JPS63184353A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63184353A JPS63184353A JP1651187A JP1651187A JPS63184353A JP S63184353 A JPS63184353 A JP S63184353A JP 1651187 A JP1651187 A JP 1651187A JP 1651187 A JP1651187 A JP 1651187A JP S63184353 A JPS63184353 A JP S63184353A
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- photosensitive resin
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にリフトオフ
法により半導体基板上にパターンを形成する場合のプロ
セスの改良に関する。
法により半導体基板上にパターンを形成する場合のプロ
セスの改良に関する。
一般に白金やチタンなどのエツチング困難な物質で電極
を形成する場合にはす７トオフ法を用いる。従来のリフ
トオフ法について、特にアルミパッド上に金バングを形
成する場合に必要なチタン・白金電極の形成例を第３図
の断面図を用いて説明する。第３図において、アルミパ
ッド３Ｇ’！、半導体基板１上の層間酸化膜２の上に形
成されており、カバー酸化膜４が積層およびパターニン
グされている。５は金メッキの際に必要となる電極用ア
ルミで全面に蒸着されている。ここでまず、ポジ型感光
性樹脂１７の塗布およびパターニングを周知の手段によ
り行なう。次に電極形成材料８をスパッタ法などのでき
るだけ、ステップカバレッジの良くない方法で積！＠す
る。この後感光性樹脂１７を剥離すれば所望の電極パタ
ーンを得ることができる。
を形成する場合にはす７トオフ法を用いる。従来のリフ
トオフ法について、特にアルミパッド上に金バングを形
成する場合に必要なチタン・白金電極の形成例を第３図
の断面図を用いて説明する。第３図において、アルミパ
ッド３Ｇ’！、半導体基板１上の層間酸化膜２の上に形
成されており、カバー酸化膜４が積層およびパターニン
グされている。５は金メッキの際に必要となる電極用ア
ルミで全面に蒸着されている。ここでまず、ポジ型感光
性樹脂１７の塗布およびパターニングを周知の手段によ
り行なう。次に電極形成材料８をスパッタ法などのでき
るだけ、ステップカバレッジの良くない方法で積！＠す
る。この後感光性樹脂１７を剥離すれば所望の電極パタ
ーンを得ることができる。
上述した従来のリフトオフ法は、アルミ電極５上に直接
ポジ型感光性樹脂１７を塗布している。
ポジ型感光性樹脂１７を塗布している。
この場合、ポジ型感光性樹脂とアルミの密着性がネガ型
感光性樹脂には劣るものの十分強いため、感光性樹脂の
剥離が困難となる。特に第３図の場合には、感光性樹脂
の開口部分がパッド上のみと小さいため、感光性樹脂剥
離液の浸透が期待できないので、物理的手段で感光性樹
脂を引き剥す必要があり、剥離残りを生じやすいという
欠点がある。また、従来のり７トオフ法では感光性樹脂
のパターニングを行なう際に、感光性樹脂がオーバーハ
ング形伏になるようにしないと第３図に示したように、
電極物質８が開口部でつながってしまい、リフトオフ後
の電極形状を劣化させるという欠点もある。
感光性樹脂には劣るものの十分強いため、感光性樹脂の
剥離が困難となる。特に第３図の場合には、感光性樹脂
の開口部分がパッド上のみと小さいため、感光性樹脂剥
離液の浸透が期待できないので、物理的手段で感光性樹
脂を引き剥す必要があり、剥離残りを生じやすいという
欠点がある。また、従来のり７トオフ法では感光性樹脂
のパターニングを行なう際に、感光性樹脂がオーバーハ
ング形伏になるようにしないと第３図に示したように、
電極物質８が開口部でつながってしまい、リフトオフ後
の電極形状を劣化させるという欠点もある。
上述した従来の半導体装置のリフトオフ法に対し本発明
は、感光性樹脂との密着性がアルミに比べると弱いポリ
イミド樹脂を用い、ポリイミド樹脂と感光性樹脂の二層
構造にすることによりリフトオフ時の剥離性を改善して
いる。また、同時にポリイミド樹脂の寺カ性エツチング
によシ、リフトオフに適したオーバーハング構造を容易
に実現させている。
は、感光性樹脂との密着性がアルミに比べると弱いポリ
イミド樹脂を用い、ポリイミド樹脂と感光性樹脂の二層
構造にすることによりリフトオフ時の剥離性を改善して
いる。また、同時にポリイミド樹脂の寺カ性エツチング
によシ、リフトオフに適したオーバーハング構造を容易
に実現させている。
次に不発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜ｉｆ）は本発明の一実施例の工程順の断
面図である。第１図（ａ）において、１は半導体基板、
２は層間酸化膜、３はアルミパッド、４はカバー酸化膜
、５は金メツキ用電極アルミである。これだけの被膜が
形成された基板上に、筐ずポリイミド樹脂６を周知の手
段によシ２〜３μｍの厚さに塗布および完全な硬化を行
なう。次に１第１図ｔｂ）に示すネガ型感光性樹脂７を
塗布し、所望のパターンを形成する。次に第１図（Ｃ）
のように、ヒドラジンなどのエツチング液を用いてポリ
イミド樹脂６を等方性エツチング除去し、この後第１図
（ｄ）のように、チタンなどの電極材料８をスパッタ法
により２０００〜３０００ Ａの厚さに蒸層する。この
とき、ポリイミド樹脂６とネガ型感光ｔ９１樹脂７によ
シ形成されたオーバーハング構造により電極材料８はつ
ながることなく、リフトオフに適した形状となる。次に
ネガ型感光性樹脂７を剥離することにより、第１図（ｅ
）のように電極材料８の不安部分を除去する。この際（
ネガ型）感光性樹脂とポリイミド樹脂の密層性は弱いこ
とがら容易に剥離を行なうことができる。最後に、第１
図Ｉｆ）に示した如く、ポリイミド樹脂を全面エツチン
グ除去すればパッド部に所望の電極パターンを形成した
半導体装置が得られる。
面図である。第１図（ａ）において、１は半導体基板、
２は層間酸化膜、３はアルミパッド、４はカバー酸化膜
、５は金メツキ用電極アルミである。これだけの被膜が
形成された基板上に、筐ずポリイミド樹脂６を周知の手
段によシ２〜３μｍの厚さに塗布および完全な硬化を行
なう。次に１第１図ｔｂ）に示すネガ型感光性樹脂７を
塗布し、所望のパターンを形成する。次に第１図（Ｃ）
のように、ヒドラジンなどのエツチング液を用いてポリ
イミド樹脂６を等方性エツチング除去し、この後第１図
（ｄ）のように、チタンなどの電極材料８をスパッタ法
により２０００〜３０００ Ａの厚さに蒸層する。この
とき、ポリイミド樹脂６とネガ型感光ｔ９１樹脂７によ
シ形成されたオーバーハング構造により電極材料８はつ
ながることなく、リフトオフに適した形状となる。次に
ネガ型感光性樹脂７を剥離することにより、第１図（ｅ
）のように電極材料８の不安部分を除去する。この際（
ネガ型）感光性樹脂とポリイミド樹脂の密層性は弱いこ
とがら容易に剥離を行なうことができる。最後に、第１
図Ｉｆ）に示した如く、ポリイミド樹脂を全面エツチン
グ除去すればパッド部に所望の電極パターンを形成した
半導体装置が得られる。
第２図は本発明の実施例２の剥離被膜形成後の状態を示
す断面図である。第２図においては、前述の実施例と同
様に、１は半導体基板、２は層間酸化膜、３はアルミパ
ッド、５は金メツキ用電極アルミである。まず、ポリイ
ミド樹脂６を塗布した後に弱く硬化させる。このときの
硬化の度合により後のポリイミド樹脂エツチングの際の
サイドエッチ量を調節することができる。次にポジ型感
光性樹脂１７を塗布し、パターニングを行なうが、その
際、境像液であるアルカリ水溶液により完全に硬化して
ないポリイミド樹脂も同時にエツチングできるという利
点がある。これ以後は前述の実施例と同僚に電極材料の
スパッタ、す７トオフ。
す断面図である。第２図においては、前述の実施例と同
様に、１は半導体基板、２は層間酸化膜、３はアルミパ
ッド、５は金メツキ用電極アルミである。まず、ポリイ
ミド樹脂６を塗布した後に弱く硬化させる。このときの
硬化の度合により後のポリイミド樹脂エツチングの際の
サイドエッチ量を調節することができる。次にポジ型感
光性樹脂１７を塗布し、パターニングを行なうが、その
際、境像液であるアルカリ水溶液により完全に硬化して
ないポリイミド樹脂も同時にエツチングできるという利
点がある。これ以後は前述の実施例と同僚に電極材料の
スパッタ、す７トオフ。
ポリイミド樹脂の全面エツチングを行なえば所望の電極
パターンを形成した半導体装置が得られる。
パターンを形成した半導体装置が得られる。
以上説明したように本発明は、す７トオフ法により電極
パターンを形成する際に、感光性樹脂だけではなく、ポ
リイミド樹脂と感光性樹脂の二層構造にすることにより
、剥離残りを生じることなく容易に感光性樹脂が剥離で
き、しかも同時にリフトオフに適したオーバーハング形
状をつくることができる効果がある。
パターンを形成する際に、感光性樹脂だけではなく、ポ
リイミド樹脂と感光性樹脂の二層構造にすることにより
、剥離残りを生じることなく容易に感光性樹脂が剥離で
き、しかも同時にリフトオフに適したオーバーハング形
状をつくることができる効果がある。
第１図ｆａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の工程ｊ幀の
断面図、第２図は本発明の別の実施例の剥離用樹脂パタ
ーン形成後の状態を示す断面図、第３図は従来の半導体
装置の製造方法のリフトオフ直前の伏態を示す断面図で
ある。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・層間酸化膜、
３・・・・・アルミパッド、４・・・・・カバー酸化膜
、５・・・・・・メッキ用アルミ電極、６・・・ポリイ
ミド樹脂、７・・・・・・ネガ型感光性樹脂、１７・・
・・・・ポジ型感光性樹脂、８・・・・・・電極形成材
。
断面図、第２図は本発明の別の実施例の剥離用樹脂パタ
ーン形成後の状態を示す断面図、第３図は従来の半導体
装置の製造方法のリフトオフ直前の伏態を示す断面図で
ある。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・層間酸化膜、
３・・・・・アルミパッド、４・・・・・カバー酸化膜
、５・・・・・・メッキ用アルミ電極、６・・・ポリイ
ミド樹脂、７・・・・・・ネガ型感光性樹脂、１７・・
・・・・ポジ型感光性樹脂、８・・・・・・電極形成材
。
Claims (1)
- 半導体基板上にリフトオフ法により電極を形成すること
を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基板
上にポリイミド樹脂を塗布し、硬化させる工程と、この
ポリイミド樹脂上に感光性樹脂を塗布しパターニング後
不要部分をエッチング除去する工程と、前記形成電極物
質をスパッタ法により積層する工程と、前記感光性樹脂
を剥離することにより前記電極物質をリフトオフする工
程と、前記ポリイミド樹脂を全面エッチング除去する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016511A JPH0680666B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016511A JPH0680666B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184353A true JPS63184353A (ja) | 1988-07-29 |
| JPH0680666B2 JPH0680666B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=11918293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016511A Expired - Lifetime JPH0680666B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680666B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9982108B2 (en) | 2012-07-18 | 2018-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Polyimide-containing layer and method for etching polyimide-containing layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604221A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63110656A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Pioneer Electronic Corp | 配線層の形成方法 |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP62016511A patent/JPH0680666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604221A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63110656A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Pioneer Electronic Corp | 配線層の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9982108B2 (en) | 2012-07-18 | 2018-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Polyimide-containing layer and method for etching polyimide-containing layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680666B2 (ja) | 1994-10-12 |
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