JPS6058697A - セラミック基板の分割方法 - Google Patents
セラミック基板の分割方法Info
- Publication number
- JPS6058697A JPS6058697A JP16689583A JP16689583A JPS6058697A JP S6058697 A JPS6058697 A JP S6058697A JP 16689583 A JP16689583 A JP 16689583A JP 16689583 A JP16689583 A JP 16689583A JP S6058697 A JPS6058697 A JP S6058697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- hybrid
- grooves
- divided
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は個々の基板に分離するセラミック基板の分割方
法に関する。
法に関する。
（ｂ）技術の背景
セラミック基板上に導体膜、抵抗膜を印刷焼成し、所望
の回路、素子を形成し、その後搭載部品を半田付けして
接着して１枚のセラミック基板よりハイブリッドＩＣを
同時に多数製造することが広く行われている。
の回路、素子を形成し、その後搭載部品を半田付けして
接着して１枚のセラミック基板よりハイブリッドＩＣを
同時に多数製造することが広く行われている。
（ｃ）従来技術と問題点
第１図は従来のセラミック基板の（イ）は斜視図、（ロ
）は分割時の断面図である。
）は分割時の断面図である。
同図（イ）においてセラミック基板１の表面はレーザー
にてスクライビングされ数条の平行なＸ軸方向の■溝３
と数条の平行なＹ軸方向のＶｉ４とにより個々のハイブ
リッドＩＣ基板１１に区画されている。そしてそれぞれ
のハイ−ブリッドＩＣ基板１１には導体膜、抵抗膜が印
刷焼成されて、所望の回路、素子（いずれも図示せず）
が同時に形成されている。
にてスクライビングされ数条の平行なＸ軸方向の■溝３
と数条の平行なＹ軸方向のＶｉ４とにより個々のハイブ
リッドＩＣ基板１１に区画されている。そしてそれぞれ
のハイ−ブリッドＩＣ基板１１には導体膜、抵抗膜が印
刷焼成されて、所望の回路、素子（いずれも図示せず）
が同時に形成されている。
そして所望の回路部分に搭載部品２が半田接着されてい
る。搭載部品２を半田接着するにはまず搭載部品２が実
装される部分に半田層を印刷し、その半田層の上面に搭
載部品２を載置する。その後セラミック基板１の全体を
２４０度前後に加熱して半田をリフローさせ搭載部品２
を半田付けしている。
る。搭載部品２を半田接着するにはまず搭載部品２が実
装される部分に半田層を印刷し、その半田層の上面に搭
載部品２を載置する。その後セラミック基板１の全体を
２４０度前後に加熱して半田をリフローさせ搭載部品２
を半田付けしている。
そして個々のハイブリッドＩＣに分割するには（ロ）の
ように、それぞれのＶ溝３の両側縁を支持合６にて支持
し、Ｖ溝３の一裏面側よりポンチパー５を押圧して、■
溝３部分にて切断しセラミック基板１を短冊状に分離す
る。そしてさらに短冊状のものをＶ溝４部分にて切断し
て、個々のハイブリッドＩＣに分割する。
ように、それぞれのＶ溝３の両側縁を支持合６にて支持
し、Ｖ溝３の一裏面側よりポンチパー５を押圧して、■
溝３部分にて切断しセラミック基板１を短冊状に分離す
る。そしてさらに短冊状のものをＶ溝４部分にて切断し
て、個々のハイブリッドＩＣに分割する。
従来はこのようにしてセラミック基板１を分割している
のであるが、分割作業が煩雑であるばかりでなく、支持
台を当接する■溝の縁部には搭載部品を実装することが
できず、搭載部品の実装領域が制限されるという問題点
がある。
のであるが、分割作業が煩雑であるばかりでなく、支持
台を当接する■溝の縁部には搭載部品を実装することが
できず、搭載部品の実装領域が制限されるという問題点
がある。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点が除去されたセラミ
ック基板の分割方法を提供することにある。
ック基板の分割方法を提供することにある。
（ｅ）発明の構成
この目的を達成するために本発明は、セラミック基板は
表面に７トリックス状に形成された■溝により個々の基
板に区画されてなり、該Ｖ溝内に金属膜を充填焼成形成
せしめ、該セラミック基板を加熱し、該金属膜の熱応力
により該Ｖｔ１部分にて個々の基板に分割するようにし
たもである。
表面に７トリックス状に形成された■溝により個々の基
板に区画されてなり、該Ｖ溝内に金属膜を充填焼成形成
せしめ、該セラミック基板を加熱し、該金属膜の熱応力
により該Ｖｔ１部分にて個々の基板に分割するようにし
たもである。
（ｆ）発明の実施例
以下図示実施例を参照して本発明について詳細に説明す
る。なお全図を通して同一符号は同一対象物を示す。
る。なお全図を通して同一符号は同一対象物を示す。
第２図は本発明の一実施例のセラミック基板の斜視図で
ある。
ある。
同図においてセラミック基板工の表面は数条の平行なＸ
軸方向の■溝３と、数条の平行なＹ軸方向のＶ溝４とに
より、個々のハイブリッドＩＣ基板１１に区画されてい
る。そしてそれぞれのハイブリッドＩＣ基板１１には導
体膜、抵抗膜が印刷焼成されて、所望の回路、素子（い
ずれも図示せず）が同時に形成されている。
軸方向の■溝３と、数条の平行なＹ軸方向のＶ溝４とに
より、個々のハイブリッドＩＣ基板１１に区画されてい
る。そしてそれぞれのハイブリッドＩＣ基板１１には導
体膜、抵抗膜が印刷焼成されて、所望の回路、素子（い
ずれも図示せず）が同時に形成されている。
そしてそれぞれのハイブリッドＩＣ基板１１に抵抗膜、
導体膜をを印刷した直後に、それぞれのＶ溝３およびＶ
溝４内に、熱膨張係数の大なる金属ペーストをスクリー
ン印刷し焼成して金属厚膜７を充填形成せしめである。
導体膜をを印刷した直後に、それぞれのＶ溝３およびＶ
溝４内に、熱膨張係数の大なる金属ペーストをスクリー
ン印刷し焼成して金属厚膜７を充填形成せしめである。
このように金属厚膜７を形成せしめておくと、それぞれ
のハイブリッドＩＣ基板１１に搭載部品２を半田接着す
るするために、セラミック基板１を２４０度前後に加熱
すると、搭載部品２が接着されるとともに、金属膜１１
！７が熱膨張してＶ溝３およびＶ溝４の壁面に応力が附
加される。そしてＶ溝の頂点部分に応力集中する。した
がってセラミック基板１はそれぞれの■溝３．Ｖ溝４の
頂点部分より亀裂が入り、個々のハイブリッドＩＣ基板
１１に分離切断される。
のハイブリッドＩＣ基板１１に搭載部品２を半田接着す
るするために、セラミック基板１を２４０度前後に加熱
すると、搭載部品２が接着されるとともに、金属膜１１
！７が熱膨張してＶ溝３およびＶ溝４の壁面に応力が附
加される。そしてＶ溝の頂点部分に応力集中する。した
がってセラミック基板１はそれぞれの■溝３．Ｖ溝４の
頂点部分より亀裂が入り、個々のハイブリッドＩＣ基板
１１に分離切断される。
なお本発明はハイブリッドＩＣ基板の分割に限定される
ものでなく、セラミック基板がＶ溝にて区画され、区画
されたそれぞれの表面あるいは表面、裏面の両面に、薄
膜あるいは厚膜の回路、素子などが形成された電子部品
の分割に適応できることは勿論である。
ものでなく、セラミック基板がＶ溝にて区画され、区画
されたそれぞれの表面あるいは表面、裏面の両面に、薄
膜あるいは厚膜の回路、素子などが形成された電子部品
の分割に適応できることは勿論である。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように本発明は、セラミック基板を分割する
特別の作業工程を必要とせず、また個々のハイブリッド
ＩＣ基板の搭載部品の実装領域が広いなどと言う実用上
で優れた効果のあるセラミック基板の分割方法である。
特別の作業工程を必要とせず、また個々のハイブリッド
ＩＣ基板の搭載部品の実装領域が広いなどと言う実用上
で優れた効果のあるセラミック基板の分割方法である。
第１図は従来のセラミ・ツク基板の（イ）番お斜視図、
（ロ）は分割時の断面図、第２図は本発明の一実施例の
セラミック基板の斜視図である。 図中１はセラミック基板、２は搭載部品、３゜４は■溝
、７は金属厚膜、１１はノ＼イブリ・ノドＩＣ基板をそ
れぞれ示す。 第１区 （イ） （切 第２日 ／
（ロ）は分割時の断面図、第２図は本発明の一実施例の
セラミック基板の斜視図である。 図中１はセラミック基板、２は搭載部品、３゜４は■溝
、７は金属厚膜、１１はノ＼イブリ・ノドＩＣ基板をそ
れぞれ示す。 第１区 （イ） （切 第２日 ／
Claims (1)
- セラミック基板は表面にマトリックス状に形成されたＶ
溝により個々の基板に区画されてなり、該Ｖ溝内に金属
膜を充填焼成形成せしめ、該セラミック基板を加熱し、
該金属膜の熱応力により該Ｖｍ部分にて個々の基板に分
割することを特徴とするセラミック基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16689583A JPS6058697A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16689583A JPS6058697A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058697A true JPS6058697A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15839612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16689583A Pending JPS6058697A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058697A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010021174A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Denso Corp | 基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248187A (en) * | 1975-10-14 | 1977-04-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Cutting method for highly hard ceramic boards |
-
1983
- 1983-09-10 JP JP16689583A patent/JPS6058697A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248187A (en) * | 1975-10-14 | 1977-04-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Cutting method for highly hard ceramic boards |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010021174A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Denso Corp | 基板の製造方法 |
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