JPS63292673A - 横型バイポ−ラトランジスタ - Google Patents
横型バイポ−ラトランジスタInfo
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- JPS63292673A JPS63292673A JP62128913A JP12891387A JPS63292673A JP S63292673 A JPS63292673 A JP S63292673A JP 62128913 A JP62128913 A JP 62128913A JP 12891387 A JP12891387 A JP 12891387A JP S63292673 A JPS63292673 A JP S63292673A
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- JP
- Japan
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- type
- collector
- polycrystalline silicon
- base
- base region
- Prior art date
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- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラトランジスタの構造に関し、特に従
来の縦型トランジスタよシも占有面積が小さく、寄生容
量も小さな高性能横型バイポーラトランジスタに関する
。
来の縦型トランジスタよシも占有面積が小さく、寄生容
量も小さな高性能横型バイポーラトランジスタに関する
。
従来、この種の横型バイポーラトランジスタは、第３図
の断面図に示すように、例えばｐ型のシリコン基板９を
ベースとし、このｐ型基板の表面側に選択的にｎ型のエ
ミツタ層１１とコレクタ層１゜とを形成し、横方向のト
ランジスタ動作を行わせるのである。なお、１２はベー
スコンタクト用ｐ十領域である。
の断面図に示すように、例えばｐ型のシリコン基板９を
ベースとし、このｐ型基板の表面側に選択的にｎ型のエ
ミツタ層１１とコレクタ層１゜とを形成し、横方向のト
ランジスタ動作を行わせるのである。なお、１２はベー
スコンタクト用ｐ十領域である。
上述した従来の横型バイポーラトランジスタは、実効ベ
ース巾が広く、かつコレクタ効率が悪いため、ｆＴが低
いとか、直流ｈＦＥも低いという欠点がある。また、ト
ランジスタ専有面積も大きいという欠点がある。
ース巾が広く、かつコレクタ効率が悪いため、ｆＴが低
いとか、直流ｈＦＥも低いという欠点がある。また、ト
ランジスタ専有面積も大きいという欠点がある。
上記問題点に対し本発明の横型バイポーラトランジスタ
は、単結晶ベース領域を挾んで溝を形成し、前記溝内に
導電性シリコンを埋設し、この導電性シリコンをエミッ
タ電極およびコレクタ電極としている。また、前記溝底
部および外側面に酸化膜を形成している。
は、単結晶ベース領域を挾んで溝を形成し、前記溝内に
導電性シリコンを埋設し、この導電性シリコンをエミッ
タ電極およびコレクタ電極としている。また、前記溝底
部および外側面に酸化膜を形成している。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（ａｌは本発明の実施例１の素子断面図である。
ｎｐｎ型トランジスタを例にして説明する。１はｎ型シ
リコン、２は５ｉ０２．３はｐ型巣結晶ベース領域、４
はベース領域３を挾んで設けた二つの溝のうちの一方の
溝を口型多結晶シリコンで埋設し形成したエミッタ電極
、４ａはｎ多結晶シリコンからｎ型不純物の拡散で形成
されたエミッタ動作層、５は他方の溝をｎ＋型多結晶シ
リコンで埋設し形成したコレクタ電極、５ａはｎ 多結
晶シリコンからｎ型不純物の拡散で形成されたコレクタ
動作層である。
リコン、２は５ｉ０２．３はｐ型巣結晶ベース領域、４
はベース領域３を挾んで設けた二つの溝のうちの一方の
溝を口型多結晶シリコンで埋設し形成したエミッタ電極
、４ａはｎ多結晶シリコンからｎ型不純物の拡散で形成
されたエミッタ動作層、５は他方の溝をｎ＋型多結晶シ
リコンで埋設し形成したコレクタ電極、５ａはｎ 多結
晶シリコンからｎ型不純物の拡散で形成されたコレクタ
動作層である。
第１図（ｂ）は実施例１の平面図である。６はｐ型外部
ベース領域で、ベースコンタクトを設ける領域である。
ベース領域で、ベースコンタクトを設ける領域である。
エミッタ領域はベース接合面を除いて酸化膜で被われて
いるため、活性ベース領域にのみキャリアが注入され、
理想的なバイポーラトランジスタ動作を行う。ベース巾
はリングラフィの寸法と、多結晶シリコンから不純物拡
散で決まる。
いるため、活性ベース領域にのみキャリアが注入され、
理想的なバイポーラトランジスタ動作を行う。ベース巾
はリングラフィの寸法と、多結晶シリコンから不純物拡
散で決まる。
ベース巾０１〜０２μｍ程度は容易に得られるから、従
来の縦型トランジスタと同程度の高性能が得られる。さ
らにコレクタ・ベース間接合容量およびコレクタ・基板
間接合容量が極めて小さいという利点がある。
来の縦型トランジスタと同程度の高性能が得られる。さ
らにコレクタ・ベース間接合容量およびコレクタ・基板
間接合容量が極めて小さいという利点がある。
第２図は本発明の実施例２の素子断面図である。
１はｎ型シリコン、２は８ｉ０２．３はｐ型巣結晶ベー
ス領域、４は実施例１と同様の溝を埋めて形成した耐型
多結晶シリコンエミッタ電極、５は同じ〈実施例１と同
様に形成したｎ型多結晶シリコンコレクタ電極、７ ハ
８ ｉ ０２．８１ｄベースコンタクトのためのｐ＋型
多結晶シリコンである。この実施例では、ベースコンタ
クトを活性ベース上部に設けるため、第１図（ｂ）に示
したｐ生型外部ベース領域６が不要になる。その結果、
トランジスタ面積がさらに小さくなシ、ベース・エミッ
タ間およびベース・コレクタ間接合容量がさらに小さく
なるという利点がある。
ス領域、４は実施例１と同様の溝を埋めて形成した耐型
多結晶シリコンエミッタ電極、５は同じ〈実施例１と同
様に形成したｎ型多結晶シリコンコレクタ電極、７ ハ
８ ｉ ０２．８１ｄベースコンタクトのためのｐ＋型
多結晶シリコンである。この実施例では、ベースコンタ
クトを活性ベース上部に設けるため、第１図（ｂ）に示
したｐ生型外部ベース領域６が不要になる。その結果、
トランジスタ面積がさらに小さくなシ、ベース・エミッ
タ間およびベース・コレクタ間接合容量がさらに小さく
なるという利点がある。
以上説明したように本発明は、ベース領域を挾んで溝を
設け、この溝内に多結晶シリコンを埋め込みエミッタ電
極およびコレクタ電極とすることＫより、狭いベース領
域が実現できるため、高い直流ｈＦｇと高ｆｒが得られ
る効果がある。さらに、本発明の横型トランジスタは、
専有面積が小さく、かつ、寄生容量が従来の縦型トラン
ジスタよシも小さくできる。従って、低電流レベルで高
速動作が可能になシ、高速なＶＬＳＩが実現できる効果
がある。
設け、この溝内に多結晶シリコンを埋め込みエミッタ電
極およびコレクタ電極とすることＫより、狭いベース領
域が実現できるため、高い直流ｈＦｇと高ｆｒが得られ
る効果がある。さらに、本発明の横型トランジスタは、
専有面積が小さく、かつ、寄生容量が従来の縦型トラン
ジスタよシも小さくできる。従って、低電流レベルで高
速動作が可能になシ、高速なＶＬＳＩが実現できる効果
がある。
第１図（ａｌは本発明の実施例１の素子断面図、第１図
１ｂｌは実施例１の平面図、第２図は実施例２の素子断
面図、第３図は従来の横型トランジスタの素子断面図で
ある。 １・・・・・・ｎ型シリコン、２・・・・・・５ｉ０２
．３・・団・ｐ型ベース領域、４・・・・・・計型多結
晶シリコンエミッタ電極、４ａ・・・・・・エミッタ動
作層、５・・・・・・ｎ型多結晶シリコンコレクタ電極
、５ａ・・・・・・コレクタ動作層、６・・・・・・ｐ
生型外部ベース、７・・・・・・５ｉｆｔ膜、８・・・
・・・ｐ生型多結晶シリコン、９・・・・・・ｐ型シリ
コン、１０・・・・・・ｎ中型コレクタ、１１・・・・
・・ｎ十型エミッタ、１２・・・・・・ベースコンタク
ト。
１ｂｌは実施例１の平面図、第２図は実施例２の素子断
面図、第３図は従来の横型トランジスタの素子断面図で
ある。 １・・・・・・ｎ型シリコン、２・・・・・・５ｉ０２
．３・・団・ｐ型ベース領域、４・・・・・・計型多結
晶シリコンエミッタ電極、４ａ・・・・・・エミッタ動
作層、５・・・・・・ｎ型多結晶シリコンコレクタ電極
、５ａ・・・・・・コレクタ動作層、６・・・・・・ｐ
生型外部ベース、７・・・・・・５ｉｆｔ膜、８・・・
・・・ｐ生型多結晶シリコン、９・・・・・・ｐ型シリ
コン、１０・・・・・・ｎ中型コレクタ、１１・・・・
・・ｎ十型エミッタ、１２・・・・・・ベースコンタク
ト。
Claims (2)
- （１）ｐまたはｎの一導電型単結晶シリコン層にベース
領域となる部分を間に挾んで相対する溝を形成し、この
溝内に反対導電型の導電性シリコンを埋設し、この導電
性シリコンをそれぞれエミッタ電極およびコレクタ電極
としたことを特徴とする横型バイポーラトランジスタ。 - （２）上記導電性シリコンの底面および外側面に酸化膜
が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の横型バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128913A JPS63292673A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 横型バイポ−ラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128913A JPS63292673A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 横型バイポ−ラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63292673A true JPS63292673A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14996465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62128913A Pending JPS63292673A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 横型バイポ−ラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63292673A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296338A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 横型トランジスタ及びその製造方法 |
| US5065210A (en) * | 1989-07-07 | 1991-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lateral transistor structure for bipolar semiconductor integrated circuits |
| US5486481A (en) * | 1991-12-02 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | Method for forming a lateral bipolar transistor |
| JP2007318020A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170257A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP62128913A patent/JPS63292673A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170257A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296338A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 横型トランジスタ及びその製造方法 |
| US5065210A (en) * | 1989-07-07 | 1991-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lateral transistor structure for bipolar semiconductor integrated circuits |
| US5486481A (en) * | 1991-12-02 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | Method for forming a lateral bipolar transistor |
| JP2007318020A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR101348457B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2014-01-06 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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