JPS6081158A - 放射線感応物質 - Google Patents
放射線感応物質Info
- Publication number
- JPS6081158A JPS6081158A JP18833283A JP18833283A JPS6081158A JP S6081158 A JPS6081158 A JP S6081158A JP 18833283 A JP18833283 A JP 18833283A JP 18833283 A JP18833283 A JP 18833283A JP S6081158 A JPS6081158 A JP S6081158A
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- JP
- Japan
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- radiation
- compound
- lower alkyl
- formula
- doublet
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- Hydrogenated Pyridines (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は放射線レノストに用いられる含ハロゲン芳香族
アット系放射線感応物質に関する。
アット系放射線感応物質に関する。
近年の半導体工業の急速な進歩に併ない、素子微ＩＹａ
加工技術の分野において要求されるノｌターン寸法も微
細化の一途をたどり、今後はεクロン以下の超微細化・
９ターンを得ることが望まれている。
加工技術の分野において要求されるノｌターン寸法も微
細化の一途をたどり、今後はεクロン以下の超微細化・
９ターンを得ることが望まれている。
この要求に対し、従来のパターン形成用材料である感光
性樹脂は、光の回折や干渉のために原理的にミクロン以
下の超微細パターンを得ることは困難であった。このた
め、回折や干渉が極めて小さい電子線やＸ線を用いたり
ソグラフィ技術がクローズアップされ、これに併なって
これら放射線に感応する樹脂祠科の費求が高まって来た
。
性樹脂は、光の回折や干渉のために原理的にミクロン以
下の超微細パターンを得ることは困難であった。このた
め、回折や干渉が極めて小さい電子線やＸ線を用いたり
ソグラフィ技術がクローズアップされ、これに併なって
これら放射線に感応する樹脂祠科の費求が高まって来た
。
芳香族アジド化合物は、光に対する感度が極めて高いた
め、現在感光性樹脂の感光剤として汎く用いられている
が、放射線に対しては反応性が低いため、放射線感応性
硬化剤としては効果的に用いることができなかった。
め、現在感光性樹脂の感光剤として汎く用いられている
が、放射線に対しては反応性が低いため、放射線感応性
硬化剤としては効果的に用いることができなかった。
本発明の目的は、放射線感応４ｍ脂用の硬化剤として、
放射線感応性の高い芳香族ビスアジド系放射線感応性物
置を提供するにある。
放射線感応性の高い芳香族ビスアジド系放射線感応性物
置を提供するにある。
ビスアジド化合物を感応性樹脂に用いた場合に感度が高
く、放射線感応樹脂に用いた場合感度が低いのは、ビス
アジド化合物は光を吸収する効率が高いのに対し、放射
線の吸収効率が低いために、樹脂硬化に要する活性化学
種の発生効率が低いためと考えられる。放射線の吸収効
率は電子密度に依存するため、上記の吸収効率を高める
ためにはビスアジド化合物に電子密度の高い重原子ハロ
ダンを導入すれば良いと考え、ハロゲン原子を含む芳香
族ビスアジド化合物の合成を鋭怠検討した結果、本発明
者らは、下記の一般式で表わされる含ハロゲン芳香族ビ
スアジド化合物で上記目的が達成されるという知見に到
達した。
く、放射線感応樹脂に用いた場合感度が低いのは、ビス
アジド化合物は光を吸収する効率が高いのに対し、放射
線の吸収効率が低いために、樹脂硬化に要する活性化学
種の発生効率が低いためと考えられる。放射線の吸収効
率は電子密度に依存するため、上記の吸収効率を高める
ためにはビスアジド化合物に電子密度の高い重原子ハロ
ダンを導入すれば良いと考え、ハロゲン原子を含む芳香
族ビスアジド化合物の合成を鋭怠検討した結果、本発明
者らは、下記の一般式で表わされる含ハロゲン芳香族ビ
スアジド化合物で上記目的が達成されるという知見に到
達した。
ただし、Ｘはハロゲン、Ｙは−ＣＨ−または−Ｎ−。
１．１
２はＹが−ＣＨ−のとき水素、低級アルキル基、一０Ｒ
Ｉ（Ｒ１は水素または低級アルキル基を衣わす）、はｌ
を表わし、−Ｎ３基はベンゼン核のパラまたはメタ位に
位置する。
Ｉ（Ｒ１は水素または低級アルキル基を衣わす）、はｌ
を表わし、−Ｎ３基はベンゼン核のパラまたはメタ位に
位置する。
一般式（１）または（２）で表わされる化合物は、４−
置換２．６−ビス（アジドペンデル）シクロヘキサノン
、ジアジドカルコンまたはジアジドペンデルアセトンを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン−ハロゲン錯体と反応させ
ることによって合成した。
置換２．６−ビス（アジドペンデル）シクロヘキサノン
、ジアジドカルコンまたはジアジドペンデルアセトンを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン−ハロゲン錯体と反応させ
ることによって合成した。
一般式（３）または（４）で表わされる化合物は前記一
般式（１）または（２）で表わされる化合物を非プロト
ン性極性溶媒中、ピリジンで処理し、脱ハロゲン化水素
反応させることによって合成した。
般式（１）または（２）で表わされる化合物を非プロト
ン性極性溶媒中、ピリジンで処理し、脱ハロゲン化水素
反応させることによって合成した。
以下、本発明によって提供される含ハロゲン芳香族ビス
アジド化合物とその合成法を実施例によって説明する。
アジド化合物とその合成法を実施例によって説明する。
なお、以下の実施例に示す分解望ヒはすべて示差熱分析
装置による発熱ピークからめた。また、核磁気共鳴ＣＮ
ＭＲ）スペクトルはすべてジメチルスルホキシド−ｄ６
中で測定し、ケミカルシフトはテトラメチルシランを内
部標準としてｐｐｍ単位で与えである。また、括弧内の
データはスペクトルミ４ターン、カッシリングコンスタ
ント、積分比を順に示す。
装置による発熱ピークからめた。また、核磁気共鳴ＣＮ
ＭＲ）スペクトルはすべてジメチルスルホキシド−ｄ６
中で測定し、ケミカルシフトはテトラメチルシランを内
部標準としてｐｐｍ単位で与えである。また、括弧内の
データはスペクトルミ４ターン、カッシリングコンスタ
ント、積分比を順に示す。
実施９１１１２，３−ジブロム−１，３−（ｐ−アシド
フェニル）クロパン−１−オン Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下本明細書においては
ＮＭＰと略記する。）１５０＋ｍに対して、冷却下で臭
素を滴下し、ＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液を調製した
。この溶液４０ＩＩＬｅに対し、４，４′−ジアジドカ
ルコン１０’ｔを加え、室温で２日間反応させた。次に
、この溶液を５００ ｄの水に加えて室温で１日放置し
、析出した固形物を吸引濾過によってＪ１％メ、 １０
０コＸ３回の水洗い、５０．ｄのメタノール洗浄の後に
減圧乾燥して、分解温度１４０〜１５０’Ｃ。
フェニル）クロパン−１−オン Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下本明細書においては
ＮＭＰと略記する。）１５０＋ｍに対して、冷却下で臭
素を滴下し、ＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液を調製した
。この溶液４０ＩＩＬｅに対し、４，４′−ジアジドカ
ルコン１０’ｔを加え、室温で２日間反応させた。次に
、この溶液を５００ ｄの水に加えて室温で１日放置し
、析出した固形物を吸引濾過によってＪ１％メ、 １０
０コＸ３回の水洗い、５０．ｄのメタノール洗浄の後に
減圧乾燥して、分解温度１４０〜１５０’Ｃ。
の無色固体１２ ｆを得た。
上記反応を化学式で表わせば、下記のように書くことが
できる。
できる。
０
この生成物はスペクトル分析によって題記の化合物であ
ることを確認した。以下に赤外吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴スペクトルのデータを示す。赤外吸収： ２１
５０ｃＩｎ−”（Ｎｓ） ｏ核磁気共鳴：δ５．７（２
重項、１ＩＨｚ、 ｌ １１） 、 ６．７ （２重項
、 １１ Ｈｚ 。
ることを確認した。以下に赤外吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴スペクトルのデータを示す。赤外吸収： ２１
５０ｃＩｎ−”（Ｎｓ） ｏ核磁気共鳴：δ５．７（２
重項、１ＩＨｚ、 ｌ １１） 、 ６．７ （２重項
、 １１ Ｈｚ 。
ＩＨ）、７．２（２重項、９Ｈｚ 、２Ｈ）、７．３（
２重項、 ９ Ｈｚ 、 ２ Ｈ） 、 ７．９ （２
重項、９Ｈｚ、２Ｈ）。
２重項、 ９ Ｈｚ 、 ２ Ｈ） 、 ７．９ （２
重項、９Ｈｚ、２Ｈ）。
８．４（２重項、９Ｈｚ、２Ｈ）。
実施例２２．６−シグロムー２．６−（α−ジグロム−
ｐ−アジドベンジル−４−メチルシクロヘキサノン 実施例１で調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液（１
）・ａに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドペンデル）−
４−メチルシクロヘキサｙ７Ｆを７ＪＯえ、室温で２日
間反応場せた。次に、この溶液を５００−の水に加えて
室温で１日放置し、析出した固形物を吸引濾過によって
集め、１００ ａｔ Ｘ ３回の水洗、５０−のメタノ
ール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度１１０〜１２０
°Ｃの無色固体９ｆを得た。
ｐ−アジドベンジル−４−メチルシクロヘキサノン 実施例１で調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液（１
）・ａに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドペンデル）−
４−メチルシクロヘキサｙ７Ｆを７ＪＯえ、室温で２日
間反応場せた。次に、この溶液を５００−の水に加えて
室温で１日放置し、析出した固形物を吸引濾過によって
集め、１００ ａｔ Ｘ ３回の水洗、５０−のメタノ
ール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度１１０〜１２０
°Ｃの無色固体９ｆを得た。
上記反応を化学式で表わせば、下記のように書くことが
できる。
できる。
この生成物はスペクトル分析によって題記の化合物であ
ることを確認した。以下に赤外吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴スペクトルのデータを示す。赤外吸収： ２１
５ｋ ｔ（−Ｎｓ）。核磁気共鳴：δ１．０５ （２重
項、 ５ Ｈｚ、 ３Ｈ） １．５−２．５（多重項、
５Ｈ）。
ることを確認した。以下に赤外吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴スペクトルのデータを示す。赤外吸収： ２１
５ｋ ｔ（−Ｎｓ）。核磁気共鳴：δ１．０５ （２重
項、 ５ Ｈｚ、 ３Ｈ） １．５−２．５（多重項、
５Ｈ）。
６．０５（１重項、２Ｈ）、７．１（２重項、８Ｈｚ、
４Ｈ）。
４Ｈ）。
７．６（２重項、８Ｈｚ、４Ｈ）。
実施例３２．６−ノプロムー２．６−（α−ブロム−ｐ
−アジドベンノル）−４−カル？キシシクロヘキサノン 実施例１で調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ ４液２
５コに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドベンザル）−４
−カルｙｊ？キシシクロヘキサノン３．５ｔヲ加Ｌ、室
温で２日間反応させた。次に、この溶液を３００ｄの水
に加えて室温で１日放置し、析出した固形物を吸引濾過
によって集め、１００ ｍｌ Ｘ ３回の水洗い、２０
ｍＪのメタノール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度１
１０、、．１２０６Ｃの無色固体３．７ｔを得た。
−アジドベンノル）−４−カル？キシシクロヘキサノン 実施例１で調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ ４液２
５コに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドベンザル）−４
−カルｙｊ？キシシクロヘキサノン３．５ｔヲ加Ｌ、室
温で２日間反応させた。次に、この溶液を３００ｄの水
に加えて室温で１日放置し、析出した固形物を吸引濾過
によって集め、１００ ｍｌ Ｘ ３回の水洗い、２０
ｍＪのメタノール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度１
１０、、．１２０６Ｃの無色固体３．７ｔを得た。
上記反応を化学式で表わせば、下記のように書くことが
できる。
できる。
この生成物はスペクトル分析によって題記の化合物であ
ることをＪ＆［した。赤外吸収： ２１５０！：Ｉｎ’
Ｃ−Ｎｓ ）。核磁気共鳴：δ１．５〜３（多重項、５
Ｈ）。
ることをＪ＆［した。赤外吸収： ２１５０！：Ｉｎ’
Ｃ−Ｎｓ ）。核磁気共鳴：δ１．５〜３（多重項、５
Ｈ）。
６．１ （１重項、２Ｈ）、７．１ （２重項、９ Ｈ
ｚ ＋ ４ Ｈ） ＋７．６５（２重項、 ９Ｈｚ 、
４Ｈ）。
ｚ ＋ ４ Ｈ） ＋７．６５（２重項、 ９Ｈｚ 、
４Ｈ）。
実施例４２，６−ジプロムー２．６−（α−ゾロムーｐ
−アジドベンジル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン 実施例１′ｔ′調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液
２５ ｍｌに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドペンデル
）−４−ヒドロキシシクロへキサノン３Ｆを加ｉ、室温
で２日間反応させた。次に、この溶液を３００コの水に
加えて室温で１日放置し、析出した同形物を吸引濾過に
よって集め、１００ ｒｎｌ Ｘ ３回の水洗、旬！ｄ
×１回のメタノール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度
１６０−１６５℃の無色固体３，２ｆを得た。
−アジドベンジル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン 実施例１′ｔ′調整したＮＭＰ−臭素錯体のＮＭＰ溶液
２５ ｍｌに対し、２．６−ビス（ｐ−アジドペンデル
）−４−ヒドロキシシクロへキサノン３Ｆを加ｉ、室温
で２日間反応させた。次に、この溶液を３００コの水に
加えて室温で１日放置し、析出した同形物を吸引濾過に
よって集め、１００ ｒｎｌ Ｘ ３回の水洗、旬！ｄ
×１回のメタノール洗浄の後に減圧乾燥して、分解温度
１６０−１６５℃の無色固体３，２ｆを得た。
上記反応を化学式で表わせば、下記のように書くことが
できる。
できる。
Ｏｆ（
この生成物はスペクトル分析によって題記の化合物であ
ることを確認した０赤外吸収＝２１５０ｃｒＩＬ−１Ｃ
Ｎｓ）。核磁気共鳴：δ１．５〜３．０（多重項、５Ｈ
）。
ることを確認した０赤外吸収＝２１５０ｃｒＩＬ−１Ｃ
Ｎｓ）。核磁気共鳴：δ１．５〜３．０（多重項、５Ｈ
）。
６．０（１重項、２Ｈ）、７．１（２重項、９Ｈｚ、４
Ｈ）。
Ｈ）。
７．６ （２重項、９Ｈｚ、４Ｈ）。
実施例５２−ブロム−１，３−ジ（ｐ−アジドフェニル
）−２−ｆロペン−１−オン２．３−ジブロム−１，３
−（Ｐ−アジドフェニル）プロパン−１−オン７Ｆを７
０４のＮＭＰに溶解し、ピリジン１０２を加えて室温で
２日間反応させた。次に、この反応＠液を５００コの２
Ｎ塩酸に加え、得られた反応混液を２００ｒｌｌ×２回
のクロロボルムで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧濃縮し、史に５０ｍ１のメタノ
ールを加えて生成物を結晶化させ、融点１２３〜１２４
６Ｃ２分解温度１４０〜１５０℃の結晶生成物１．５ｔ
を得た。
）−２−ｆロペン−１−オン２．３−ジブロム−１，３
−（Ｐ−アジドフェニル）プロパン−１−オン７Ｆを７
０４のＮＭＰに溶解し、ピリジン１０２を加えて室温で
２日間反応させた。次に、この反応＠液を５００コの２
Ｎ塩酸に加え、得られた反応混液を２００ｒｌｌ×２回
のクロロボルムで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧濃縮し、史に５０ｍ１のメタノ
ールを加えて生成物を結晶化させ、融点１２３〜１２４
６Ｃ２分解温度１４０〜１５０℃の結晶生成物１．５ｔ
を得た。
上記反応を化学式で表わせは、下記のように書くことが
できる。
できる。
この生成物はスペクトル分析によって題記の化金物であ
ることを確認した。赤外吸収： ２１５０／ＸｒＬ’（
Ｎ３）。核磁気共鳴：δ７．２５ （２重項、９Ｈｚ。
ることを確認した。赤外吸収： ２１５０／ＸｒＬ’（
Ｎ３）。核磁気共鳴：δ７．２５ （２重項、９Ｈｚ。
２Ｈ）、７．３（２重項、９Ｈｚ、２Ｈ）、７．８（１
重項。
重項。
ＩＨ）、７．９（２重項、９Ｈｚ、２Ｈ）、８．０（２
重項。
重項。
９Ｈｚ、２Ｈ）
実施例６２，６−ジ（ｐ−アット−α−グロムヘンシリ
デ／）−４−カルボキシルシクロヘキサノン ２．６−ジプロムー２．６−（ｒχ−ブロム−ｐ−アジ
ドベンジル）−４−カルｙ１？キンシクロヘキサノン５
ｔを３０ ｍｌのＮＭＰ’に溶解し、ピリジ７５１を加
えて室温で２日間反応させた。次に、この反応溶液を５
００１ｎｌ！の２Ｎ塩酸に加えた。析出した生成物を吸
引濾過によって集め、３００ ｍｌ Ｘ ３回の水で洗
浄後、更に２０ｍ１ｘ１回のメタノールで洗浄し、減圧
乾燥して分解温度１１０−１２０℃の生成物３．１ｆを
得た。
デ／）−４−カルボキシルシクロヘキサノン ２．６−ジプロムー２．６−（ｒχ−ブロム−ｐ−アジ
ドベンジル）−４−カルｙ１？キンシクロヘキサノン５
ｔを３０ ｍｌのＮＭＰ’に溶解し、ピリジ７５１を加
えて室温で２日間反応させた。次に、この反応溶液を５
００１ｎｌ！の２Ｎ塩酸に加えた。析出した生成物を吸
引濾過によって集め、３００ ｍｌ Ｘ ３回の水で洗
浄後、更に２０ｍ１ｘ１回のメタノールで洗浄し、減圧
乾燥して分解温度１１０−１２０℃の生成物３．１ｆを
得た。
上記反応を化学式で表わせは、下記のように書くことが
できる。
できる。
ＯＯＨ
この生成物はスペクトル分析によって題記の化合物であ
ることを確認した。赤外吸収： ２１５０ｃｍ ”（−
Ｎ３）。核磁気共鳴：δ１，５〜３（多重項、５Ｈ）。
ることを確認した。赤外吸収： ２１５０ｃｍ ”（−
Ｎ３）。核磁気共鳴：δ１，５〜３（多重項、５Ｈ）。
６、ｉ （ｉ重項、２Ｈ）、７．１５（２Ｍ項、９Ｈｚ
、４Ｈ）＋７．６５（２ｉ項、９Ｈｚ、４Ｈ）。
、４Ｈ）＋７．６５（２ｉ項、９Ｈｚ、４Ｈ）。
以上詳述したように、本発明による芳香族ビスアジド化
合物は電子密度の高い重原子ノ・口ｒンを含んでいるの
で、高い放射線吸収効率を有し、放射線感応樹脂用の硬
化剤として用いられることができる。
合物は電子密度の高い重原子ノ・口ｒンを含んでいるの
で、高い放射線吸収効率を有し、放射線感応樹脂用の硬
化剤として用いられることができる。
第１頁の続き
ＱＩｎｔ、Ｃ１，’ 識別記号 庁内整理番号０発 明
者 児 嶋 充 雅 日立市東町４場内
者 児 嶋 充 雅 日立市東町４場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記のいずれか一つの一般式で表ノつされること５を特
徴とする含・・ロダン芳香族ビスアジド系放射線感応物
質。 ただし、Ｘはハロダン、Ｙは一〇〇−または−Ｎ−。 １ ２はＹが−ＣＨ−のとき水素、低級アルキル基、暑 −ｏｌ（ａｌは水素葦たは低級アルキル基を表わす）、
はｌを表わし、−Ｎ３基はベンゼン核の・平うまたはメ
タ位に位置する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833283A JPS6081158A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 放射線感応物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833283A JPS6081158A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 放射線感応物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081158A true JPS6081158A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0446267B2 JPH0446267B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=16221757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18833283A Granted JPS6081158A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 放射線感応物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081158A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149116A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of forming xxray image |
| JPS5677844A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Fujitsu Ltd | Resist pattern forming method |
| JPS57185037A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-15 | Fujitsu Ltd | Negative resist for forming micropattern |
| JPS5840547A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | 低分子量高解像度レジスト |
| JPS5876829A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-10 | Toshiba Corp | 低分子量高解像度レジスト |
| JPS58122531A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP18833283A patent/JPS6081158A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149116A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of forming xxray image |
| JPS5677844A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Fujitsu Ltd | Resist pattern forming method |
| JPS57185037A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-15 | Fujitsu Ltd | Negative resist for forming micropattern |
| JPS5840547A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | 低分子量高解像度レジスト |
| JPS5876829A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-10 | Toshiba Corp | 低分子量高解像度レジスト |
| JPS58122531A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446267B2 (ja) | 1992-07-29 |
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