JPS6040438B2 - 1−オキサデチアセフアロスポリンの製法 - Google Patents

1−オキサデチアセフアロスポリンの製法

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JPS6040438B2
JPS6040438B2 JP52067025A JP6702577A JPS6040438B2 JP S6040438 B2 JPS6040438 B2 JP S6040438B2 JP 52067025 A JP52067025 A JP 52067025A JP 6702577 A JP6702577 A JP 6702577A JP S6040438 B2 JPS6040438 B2 JP S6040438B2
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D505/00Heterocyclic compounds containing 5-oxa-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. oxacephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は3一脱離基置換一1−オキサデチァセフアム
化合物(1)の3位脱離基を脱離させて、1−オキサデ
チアセフアロスポリン(ロ)を製造する方法に関する。
(式中、Aはアロイルアミノ、フエニルアセトアミドま
たはフエノキシアセトアミドBはアラルコキシ、 Xは水素、ハロゲンまたは1ーメチルテトラゾール−5
−イルチオ、Yは水素またはメトキシ、 Zは水酸基またはハロゲン、 波線はQ結合または8結合、 点線は2位または3位二重結合、 をそれぞれ示す) (原料製法) この発明の原料物質(1)は、例えば下式の方法により
合成できる。
(反応操作) この発明は原料物質1の脱離基Zを水素とともに脱離ご
せて目的物質0を製造することによって実施する。
脱離する水位の位置により△2と△3の異性体が生成す
るが、条件によっては生成した二重結合が移動して位置
異性体を生成することもある。Zがヒドロキシの場合に
は脱水剤(ハロゲン化チオニル、五酸化りん、無機酸、
有機酸、無機塩基、有機塩基、アルミナ、シリカゲル、
など)、ハロゲン化剤(五ハロゲン化りん、三ハロゲン
化りん、オキシハロゲン化りん、スルフリル・ハロゲニ
ド、など)、アシル化剤(酸無水物、酸ハロゲン化物、
酸ィソシアニド、など)、その他を、要すれば、塩基(
無機または有機塩基)の存在下に作用させる。
Zがハロゲンまたはアシルオキシの場合には脱酸剤(有
機または無機塩基、シリカゲル、アルミナ、など)を作
用させる。
活性の高い場合には、特定の脱酸剤を作用させることな
しにHZが脱離することもある。前記試薬中、ハロゲン
としては塩素、臭素が好ましく:無機酸としては鉱酸、
ルイス酸、など:有機酸としては強酸性カルポン酸、脂
肪族または芳香族のスルホン酸、ホスホン酸など;無機
塩基としてはアルカリ金属の水酸化物、重炭酸塩、炭酸
塩、弱酸塩、メルカプチド、アルコレート、アルカリ士
類金属の酸化物Y水酸化物、重炭酸塩、炭酸塩など;有
機塩基としては脂肪族または芳香族のアミン、芳香族塩
基、有機弱酸の塩など;アシル化剤のアシル基としては
無機酸または有機酸のアシル基;を例示することができ
る。
これらの反応は通常、溶媒中、加温、室温、または低温
下に進行する。
ここに使用する溶媒としては反応、原料および生成物に
不都合な影響のないものであれば、いずれも利用できる
たとえば、炭化水素(ヘキサン、シクロヘキサン、ベン
ゼン、トルエンなど)、ハロ炭化水素(クロロメタン、
塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロ
ベンゼンなど)、エーテル(ジエチルエーテル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、など)、エステル(酢酸エ
チル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、など)、ケトン(
アセトン、シクロヘキサン、など)、アルコール(メタ
ノール、エタノール、ベンジルアルコール、など)スル
ホキシド(ジメチルスルホキシド、など)、ニトリル(
アセトニトリル、ベンゾニトリル、など)、塩基(トリ
ェチルァミン、ピリジン、キノリン、など)、酸(酢酸
、プロピオン酸、など)、酸無水物(無水酢酸、トリフ
ルオロ酢酸無水物、など)、その他の溶媒またはそれら
の混合物を例示できる。反応中、脱HZ剤、溶媒、など
の作用により、A、COB、X、Y、二重結合、立体配
位などが、原料の対応する基と異る生成物を得ることも
あるが、この様な場合もこの発明の範囲に含めるものと
する。
これを利用し、脱虹Z剤、溶媒を適当に選択することに
より二種以上の反応を同時に行なって、効率の高い合成
をすることもできる。たとえば、実施例15と18では
△3の導入と同時にX基を置換でき、実施例17と18
では△3の導入と同時にYを水素からメトキシに変更で
きる。このようにして製造した化合物(mは、例えば濃
縮、抽出、洗浄など、常法により溶媒、未反応物、創生
物などを除去し、再沈澱、クロマトグラフィー、再結晶
など、常法により精製すれば取得できる。△2と△3異
性体が同時に生成したときには精密なクロマトグラフィ
ー、分別再結晶などにより分離することもできる。この
ようにして製造した化合物(ロ)の中、COBがカルボ
キシまたはその塩であるものは抗菌剤として有用であり
、COBが保護カルボキシであるものは、これを脱保護
し、Aを好ましいアシル基、たとえばアリールマロンア
ミド、Xを1−メチルテトラゾールー5−ィルチオに変
更することにより、著しく強力は抗菌剤である1−オキ
サデチアセフアロスポリンに誘導することができる。
これらの反応はペニシリン、セフアロスポリンの化学で
常用されている方法を応用することにより、実施するこ
ともできる。以下に実施例を示し、この発明の態様を説
明する。
実施例 1〜22 原料化合物(1)を溶媒にとかし、脱HX剤を加えて所
定温度に所定時間保ちながら、かきまぜる。
反応液を氷水に注ぎ、塩化メチレンなど水に混和しない
溶媒で抽出し、乾燥後、溶媒留去する。残留物を再結晶
するか、クロマトグラフィーにより、精製後、不溶性溶
媒を加えて固化させれば目的物質(ロ)を得る。反応条
件を第1表に、生成物の物理定数を第0表に示す。
第1表の反応中、実施例1、10、12、21および2
2の反応操作を以下に詳記する。
実施例 1 7a‐ベンズアミドー3fーヒドロキシー3;ーメチル
−1ーデチア−1−オキサセフアムー4Qーカルポン酸
ジフェニルメチル15.0夕を塩化メチレン100地に
懸濁し、氷冷下にかきまぜながらピリジン6.8の‘と
塩化チオニル3肌を加えて75分間、および室温で2時
間15分かきまぜる反応液を氷水に注入し、有機溶媒層
を水洗、乾燥後溶媒蟹去する。
残留物を10%含水シリカゲル350#上クロマトグラ
フし、ベンゼン+酢酸エチル(9:1)混液で溶出する
分画より7Q−ペンズアミドー3−メチル一1−デチア
ー1−オキサ−3ーセフェムー4−カルボン酸ジフェニ
ルメチル2.65夕(収率:25.2%;mp.144
〜146oo)と7Qーベンズアミドー3−メチル一1
ーデチアー1ーオキサ−3ーセフヱムー4Qーカルボン
酸ジフェニルメチル1.05夕(収率:10.8%:I
R:レ常皮133340、1782、1745、167
6、166$b肌‐1)とを得る。なお、両異性体の混
合物も得られる。実施例 10 7Q−ペンズアミドー3Q−ヒドロキシー38ークロロ
メチル−1ーデチアー1−オキサセフアムー4Q−カル
ボン酸ペンジルェステル1夕を塩化チオニル0.905
m‘とピリジン0.825泌とのテトラヒドロフラン2
0M溶液に氷冷下にとかし室温に戻したのち、6斑時間
かきまぜる。
析出した結晶を炉取し、酢酸エチル、水、塩化メチレン
、アセトンで順次洗い、乾燥すれば452の夕の結晶を
得る。母液は酢酸エチルlooの‘で抽出し、水洗した
のち、前記結晶の洗液と合して酢酸エチルで抽出し、硫
酸ナトリウムで乾燥すれば389の9の残留物を得、ア
セトンから再結晶すれば236の9の結晶を得る。両結
晶は目的物である7Q−ペンズアミド−3−クロロメチ
ルーデチア−1ーオキサー3−セフヱム−4ーカルボン
酸ペンジルェステルである。mp.187〜18洋○(
分解)。収率;71.2%。実施例127Qーベンズア
ミド−3ーエキソメチレンー1−デチア1ーオキサセフ
アムー4Q−カルボン酸ジフェニルメチルェステル51
9の9を塩化メチレン5泌にとかし、0.7州塩素/四
塩化炭素1.6舷を加え、一20〜一30ooに冷却下
に40分間タングステン灯で照射する。
これにシクロベンテン15A〆を加えて再び照射し、次
いで1・5ージアザビシクロ〔4・3・0〕ノネンー5
の140仏そを加え、一20℃で10分間かきまぜる。
反応液を希塩酸、水で洗い、硫酸マグネシウム上乾燥後
、溶媒留去する。残留物をメタノールから再結晶すれば
7Qーベンズアミド−3−クロロメチルー1ーデチア−
1ーオキサー3−セフェム−4ーカルボン酸ジフェニル
メチルェステル484の9を得る。収率:86%。mp
.120〜12800。実施例 21 7Qーフエニルアセトアミドー3−エキソメチレンー1
−ヂチアー1−オキサセフアムー4ーカルボン酸ペンジ
ルェステル205の9を塩化メチレン4の上にとかし、
一30午0に保ち1.34M塩素/四塩化炭素溶液0.
48の‘を加えてタングステン灯で20分照射、さらに
1.34M塩素/四塩化炭素溶液0.11舷を加えて2
8分間照射する。
反応液にシクロベンテン32仏そを加えて15分間かき
まぜ、ピリジン59一そを加えて氷冷下に1時間かきま
ぜる。ピベリジン20〃そを加えて2.虫時間反応させ
、酢酸エチルで希釈し、氷水と塩酸を加えて洗う。有機
層を水洗、乾燥し、溶媒留去する。残留物221の9を
エーテルで洗えば7Q−フヱニルアセトアミド−3ーク
ロロメチル−1−デチア−1ーオキサ−3−セフェム−
4−カルボン酸ペンジルェステル145の9を得る。m
p.137〜139.500。収率:65.3%。実施
例 22〔原料製造〕 (1} 6Q−フェノキシアセトアミドベニシラン酸ジ
フエニルメチルエステル・1ーオキシド5.042夕、
トリフエニルホスフイン2.73夕、1・2ージクロロ
エタン25.2泌およびトルエン25.2の‘の混合物
を3時間還流し、エーテルを加えて析出物を炉去し、炉
液をシリカゲル上クロマトグラフすれば(波)−3ーメ
チルー2−〔(IR・駅)−3ーフェノキシメチルー7
ーオキソー4ーオキサー2・6−ジアザビシクロ〔3・
2・0〕へプトー2−エンー6−イル〕−3ーブテン酸
フェニルメチルェステル3.303夕を得る。
収率:72.3%。【21前記mの生成物2.4699
を酢酸エチル74.1泌にとかし、氷袷下2.捌M塩化
水素/エーテル溶液1.1当量を加え、室温にて1.3
8M塩素/四塩化炭素1.5当量を25分間に滴下し、
10分後、反応液を冷水74.1凧【、炭酸水素ナトリ
ウム1.51夕、チオ硫酸ナトリウム2.54夕の混合
物に注入し、アセトン74の【を加えて5時間かきまぜ
る。
混合物を酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗、乾燥し、
濃縮する。残留物2.808夕をクロマトグラフして精
製すれば(恋)−3−クロロメチルー2−〔(IR・S
)−3−フエノキシメチル−7ーオキソ−4ーオキサー
2・6−ジアザビシクロ〔3・2・0〕へプトー2−エ
ンー6ーィル〕−3−ブテン酸ジフェニルメチルェステ
ル1.664夕を得る。収率・62.9%。‘3’ 前
記■の生成物749の9、アセトン7.5の‘およびび
よう化ナトリウム760の9の混合物を2時間かきまぜ
たのち、酢酸エチルで抽出する。有機層を水洗、乾燥、
濃縮し、残留物818雌をジメチルスルホキシド7.4
9叫、水1.87の【および酸化第一銅622雌と混合
し、40o○で3時間かきまぜる。反応液を酢酸エチル
50私でうすめ.、析出物を炉去し、炉液を水洗、乾燥
、濃縮する。残留物をクロマトグラフすれば(波)‐3
−ヒドロキシメチルー2一〔(IR・虫)一3−フエノ
キシメチルー7ーオキソ−4ーオキサ−2・6ージアザ
ビシクロ〔3・210〕へプトー2−ェンー6−イル〕
−3−ブテン酸フェニルメチルェステル218m9を得
る。収率:3o.2%‘4} 前記の生成物169の9
を塩化メチレン1.7私にとかし、硫酸鋼を169の9
を加え3.曲時間還流する。不溶物を炉去、反応液を酢
酸エチルでうすめ、水洗、乾燥し、濃縮する。残留物を
クロマトグラフして精製すれば7Qーフェノキシアセト
アミドー3ーメチレンー1ーデチアー1ーオキサセフア
ム−4Qーカルボン酸フェニルメチル78のcを得る。
収率:46.2%。〔実施例22の反応〕 前記‘4ーの生成物68mpを塩化メチレン1.4の‘
にとかし、一50ooてタングステン灯で照射下に1.
8M塩素/四塩化炭素溶液1.3当量を加える。
30分後、シクロベンテン0.4当量とピべリジン16
仏〆とを加え、氷冷する。
30分したのち、反応液を酢酸エチルで希釈し、冷希塩
酸、炭酸水素ナトリウム水、および水で洗い、乾燥し、
濃縮する。
残留物70の9をエーテルから再結晶すれば7Qーフヱ
ノキシアセトアミドー3−クロロメチル−1ーデチア−
1−オキサ−3ーセフェムー4ーカルボン酸ジフェニル
メチルェステル63雌を得る。収率:89%。mp16
2〜I64℃。(各工程の生成物の物理定数は次の通り
)‘1) m:レS奴13178ふ17401651伽
‐1。
NMR: 6 C0013 1.8碑9日 、 4.5
$2日 、4.8$IH、4.9$IH、5.2〜5.
1m2日、5.87d(4HZ)IH、6.9伍IH、
6.8〜7.8ml細〇【211R:〃忌袋13178
317431658弧‐1。NMR: 6 ooo13
4.1$2日 、 4.6$2日 、5.1伍IH、
5.2の(4HZ)IH、5.2$IH、5.5$IH
、5.8弦(4日2)IH、6.9SI日、6.8〜7
.7ml9日。【31m:レS袋CI33350、17
82、1750、1662弧‐1。
NMR: 6 CoC13 4.1$2日 、 4.5
$2日 、4.9$IH、5.1$IH、5.2の(4
日2)IH、5.41sIH、5.9の(4HZ)IH
、6.9$IH、6.6〜7.肌凪{4} m:レS髪
1334101777、1742、1691弧‐1。N
MR:60DC134.2本2日、4.5$2日、4.
9紅(8日2)IH、5.1$IH、5.262日、5
.3$IH、6.8$IH、6.6〜7.8h18日。
利用例1 {1) 7Qーフエニルアセトアミドー3−クロロメチ
ルー1ーデチアー1−オキサ−3ーセフエム−4−カル
ボン酸ジフェニルメチル7&夕をテトラヒドロフラン3
叫と塩化メチレン2の‘の混合物にとかし、一40〜一
3yoでかさまぜながら、t−ブチルヒポクリト26し
そと2Nリチウムメトキシド/メタノール10の【とを
加えて15分間かきまぜる。
酢酸0.1Mを加えた反応液を氷冷食塩水に注ぎ、酢酸
エチルで抽出する。有機層をチオ硫酸ナトリウム水、炭
酸水素ナトリウム水、食塩水で洗い、硫酸ナトリウム上
乾燥し、溶媒留去すれば73ーフヱニルアセトアミドー
7oーメトキシ−3ークロロメチルー1ーデチアー1ー
オキサー3−セフエムー4−力ルボン酸ジフェニルメチ
ル81雌を得る。IR:〃忌舷133410、1788
1728 1695弧‐INMR:6CDC133.4
$9日、3.6$2日、4.4$十s4日、5.0SI
日、6.581日、6.9$IH、7.1〜7.6ml
9日。
{2} 前記mの生成物76の9、アセトン2の上、1
−〆チルテトラゾール−5ーチオールのナトリウム塩2
2地の混合物を室温でかさまぜる。
35分後、反応液を氷水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出す
る。
有機層を食塩水で洗い、乾燥後、溶媒蟹去する。残留物
88のoを塩化メチレンーェーテルから再結晶すれば7
6−フェニルアセトアミド一7Q−メトキシ−3一(1
ーメチルテトラゾール−5−イル)ーチオメチルー1ー
デチアー1−オキサ−3−セフェム−4−カルポン酸ジ
フェニルメチル57のpを得る。通算収率:67.7%
。mP174〜176q0。(3} 7Q−フエニルア
セトアミド−3−クロロメチル−1−デチアー1−オキ
サ−3−セフエムー4−カルポン酸ジフェニルメチル1
71のo、アセトン5の‘、1ーメチルテトラゾール一
5−イルチオールのナトリウム塩51の9の混合物を室
温で3雌ご間かきまぜる。
反応液を酢酸エチルで抽出し、有機層を食塩水で洗い、
硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒留去すれば7Q−フェニ
ルアセトアミド−3−(1−メチルテトラゾール−5ー
イル)チオメチル−1−デチア−1−オキサー3ーセフ
ェムー4−カルボン酸ジフェニルメチル195の夕を得
る。NMR:6CDC133.6$2日、3‐77S母
日、4.2$2日、4.57sが、4.6M(7HZ)
IH、4.9SI日、6.2粕(7HZ)IH、6.9
公IH、7.2〜7.6mlHH。
【4’前記‘3’の生成物90の9を窒素気流中でかき
まぜながら塩化メチレン2の‘にとかし、t−ブチルヒ
ポクロリト19一そと2Mリチウムメトキシド/メタノ
ール溶液94りそとを加える。
5分後に酢酸50仏〆を加える。
反応液を氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。有機層を
10%チオ硫酸ナトリウム水、炭酸水素ナトリウム水、
および食塩水で洗い、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮
する。残留物90の9を塩化〆チレンーェーテル混液か
ら結晶化すれば78一フェニルアセトアミド−7Qーメ
トキシー3一(1−メチルテトラゾール−5−イル)チ
オメチル−1ーデチアー1ーオキサ−3−セフェム−4
ーカルボン酸ジフェニルメチル54の夕を得る。収率5
7.5%。mp176−177.yo。NMR:8C。
CI33‐47S母日、3‐67S2日、3‐8$SH
、4.2$2日、4.6本2日、5.0SI日、6.2
$IH、6.9$IH、7.2〜7.8hl9日。IR
:レ富舷13341u1792、1700(br)肌‐
1。
利用例 2‘1} 利用例1醐と同機にして78ーベン
スアミド−7Q−メトキシ−3一(クロルまたはブロム
)メチル−1−デチアー1−オキサ−3ーセフェム−4
−カルボン酸ジフェニルメチルより73ーベンズアミド
ー7ーメトキシー3一(1ーメチルテトラゾール−5−
イル)チオメチルー1ーデチア−3ーセフェム−4−カ
ルボン酸ジフヱニルメチルを得る。
IR:〃鑑繋133420、2840、1790、17
25、1磯0伽■ 前記{1’と同様にして(7Q−ペ
ンズアミドまたは78−ペンズアミド−7Qーメトキシ
)−3ークooメチル−1−デチア−1ーオキサー3−
セフェムー4ーカルボン酸ペンジルより(7Qーベンズ
アミドまたは78ーベンズアミドー7Q−メトキシ)一
3−(1ーメチルテトラゾール−5−イル)チオメチレ
ー1ーデチア−1ーオキサ−3ーセフェムー4ーカルボ
ン酸ペンジルを得る。
(7Q−ペンズアミド体)mp186〜189午○。(
78−ペンズアミド−7Q−メトキシ体)mp189〜
19100(分解)。略縞 菱 偽 鮒 き 馨 鮒 鰭 柵蝋 三宮 ざふ ;表 主旨 」に 1上 梶 千雌 入‐ ÷さ 一べ さま ミ旨 貝垂 声壷 亨霊 \g 〔セ 。
・ 的○熱 官軍 も丈 ト盤 1ン .. 上( フエ 蓋令 ○) 礎 蔓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式Iで表わされるセフアム化合物に脱水剤または脱
    ハロゲン化水素剤を作用させることを特徴とする式IIで
    表わされるセフアム化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、 Aはアロイルアミノ、フエニルアセトアミドまたはフエ
    ノキシアセトアミド、Bはアラルコキシ、 Xは水素、ハロゲンまたは1−メチルテトラゾール−5
    −イルチオ、Yは水素またはメトキシ、 Zは水酸基またはハロゲン、 波線はα結合またはβ結合、 点線は2位または3位二重結合 をそれぞれ示す)。
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