JPS6173301A

JPS6173301A - 薄膜抵抗体

Info

Publication number: JPS6173301A
Application number: JP59195562A
Authority: JP
Inventors: 船渡　昭弘; 北村　昌良
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1984-09-18
Filing date: 1984-09-18
Publication date: 1986-04-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、金属酸化物或いは金属窒化１り１等で形成さ
れる薄膜抵抗で成る薄膜抵抗体に関し、１１合しくはそ
の薄膜抵抗の耐電蝕性を向上さ一已た薄膜抵抗体に関す
る。

（従来技術）例えば、半導体装置において、金属酸化物は抵抗値の温
度係数が数１０ｐ凹以下と小さいために、モノリシック
ＩＣやハイブリッドＩｃ等にＡ’ｉ、　ＩＩ’Ａ抵抗と
して良く用いられている。第５図は半導体装置内におい
て、その金属酸化物を用いた薄膜抵抗で成る抵抗体１．
２を共通電極３で直列接続すると共に、一方の抵抗体１
を正電極４に、他方の抵抗体２を負電極５に接続したも
のである。

ところが、このような構造の場合、抵抗体１における点
Ａは正電極４に近いめに、相当高い電位となり、またこ
の点Ａは負電極５にも近いために、半導体装置外部から
そこに水分が侵入すると、そこから電流が流出して負電
極５側に流入する表面リーク電流が発生し、このため電
流の流出部分、つまり点Ａの部分で電気分解が起り、そ
の部分が腐蝕により破壊される虞がある。

（発明の目的）本発明はかかる点に鑑みたもので、その目的はたとえ水
分が侵入しても電蝕が発生しないようにした薄膜抵抗体
を提供することである。

（発明の構成）このために本発明では、金属酸化物、金属窒化物等で形
成される金属性の薄膜抵抗で成る薄膜抵抗体において、
上記薄膜抵抗の少なくとも正電位側を囲む電極を形成し
、該電極を上記薄膜抵抗に印加される正電位と同電位或
いはそれ以上の高電位に固定して構成している。

（実施例）以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例を示すものである。前記したように、電気分解
が起る部分は点Ａの部分であるので、この部分Ａから表
面リーク電流が流出しないようにすれば良い。そこで、
第１図では、半導体装置内に形成される抵抗体１の高電
位側の電極、つまり正電極４に抵抗体１の両側に非接触
で沿って共通電極３の近くまで伸びる補助電極４ａ、４
ｂを形成し、また共通電極３にも負電極５側の近くまで
伸びる補助電極３ａを形成している。

これにより、電気分解に寄与する表面リーク電流は電極
４或いは３から流出し抵抗体１．２からは流出しない。

この結果、抵抗体１．２における電蝕の発生を防止する
ことができ、それら抵抗体１．２に高い温度雰囲気中で
も長時間に亘って安定な抵抗値を保持させることができ
る。

第２図は別の実施例を示すものである。この実施例では
、金属酸化物の薄膜抵抗で成る抵抗体６を、正電極７か
ら伸ばした補助電極７ａにより完全に囲んだものである
。なお、負電極８は、抵抗体６及び正電極７を形成した
後に、その上に絶縁薄１＊　（図示せず）を被着して、
その絶縁薄膜の上に形成する。そして、絶縁薄膜にコン
タクトホールを形成して抵抗体６と負電極８を電気的に
接続する。

この実施例では、表面リーク電流は正電極７の補助電極
７ａから流出し、抵抗体６から流出することはないので
、電蝕を防止することができる。

第３図も別の実施例を示すものである。この実施例では
、回路の最高電位（ＩＣの供給電源電圧或いは内部の最
高直流電圧等）が印加される最高電位電極９を抵抗体６
と同一面に形成すると共に、その最高電位電極９の補助
電極９ａで抵抗体６の周囲を完全に囲み、その上に絶縁
薄膜を介して正電極１０、負電極１１を形成し、それら
電極１０．１１をコンタクトホールにより抵抗体６に接
続したものである。

この実施例では、抵抗体６は電極９と同電位或いはそれ
以下の電位となり、表面リーク電流の流出部分は電極９
の部分となる。また、この実施例では電極９の電位は変
動することがない。

第４図は第３図の変形例である。この例では抵抗体６、
最高電位電極９、その電極９の補助電極９ｂ、正電極１
０、負電極１１を同一面に形成し、かつ補助電極９ｂの
一部を形成する電極９ｃが正電極１０の下面を絶縁薄膜
を介して這って、電極９とその補助電極９ｂに接続され
るようにしたものである。

なお、上記実施例では抵抗体として金属酸化物のものに
ついて説明したが、金属窒化物等の他の金属性の抵抗体
についても同様に適用することができる。また、これら
抵抗体は半導体基板の上に形成されたものに限らず、セ
ラミック等の絶縁物の上に形成されたものにでも適用す
ることができる。

（発明の効果）以上から本発明の薄膜抵抗体によれば、電気分解に寄与
する表面リーク電流が薄膜抵抗から流出しないようにす
ることができるので、電蝕を防止するすることが可能と
なり、特に集積回路内の薄膜抵抗体として好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の薄膜抵抗体の実施例の説明図
、第５図は従来の薄膜抵抗体の説明図である。１．２．６・・・薄膜抵抗で成る抵抗体、４．１゜・・
・正電極、５．１１・・・負電極、９・・・最高電位電
極。特許出願人　新日本無線株式会社代　理　人　弁理士　　長尾常明９ａ　　　６ｂ　　９ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、金属酸化物、金属窒化物等で形成される金属性
の薄膜抵抗で成る薄膜抵抗体において、上記薄膜抵抗の
少なくとも正電位側を囲む電極を形成し、該電極を上記
薄膜抵抗に印加される正電位と同電位或いはそれ以上の
高電位に固定して成ることを特徴とする薄膜抵抗体。