JPS62169366A - 小電流サイリスタ - Google Patents
小電流サイリスタInfo
- Publication number
- JPS62169366A JPS62169366A JP61011332A JP1133286A JPS62169366A JP S62169366 A JPS62169366 A JP S62169366A JP 61011332 A JP61011332 A JP 61011332A JP 1133286 A JP1133286 A JP 1133286A JP S62169366 A JPS62169366 A JP S62169366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- layer
- layers
- thyristor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
- H10D84/131—Thyristors having built-in components
- H10D84/133—Thyristors having built-in components the built-in components being capacitors or resistors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサイリスタに関し、特に、エミッタシ凹−トヲ
もたないサイリスタに関するものである。
もたないサイリスタに関するものである。
従来、エミッタショートをもｔないサイリスタのゲート
電流は、１μＡ以下と非常に小さく、小電流用高感度サ
イリスタとして重用されている。
電流は、１μＡ以下と非常に小さく、小電流用高感度サ
イリスタとして重用されている。
他方エミツクシ曹−トがあるサイリスタは必然的に数百
Ωのゲート・カソード間抵抗が入るため、ゲート電流は
数ｍＡの値となり、低感度サイリスタとなシ、主に大電
流のコントロールに用いられている。
Ωのゲート・カソード間抵抗が入るため、ゲート電流は
数ｍＡの値となり、低感度サイリスタとなシ、主に大電
流のコントロールに用いられている。
上述した従来のエミッタシ１−トを持たないサイリスタ
は、ゲート電流値金コントロールする事が困難で、通常
１μＡ以下の非常に小さな値となってしまうため、ノイ
ズによる誤動作の危険性が大きく、これを防ぐためゲー
トｅカソード間に畝訪〜数十にΩの抵抗部つけて、総ゲ
ート邂流全数百〜数十μＡにあげて用いているのが普通
である。このため、抵抗の価格や抵抗を取り付ける工程
が増えることにより、製造コストが上昇するという欠点
があった。
は、ゲート電流値金コントロールする事が困難で、通常
１μＡ以下の非常に小さな値となってしまうため、ノイ
ズによる誤動作の危険性が大きく、これを防ぐためゲー
トｅカソード間に畝訪〜数十にΩの抵抗部つけて、総ゲ
ート邂流全数百〜数十μＡにあげて用いているのが普通
である。このため、抵抗の価格や抵抗を取り付ける工程
が増えることにより、製造コストが上昇するという欠点
があった。
〔問題点′（ｌ−解決するための手段〕本発明は、エミ
ッタショートなしのサイリスタのゲート・カソード間に
、数に〜数十にΩの抵抗をサイリスタチップ円に内蔵す
る事によって、抵抗を外付けする必要なく、誤動作しな
いサイリスタ全提供するものである。
ッタショートなしのサイリスタのゲート・カソード間に
、数に〜数十にΩの抵抗をサイリスタチップ円に内蔵す
る事によって、抵抗を外付けする必要なく、誤動作しな
いサイリスタ全提供するものである。
本発明の小電流サイリスタは、Ｎ型半導体基板の一主面
にＰ型層を部分的に形成してベース層とし、このＰ型層
の一つにＮ型層を部分的に形成してエミッタとし、他主
面にＰ型層を設けてコレクタとしたサイリスタにおいて
、このＮ型半導体基板の一主面にさらにＰ型層を形成し
て抵抗部とし。
にＰ型層を部分的に形成してベース層とし、このＰ型層
の一つにＮ型層を部分的に形成してエミッタとし、他主
面にＰ型層を設けてコレクタとしたサイリスタにおいて
、このＮ型半導体基板の一主面にさらにＰ型層を形成し
て抵抗部とし。
前記ベース層の１つと前記エミッタとの間に抵抗部上接
続したことを特徴とする。
続したことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
Ｋ１図は本発明の一実施例であるサイリスタチップの平
面図である。Ｎ型半導体基板１は一主面お工び基板をつ
きぬけて設けられ几アノード部Ｐ層２によって囲まｎ１
ベ一ス部Ｐ層３お工び抵抗部Ｐ層５がＮ型半導体基板１
に形成さｎ、ベース部Ｐ層の一つにエミッタ部Ｎ層４が
形成されている。カソード電極６、ゲート電極８、ゲー
ト電極とサイリスタベース部電極との接続を極７がそｎ
ぞれ他主面上に設けらｎている０抵抗とエミッタ接続部
９がカソード電極から延在した位置に設けらｎている。
面図である。Ｎ型半導体基板１は一主面お工び基板をつ
きぬけて設けられ几アノード部Ｐ層２によって囲まｎ１
ベ一ス部Ｐ層３お工び抵抗部Ｐ層５がＮ型半導体基板１
に形成さｎ、ベース部Ｐ層の一つにエミッタ部Ｎ層４が
形成されている。カソード電極６、ゲート電極８、ゲー
ト電極とサイリスタベース部電極との接続を極７がそｎ
ぞれ他主面上に設けらｎている０抵抗とエミッタ接続部
９がカソード電極から延在した位置に設けらｎている。
この実施例では、Ｎ型半導体基板１にＰ層を細長く形成
し抵抗部Ｐ層となし、この部分の抵抗値を用いてゲート
・カソード間抵抗全形ａｘＬ、Ｌかも、オフ時には、空
乏層がつながって一体となる様にこの細長い抵抗部Ｐ層
を折り曲げ、相互の間隔をせまくて形成し、高耐圧化會
はかっている。
し抵抗部Ｐ層となし、この部分の抵抗値を用いてゲート
・カソード間抵抗全形ａｘＬ、Ｌかも、オフ時には、空
乏層がつながって一体となる様にこの細長い抵抗部Ｐ層
を折り曲げ、相互の間隔をせまくて形成し、高耐圧化會
はかっている。
以上の構成のための製造工程は、従来のサイリスタ工程
と全くかわらず、また、小さなスペースで抵抗形成が可
能である友め、従来のチップサイズと大差なく作ること
が出来る。
と全くかわらず、また、小さなスペースで抵抗形成が可
能である友め、従来のチップサイズと大差なく作ること
が出来る。
以上説明した通り１本発明によれば抵抗全サイリスタチ
ップに内蔵できるため、外付は抵抗に伴うコスト上昇な
しで、より性能の高いサイリスタが提供できる効果があ
る。
ップに内蔵できるため、外付は抵抗に伴うコスト上昇な
しで、より性能の高いサイリスタが提供できる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例のサイリスタチップの平面図
、第２図は、第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第１
図の等価回路図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・アノー
ド部Ｐ層。 ３・・・・・・ベース部Ｐ層、４・・・・・・エミッタ
部Ｎ層、５・・・・・・抵抗部Ｐ＃、６・・・・・・カ
ソード電極、７・・・・・・接続電極、８・・・・・・
ゲート電極％９・・・・・・抵抗・エミッタ接続部。
、第２図は、第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第１
図の等価回路図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・アノー
ド部Ｐ層。 ３・・・・・・ベース部Ｐ層、４・・・・・・エミッタ
部Ｎ層、５・・・・・・抵抗部Ｐ＃、６・・・・・・カ
ソード電極、７・・・・・・接続電極、８・・・・・・
ゲート電極％９・・・・・・抵抗・エミッタ接続部。
Claims (1)
- Ｎ型半導体基板の一主面にＰ型層を部分的に形成してベ
ース層とし、該Ｐ型層の一つにＮ型層を部分的に形成し
てエミッタとし、他主面にＰ型層を設けてコレクタとし
たサイリスタにおいて、前記Ｎ型半導体基板の一主面に
さらにＰ型層を形成して抵抗部とし、前記ベース層の１
つと前記エミッタとの間に該抵抗部を接続したことを特
徴とする小電流サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011332A JPH0658960B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 小電流サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011332A JPH0658960B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 小電流サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169366A true JPS62169366A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0658960B2 JPH0658960B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=11775076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011332A Expired - Lifetime JPH0658960B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 小電流サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658960B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0985987A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光装置 |
| JP2009266845A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sharp Corp | 横方向シリコン制御整流素子及びこれを備えるｅｓｄ保護素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5556658A (en) * | 1978-10-23 | 1980-04-25 | Nec Corp | Thyristor |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP61011332A patent/JPH0658960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5556658A (en) * | 1978-10-23 | 1980-04-25 | Nec Corp | Thyristor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0985987A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光装置 |
| JP2009266845A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sharp Corp | 横方向シリコン制御整流素子及びこれを備えるｅｓｄ保護素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658960B2 (ja) | 1994-08-03 |
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