JPS63268111A - 磁気ヘツドコア形成方法 - Google Patents
磁気ヘツドコア形成方法Info
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- JPS63268111A JPS63268111A JP10242687A JP10242687A JPS63268111A JP S63268111 A JPS63268111 A JP S63268111A JP 10242687 A JP10242687 A JP 10242687A JP 10242687 A JP10242687 A JP 10242687A JP S63268111 A JPS63268111 A JP S63268111A
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- thin film
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- screw
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
この発明は、コンピュータやＤＡＴ等の磁気記録応用装
置に用いられる磁気ヘッドのコア加工に関する技術で、
詳しくは、スパッタリング等により薄膜を付着させる時
のヘッドコア基板の変形防止技術である。
置に用いられる磁気ヘッドのコア加工に関する技術で、
詳しくは、スパッタリング等により薄膜を付着させる時
のヘッドコア基板の変形防止技術である。
従迷ｍ
一般に薄膜磁気ヘッドコアは、例えば第４図に示すよう
に、結晶化ガラス板等の基板１上に、Ｆｅ−Ｍｌ、 Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性体２を薄膜パターンに成
膜付着させることにより、薄膜コアを形成することが多
い。このようにしてコアを形成するには、スパッタリン
グ技術による場合がほとんどであり、例えば特開昭５９
−１２７２１１号に従来技術として紹介されている。
に、結晶化ガラス板等の基板１上に、Ｆｅ−Ｍｌ、 Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性体２を薄膜パターンに成
膜付着させることにより、薄膜コアを形成することが多
い。このようにしてコアを形成するには、スパッタリン
グ技術による場合がほとんどであり、例えば特開昭５９
−１２７２１１号に従来技術として紹介されている。
また最近では、第５図に示すように、コア半体３と４と
を接合して形成するバルク型コア５の磁気ギャップ６を
形成する対接面に、コアよりも高飽和磁束密度のセンダ
スト合金薄膜７，７及びギャップスペーサ薄膜として５
ｔｏ２８を付着させたりすることがある。
を接合して形成するバルク型コア５の磁気ギャップ６を
形成する対接面に、コアよりも高飽和磁束密度のセンダ
スト合金薄膜７，７及びギャップスペーサ薄膜として５
ｔｏ２８を付着させたりすることがある。
これらの場合、ガラス等の基板１やコア半４．＄３゜４
は、薄膜形成基板であるから、スパッタリング付着を良
好とするためには、数百℃に加熱しておくのが普通であ
る。
は、薄膜形成基板であるから、スパッタリング付着を良
好とするためには、数百℃に加熱しておくのが普通であ
る。
［Ｉ く ° −。
ところで、上述したような薄膜を形成する場合、付着さ
せる薄膜材料と、形成基板とは熱膨張係数に差異がある
。したがって、スパッタリング後、常温まで冷却する時
に、第４図に示した基板１ならば、第４図に破線１′、
２′で示すように熱膨張係数の差によって、反りが生じ
、その際の歪み応力が悪影響を与え、コアの特性劣化や
、極端な場合には、破損して製造歩留を低下させてしま
う問題があった。
せる薄膜材料と、形成基板とは熱膨張係数に差異がある
。したがって、スパッタリング後、常温まで冷却する時
に、第４図に示した基板１ならば、第４図に破線１′、
２′で示すように熱膨張係数の差によって、反りが生じ
、その際の歪み応力が悪影響を与え、コアの特性劣化や
、極端な場合には、破損して製造歩留を低下させてしま
う問題があった。
口゛の
この発明は、上記従来の問題を解決するために、提案す
るもので、薄膜を付着させるヘッドコア基板を、予め、
成膜付着後にヘッド形成基板と薄膜との熱膨張係数の差
により変形する方向と逆向きに変位させておく手段を採
用するものである。すなわち、この発明は、予め予想さ
れるワークの変位を矯正する変位量を設定して相殺する
方法である。
るもので、薄膜を付着させるヘッドコア基板を、予め、
成膜付着後にヘッド形成基板と薄膜との熱膨張係数の差
により変形する方向と逆向きに変位させておく手段を採
用するものである。すなわち、この発明は、予め予想さ
れるワークの変位を矯正する変位量を設定して相殺する
方法である。
１皿
この発明によれば、予め成膜作業時の温度により変形す
る方向と逆向きに、変位させたヘッドコア基板上に、薄
膜材料を付着させるので、薄膜形成後、基板と薄膜の熱
膨張係数の差により、常温に戻りながら収縮する際の応
力が、予め設定した変位量を元に復帰させるように作用
する。
る方向と逆向きに、変位させたヘッドコア基板上に、薄
膜材料を付着させるので、薄膜形成後、基板と薄膜の熱
膨張係数の差により、常温に戻りながら収縮する際の応
力が、予め設定した変位量を元に復帰させるように作用
する。
実」１例−
第１図〜第３図は、この発明の一実施例を示すための磁
気ヘッドコア基板及び薄膜形成を行う高周波スパッタリ
ング装置の概念図である。以下に上記図面を参照しなが
ら実施例を説明する。まずこの実施例に用いるコア形成
基板として、熱膨張係数が１００Ｘ １０’／”Ｃの結
晶化ガラス基板を、その基板へ付着させるコア材となる
薄膜材料に、熱膨張係数が１５０〜１８０−７／”Ｃの
センダスト合金を準備しておく。
気ヘッドコア基板及び薄膜形成を行う高周波スパッタリ
ング装置の概念図である。以下に上記図面を参照しなが
ら実施例を説明する。まずこの実施例に用いるコア形成
基板として、熱膨張係数が１００Ｘ １０’／”Ｃの結
晶化ガラス基板を、その基板へ付着させるコア材となる
薄膜材料に、熱膨張係数が１５０〜１８０−７／”Ｃの
センダスト合金を準備しておく。
さて、はじめに第１図のようにコア形成基板１を、基板
ホルダ兼用の治具９に取付ける。この治具９は、コア形
成基板１を載置する平坦部ＩＯの中央にネジ孔を設け、
押し込みネジ１１が若干突出自在に螺着されている。さ
らにこの治具９の平坦部ＩＯの両端には、逆り字形の鉤
１２．１２が設けられ、押し込みネジ■を僅かに突出さ
せると、ワークであるがラス基板１の両端部が鉤１２．
１２に掛けられ固定したまま、押し込みネジ１１と当接
している中央部のみが若干押し上げられ、弓状の凸形に
変形するようになっている。そこでつぎに、ガラス基板
１とセンダスト合金薄膜２の熱膨張係数差によって生じ
ると予測できる変位量８だけ、押し込みネジ１１を押し
込み、第２図に示す凸形に変位設定する。つぎに変位設
定した治具・基板構体３”を第３図に示した高周波スパ
ッタリング装置Ｉ２に取込んで、センダスト薄膜を付着
させる。ここで高周波スパッタリング装置１２において
、１３は治具・基板構体９゛を装着した基体で、ターゲ
ットとしてセンダスト合金１４を装備した電極板１５と
対向配設され、真空チャンバｌＢ内に収納されている。
ホルダ兼用の治具９に取付ける。この治具９は、コア形
成基板１を載置する平坦部ＩＯの中央にネジ孔を設け、
押し込みネジ１１が若干突出自在に螺着されている。さ
らにこの治具９の平坦部ＩＯの両端には、逆り字形の鉤
１２．１２が設けられ、押し込みネジ■を僅かに突出さ
せると、ワークであるがラス基板１の両端部が鉤１２．
１２に掛けられ固定したまま、押し込みネジ１１と当接
している中央部のみが若干押し上げられ、弓状の凸形に
変形するようになっている。そこでつぎに、ガラス基板
１とセンダスト合金薄膜２の熱膨張係数差によって生じ
ると予測できる変位量８だけ、押し込みネジ１１を押し
込み、第２図に示す凸形に変位設定する。つぎに変位設
定した治具・基板構体３”を第３図に示した高周波スパ
ッタリング装置Ｉ２に取込んで、センダスト薄膜を付着
させる。ここで高周波スパッタリング装置１２において
、１３は治具・基板構体９゛を装着した基体で、ターゲ
ットとしてセンダスト合金１４を装備した電極板１５と
対向配設され、真空チャンバｌＢ内に収納されている。
そして基体■３は真空チャンバ１６と供に接地し、電極
板１５へは、マツチングボックス１７を介して高周波電
源！８に接続しである。真空チャンバ１６内へは、数ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガスを、ガス供給バルブ２０より送り込
みながら、排気口２１より真空ポンプ（図示省略）等に
より排気している。またターゲットであるセンダスト合
金Ｉ４と治具・基板構体８゛との空間には、高周波グロ
ー放電を起こさせてプラズマを発生させるが、プラズマ
を十分持続させ、かつ空間内に閉じ込めるために永久磁
石１９．１９により、空間を横切る静磁界を印加しであ
る。そこでスパッタリングを開始する際には、基体１３
に内蔵しているヒータで、治具φ基板橋体９′を約２０
０℃〜４００”Ｃ程に、加熱して凸形基板表面を活性化
して成膜良好な条件を作り出す。このようにして、スパ
ッタリング終了後、ヒータによる加熱を停止させ、常温
まで徐冷を行うと、センダスト合金薄膜２とガラス基板
１との熱膨張係数は、センダスト合金薄膜側が先述のと
おり大であるので、徐冷過程で起こる熱収縮応力が基板
１を平坦に矯正するように働く。
板１５へは、マツチングボックス１７を介して高周波電
源！８に接続しである。真空チャンバ１６内へは、数ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガスを、ガス供給バルブ２０より送り込
みながら、排気口２１より真空ポンプ（図示省略）等に
より排気している。またターゲットであるセンダスト合
金Ｉ４と治具・基板構体８゛との空間には、高周波グロ
ー放電を起こさせてプラズマを発生させるが、プラズマ
を十分持続させ、かつ空間内に閉じ込めるために永久磁
石１９．１９により、空間を横切る静磁界を印加しであ
る。そこでスパッタリングを開始する際には、基体１３
に内蔵しているヒータで、治具φ基板橋体９′を約２０
０℃〜４００”Ｃ程に、加熱して凸形基板表面を活性化
して成膜良好な条件を作り出す。このようにして、スパ
ッタリング終了後、ヒータによる加熱を停止させ、常温
まで徐冷を行うと、センダスト合金薄膜２とガラス基板
１との熱膨張係数は、センダスト合金薄膜側が先述のと
おり大であるので、徐冷過程で起こる熱収縮応力が基板
１を平坦に矯正するように働く。
尚、上記実施例では、磁気ヘッド形成基板として結晶化
ガラス基板を、薄膜材料としてセンダスト合金を用いた
が、この発明は、これに限らず、例えばバルク型のＭＩ
Ｇギャップヘッドを形成する場合であれば、基板として
Ｍｎ −Ｚｎ単結晶フェライ゛ トとし、薄膜材料とし
てセンダスト合金やＳ ｉ Ｏ２を積層させるようにし
てもよく、同様な効果が期待できる。
ガラス基板を、薄膜材料としてセンダスト合金を用いた
が、この発明は、これに限らず、例えばバルク型のＭＩ
Ｇギャップヘッドを形成する場合であれば、基板として
Ｍｎ −Ｚｎ単結晶フェライ゛ トとし、薄膜材料とし
てセンダスト合金やＳ ｉ Ｏ２を積層させるようにし
てもよく、同様な効果が期待できる。
光朋ｊ廊１ａＪＬ
この発明を実施すると、基板へ薄膜を形成する際の反り
が防止され、反りによる歪みによって従来発生していた
コアの特性劣化やコア破損による製造歩留り低下をなく
シ、著しい信頼性向上が達成できる。またこの発明では
、基板を予め変位させる治具の精度を工夫するだけで、
所望の平坦度にして磁気ヘッドコア材料を加工できるの
で、薄膜成膜作業性改善に大きく貢献できる。
が防止され、反りによる歪みによって従来発生していた
コアの特性劣化やコア破損による製造歩留り低下をなく
シ、著しい信頼性向上が達成できる。またこの発明では
、基板を予め変位させる治具の精度を工夫するだけで、
所望の平坦度にして磁気ヘッドコア材料を加工できるの
で、薄膜成膜作業性改善に大きく貢献できる。
第１図、第２図は、この発明の一実施例を紹介するため
の磁気ヘッド形成基板・治具構体を断面視した概念図、
第３図はその実施例で用いる高周波スパッタリング装置
の概念図、第４図は、一般的な磁気ヘッド形成基板と薄
膜を示した側面図、第５図は、バルク型ヘッドコアを示
す概略正面図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・薄膜、９・
・・・・・治具、３′・・・・・・治具・基板構体、８
・・・・・・変位量。 特許出願人 関西日本電気株式会社（乙）、３〜・
′ 鵡−
の磁気ヘッド形成基板・治具構体を断面視した概念図、
第３図はその実施例で用いる高周波スパッタリング装置
の概念図、第４図は、一般的な磁気ヘッド形成基板と薄
膜を示した側面図、第５図は、バルク型ヘッドコアを示
す概略正面図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・薄膜、９・
・・・・・治具、３′・・・・・・治具・基板構体、８
・・・・・・変位量。 特許出願人 関西日本電気株式会社（乙）、３〜・
′ 鵡−
Claims (1)
- 磁気ヘッド形成基板に、熱膨張係数が基板と差異がある
薄膜材料を、成膜付着させるに際して、予め上記ヘッド
形成基板を、成膜付着後にヘッド形成基板と薄膜との熱
膨張係数の差によって変形する方向と逆向きに変位させ
ておくことを特徴とする磁気ヘッドコア形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242687A JPS63268111A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気ヘツドコア形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242687A JPS63268111A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気ヘツドコア形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63268111A true JPS63268111A (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14327131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10242687A Pending JPS63268111A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気ヘツドコア形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63268111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123608A (en) * | 1998-11-17 | 2000-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Crown forming apparatus for forming crown floating type magnetic head |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP10242687A patent/JPS63268111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123608A (en) * | 1998-11-17 | 2000-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Crown forming apparatus for forming crown floating type magnetic head |
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