JPS60948B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS60948B2 JPS60948B2 JP8579080A JP8579080A JPS60948B2 JP S60948 B2 JPS60948 B2 JP S60948B2 JP 8579080 A JP8579080 A JP 8579080A JP 8579080 A JP8579080 A JP 8579080A JP S60948 B2 JPS60948 B2 JP S60948B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に弁
作用を有する金属粉末の成形体よりなる陽極体から導出
された陽極リードへの半導体層形成部村の這い上りを軽
減させることを目的とするものである。
作用を有する金属粉末の成形体よりなる陽極体から導出
された陽極リードへの半導体層形成部村の這い上りを軽
減させることを目的とするものである。
一般に、この種固体電解コンデンサは例えば第亀図に示
すようにタンタル・ニオブ・アルミニウムなどのように
弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結して
なる陽極体Ａに予め弁作用を有する金属線を陽極リード
Ｂとして楢立し、この陽極リードＢの突出部分にＬ形に
屈曲された第１の外部リード線Ｃを溶接すると共に第２
の外部リード線Ｄを陽極体Ａの周面に酸化層、半導体層
を介して形成された陰極層に半田付けし、陽極リードＢ
の突出部を含む陽極体Ａの周面を樹脂材Ｅにて被覆して
構成されている。
すようにタンタル・ニオブ・アルミニウムなどのように
弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結して
なる陽極体Ａに予め弁作用を有する金属線を陽極リード
Ｂとして楢立し、この陽極リードＢの突出部分にＬ形に
屈曲された第１の外部リード線Ｃを溶接すると共に第２
の外部リード線Ｄを陽極体Ａの周面に酸化層、半導体層
を介して形成された陰極層に半田付けし、陽極リードＢ
の突出部を含む陽極体Ａの周面を樹脂材Ｅにて被覆して
構成されている。
ところで、陽極体Ａは陽極リードＢの突出部分に第１の
外部リード線Ｃを溶接するに先立って、陽極リードＢと
共に化成処理によりその表面に酸化層が形成され、さら
に陽極体Ａのみを硝酸マンガン溶液などの半導体母液に
一定時間浸潰し陽極体Ａ内に含浸させ、次いで２００℃
以上の高温雰囲気中において熱分解反応を起させ陽極体
Ａの酸化層上に二酸化マンガンなどの半導体層が形成さ
れている。
外部リード線Ｃを溶接するに先立って、陽極リードＢと
共に化成処理によりその表面に酸化層が形成され、さら
に陽極体Ａのみを硝酸マンガン溶液などの半導体母液に
一定時間浸潰し陽極体Ａ内に含浸させ、次いで２００℃
以上の高温雰囲気中において熱分解反応を起させ陽極体
Ａの酸化層上に二酸化マンガンなどの半導体層が形成さ
れている。
しかし乍ら、この熱分解工程において、高温雰囲気中に
挿入された陽極体Ａはそれ自身の温度が急激に上昇し、
内部に含浸された半導体母液が熱分解反応を起し内部よ
り水蒸気、窒素酸化物などの分解ガスが表面層に吹き出
してくるために、表面層における熱分解途中の半導体母
液層に気泡が生じ、これが陽極リードＢの突出部分に付
着していわゆる半導体層形成部材の這い上りを生ずる。
挿入された陽極体Ａはそれ自身の温度が急激に上昇し、
内部に含浸された半導体母液が熱分解反応を起し内部よ
り水蒸気、窒素酸化物などの分解ガスが表面層に吹き出
してくるために、表面層における熱分解途中の半導体母
液層に気泡が生じ、これが陽極リードＢの突出部分に付
着していわゆる半導体層形成部材の這い上りを生ずる。
通常、半導体母液の含浸−熱分解工程は陽極体Ａが多孔
質であることに鑑み数回以上繰り返される関係で、熱分
解回数の増加によって半導体層形成部材の這い上りもさ
らに進行する煩向にある。従って、陽極リードＢの突出
部分に第１の外部リード線Ｃを溶援する際、第．１の外
部リード線Ｃと這い上った半導体層とが接触して陰極と
陽極とが短絡されてしまい、コンデンサとしての機能を
奏しえなくなるという問題がある。それ故に、従来にあ
っては第２図〜第３図に示すように陽極体Ａの頂面部に
テフロンワツシヤＦを、それの中心孔に陽極リードＢが
挿通されるように装着した構成が採用されている。
質であることに鑑み数回以上繰り返される関係で、熱分
解回数の増加によって半導体層形成部材の這い上りもさ
らに進行する煩向にある。従って、陽極リードＢの突出
部分に第１の外部リード線Ｃを溶援する際、第．１の外
部リード線Ｃと這い上った半導体層とが接触して陰極と
陽極とが短絡されてしまい、コンデンサとしての機能を
奏しえなくなるという問題がある。それ故に、従来にあ
っては第２図〜第３図に示すように陽極体Ａの頂面部に
テフロンワツシヤＦを、それの中心孔に陽極リードＢが
挿通されるように装着した構成が採用されている。
この方法によれば、陽極リードＢの突出部分における半
導体層の這い上り現象を効果的に抑制することができる
反面、作業性が悪い上、極めて多大の作業工数を要する
ために量産性に乏しいという欠点がある。本発明はこの
ような点に鑑み、作業性が損なわれることなく、陽極体
から導出された陽極リードへの半導体層形成部材の這い
上りを効果的に抑制でき、かつコンデンサの品位をも高
めることのできる固体電解コンデンサの製造方法を提供
するもので、以下実施例について説明する。
導体層の這い上り現象を効果的に抑制することができる
反面、作業性が悪い上、極めて多大の作業工数を要する
ために量産性に乏しいという欠点がある。本発明はこの
ような点に鑑み、作業性が損なわれることなく、陽極体
から導出された陽極リードへの半導体層形成部材の這い
上りを効果的に抑制でき、かつコンデンサの品位をも高
めることのできる固体電解コンデンサの製造方法を提供
するもので、以下実施例について説明する。
第４図において、１は弁作用を有する金属粉末の成形体
にて構成された陽極体であって、図示例は金属粉末を円
柱状に加圧成形し暁結して形成されている。
にて構成された陽極体であって、図示例は金属粉末を円
柱状に加圧成形し暁結して形成されている。
２は弁作用を有する金属線よりなり、かつ陽極体１の頂
面部から導出された陽極リードであって、図示例は金属
粉末の加圧成形に先立って、それの中心に楯立して導出
されている。
面部から導出された陽極リードであって、図示例は金属
粉末の加圧成形に先立って、それの中心に楯立して導出
されている。
３は陽極体１の頂面部に陽極リード２の根元部分が後述
の方法によって隠蔽されるように被着された耐熱性絶縁
部材であって、例えばフリットガラス、アルミナ微粉末
が好適する。
の方法によって隠蔽されるように被着された耐熱性絶縁
部材であって、例えばフリットガラス、アルミナ微粉末
が好適する。
４は例えばＬ形に屈曲された第１の外部リード線であっ
て、それの屈曲部４ａは陽極リード２の突出部２ａに交
叉して溶接されている。
て、それの屈曲部４ａは陽極リード２の突出部２ａに交
叉して溶接されている。
５は例えばストレート状に形成された第２の外部リード
線であって、それの端部は陽極体１の周面に酸化層、半
導体層を介して形成された陰極層（図示せず）に半田部
材６によって接続されている。
線であって、それの端部は陽極体１の周面に酸化層、半
導体層を介して形成された陰極層（図示せず）に半田部
材６によって接続されている。
７は陽極リード２の突出部２ａを含む陽極体１の全周面
を被覆するェポキシ樹脂などの外装絶縁材である。
を被覆するェポキシ樹脂などの外装絶縁材である。
次に陽極体１の頂面部に耐熱性絶縁部材３を彼着する具
体的方法の一例を第５図を参照しつつ説明する。
体的方法の一例を第５図を参照しつつ説明する。
まず同図ａに示すように分子量が４０〜５０万のポリエ
チレンオキサイド４０夕をイソプ０ピルアルコール５０
０のこ分散させた後、鉛を主成分とする２００メッシュ
のフリツトガラス（軟化温度３８２℃）２０００夕と水
２０００夕とを加えて充分に燈拝して調製された懸濁液
３″をケース８に入れる。そして帯状の金属板９に固定
された複数の陽極体１を懸濁液３″に浸潰し、引き上げ
る。すると「陽極体１の頂面部には陽極リード２の根元
部分が隠蔽されるように懸濁液３″が付着される。次に
同図ｂに示すように陽極体１をケース１０‘こ入れられ
た水１１‘こ、陽極体１の頂面部が浸潰されないように
浸潰し、陽極体１の側面部及び下面部に付着している懸
濁液を除去する。次に同図ｃに示すように陽極体１より
延びる陽極リード２の中間部分を左右より熱伝導性良好
なる金属部村よりなる支持臭１２，１２にて支持し、バ
ーナなどの加熱体１３，１３を陽極体１の頂面部に接近
させ、懸濁液３″における溶剤、バインダーを飛散させ
ると共にフリットガラスを溶融させて頂面部に強固に一
体的に彼着させる。このようにして被着された耐熱性絶
縁部材３を具えた陽極体１を用い、通常の方法によって
第４図に示す固体電解コンデンサを製作した処、半導体
層形成部材の陽極リード２への這い上りは従来（第１図
構成）２〜４％程度発生していたものが、０．１％以下
に減少した。
チレンオキサイド４０夕をイソプ０ピルアルコール５０
０のこ分散させた後、鉛を主成分とする２００メッシュ
のフリツトガラス（軟化温度３８２℃）２０００夕と水
２０００夕とを加えて充分に燈拝して調製された懸濁液
３″をケース８に入れる。そして帯状の金属板９に固定
された複数の陽極体１を懸濁液３″に浸潰し、引き上げ
る。すると「陽極体１の頂面部には陽極リード２の根元
部分が隠蔽されるように懸濁液３″が付着される。次に
同図ｂに示すように陽極体１をケース１０‘こ入れられ
た水１１‘こ、陽極体１の頂面部が浸潰されないように
浸潰し、陽極体１の側面部及び下面部に付着している懸
濁液を除去する。次に同図ｃに示すように陽極体１より
延びる陽極リード２の中間部分を左右より熱伝導性良好
なる金属部村よりなる支持臭１２，１２にて支持し、バ
ーナなどの加熱体１３，１３を陽極体１の頂面部に接近
させ、懸濁液３″における溶剤、バインダーを飛散させ
ると共にフリットガラスを溶融させて頂面部に強固に一
体的に彼着させる。このようにして被着された耐熱性絶
縁部材３を具えた陽極体１を用い、通常の方法によって
第４図に示す固体電解コンデンサを製作した処、半導体
層形成部材の陽極リード２への這い上りは従来（第１図
構成）２〜４％程度発生していたものが、０．１％以下
に減少した。
これによって第１の外部リード線４の陽極リード２への
溶接時に発生する陰極・陽極の短絡不良も無視できる程
度に減少できた。又、陽極リード２の根元部分は陽極体
１の頂面部と共に耐熱性絶縁部村３によって固められて
いるために、酸化層の形成工程後において陽極リード２
に屈曲力が作用しても、それの陽極体１への埋入部分に
亀裂が生じたりすることは皆無となる。
溶接時に発生する陰極・陽極の短絡不良も無視できる程
度に減少できた。又、陽極リード２の根元部分は陽極体
１の頂面部と共に耐熱性絶縁部村３によって固められて
いるために、酸化層の形成工程後において陽極リード２
に屈曲力が作用しても、それの陽極体１への埋入部分に
亀裂が生じたりすることは皆無となる。
従って、亀裂などによる酸化層の損傷に起因する漏洩電
流などのコンデンサ特性の劣化がないために、コンデン
サを高品位に保つことができる。特に陽極体１の頂面部
への耐熱性絶縁部村３の被着は金属板９に固定された多
数の陽極体に対して同時に行なわれるために、量産性が
著しく向上する。尚「本発明は何ら上記実施例にのみ制
約されることなく、例えば耐熱性絶縁部材はガラスフリ
ット、アルミナの他、シリカ「ジルコニウムなどの微粉
末を用いることもできるし、又、陽極体の不所望部分に
付着した懸濁液の除去は水の他、有機溶剤などによって
行うこともできる。
流などのコンデンサ特性の劣化がないために、コンデン
サを高品位に保つことができる。特に陽極体１の頂面部
への耐熱性絶縁部村３の被着は金属板９に固定された多
数の陽極体に対して同時に行なわれるために、量産性が
著しく向上する。尚「本発明は何ら上記実施例にのみ制
約されることなく、例えば耐熱性絶縁部材はガラスフリ
ット、アルミナの他、シリカ「ジルコニウムなどの微粉
末を用いることもできるし、又、陽極体の不所望部分に
付着した懸濁液の除去は水の他、有機溶剤などによって
行うこともできる。
以上のように本発明によれば、陽極リードの根元部分に
半導体層形成部材の熱分解工程の温度に充分耐える耐熱
性絶縁部村が被着されているために陽極リードへの半導
体層形成部材の這い上りを著しく軽減できるし、又、陽
極リードの補強によって陽極体の亀裂によるコンデソサ
特性の劣化を防止しコンデンサを高品位に保つことがで
きる。
半導体層形成部材の熱分解工程の温度に充分耐える耐熱
性絶縁部村が被着されているために陽極リードへの半導
体層形成部材の這い上りを著しく軽減できるし、又、陽
極リードの補強によって陽極体の亀裂によるコンデソサ
特性の劣化を防止しコンデンサを高品位に保つことがで
きる。
第１図〜第２図は従来例の夫々異った実施例を示す正断
面図、第３図は第２図の要部分鱗斜視図、第４図は本発
明に係る固体電解コンデンサの一実施例を示す正断面図
、第５図は本発明方法を説明するための正断面図である
。 オー図 矛２図 才３図 才４図 矛Ｓ図
面図、第３図は第２図の要部分鱗斜視図、第４図は本発
明に係る固体電解コンデンサの一実施例を示す正断面図
、第５図は本発明方法を説明するための正断面図である
。 オー図 矛２図 才３図 才４図 矛Ｓ図
Claims (1)
- １ 弁作用を有する金属粉末の成形体よりなる陽極体を
耐熱性絶縁部材を含む懸濁液に、それの頂面部より導出
した弁作用を有する金属線よりなる陽極リードの根元部
分が浸漬されるように浸漬する工程と、陽極体の頂面部
を除く周面に付着した懸濁液を除去する工程と、陽極体
の頂面部の懸濁液を加熱し、陽極体及び陽極リードに対
して耐熱性絶縁部材を一体化する工程と、耐熱性絶縁部
材を一体化した陽極体に酸化層を形成する工程と、陽極
体の酸化層上に半導体層を形成する工程とを含むことを
特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8579080A JPS60948B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8579080A JPS60948B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5619618A JPS5619618A (en) | 1981-02-24 |
| JPS60948B2 true JPS60948B2 (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=13868676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8579080A Expired JPS60948B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60948B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6699647B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-03-02 | Eastman Kodak Company | High speed photothermographic materials containing tellurium compounds and methods of using same |
| US6733959B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-05-11 | Eastman Kodak Company | Chemically sensitized aqueous-based photothermographic emulsions and materials and methods of using same |
-
1980
- 1980-06-23 JP JP8579080A patent/JPS60948B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5619618A (en) | 1981-02-24 |
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