を留去し
、得られた残留物をアセト/120―に溶解させ、−2
5〜−20℃でチオ尿素5.09を1時間を要して加え
る。同温度で2時間反応させ、析出晶をf取し、アセト
ン20−で洗浄すれば、2−(2−アミノ−4−ヒドロ
キシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シン)−メ
トキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステルの臭化水素
酸塩1o、 19 (収率15.5%)を得る。
IR(KBr)c+++ ’ ; −)O−01650
OiD 上の(1)および(1)で得られた2−(2−
アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)
=2−(シン)−メトキシイミノチオ酢酸−8−メチル
エステルの臭化水素酸塩を参考例2(4)と同様に処理
して、融点127〜130℃を示す2−(2−アミノ−
4−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−こ↓乙 イル)−2−(シン)−メトキシチオ酢酸−8−メチル
エステルを得た。
この化合物の物性(IR、NMR、+3O−N)JR。
MS、UV)は参考例2(4)で得られた−ものと一致
した。
’7) 2− (2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チ
アゾリン−4−イル)−2−(シン)−メトキジイミノ
チオ酢酸−8−メチルエステルの臭化水素酸塩20.O
fを無水塩化メチレン100ゴに懸濁させ、0〜5℃で
塩素8.62を含む無水塩化メチレン溶液100tnt
を1o分を要して滴下する。ついで、同温度で30分間
反応させた後、析出晶を濾取し、無水塩化メチレン20
m/で2回洗浄すれば、融点120〜122℃(分解)
を示す2−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾ
リン−4−イル)−2−1シン)−メトキシイミノ酢酸
クロリドの臭化水素酸塩14.6f(収率75.7%)
を得る。
IR(KBr)an−1;νc=o 1780また、無
水塩化メチレンの代わりに、酢酸エチルを溶媒として用
い、上記と同様に反応させて、つぎの化合物を得た。
0 2、−(2−アミノ−4−ヒドロキシ−2−チアゾ
リン−4−イル)−2−(シン)−ジフェニルメトキシ
カルボニルメトキシイミノ酢酸クロリドの臭化水素酸塩 融点;118〜120℃(分解) I R(KB r ) crn−1; νc=o 17
64.1740.1642(8)2−(2−アミノ−4
−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−rシ
ン)−メトキシイミノチオ酢酸−8−メチルエステルの
臭化水素酸塩20.Ofを無水塩化メチレン200mに
懸濁させ、0〜5℃で臭素10.6Fを20分を要して
滴下する。ついで、同温度で30分間反応させた後、析
出晶を濾取し、無水塩化メチレン20mで2回洗浄すれ
ば、融点88℃(分解)を示す2−(2−アミノ−4−
ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シン
)−メトキシイミノ酢酸プロミドの臭化水素酸塩17、
 Of (収率77.4チ)を得る。
IR(KBr’)cm−1;νC=o I RI R参
考例3 ピバロイルオキシ1fk=7−C2−(2−72ノー4
−ヒドロキシ−2−チアゾリン−4−イル)−2−(シ
ン)−メトキシイミノアセトアミ)’)−3−(5−メ
チル−1,2,3,4−テトラゾール−2−イル)メチ
ル−Δ3−セフェムー4−カルボキシレー)6.12F
を濃塩酸0.1−を含むアセトニトリル溶液60−に溶
解させ、室温で5時間反応させる。減圧下に溶媒を留去
し、得られた残留物に酢酸エチル100ゴおよび水10
0mを順次加えた後、炭酸水素ナトリウムを用いてpH
6,0に調整する。ついで、有機層を分取し、水100
−で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下に溶媒を留去する。得られた残留物にジエチルエーテ
ル30−を加えて結晶を濾取すれば、融点127〜12
8℃(分解)を示オビバロイルオキシメチル=7−〔2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(シン)
−メトキシイミノアセトアミ)−”]−3−(5−メチ
ル−1,2,3,4−テトラソール−2−イル)メチル
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート5.63り(
収率94.8qA)を得る。
I R(Kn r ) erg−” gνc=o 17
FTO,1743,1675NMR(d、−DM80)
δ値: 1.15(9H,a、−C(CHs)s)。
3.47(2H,bs 、C2−H)。
3.80 (3H、s 、−0CHs ) 15.15
(IHld、J=5Hz+C6−H)。
5.63−5.98 (3H2m 、 Ct H、oc
Ti2o ”) 。
7.14(2H,ba 、Nl[(2−) 。
9.58(IH,d、J=8Hz 、−CONK−)U
VTC,H50H)i λmax 235 (ε=x9394)λmax 26
0 (g=16061)特許出願人 富山化学工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 で表わされるセファロスポリン(シン異性体)およびそ
    の塩。 (21R2がアシルオキシアルキル基である特許請求の
    範囲第(1)項記載のセファロスポリン(シン異性体)
    およびその塩。 (31R3が3位エキソメチレン基と炭素−窒素結合す
    る置換されていてもよい1.2.3.4−テトラゾール
    −2−イル、1,2.4−)リアゾール−1−イルまた
    は2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピ
    ラジン−1−イル基である特許請求の範囲第(1)また
    は(2)項記載のセファロスポリン(シン異性体)およ
    びその塩。 (4) R3が3位エキソメチレン基と炭素−窒素結合
    するアルキル基またはハロゲン原子で置換されていても
    よい1.2.3.4−テトラゾール−2−イル、1.2
    .4−トリアゾール−1−イルまたは2゜3−ジオキソ
    −1,2,3,4−テトラヒドロピラジン−1−イル基
    である特許請求の範囲第(3)項記載のセファロスポリ
    ン(シン異性体)およびその塩。
JP59062226A 1984-03-23 1984-03-31 新規セファロスポリン類およびその製造法 Granted JPS60208986A (ja)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59062226A JPS60208986A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 新規セファロスポリン類およびその製造法
AR85299823A AR243192A1 (es) 1984-03-23 1985-03-21 Procedimiento de preparacion de una cefalosporina y de un intermediario para su preparacion.
AT0086985A AT386207B (de) 1984-03-23 1985-03-22 Verfahren zur herstellung eines cephalosporins
KR1019850001887A KR870001796B1 (ko) 1984-03-23 1985-03-22 세팔로스포린의 제조 방법
PT80154A PT80154B (pt) 1984-03-23 1985-03-22 Processo para a preparacao de cefalosporinas
DK132585A DK132585A (da) 1984-03-23 1985-03-22 Fremgangsmaade til fremstilling af en cephalosporinforbindelse
FI851173A FI86184C (fi) 1984-03-23 1985-03-22 Foerfarande foer framstaellning av cefalosporin.
PL1985257893A PL145972B1 (en) 1984-03-31 1985-03-22 Method of obtaining cephalosporin
NO851166A NO167574C (no) 1984-03-23 1985-03-22 Fremgangsmaate for fremstilling av 3-substituerte 7-(2-(2-aminotiazol-4-yl)-2-(syn)-alkoksyiminoacetamido -delta3-cefem-karboksylsyrederivater.
PL1985252525A PL145915B1 (en) 1984-03-23 1985-03-22 Method of obtaining cephalosporin
ES541520A ES8602814A1 (es) 1984-03-23 1985-03-22 Un procedimiento para preparar una cefalosporina
CH1242/88A CH673460A5 (ja) 1984-03-23 1985-03-22
CH1282/85A CH669383A5 (en) 1984-03-23 1985-03-22 2-Amino-4-hydroxy-thiazoline derivs.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59062226A JPS60208986A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 新規セファロスポリン類およびその製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60208986A true JPS60208986A (ja) 1985-10-21
JPH0527638B2 JPH0527638B2 (ja) 1993-04-21

Family

ID=13194028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59062226A Granted JPS60208986A (ja) 1984-03-23 1984-03-31 新規セファロスポリン類およびその製造法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS60208986A (ja)
PL (1) PL145972B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980024903A (ko) * 1996-09-25 1998-07-06 고니시 마사유끼 세펨 화합물의 제조 방법
KR100342600B1 (ko) * 2000-03-06 2002-07-04 한미정밀화학주식회사 신규한 티아졸 화합물 및 그의 제조 방법
KR100392409B1 (ko) * 2000-03-20 2003-07-22 한미정밀화학주식회사 신규한 티아졸 화합물을 이용한 세팔로스포린계항생물질의 제조 방법
KR100400498B1 (ko) * 2000-11-16 2003-10-08 씨제이 주식회사 세펨 유도체 또는 그 염의 신규한 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101883773B1 (ko) * 2016-01-13 2018-07-31 건국대학교 글로컬산학협력단 환자의 침대 낙상 방지 시스템 및 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980024903A (ko) * 1996-09-25 1998-07-06 고니시 마사유끼 세펨 화합물의 제조 방법
KR100342600B1 (ko) * 2000-03-06 2002-07-04 한미정밀화학주식회사 신규한 티아졸 화합물 및 그의 제조 방법
KR100392409B1 (ko) * 2000-03-20 2003-07-22 한미정밀화학주식회사 신규한 티아졸 화합물을 이용한 세팔로스포린계항생물질의 제조 방법
KR100400498B1 (ko) * 2000-11-16 2003-10-08 씨제이 주식회사 세펨 유도체 또는 그 염의 신규한 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
PL145972B1 (en) 1988-12-31
JPH0527638B2 (ja) 1993-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01230547A (ja) 3−オキソ酪酸第三ブチルの製造法及びその用途
JPH0320397B2 (ja)
CA1093548A (en) Process for preparation of 3-halomethylcephems
JPS60208986A (ja) 新規セファロスポリン類およびその製造法
JPS6360992A (ja) 3−置換7−アミノチアゾリルアセトアミドセフアロスポラン酸の新規なオキシム誘導体
JP3434839B2 (ja) チアゾール中間体のシン異性体を用いたセファロスポリン抗生物質の製造法
CA1339312C (en) Process for the manufacture of carboxylic acid amides
JP2595605B2 (ja) 2−置換オキシイミノ−3−オキソ酪酸の製造法
KR890002107B1 (ko) 세팔로스포린 유도체의 제조방법
JPS60228486A (ja) セフアロスポリン類の新規製造法
JPH0832707B2 (ja) 新規なセフアロスポリン類およびその塩
JPS60248691A (ja) セファロスポリン類の新規製造法
JPS6124580A (ja) アミノチアゾリルグルタル酸誘導体の製造方法
JPS60214783A (ja) 2―アミノ―4―ヒドロキシチアゾリン誘導体およびその塩ならびにそれらの製造法
JPH06211820A (ja) ハロゲン化アミノチアジアゾリル酢酸誘導体の製造法
JPH024227B2 (ja)
JPH0613528B2 (ja) セフエム化合物のメトキシ化法
JPS5821628B2 (ja) テトラゾ−ルサクサンユウドウタイノ セイゾウホウ
JPS6172788A (ja) セフアロスポリン類の新規製造法
JPH04149180A (ja) 含窒素複素環四級塩化合物及び該化合物の製造方法
NO167574B (no) Fremgangsmaate for fremstilling av 3-substituerte 7-(2-(2-aminotiazol-4-yl)-2-(syn)-alkoksyiminoacetamido -delta3-cefem-karboksylsyrederivater.
JPH0556350B2 (ja)
HU202539B (en) Process for producing cef-3-em-4-carboxylic acid derivatives
JPS60120888A (ja) セフェム誘導体
JPH02145588A (ja) 6位ヘテロ原子置換1,2,4−トリアゾロ[3,4−b]−1,3,4−チアジアジン系化合物の製造方法