JPS6147664A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6147664A
JPS6147664A JP59169705A JP16970584A JPS6147664A JP S6147664 A JPS6147664 A JP S6147664A JP 59169705 A JP59169705 A JP 59169705A JP 16970584 A JP16970584 A JP 16970584A JP S6147664 A JPS6147664 A JP S6147664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal processing
diffusion layer
processing circuit
section
photodiode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59169705A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshibumi Yoshikawa
俊文 吉川
Masaru Kubo
勝 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59169705A priority Critical patent/JPS6147664A/ja
Publication of JPS6147664A publication Critical patent/JPS6147664A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はホトダイオード部とその信号処理回路を一体化
したバイポーラＩＣに係る半導体装置に関する。
〈従来技術〉 第２図に従来例を示す、Ａはホトダイオード部、Ｂは信
号処理回路部で画部分Ａ、Ｂが一体化して形成されてい
る。ホトダイオード部ＡはＰ型基板１にＮ９埋込拡散層
２、Ｎ型エピタキシャルＮ３゜Ｐ４４拡散４．　Ｎ＋拡
散層６が層状に形成されて構成される。
また信号処理回路部ＢはＰ型基板１にＮ＋埋込拡散層２
、Ｎ型エピタキシャル層３．Ｐ１１拡散４、Ｎ０拡散層
５，６が層状に形成されて構成される。７はＰ１分離拡
散層である。
ところでホトダイオードと信号処理回路を一体化したバ
イポーラＩＣを高速化する場合、ホトダイオード部と信
号処理回路部のそれぞれを高速化する必要がある。その
ためには一般的にはホトダイオード部はその容量の低減
を図る必要があり、信号処理回路部は小数キャリアの蓄
積時間の低減が必要である。しかしながら、従来はこの
ような必要性を満した半導体装置の提供がなされていな
かった。
く目的〉 本発明はホトダイオードと信号処理回路を一体化したバ
イポーラＩＣに係る半導体装置において高速化を実現で
きる装置の提供を目的とする。
く構成〉 本発明者らは上記目的を達成するために、上記第１図に
おけるホトダイオード部ＡＯＮ型エピタキシャルＮ３の
比抵抗を大きくすることによりホトダイオード部の容量
を低減でき、また信号処理回路部ＢＯＮ型エピタキシャ
ル層３の比抵抗を小さくすることにより信号処理回路部
Ｂの小数キャリアの蓄積時間を低減できることに着目し
た結果、本発明をなした。すなわち、本発明はホトダイ
オード部とその信号処理回路部を一体化したバイポーラ
１．Ｃにおいて、ホトダイオード部以外の信号処理回路
部のエピタキシャル層の比抵抗をイオン注入により低下
させたことを特徴とする半導体装置である。
〈実施例〉 第１図は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図であ
る。第１図中において第１図の符号と同じ符号は同じ層
ないし領域を示すものとする。
ずな゛わち本発明はホトダイオード部Ａを除いた信号処
理回路部ＢのＮ−型エピタキシャル層３内にイオン注入
によりＮ型拡散層８を形成している。
このＮ型拡散Ｎ８はＮ４埋込拡散層２とタッチさビても
よい。またＮ型拡散層８は耐圧の点よりＰ＋分離拡散層
７とはタッチさせないのがよい。イオン注入は２種類以
上のイオンを注入してもよい。
また信号処理部では必要に応じてイオン注入しない部分
を作ってもよい。
イオン注入の工程はＰ“分離拡散層工程後、又はＰ＋分
離拡散工程中に行なう。が、他の適当な時期に行なって
もよい。
またイオン注入の他の通常の不純物拡散によりＮ型拡散
層８を形成することも可能であるが、一般的に不純物濃
度は低濃度であり、またバラツキを低減する必要もある
からイオン注入がよい。
〈効果〉 本発明は以上の構成よりなり、ホトダイオード部とその
信号処理回路部を一体化したバイポーラＩＣにおいて、
ホトダイオード部以外の信号処理回路部のエピタキシャ
ル層の比抵抗をイオン注入により低下させたので、ホト
ダイオードと信号処理回路を一体化したバイポーラＩＣ
において、信号処理速度の高速化が達成できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図、第
２図は従来の半導体装置の断面図である。 Ａ−’ホトダイオード部 Ｂ・・・信号処理回路部 ３・・・エピタキシャル層 ８・・・Ｎ型拡散層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ホトダイオード部とその信号処理回路部を一体化したバ
    イポーラＩＣにおいて、ホトダイオード部以外の信号処
    理回路部のエピタキシャル層の比抵抗をイオン注入によ
    り低下させたことを特徴とする半導体装置。
JP59169705A 1984-08-13 1984-08-13 半導体装置 Pending JPS6147664A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63122164A (ja) * 1986-11-11 1988-05-26 Pioneer Electronic Corp 光センサ集積回路
JPS63182874A (ja) * 1987-01-24 1988-07-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
US5252851A (en) * 1991-01-30 1993-10-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit with photo diode
JP2006128724A (ja) * 2006-01-23 2006-05-18 Toshiba Corp 固体撮像装置

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