JPS63186448A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63186448A JPS63186448A JP62019023A JP1902387A JPS63186448A JP S63186448 A JPS63186448 A JP S63186448A JP 62019023 A JP62019023 A JP 62019023A JP 1902387 A JP1902387 A JP 1902387A JP S63186448 A JPS63186448 A JP S63186448A
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- Japan
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- aluminum
- corner
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- bonding surface
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、さらに詳しくは、半導
体装置における半導体チップの電極構造の改良に係るも
のである。
体装置における半導体チップの電極構造の改良に係るも
のである。
従来例によるこの種の半導体チップの電極構造の概要を
第３図（ａ）、（ｂ）に示す、こ−で、第３図（ａ）は
同上電極の平面図、同図（ｂ）は同上電極に金属細線を
接合した状態の［ｂ−１１１ｒｂ線部での断面図である
。
第３図（ａ）、（ｂ）に示す、こ−で、第３図（ａ）は
同上電極の平面図、同図（ｂ）は同上電極に金属細線を
接合した状態の［ｂ−１１１ｒｂ線部での断面図である
。
すなわち、これらの従来例各図において、符号１は半導
体基板であり、また、２および３はこの半導体基板ｌ上
にそれぞれパターニング形成される電極および配線、こ
〜では、アルミニウム電極と、同電極に連接されるアル
ミニウム配線、４はアルミニウム電極２の周辺面、およ
びアルミニウム配線３の全面を含んで基板１の表面を被
覆する絶縁保護膜、５はアルミニウム電極２の露出され
た接合面２ａに端部の被圧着金属ボール部Ｂを圧着接合
させた金属細線で、アルミニウム電極２と図示しない外
部端子とを接続する。
体基板であり、また、２および３はこの半導体基板ｌ上
にそれぞれパターニング形成される電極および配線、こ
〜では、アルミニウム電極と、同電極に連接されるアル
ミニウム配線、４はアルミニウム電極２の周辺面、およ
びアルミニウム配線３の全面を含んで基板１の表面を被
覆する絶縁保護膜、５はアルミニウム電極２の露出され
た接合面２ａに端部の被圧着金属ボール部Ｂを圧着接合
させた金属細線で、アルミニウム電極２と図示しない外
部端子とを接続する。
しかして、このように構成される従来例での電極構造の
場合、金属細線５の端部での被圧着金属ボール部６のア
ルミニウム電極２面への投影は、一般的に平面円形状を
なしており、かつまた、アルミニウム電極２における接
合面２ａについては、平面四辺形状、一般的には、平面
四角形状にパターニングされている。
場合、金属細線５の端部での被圧着金属ボール部６のア
ルミニウム電極２面への投影は、一般的に平面円形状を
なしており、かつまた、アルミニウム電極２における接
合面２ａについては、平面四辺形状、一般的には、平面
四角形状にパターニングされている。
従って、この場合、アルミニウム電極２の平面四角形状
をなす接合面２ａに、金属細線５の被圧着金属ボール部
６を、平面円形状をなして圧着接合させた状態では、接
合に必要とされる圧着部分ａの周囲は勿論、殊に四隅コ
ーナ一部にあって、接合に関係しない、つまり換言する
と不要部分すが多く存在し、このために接合後の電極露
出面が広くなっているのが普通である。
をなす接合面２ａに、金属細線５の被圧着金属ボール部
６を、平面円形状をなして圧着接合させた状態では、接
合に必要とされる圧着部分ａの周囲は勿論、殊に四隅コ
ーナ一部にあって、接合に関係しない、つまり換言する
と不要部分すが多く存在し、このために接合後の電極露
出面が広くなっているのが普通である。
このように従来例での電極構造においては、アルミニウ
ム電極２の接合面２ａが平面四角形状にされており、か
つ同接合面２ａに圧着接合される金属細線５の被圧着金
属ボール部６の投影面が平面円形状とされていて、圧着
部分ａの周囲に不要部分すが多く露出されているために
、次のような好ましくない問題点がある。すなわち。
ム電極２の接合面２ａが平面四角形状にされており、か
つ同接合面２ａに圧着接合される金属細線５の被圧着金
属ボール部６の投影面が平面円形状とされていて、圧着
部分ａの周囲に不要部分すが多く露出されているために
、次のような好ましくない問題点がある。すなわち。
（ａ）、露出された不要部分ａが比較的広い範囲に存在
するために、アルミニウム電極２面と被圧着金属ボール
部６との接合部が腐食、酸化され易いこと。
するために、アルミニウム電極２面と被圧着金属ボール
部６との接合部が腐食、酸化され易いこと。
（ｂ）、アルミニウム電極２の接合面２ａが必要以上に
広いために、半導体チップ上の素子配置とか配線の設定
に困難をきたし、かつ必然的にチップ面積も大きくなる
こと。
広いために、半導体チップ上の素子配置とか配線の設定
に困難をきたし、かつ必然的にチップ面積も大きくなる
こと。
（Ｃ）、同様に、アルミニウム電極２の接合面２ａが必
要以上に広いことから、これに伴なって同電極部での静
電容量が増加し、装置の性能が低下すること。
要以上に広いことから、これに伴なって同電極部での静
電容量が増加し、装置の性能が低下すること。
などである。
この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであって、その目的とするところは、電極構
造における電極接合面の不要な露出部分を可及的に少な
くして、装置の回路設計を容易にすると共に、併せて、
装置の性能についても向上を図り得るようにした。この
種の半導体装置、こ−では半導体チップの電極構造を提
供することである。
されたものであって、その目的とするところは、電極構
造における電極接合面の不要な露出部分を可及的に少な
くして、装置の回路設計を容易にすると共に、併せて、
装置の性能についても向上を図り得るようにした。この
種の半導体装置、こ−では半導体チップの電極構造を提
供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
においては、電極での接合面が平面四角形状とされ、か
つ同接合面に圧着接合される金属細線の被圧着金属ボー
ル部の投影面が平面円形状とされていて、接合に必要と
される両者の形状が相互に相違し、殊に、電極接合面の
四隅を占める小さい角度、こ−では、四角形状であるこ
とから９０度（直角）とされた各コーナ一部に不要な露
出部分が多く存在する点に鑑み、この電極の接合面を平
面多角形状に形成することにより、各コーナ一部の占め
る角度を、直角よりも大きくして、不要な露出部分が少
なくなるように構成したものである。
においては、電極での接合面が平面四角形状とされ、か
つ同接合面に圧着接合される金属細線の被圧着金属ボー
ル部の投影面が平面円形状とされていて、接合に必要と
される両者の形状が相互に相違し、殊に、電極接合面の
四隅を占める小さい角度、こ−では、四角形状であるこ
とから９０度（直角）とされた各コーナ一部に不要な露
出部分が多く存在する点に鑑み、この電極の接合面を平
面多角形状に形成することにより、各コーナ一部の占め
る角度を、直角よりも大きくして、不要な露出部分が少
なくなるように構成したものである。
従って、この発明においては、電極構造での電極接合面
を平面多角形状に形成して、それぞれの各コーナ一部の
占める角度が大きくなるように構成したから、この電極
に対して金属細線の被圧着金属ボール部を圧着接合した
後の、電極接合面における露出部分を格段に少なくでき
、かつ電極自体の大きさも小さくできるのであり、これ
によって従来例構造の欠点を、効果的かつ良好に改善し
得るのである。
を平面多角形状に形成して、それぞれの各コーナ一部の
占める角度が大きくなるように構成したから、この電極
に対して金属細線の被圧着金属ボール部を圧着接合した
後の、電極接合面における露出部分を格段に少なくでき
、かつ電極自体の大きさも小さくできるのであり、これ
によって従来例構造の欠点を、効果的かつ良好に改善し
得るのである。
以下、この発明に係る半導体装置、こ−では半導体チッ
プにおける電極構造の各別の実施例につき、第１図およ
び第２図を参照して詳細に説明する。
プにおける電極構造の各別の実施例につき、第１図およ
び第２図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例による好ましい態様の電極
構造を示し、同図（ａ）は同上電極の平面図、同図（ｂ
）は同上電極に金属細線を接合した状態でのＩｂ−Ｉｂ
線部の断面図である。
構造を示し、同図（ａ）は同上電極の平面図、同図（ｂ
）は同上電極に金属細線を接合した状態でのＩｂ−Ｉｂ
線部の断面図である。
すなわち、この第１図実施例においても、符号１１は半
導体基板である。
導体基板である。
また、１２および１３は前記半導体基板ｌｌ上にそれぞ
れパターニング形成される電極および配線、こ〜では、
アルミニウム電極と、同電極に連接されるアルミニウム
配線であって、この場合、アルミニウム電極１２は、前
記した従来例とは異なって、平面多角形状にパターニン
グされており、アルミニウム配線１３を連接するコーナ
一部を除いたその他の電極コーナ一部が、それぞれ左右
均等に欠截されて欠截＠１２ｂとされ、同部両端での角
度は、それぞれに１３５度づ＼にされている。
れパターニング形成される電極および配線、こ〜では、
アルミニウム電極と、同電極に連接されるアルミニウム
配線であって、この場合、アルミニウム電極１２は、前
記した従来例とは異なって、平面多角形状にパターニン
グされており、アルミニウム配線１３を連接するコーナ
一部を除いたその他の電極コーナ一部が、それぞれ左右
均等に欠截されて欠截＠１２ｂとされ、同部両端での角
度は、それぞれに１３５度づ＼にされている。
また、１４は前記アルミニウム電極１２の周辺面。
およびアルミニウム配ｍ１３の全面を含んで、前記半導
体基板１１の表面を被覆する絶縁保護膜であって、アル
ミニウム電極１２に関しては、その電極コーナ一部の欠
截縁１２ｂに対応した開口縁１４ａを有し、こ−でも、
同部両端での角度は、それぞれに１３５度づ覧にされて
おり、このようにして電極表面に、平面多角形状に露出
された接合面１２ａを形成している。
体基板１１の表面を被覆する絶縁保護膜であって、アル
ミニウム電極１２に関しては、その電極コーナ一部の欠
截縁１２ｂに対応した開口縁１４ａを有し、こ−でも、
同部両端での角度は、それぞれに１３５度づ覧にされて
おり、このようにして電極表面に、平面多角形状に露出
された接合面１２ａを形成している。
さらに、１５は前記アルミニウム電極１２の露出された
平面多角形状の接合面１２ａに、端部の被圧着金属ボー
ル部１６を圧着接合させた金属細線であって、このアル
ミニウム電極１２と図示しない外部端子とを接続させる
ようにしたものである。
平面多角形状の接合面１２ａに、端部の被圧着金属ボー
ル部１６を圧着接合させた金属細線であって、このアル
ミニウム電極１２と図示しない外部端子とを接続させる
ようにしたものである。
従って、この第１図実施例での電極構造の場合には、電
極接合面１２ａでのそれぞれの各コーナ一部の占める角
度が、従来例での各コーナ一部の角度、すなわち４５度
に比較して、充分な大きさをもつ、こ−では３倍に達す
る角度である１３５度にまで大きくされているために、
この電極接合面１２ａに対して金属細線１５の被圧着金
属ボール部ＩＢを圧着接合した後の、同電極接合面１２
ａにおける露出部分を格段に少なくでき、これによって
接合部での腐食、酸化の度合を少なくし得ると共に、併
せて、アルミニウム電極１２自体の大きさをも、欠截部
分に対応して効果的に小さくできることから、半導体チ
ップ上での素子配置、配線などを設定し易くなり、チッ
プ面積を小さくし得るほか、電極面積、ひいては静電容
量が小さくなって、装置の性能向上を図り得るのである
。
極接合面１２ａでのそれぞれの各コーナ一部の占める角
度が、従来例での各コーナ一部の角度、すなわち４５度
に比較して、充分な大きさをもつ、こ−では３倍に達す
る角度である１３５度にまで大きくされているために、
この電極接合面１２ａに対して金属細線１５の被圧着金
属ボール部ＩＢを圧着接合した後の、同電極接合面１２
ａにおける露出部分を格段に少なくでき、これによって
接合部での腐食、酸化の度合を少なくし得ると共に、併
せて、アルミニウム電極１２自体の大きさをも、欠截部
分に対応して効果的に小さくできることから、半導体チ
ップ上での素子配置、配線などを設定し易くなり、チッ
プ面積を小さくし得るほか、電極面積、ひいては静電容
量が小さくなって、装置の性能向上を図り得るのである
。
そしてまた、前記第１図実施例においては、アルミニウ
ム電極１２のうち、アルミニウム配線１３を連接するコ
ーナ一部を除いて、その他の電極コーナ一部をそれぞれ
左右均等に欠截した構成の場合について述べたが、第２
図（ａ）に示すように、アルミニウム配線１３を連接す
るコーナ一部側に対向した側の各電極コーナ一部を同様
に欠截しても、あるいは、同図（ｂ）に示すように、ア
ルミニウム配線１３を連接するコーナ一部と対称の電極
コーナ一部のみを同様に欠截しても、それなりの作用。
ム電極１２のうち、アルミニウム配線１３を連接するコ
ーナ一部を除いて、その他の電極コーナ一部をそれぞれ
左右均等に欠截した構成の場合について述べたが、第２
図（ａ）に示すように、アルミニウム配線１３を連接す
るコーナ一部側に対向した側の各電極コーナ一部を同様
に欠截しても、あるいは、同図（ｂ）に示すように、ア
ルミニウム配線１３を連接するコーナ一部と対称の電極
コーナ一部のみを同様に欠截しても、それなりの作用。
効果が得られる。
なお、前記各実施例では、平面四角形状の電極を想定し
、その各コーナ一部を左右均等に欠截して、多角形状と
した電極構造について述べたが、さらにそれぞれの各コ
ーナ一部を欠截して、−暦の多角形状としても良く、ま
た、前記各実施例においては、電極、および配線材料と
して、アルミニウムを用いる場合について述べたが、そ
の他の電極、および配線材料を用いる場合にも、同様に
適用できることは勿論であり、それぞれに同様の作用、
効果が得られる。
、その各コーナ一部を左右均等に欠截して、多角形状と
した電極構造について述べたが、さらにそれぞれの各コ
ーナ一部を欠截して、−暦の多角形状としても良く、ま
た、前記各実施例においては、電極、および配線材料と
して、アルミニウムを用いる場合について述べたが、そ
の他の電極、および配線材料を用いる場合にも、同様に
適用できることは勿論であり、それぞれに同様の作用、
効果が得られる。
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体チップの
電極構造において、電極接合面を平面多角形状に形成し
て、それぞれの各コーナ一部の占める角度が大きくなる
ように構成したから、この電極に対して金属細線の被圧
着金属ボール部を圧着接合した後の、電極接合面におけ
る露出部分を格段に少なくでき、かつ電極自体の大きさ
をも小さくできるもので、これによって素子配置、配線
などの設定の自由度が増し、装置の回路設計を容易にし
得ると共に、電極面積、ひいてはチー２プ面積を小さく
でき、併せて、電極面積の縮少に伴ない静電容量が小さ
くなって、装置の性能向上をも図り得るのであり、しか
も電極構造自体も頗る簡単で容易に実施でき、装置構成
をして安価に提供できるなど２種々の優れた特長を有す
るものである。
電極構造において、電極接合面を平面多角形状に形成し
て、それぞれの各コーナ一部の占める角度が大きくなる
ように構成したから、この電極に対して金属細線の被圧
着金属ボール部を圧着接合した後の、電極接合面におけ
る露出部分を格段に少なくでき、かつ電極自体の大きさ
をも小さくできるもので、これによって素子配置、配線
などの設定の自由度が増し、装置の回路設計を容易にし
得ると共に、電極面積、ひいてはチー２プ面積を小さく
でき、併せて、電極面積の縮少に伴ない静電容量が小さ
くなって、装置の性能向上をも図り得るのであり、しか
も電極構造自体も頗る簡単で容易に実施でき、装置構成
をして安価に提供できるなど２種々の優れた特長を有す
るものである。
第１図はこの発明の一実施例による好ましい態様の電極
構造を示し、同図（ａ）は同上電極の平面図、同図（ｂ
）は同上電極に金属細線を接合した状態でのＩ ｂ−Ｉ
ｂ線部の断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は同上能の実
施例による各別の電極をそれぞれに示す平面図であり、
また、第３図は従来例による電極構造を示し、同図（ａ
）は同上電極の平面図、同図（ｂ）は同上電極に金属細
線を接合した状態でのｍ ｂ−ｍ ｂ線部の断面図であ
る。 １１・・・・半導体基板、１２・・・・アルミニウム電
極（電極） 、 １２ａ・・・・電極の平面多角形状に
された接合面、１２ｂ・・・・電極コーナ一部の欠截縁
、１３・・・・アルミニウム配線（配線）、１４・・・
・絶縁保護膜、１４ａ・・・・電極の欠截縁に対応する
絶縁保護膜の開口縁、１５・・・・金属配線、ＩＢ・・
・・金属配線の被圧着金属ボール部。 代理人 大 岩 増 雄 １２ａ １１ 第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３図 （ｂ） 手続補正書（自発）
構造を示し、同図（ａ）は同上電極の平面図、同図（ｂ
）は同上電極に金属細線を接合した状態でのＩ ｂ−Ｉ
ｂ線部の断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は同上能の実
施例による各別の電極をそれぞれに示す平面図であり、
また、第３図は従来例による電極構造を示し、同図（ａ
）は同上電極の平面図、同図（ｂ）は同上電極に金属細
線を接合した状態でのｍ ｂ−ｍ ｂ線部の断面図であ
る。 １１・・・・半導体基板、１２・・・・アルミニウム電
極（電極） 、 １２ａ・・・・電極の平面多角形状に
された接合面、１２ｂ・・・・電極コーナ一部の欠截縁
、１３・・・・アルミニウム配線（配線）、１４・・・
・絶縁保護膜、１４ａ・・・・電極の欠截縁に対応する
絶縁保護膜の開口縁、１５・・・・金属配線、ＩＢ・・
・・金属配線の被圧着金属ボール部。 代理人 大 岩 増 雄 １２ａ １１ 第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３図 （ｂ） 手続補正書（自発）
Claims (1)
- 半導体チップ上に形成され、外部端子との接続用金属細
線の被圧着金属ボール部を圧着接合させる電極構造にお
いて、電極の接合面を多角形状に形成したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019023A JPS63186448A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019023A JPS63186448A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186448A true JPS63186448A (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=11987877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62019023A Pending JPS63186448A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351920A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007180425A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
| JP2010232411A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、その製造方法 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62019023A patent/JPS63186448A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351920A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007180425A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
| JP2010232411A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、その製造方法 |
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