JPS60211064A - 蒸着マスクおよびそれを用いた蒸着膜の製造方法 - Google Patents
蒸着マスクおよびそれを用いた蒸着膜の製造方法Info
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- JPS60211064A JPS60211064A JP6672984A JP6672984A JPS60211064A JP S60211064 A JPS60211064 A JP S60211064A JP 6672984 A JP6672984 A JP 6672984A JP 6672984 A JP6672984 A JP 6672984A JP S60211064 A JPS60211064 A JP S60211064A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- vapor
- linear expansion
- base plate
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマスク蒸着の改良に係り、特に蒸着マスクの改
善およびそれを用いた蒸着膜の製造方法に関する。
善およびそれを用いた蒸着膜の製造方法に関する。
マスク蒸着によって正確なパターンニング(P att
arning)を行なうために′は、蒸着マスクと被蒸
着基板とが密着していることが必要であるが。
arning)を行なうために′は、蒸着マスクと被蒸
着基板とが密着していることが必要であるが。
従来技術においては、マスク蒸着に使用するマスクは単
一の金属板によって構成されていたので。
一の金属板によって構成されていたので。
基板加熱を行なった場合にマスクが熱膨張のために撓ん
でしまい、基板との間にずれや隙間が生じてしまうこと
が多かった。また、マスクに線膨張率の非常に小さな材
料を使用した場合でも、基板の被蒸着面は下方に向いて
おり、かつ蒸着膜厚の均一性を向上させるために、基板
を自転あるいは公転させるので、基板やマスクに外力が
加わり。
でしまい、基板との間にずれや隙間が生じてしまうこと
が多かった。また、マスクに線膨張率の非常に小さな材
料を使用した場合でも、基板の被蒸着面は下方に向いて
おり、かつ蒸着膜厚の均一性を向上させるために、基板
を自転あるいは公転させるので、基板やマスクに外力が
加わり。
それが両者の間にずれや隙間を生じさせる原因となって
いた。このように、基板とマスクの間にずれや隙間が生
じた状態で蒸着が行なわれると、マスクのパターンに対
して蒸着膜のパターンが広がってしまい1周辺部がぼけ
た形となり正確なパターンニングが困難であった。
いた。このように、基板とマスクの間にずれや隙間が生
じた状態で蒸着が行なわれると、マスクのパターンに対
して蒸着膜のパターンが広がってしまい1周辺部がぼけ
た形となり正確なパターンニングが困難であった。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を解消し、基板
加熱を必要とするマスク蒸着において。
加熱を必要とするマスク蒸着において。
蒸着膜の正確なパターンニングが可能な蒸着マスクおよ
びそれを用いた蒸着膜の製造方法を提供するにある。
びそれを用いた蒸着膜の製造方法を提供するにある。
要するに本発明は、基板加熱を必要とするマスク蒸着に
おいて、異なる線膨張率を有する2種類の金属板からな
るバイメタルによって蒸着マスクを構成し、かつ線膨張
率の高い方の金属面を被蒸着基板に密着させて蒸着する
方法である。これは。
おいて、異なる線膨張率を有する2種類の金属板からな
るバイメタルによって蒸着マスクを構成し、かつ線膨張
率の高い方の金属面を被蒸着基板に密着させて蒸着する
方法である。これは。
バイメタルを加熱すれば線膨張率の高い方の金属面を外
側にして円弧状に変形するという性質を利用したもので
ある。すなわち、はじめにバイメタル製の蒸着マスクの
線膨張率の高い方の金属面を被蒸着基板に密着させ、蒸
着マスクの周辺部あるいは四隅を蒸着基板に固定してお
き2次に、基板加熱を行なうとマスクは基板を押さえる
方向に変形しようとする。このため、基板とマスクの接
触面は隙間が無くなり、しかも回転などによる外−力が
加わっても、しっかりと基板を押さえつけているので、
ずれも生じなくなり蒸着膜の正確なパターンニングがで
きることになる。
側にして円弧状に変形するという性質を利用したもので
ある。すなわち、はじめにバイメタル製の蒸着マスクの
線膨張率の高い方の金属面を被蒸着基板に密着させ、蒸
着マスクの周辺部あるいは四隅を蒸着基板に固定してお
き2次に、基板加熱を行なうとマスクは基板を押さえる
方向に変形しようとする。このため、基板とマスクの接
触面は隙間が無くなり、しかも回転などによる外−力が
加わっても、しっかりと基板を押さえつけているので、
ずれも生じなくなり蒸着膜の正確なパターンニングがで
きることになる。
以下に本発明による一実施例を図面によって説明する。
第1図は、蒸着に使用した真空槽内の概略構造を示す説
明図である。図から明らかなごとく、真空槽10内の底
部には蒸着源20があり、その上にはシャッタ30が置
かれている。また、左右に基板加熱用ヒータ40が配置
され、上部には基板を回転する治具50がセットされて
いて自転および公転ができるようになっている。第2図
は、基板回転治具50の平面図であって、基板回転治具
50は。
明図である。図から明らかなごとく、真空槽10内の底
部には蒸着源20があり、その上にはシャッタ30が置
かれている。また、左右に基板加熱用ヒータ40が配置
され、上部には基板を回転する治具50がセットされて
いて自転および公転ができるようになっている。第2図
は、基板回転治具50の平面図であって、基板回転治具
50は。
4個の基板取付は枠(内のり100va X 100園
)51と回転軸部52からなっており、基板取付は枠5
1の四隅には基板保持用つめ53がある。第3図は、基
板取付は枠の構成を示す説明図で、まずマスク60を基
板取付は枠51にセットし、その上にガラス基板(10
0w+ X 100wm) 70.当て板(100am
X 100aa) 54を順にセットし、最後に押さ
えばね55によって固定する。第4図は、マスク60の
パターン平面図である。
)51と回転軸部52からなっており、基板取付は枠5
1の四隅には基板保持用つめ53がある。第3図は、基
板取付は枠の構成を示す説明図で、まずマスク60を基
板取付は枠51にセットし、その上にガラス基板(10
0w+ X 100wm) 70.当て板(100am
X 100aa) 54を順にセットし、最後に押さ
えばね55によって固定する。第4図は、マスク60の
パターン平面図である。
まず9本発明の実施例と比較する意味において。
従来技術によって蒸着膜を製造した一例を紹介する。
蒸着マスクの材質はステンレス(SUS316)製の単
一金属板で、サイズは100mm X 100+m+
を厚さ0.3mで、 30mmX30mの正方形の穴が
4カ所おいている。このマスク60.ガラス基板70.
当て板54゜押さえばね55を基板取付は枠51にセッ
トした。そして基板回転治具50を真空槽10内に取付
けた。次に、真空排気を行ない5 X 10”” To
rrに達してから、基板回転治具50を自転しながら公
転させ、基板加熱用ヒータ40により基板加熱を行ない
350℃まで加熱した。その後、蒸着源20(本実験で
は荊を使用)を加熱し、シャッタ30を開いて蒸着を行
なった。この時の膜厚は約5000人であった。蒸着後
、しばらく放置し温度が50℃以下になってから。
一金属板で、サイズは100mm X 100+m+
を厚さ0.3mで、 30mmX30mの正方形の穴が
4カ所おいている。このマスク60.ガラス基板70.
当て板54゜押さえばね55を基板取付は枠51にセッ
トした。そして基板回転治具50を真空槽10内に取付
けた。次に、真空排気を行ない5 X 10”” To
rrに達してから、基板回転治具50を自転しながら公
転させ、基板加熱用ヒータ40により基板加熱を行ない
350℃まで加熱した。その後、蒸着源20(本実験で
は荊を使用)を加熱し、シャッタ30を開いて蒸着を行
なった。この時の膜厚は約5000人であった。蒸着後
、しばらく放置し温度が50℃以下になってから。
ガラス基板70を取出し、室温(約24℃)で測定した
。その結果を第1表に示す。
。その結果を第1表に示す。
次に9本発明の一実施例を説明する。
(実施例1)
アンバー(線膨張率;約1.2X10−’deg−’、
厚さ;約0.15mm)と青銅(線膨張率;約17.5
X10−i60g−1゜厚さ;約0.15m)で構成さ
れたバイメタルで作製したマスクを使用し、青銅側をガ
ラス基板70に密着させて、上記の従来技術による実験
例と同じ条件で蒸着を行なった。その結果を第1表に示
す。
厚さ;約0.15mm)と青銅(線膨張率;約17.5
X10−i60g−1゜厚さ;約0.15m)で構成さ
れたバイメタルで作製したマスクを使用し、青銅側をガ
ラス基板70に密着させて、上記の従来技術による実験
例と同じ条件で蒸着を行なった。その結果を第1表に示
す。
(実施例2)
チタン(線膨張率;約9−OX 10−’dog−’
を厚さ;約0.15+m+)とニッケル(線膨張率;約
12.8X10−’deg−’ 、厚さ;約0.15m
+)で構成されたバイメタルで作製したマスクを使用し
、ニッケル側をガラス基板70に密着させて、上記の従
来技術による実験例と同じ条件で蒸着を行なった。その
結果を第1表に示す。
を厚さ;約0.15+m+)とニッケル(線膨張率;約
12.8X10−’deg−’ 、厚さ;約0.15m
+)で構成されたバイメタルで作製したマスクを使用し
、ニッケル側をガラス基板70に密着させて、上記の従
来技術による実験例と同じ条件で蒸着を行なった。その
結果を第1表に示す。
以上の結果より明らかなごとく、単一金属で作製された
マスクを使用するより、バイメタル製のマスクを使用し
た方が蒸着パターンの誤差が少ない。また、正方形のパ
ターンの四隅の角の部分を調べたところ、バイメタル製
マスクより単一金属板製マスクを使用した時の方が、か
なり丸みをおびていることを発明者らは確認している。
マスクを使用するより、バイメタル製のマスクを使用し
た方が蒸着パターンの誤差が少ない。また、正方形のパ
ターンの四隅の角の部分を調べたところ、バイメタル製
マスクより単一金属板製マスクを使用した時の方が、か
なり丸みをおびていることを発明者らは確認している。
本発明の蒸着マスクを構成するバイメタルの線膨張率の
差であるが、その差が1.0X10−”dog−1未満
であると、変形量が少なく蒸着マスクが基板に密着しな
いので正確なパターンニングが望めない。
差であるが、その差が1.0X10−”dog−1未満
であると、変形量が少なく蒸着マスクが基板に密着しな
いので正確なパターンニングが望めない。
そして、その線膨張率の差は大きければ大きい程よいが
、特にその上限を限定するものではなく。
、特にその上限を限定するものではなく。
要は蒸着マスクが基板に密着する構成であればよい。
また、蒸着マスクとしてのバイメタルの厚さは0.1〜
0.5■の範囲がよ(、0,1m+未満ではマスクとし
ての強度が足りなくて変形し易い。その厚さが0.5閣
を越えると、蒸着膜の周辺部に蒸着層の薄いマスクの陰
ができるので好ましくない。より好ましい範囲は0.1
〜0.3m厚さである。
0.5■の範囲がよ(、0,1m+未満ではマスクとし
ての強度が足りなくて変形し易い。その厚さが0.5閣
を越えると、蒸着膜の周辺部に蒸着層の薄いマスクの陰
ができるので好ましくない。より好ましい範囲は0.1
〜0.3m厚さである。
なお、バイメタルを構成する金属板の厚み比については
9本実施例では1:1のものを採用したが、この厚み比
は特に限定するものではなく、蒸着マスクとして基板と
の密着性を高めるように。
9本実施例では1:1のものを採用したが、この厚み比
は特に限定するものではなく、蒸着マスクとして基板と
の密着性を高めるように。
バイメタル金属板の厚さの比を変えることは自由である
。
。
以上詳細に説明したごとく9本発明によれば。
基板加熱を必要とするマスク蒸着において、異なる線膨
張率を有する2種類の金属板からなる。バイメタルによ
って作製された蒸着マスクを使用することにより、正確
なパターンニングを行なうことができ、良質の蒸着膜を
製造することができ。
張率を有する2種類の金属板からなる。バイメタルによ
って作製された蒸着マスクを使用することにより、正確
なパターンニングを行なうことができ、良質の蒸着膜を
製造することができ。
実用上の効果は大きい。
第1図は本発明の蒸着に使用した真空槽内の概略構造を
示す説明図、第2図は基板回転治具の平面図、第3図は
基板取付は枠の構成を示す説明図。 第4図はマスクのパターンを示す平面図である。 10・・・真空槽 20・・・蒸着源 30・・・シャッタ 40・・・基板加熱用ヒータ50
・・・基板回転治具 51・・・基板取付は枠52・・
・回転軸部 53・・・基板保持用つめ54・・・当て
板 55・・・押さえばね60・・・マスク 70・・
・ガラス基板代理人弁理士 中 村 純之助 t1図 Jl/!p2 図
示す説明図、第2図は基板回転治具の平面図、第3図は
基板取付は枠の構成を示す説明図。 第4図はマスクのパターンを示す平面図である。 10・・・真空槽 20・・・蒸着源 30・・・シャッタ 40・・・基板加熱用ヒータ50
・・・基板回転治具 51・・・基板取付は枠52・・
・回転軸部 53・・・基板保持用つめ54・・・当て
板 55・・・押さえばね60・・・マスク 70・・
・ガラス基板代理人弁理士 中 村 純之助 t1図 Jl/!p2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、線膨張率の異なる。少なくとも2種類の金属板から
なる複合金属板によって構成されることを特徴とする蒸
着マスク。 2、線膨張率の異なる。少なくとも2種類の金属板の線
膨張率の差が1.0X10−@deg−’以上であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の蒸着マスク
。 3、線膨張率の異なる。少なくとも2種類の金属板から
なる複合金属板によって構成される蒸着マスクを用い、
該蒸着マスクの線膨張率の高い方の金属面を、被蒸着基
板に密着させて蒸着を行なうことを特徴とする蒸着膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6672984A JPS60211064A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 蒸着マスクおよびそれを用いた蒸着膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6672984A JPS60211064A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 蒸着マスクおよびそれを用いた蒸着膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211064A true JPS60211064A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13324268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6672984A Pending JPS60211064A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 蒸着マスクおよびそれを用いた蒸着膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211064A (ja) |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6672984A patent/JPS60211064A/ja active Pending
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