JPS6338039B2 - - Google Patents
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- JPS6338039B2 JPS6338039B2 JP5693681A JP5693681A JPS6338039B2 JP S6338039 B2 JPS6338039 B2 JP S6338039B2 JP 5693681 A JP5693681 A JP 5693681A JP 5693681 A JP5693681 A JP 5693681A JP S6338039 B2 JPS6338039 B2 JP S6338039B2
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- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
本発明は新規抗生物質に関する。さらに詳しく
は本発明は一般式〔〕 (式中、〓で表わされる結合が二重結合である
場合、R1はホルミルで、R2は
は本発明は一般式〔〕 (式中、〓で表わされる結合が二重結合である
場合、R1はホルミルで、R2は
【式】
または
【式】である。該結合が
一重結合である場合、R1は水素またはホルミル
で、R2は
で、R2は
【式】である。)で表
わされるテトロカルシン類およびその塩、ならび
にその製造法に関する。 以下、一般式〔〕中、各化合物を第1表に示
すごとく称することとする。
にその製造法に関する。 以下、一般式〔〕中、各化合物を第1表に示
すごとく称することとする。
【表】
本発明者らは有用な抗生物質を見い出す目的で
天然界より数多くの微生物を入手して抗生物質の
生産について研究した。その結果宮城県仙台市内
の土壌から分離した菌株ミクロモノスポラ・チヤ
ルセア(Micromonospora chalcea)KY11091
を培地に培養すると培養物中に抗生物質テトロカ
ルシンA、B、C、D、E―1、E―2、F、G
およびHが生産されることを見い出した。これら
のテトロカルシン類については本出願人の出願に
係る特願昭53−45916(特開昭54−138501)同53−
153027(特開昭55−79322)、同55−17498(特開昭
56−115794)、同55−24924(特開昭56−122392)、
同54−152253(特開昭56−75500)、同55−24925
(特開昭56−122393)、同55−24926(特開昭56−
122394)、同55−114373(特開昭57−38796)、同55
−128605(特開昭57−−53498)の明細書に開示さ
れている。 本発明者らはさらに研究を重ねた結果、上記菌
株培養物中に既出願に記載された物質とは異なる
新規物質テトロカルシンI、J、K、LおよびM
を見い出し、これらを単離した。このようにして
得られたテトロカルシンI、J、K、LおよびM
は抗菌作用を示し、またそれらの構造から明らか
なように既出願のテトラノライド類〔本出願人に
よる特願昭55−80482(特開昭57−7479)〕、他のテ
トロカルシン類およびそれらの誘導体の原料とし
て利用でき、さらにそれら自身も抗腫瘍作用を示
すことが期待できる。 これらの化合物の具体的な理化学的性質は次の
通りである。 (1) テトロカルシンI 融点 209〜211℃ 〔α〕23 D −56.0(c=0.99、アセトン) 元素分析値(%)C61H86N2O23 C H N 計算値 60.28 7.13 2.30 実測値 59.83 7.25 2.07 IR(KBr):第1図 PMR(CDCl3、TMS基準):第2図 (2) テトロカルシンJ 融点 199―202℃ 〔α〕23 D −72.1°(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C67H96N2O25 C H N 計算値 60.53 7.28 2.11 実測値 60.28 7.45 2.08 IR(KBr):第3図 PMR(CDCl3、TMS基準):第6図 (3) テトロカルシンK 融点 190―193℃ 〔α〕23 D −17.7゜(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C65H90N2O23 C H N 計算値 61.60 7.16 2.21 実測値 61.20 7.15 2.05 IR(KBr):第5図 PMR(CDCl3、TMS基準):第6図 (4) テトロカルシンL 融点 189―192℃ 〔α〕23 D −85.6゜(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C66H98N2O23 C H N 計算値 61.57 7.67 2.18 実測値 61.16 7.71 2.16 IR(KBr):第7図 PMR(CDCl3、TMS基準):第8図 (5) テトロカルシンM 融点 182―185℃ 〔α〕23 D −94.1゜(c=0.44、アセトン) 元素分析値(%)C67H98N2O24 C H N 計算値 61.17 7.51 2.13 実測値 60.92 7.53 2.12 IR(KBr):第9図 PMR(CDCl3、TMS基準):第10図 次にテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
薄層クロマトグラフイーにおける挙動を第1表に
示す。 第 1 表 シリカゲルプレート(商品名DC―Fertigplatten
Kieselgel 60F254,E.Merck)を用いたとき。 展開剤:クロロホルム:メタノール=9:1
(容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.57 〃 B 0.52 〃 D 0.53 〃 F 0.66 〃 H 0.27 〃 I 0.48 〃 J 0.50 〃 K 0.52 〃 L 0.47 〃 M 0.48 展開剤:酢酸エチル:酢酸=20:1 (容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.42 〃 B 0.47 〃 D 0.38 〃 F 0.64 〃 I 0.25 〃 J 0.29 〃 K 0.39 〃 L 0.27 〃 M 0.40 展開剤:トルエン:アセトン=35:65 (容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.55 〃 F 0.66 〃 I 0.42 〃 J 0.50 〃 K 0.53 〃 L 0.31 〃 M 0.53 次にテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
各種微生物に対する抗菌活性(PH7.0の培地使用)
を第2表に示す。
天然界より数多くの微生物を入手して抗生物質の
生産について研究した。その結果宮城県仙台市内
の土壌から分離した菌株ミクロモノスポラ・チヤ
ルセア(Micromonospora chalcea)KY11091
を培地に培養すると培養物中に抗生物質テトロカ
ルシンA、B、C、D、E―1、E―2、F、G
およびHが生産されることを見い出した。これら
のテトロカルシン類については本出願人の出願に
係る特願昭53−45916(特開昭54−138501)同53−
153027(特開昭55−79322)、同55−17498(特開昭
56−115794)、同55−24924(特開昭56−122392)、
同54−152253(特開昭56−75500)、同55−24925
(特開昭56−122393)、同55−24926(特開昭56−
122394)、同55−114373(特開昭57−38796)、同55
−128605(特開昭57−−53498)の明細書に開示さ
れている。 本発明者らはさらに研究を重ねた結果、上記菌
株培養物中に既出願に記載された物質とは異なる
新規物質テトロカルシンI、J、K、LおよびM
を見い出し、これらを単離した。このようにして
得られたテトロカルシンI、J、K、LおよびM
は抗菌作用を示し、またそれらの構造から明らか
なように既出願のテトラノライド類〔本出願人に
よる特願昭55−80482(特開昭57−7479)〕、他のテ
トロカルシン類およびそれらの誘導体の原料とし
て利用でき、さらにそれら自身も抗腫瘍作用を示
すことが期待できる。 これらの化合物の具体的な理化学的性質は次の
通りである。 (1) テトロカルシンI 融点 209〜211℃ 〔α〕23 D −56.0(c=0.99、アセトン) 元素分析値(%)C61H86N2O23 C H N 計算値 60.28 7.13 2.30 実測値 59.83 7.25 2.07 IR(KBr):第1図 PMR(CDCl3、TMS基準):第2図 (2) テトロカルシンJ 融点 199―202℃ 〔α〕23 D −72.1°(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C67H96N2O25 C H N 計算値 60.53 7.28 2.11 実測値 60.28 7.45 2.08 IR(KBr):第3図 PMR(CDCl3、TMS基準):第6図 (3) テトロカルシンK 融点 190―193℃ 〔α〕23 D −17.7゜(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C65H90N2O23 C H N 計算値 61.60 7.16 2.21 実測値 61.20 7.15 2.05 IR(KBr):第5図 PMR(CDCl3、TMS基準):第6図 (4) テトロカルシンL 融点 189―192℃ 〔α〕23 D −85.6゜(c=1.00、アセトン) 元素分析値(%)C66H98N2O23 C H N 計算値 61.57 7.67 2.18 実測値 61.16 7.71 2.16 IR(KBr):第7図 PMR(CDCl3、TMS基準):第8図 (5) テトロカルシンM 融点 182―185℃ 〔α〕23 D −94.1゜(c=0.44、アセトン) 元素分析値(%)C67H98N2O24 C H N 計算値 61.17 7.51 2.13 実測値 60.92 7.53 2.12 IR(KBr):第9図 PMR(CDCl3、TMS基準):第10図 次にテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
薄層クロマトグラフイーにおける挙動を第1表に
示す。 第 1 表 シリカゲルプレート(商品名DC―Fertigplatten
Kieselgel 60F254,E.Merck)を用いたとき。 展開剤:クロロホルム:メタノール=9:1
(容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.57 〃 B 0.52 〃 D 0.53 〃 F 0.66 〃 H 0.27 〃 I 0.48 〃 J 0.50 〃 K 0.52 〃 L 0.47 〃 M 0.48 展開剤:酢酸エチル:酢酸=20:1 (容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.42 〃 B 0.47 〃 D 0.38 〃 F 0.64 〃 I 0.25 〃 J 0.29 〃 K 0.39 〃 L 0.27 〃 M 0.40 展開剤:トルエン:アセトン=35:65 (容量比) 物 質 Rf値 テトロカルシンA 0.55 〃 F 0.66 〃 I 0.42 〃 J 0.50 〃 K 0.53 〃 L 0.31 〃 M 0.53 次にテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
各種微生物に対する抗菌活性(PH7.0の培地使用)
を第2表に示す。
【表】
上記の理化学的性質等よりテトロカルシンI、
J、K、L、Mを相互に区別できるのみならず、
これらと他のテトロカルシン類とを区別すること
もできる。 次に本発明のテトロカルシン類の製造法につい
て述べる。 テトロカルシンI、J、K、L、およびMを微
生物培養物から得るには、ミクロモノスポラ属に
属し、テトロカルシンI、J、K、LおよびMの
少なくとも1種の生産能を有する微生物を栄養培
地に培養し、該化合物を培養物中に蓄積せしめ該
培養物から蓄積した該テトロカルシンの少なくと
も1種を採取することによつて該テトロカルシン
が得られる。 使用しうる微生物としてはミクロモノスポラ属
に属しテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
少なくとも1種の生産能を有する微生物であれ
ば、いずれの微生物も用いることができる。 好適な菌としては、ミクロモノスポラ・チヤル
セアKY11091株があげられる。該菌株は微工研
菌寄第4458号、NRRL11289として、それぞれ寄
託されている。該菌株の菌学的性質は特願昭53−
4596(特開昭54−138501)、特願昭54−152253(特
開昭56−75500)、同55−17498(特開昭56−
115794)、同55−24926(特開昭56−122394)明細
書に記載されている。 次に培養方法について述べる。 本発明の培養に用いる培地としては資化可能な
炭素源、窒素源、無機物、微量栄養素等を程よく
含有する培地であれば天然培地、合成培地いずれ
も使用可能である。 炭素源としてはグルコース、殿粉、デキストリ
ン、マンノース、フラクトース、シユークロー
ス、糖蜜などが単独または組み合わせて用いられ
る。さらに、菌の資化能によつては炭化水素、ア
ルコール類、有機酸なども用いうる。窒素源とし
ては無機および有機の窒素化合物例えば塩化アン
モン、硫酸アンモン、硝酸アンモン、硝酸ソー
ダ、尿素などがまた天然物由来の窒素源、例えば
ペプトン、肉エキス、酵母エキス、乾燥酵母、コ
ーン・スチープ・リカー、大豆粉、大豆粕粉末、
カザミノ酸などが単独または組み合わせて用いら
れる。無機物としては、食塩、塩化カリ、硫酸マ
グネシウム、炭酸カルシウム、燐酸二水素カリウ
ム、燐酸水素二カリウム、硫酸第一鉄、塩化カル
シウム、硫酸マンガン、硫酸亜鉛、硫酸銅などが
用いられる。さらに使用菌の生育やテトロカルシ
ンI、J、K、L、Mの生産を促進する微量栄養
素例えばビタミンB1、ビオチンなどを適当に添
加することができる。 培養法としては、液体培養法、とくに深部撹拌
培養法がもつとも適している。培養温度は25〜40
℃、特に28〜38℃が最適で培地のPHはアンモニア
水や炭酸アンモン溶液などを添加して、PH4〜
10、好ましくは6〜8で培養を行なうことが望ま
しい。 液体培養で通常1日ないし7日培養を行なう
と、目的物質が培養液中に生成蓄積される。培養
液中の生成量が最大に達したときに培養を停止
し、菌体を別して得られる培養液中より目的物
を単離精製する。 培養液からのテトロカルシンI、J、K、
L、Mの単離精製には微生物代謝生産物をその培
養液から単離するためにふつう用いられる分離・
精製の方法が利用される。例えば、培養生産物を
培養液と菌体とに分離し、培養液そのまま(PH
6.0)非イオン性多孔性樹脂(商品名「HP―20」
三菱化成製など)を通過させ、抗菌活性を有する
成分を吸着させた後、メタノール、アセトン、酢
酸エチルなどを用いて吸着物質を脱着させる。こ
の脱着液を濃縮乾固し、水に溶解して活性炭素に
吸着させる。活性炭素からはアセトン、酢酸エチ
ルなどの有機溶媒で活性物質を溶出する。この溶
出液を濃縮乾固しクロロホルムに溶解させ、予め
クロロホルムに懸濁後カラムに充填したシリカゲ
ルを用いてクロマトグラフイーを行う。まずクロ
ロホルムを通塔することによつて不純物である黄
色系の色素が除去される。次いでクロロホルム:
メタノール(98:2、容量比)の混合液で活性物
質を溶出することができる。 ここではテトロカルシンA、B、C、D、テト
ロノライド類化合物F―1、テトロカルシンE、
F、K混合物が溶出されてくるが、この溶出液の
後部にはテトロカルシンI、Jを含む画分および
L、Mを含む画分が溶出されてくる。 まず、テトロカルシンKを多く含む画分を集め
て濃縮乾固し、少量のクロロホルム:メタノー
ル:水(3:1:1、容量比)の混合物の下層溶
媒に溶解する。これを前記下層液溶媒を用いて充
填したシリカゲルのカラムに通塔し、同じ溶媒で
溶出するとテトロカルシンKとテトロカルシンB
を多く含む画分が得られる。このKとBの混合物
画分はさらに同じ溶媒で再クロマト後、シリカゲ
ル薄層クロマト処理することによつてテトロカル
シンKとBを分離できる。薄層クロマト処理はシ
リカゲル薄層(商品名DC―FertigPlatten
Kieselgel 60F254,E.Merck)を用い、酢酸エチ
ル:酢酸(20:1、容量比)で展開後Rf0.39に相
当する部分をかきとり、該展開溶媒もしくはアセ
トンで溶出し、溶出液を濃縮乾固するとテトロカ
ルシンKが得られる。 次にテトロカルシンI、J、L、Mを多く含む
画分を集めて濃縮乾固し、少量のクロロホルム:
メタノール:水(3:1:1、容量比)の混合物
の下層溶媒に溶解する。これを前記下層溶媒を用
いて充填したシリカゲルのカラムに通塔し、同じ
溶媒で溶出すると、テトロカルシンJを含む画
分、テトロカルシンI、Mを含む画分、テトロカ
ルシンG、Lを含む画分がこの順に溶出されてく
る。 テトロカルシンI、Mを多く含む画分を、再ク
ロマト処理後、さらにシリカゲル薄層クロマト処
理することによつてテトロカルシンIとMを分離
し、テトロカルシンMを得ることができる。薄層
クロマト処理はシリカゲル薄層(商品名DC―
FertigPlatten Kieselgel 60F254,E.Merck)を
用いた。まずクロロホルム:メタノール(9:
1、容量比)で展開後Rf0.48付近をかきとり、該
展開溶媒もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃
縮乾固した。これにはテトロカルシンMとIが含
まれているもので、両者を分離するため、これを
少量のアセトンに溶解後シリカゲル薄層を用い、
酢酸エチル:酢酸(20:1、容量比)で展開後
Rf0.40に相当する部分をかきとり、該展開溶媒も
しくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾固する
とテトロカルシンMが得られる。酢酸エチル:酢
酸での展開においてRf0.25のところからは同様に
してテトロカルシンIが得られる。 テトロカルシンJを含む画分を集め、再クロマ
ト処理に付し、さらにシリカゲル薄層クロマト処
理することによつてテトロカルシンJを得ること
ができる。薄層クロマトにはテトロカルシンIの
ときと同じシリカゲル薄層を用いた。シリカゲル
薄層を用いクロロホルム:メタノール(9:1、
容量比)で展開後Rf0.50付近をかきとり、該展開
溶媒もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾
固した。これを少量のアセトンに溶解後シリカゲ
ル薄層を用い、クロロホルム:酢酸:水(4:
2:3、容量比)の下層を用いて二度展開後
Rf0.27に相当する部分をかきとり、該展開溶媒も
もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾固す
るとテトロカルシンJが得られる。 テトロカルシンL、Gを含む画分についても再
クロマト処理に付し、さらにシリカゲル薄層クロ
マト処理することによつてテトロカルシンLを得
ることができる。テトロカルシンL、Gを含む画
分を濃縮乾固し、少量のアセトンに溶解後シリカ
ゲル薄層を用い、クロロホルム:酢酸:水(2:
1:1、容量比)の下層で展開後Rf0.55に相当す
るところをかきとり、該展開溶媒もしくはアセト
ンで溶出し、溶出液を濃縮乾固するとテトロカル
シンLが得られる。尚Rf0.51に相当するところを
かきとり同様に処理するとテトロカルシンGが得
られる。 これらテトロカルシンI、J、K、L、Mを得
るに際し、必要に応じて晶出等の手段を加えても
よい。また分離を完全にするために上記と同じク
ロマトを繰返すかあるいはセフアデツクスLH―
20(Pharmacia Fine Chemical Inc.スウエーデ
ン)のカラムに通塔する操作を加えてもよい。 次に実施例をあげて本発明化合物の具体的製法
を示す。 実施例中、物質の動向は、バチルス・ズブチリ
スNo.10707を用いるバイオアツセイまたはTLCク
ロマトスキヤンナー法(島津クロマトスキヤンナ
ーCS910)(紫外部反射法、ダブルビーム、シン
グルスキヤン、波長サンプル260nm、リフアレン
ス350nm)を用いて追跡した。 実施例 1 種菌としてミクロモノスポラ・チヤルセア
KY11091を用いた。該菌株を2容量の三角フ
フラスコ中の種培地〔KCl4g/、MgSO4・
7H2O0.5g/、KH2PO41.5g/、硫安5.0
g/、シユークロース20g/、フラクトース
10g/、グルコース10g/、コーンスチーブ
リカー5.0g/、CaCO320g/PH7.0〕300ml
に植菌し、30℃で48時間振とう(220r.p.m)培養
した。かくして得られた種培養液を30容量のジ
ヤーフアーメンター中の下記組成の発酵培地15
に5%(容量)の割合で移し、30℃で通気撹拌方
式(回転数250r.p.m通気量15/min)により培
養を行つた。発酵培地組成:可溶性デンプン60
g/、大豆粕粉末10g/、ペプトン10g/
、K2HPO40.5g/、MgSO4・7H2O0.5g/
、CaCO31g/、PH7.2(殺菌前)にNaOHで
調整する。 培養中培地のPHは制御しないで、72時間培養し
た。培養液より菌体および沈殿物を別し、別液
13を得た。まず液13を1の非イオン性多
孔性樹脂(商品名「HP―10」三菱化成製)に通
塔して活性物質を吸着させ水洗後さらに30%
(V/V)アセトン水溶液で洗い不純物を除去す
る。次いでアセトンで溶出する。アセトン画分を
濃縮乾固し、30%(V/V)アセトン水溶液に溶
解する。この溶液を活性炭500mlを充填したカラ
ムに吸着させる。30%(V/V)アセトン水溶液
で洗滌後アセトンで活性画分を溶出する。この操
作で不純物として存在する色素の大部分を除くこ
とができる。活性画分を濃縮乾固し、少量のクロ
ロホルム(約10ml)に溶解する。このクロロホル
ム溶液を予めクロロホルムを溶媒として充填した
シリカゲル〔商品名:クロマトグラフ用シリカゲ
ル(100〜200メツシユ)関東化学、以下も同じ〕
(500ml)のカラムに静かに乗せ、まずクロロホル
ムで充分(約2)に洗い、次いでクロロホル
ム:メタノール(98:2、容量比)で溶出を行う
と、まずテトロカルシンA〜D、テトロノライド
類化合物P―1、テトロカルシンE、F、Kを主
成分とする混合物が溶出される。さらに同じ溶媒
で溶出を続けるとテトロカルシンI、J、K、
L、Mを含む画分が溶出されてくる。 テトロカルシンKを多く含む画分を濃縮乾固
し、少量のクロロホルム:メタノール:H2O
(3:1:1、容量比)の混合物の下層溶媒に溶
解する。これを前記下層溶媒で充填したシリカゲ
ルカラム(500ml)に静かに乗せ、同じ溶媒で展
開するとテトロカルシンKとテトロカルシンBを
含む画分が、前記既出願のテトロカルシン類と分
離して溶出されてくる。このテトロカルシンKと
Bを含む画分を集め濃縮乾固後、同じ溶媒で再ク
ロマト後、これをアセトンに溶解し、シリカゲル
薄層を用い、酢酸エチル:酢酸(20:1、容量
比)で展開後Rf0.39に相当する部分をかきとりア
セトンで溶出後濃縮乾固した。これを酢酸エチル
に溶解する。これを0.1NHClと振りまぜ酢酸エ
チル層を取り、濃縮乾固することによりテトロカ
ルシンKが得られる。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 次にテトロカルシンI、J、L、Mを含む前記
画分を集め濃縮乾固し、少量のクロロホルム:メ
タノール:H2O(3:1:1、容量比)の混合物
の下層溶媒に溶解する。これを前記下層溶媒で充
填したシリカゲルカラム(500ml)に静かに乗せ、
同じ溶媒で展開すると、テトロカルシンJを含む
画分、テトロカルシンI、Mを含む画分、テトロ
カルシンG、Lを含む画分がこの場に溶出されて
くる。 テトロカルシンI、Mを得るには、再クロマト
後のテトロカルシンI、Mを含む画分を濃縮乾固
したあと、これをアセトンに溶解し、シリカゲル
薄層を用い、クロロホルム:メタノール(9:
1、容量比)で展開した。テトロカルシンI、M
に相当する部分(Rf0.48に相当する部分)をかき
とり、アセトンで溶出後、濃縮乾固した。これを
アセトンに溶解し、シリカゲル薄層を用い、酢酸
エチル:酢酸(20:1容量比)で展開後Rf0.25に
相当する部分をかきとりアセトンで溶出する。こ
れを濃縮乾固し酢酸エチルに溶解する。これを
0.1NHClと振りまぜ酢酸エチル層を取り、濃縮
乾固することによりテトロカルシンIが得られ
る。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 上記酢酸エチルに酢酸溶出後での展開でRf0.40
に相当する部分を同様に処理することにより、テ
トロカルシンMが得られる。 テトロカルシンJを得るには、前記テトロカル
シンJを含む画分をを再クロマトに付し、テトロ
カルシンJを含む画分を濃縮乾固後、これをアセ
トンに溶解し、シリカゲル薄層を用い、クロロホ
ルム:メタノール(9:1、容量比)で展開し
た。テトロカルシンJに相当する部分をかきとり
アセトンで溶出後濃縮乾固した。これをアセトン
に溶解し、シリカゲル薄層を用い、クロロホル
ム:酢酸:水(4:2:3、容量比)の下層を用
いて二度展開後Rf0.27に相当する部分をかきとり
アセトンで溶出する。これを濃縮乾固し酢酸エチ
ルに溶解する。これを0.1NHClを振りまぜ酢酸
エチル層を取り、濃縮乾固することによりテトロ
カルシンJが得られる。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 テトロカルシンLを得るには、再クロマト後の
テトロカルシンLを含む画分を濃縮乾固したあ
と、少量のアセトンに溶解し、シリカゲル薄層を
用い、クロロホルム:酢酸:水(2:1:1、容
量比)の下層で展開後Rf0.55に相当するところを
かきとりアセトンで溶出した。 これを濃縮乾固し酢酸エチルに溶解する。これ
を0.1NHClと振りまぜ酢酸エチル層を取り、濃
縮乾固することによりテトロカルシンLが得られ
る。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 このようにしてテトロカルシンI、J、K、
L、Mをそれぞれ2mg、2.1mg、11mg、2mg、1.2
mg得た。ここで得られたテトロカルシンI、J、
K、L、Mの理化学的性質、抗菌活性は前記の通
りである。 実施例 2 実施例1において、発酵培地組成を次のものに
代えて行う以外は実施例1と同様に培養を行つ
た。 発酵培地組成:可溶性デンプン40g/、大豆
粕粉末30g/、デキストリン5g/、コーン
スチーブリカー5g/、K2HPO40.5g/、
MgSO4・7H2O0.5g/、CaCO31g/、PH7.0
(殺菌前)にNaOHで調整する。 培養液を、実施例1と同様に処理して、テトロ
カルシンI、J、K、L、Mをそれれぞれ1mg、
1.3mg、0.5mg、1.2mg、0.8mg得た。
J、K、L、Mを相互に区別できるのみならず、
これらと他のテトロカルシン類とを区別すること
もできる。 次に本発明のテトロカルシン類の製造法につい
て述べる。 テトロカルシンI、J、K、L、およびMを微
生物培養物から得るには、ミクロモノスポラ属に
属し、テトロカルシンI、J、K、LおよびMの
少なくとも1種の生産能を有する微生物を栄養培
地に培養し、該化合物を培養物中に蓄積せしめ該
培養物から蓄積した該テトロカルシンの少なくと
も1種を採取することによつて該テトロカルシン
が得られる。 使用しうる微生物としてはミクロモノスポラ属
に属しテトロカルシンI、J、K、LおよびMの
少なくとも1種の生産能を有する微生物であれ
ば、いずれの微生物も用いることができる。 好適な菌としては、ミクロモノスポラ・チヤル
セアKY11091株があげられる。該菌株は微工研
菌寄第4458号、NRRL11289として、それぞれ寄
託されている。該菌株の菌学的性質は特願昭53−
4596(特開昭54−138501)、特願昭54−152253(特
開昭56−75500)、同55−17498(特開昭56−
115794)、同55−24926(特開昭56−122394)明細
書に記載されている。 次に培養方法について述べる。 本発明の培養に用いる培地としては資化可能な
炭素源、窒素源、無機物、微量栄養素等を程よく
含有する培地であれば天然培地、合成培地いずれ
も使用可能である。 炭素源としてはグルコース、殿粉、デキストリ
ン、マンノース、フラクトース、シユークロー
ス、糖蜜などが単独または組み合わせて用いられ
る。さらに、菌の資化能によつては炭化水素、ア
ルコール類、有機酸なども用いうる。窒素源とし
ては無機および有機の窒素化合物例えば塩化アン
モン、硫酸アンモン、硝酸アンモン、硝酸ソー
ダ、尿素などがまた天然物由来の窒素源、例えば
ペプトン、肉エキス、酵母エキス、乾燥酵母、コ
ーン・スチープ・リカー、大豆粉、大豆粕粉末、
カザミノ酸などが単独または組み合わせて用いら
れる。無機物としては、食塩、塩化カリ、硫酸マ
グネシウム、炭酸カルシウム、燐酸二水素カリウ
ム、燐酸水素二カリウム、硫酸第一鉄、塩化カル
シウム、硫酸マンガン、硫酸亜鉛、硫酸銅などが
用いられる。さらに使用菌の生育やテトロカルシ
ンI、J、K、L、Mの生産を促進する微量栄養
素例えばビタミンB1、ビオチンなどを適当に添
加することができる。 培養法としては、液体培養法、とくに深部撹拌
培養法がもつとも適している。培養温度は25〜40
℃、特に28〜38℃が最適で培地のPHはアンモニア
水や炭酸アンモン溶液などを添加して、PH4〜
10、好ましくは6〜8で培養を行なうことが望ま
しい。 液体培養で通常1日ないし7日培養を行なう
と、目的物質が培養液中に生成蓄積される。培養
液中の生成量が最大に達したときに培養を停止
し、菌体を別して得られる培養液中より目的物
を単離精製する。 培養液からのテトロカルシンI、J、K、
L、Mの単離精製には微生物代謝生産物をその培
養液から単離するためにふつう用いられる分離・
精製の方法が利用される。例えば、培養生産物を
培養液と菌体とに分離し、培養液そのまま(PH
6.0)非イオン性多孔性樹脂(商品名「HP―20」
三菱化成製など)を通過させ、抗菌活性を有する
成分を吸着させた後、メタノール、アセトン、酢
酸エチルなどを用いて吸着物質を脱着させる。こ
の脱着液を濃縮乾固し、水に溶解して活性炭素に
吸着させる。活性炭素からはアセトン、酢酸エチ
ルなどの有機溶媒で活性物質を溶出する。この溶
出液を濃縮乾固しクロロホルムに溶解させ、予め
クロロホルムに懸濁後カラムに充填したシリカゲ
ルを用いてクロマトグラフイーを行う。まずクロ
ロホルムを通塔することによつて不純物である黄
色系の色素が除去される。次いでクロロホルム:
メタノール(98:2、容量比)の混合液で活性物
質を溶出することができる。 ここではテトロカルシンA、B、C、D、テト
ロノライド類化合物F―1、テトロカルシンE、
F、K混合物が溶出されてくるが、この溶出液の
後部にはテトロカルシンI、Jを含む画分および
L、Mを含む画分が溶出されてくる。 まず、テトロカルシンKを多く含む画分を集め
て濃縮乾固し、少量のクロロホルム:メタノー
ル:水(3:1:1、容量比)の混合物の下層溶
媒に溶解する。これを前記下層液溶媒を用いて充
填したシリカゲルのカラムに通塔し、同じ溶媒で
溶出するとテトロカルシンKとテトロカルシンB
を多く含む画分が得られる。このKとBの混合物
画分はさらに同じ溶媒で再クロマト後、シリカゲ
ル薄層クロマト処理することによつてテトロカル
シンKとBを分離できる。薄層クロマト処理はシ
リカゲル薄層(商品名DC―FertigPlatten
Kieselgel 60F254,E.Merck)を用い、酢酸エチ
ル:酢酸(20:1、容量比)で展開後Rf0.39に相
当する部分をかきとり、該展開溶媒もしくはアセ
トンで溶出し、溶出液を濃縮乾固するとテトロカ
ルシンKが得られる。 次にテトロカルシンI、J、L、Mを多く含む
画分を集めて濃縮乾固し、少量のクロロホルム:
メタノール:水(3:1:1、容量比)の混合物
の下層溶媒に溶解する。これを前記下層溶媒を用
いて充填したシリカゲルのカラムに通塔し、同じ
溶媒で溶出すると、テトロカルシンJを含む画
分、テトロカルシンI、Mを含む画分、テトロカ
ルシンG、Lを含む画分がこの順に溶出されてく
る。 テトロカルシンI、Mを多く含む画分を、再ク
ロマト処理後、さらにシリカゲル薄層クロマト処
理することによつてテトロカルシンIとMを分離
し、テトロカルシンMを得ることができる。薄層
クロマト処理はシリカゲル薄層(商品名DC―
FertigPlatten Kieselgel 60F254,E.Merck)を
用いた。まずクロロホルム:メタノール(9:
1、容量比)で展開後Rf0.48付近をかきとり、該
展開溶媒もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃
縮乾固した。これにはテトロカルシンMとIが含
まれているもので、両者を分離するため、これを
少量のアセトンに溶解後シリカゲル薄層を用い、
酢酸エチル:酢酸(20:1、容量比)で展開後
Rf0.40に相当する部分をかきとり、該展開溶媒も
しくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾固する
とテトロカルシンMが得られる。酢酸エチル:酢
酸での展開においてRf0.25のところからは同様に
してテトロカルシンIが得られる。 テトロカルシンJを含む画分を集め、再クロマ
ト処理に付し、さらにシリカゲル薄層クロマト処
理することによつてテトロカルシンJを得ること
ができる。薄層クロマトにはテトロカルシンIの
ときと同じシリカゲル薄層を用いた。シリカゲル
薄層を用いクロロホルム:メタノール(9:1、
容量比)で展開後Rf0.50付近をかきとり、該展開
溶媒もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾
固した。これを少量のアセトンに溶解後シリカゲ
ル薄層を用い、クロロホルム:酢酸:水(4:
2:3、容量比)の下層を用いて二度展開後
Rf0.27に相当する部分をかきとり、該展開溶媒も
もしくはアセトンで溶出し、溶出液を濃縮乾固す
るとテトロカルシンJが得られる。 テトロカルシンL、Gを含む画分についても再
クロマト処理に付し、さらにシリカゲル薄層クロ
マト処理することによつてテトロカルシンLを得
ることができる。テトロカルシンL、Gを含む画
分を濃縮乾固し、少量のアセトンに溶解後シリカ
ゲル薄層を用い、クロロホルム:酢酸:水(2:
1:1、容量比)の下層で展開後Rf0.55に相当す
るところをかきとり、該展開溶媒もしくはアセト
ンで溶出し、溶出液を濃縮乾固するとテトロカル
シンLが得られる。尚Rf0.51に相当するところを
かきとり同様に処理するとテトロカルシンGが得
られる。 これらテトロカルシンI、J、K、L、Mを得
るに際し、必要に応じて晶出等の手段を加えても
よい。また分離を完全にするために上記と同じク
ロマトを繰返すかあるいはセフアデツクスLH―
20(Pharmacia Fine Chemical Inc.スウエーデ
ン)のカラムに通塔する操作を加えてもよい。 次に実施例をあげて本発明化合物の具体的製法
を示す。 実施例中、物質の動向は、バチルス・ズブチリ
スNo.10707を用いるバイオアツセイまたはTLCク
ロマトスキヤンナー法(島津クロマトスキヤンナ
ーCS910)(紫外部反射法、ダブルビーム、シン
グルスキヤン、波長サンプル260nm、リフアレン
ス350nm)を用いて追跡した。 実施例 1 種菌としてミクロモノスポラ・チヤルセア
KY11091を用いた。該菌株を2容量の三角フ
フラスコ中の種培地〔KCl4g/、MgSO4・
7H2O0.5g/、KH2PO41.5g/、硫安5.0
g/、シユークロース20g/、フラクトース
10g/、グルコース10g/、コーンスチーブ
リカー5.0g/、CaCO320g/PH7.0〕300ml
に植菌し、30℃で48時間振とう(220r.p.m)培養
した。かくして得られた種培養液を30容量のジ
ヤーフアーメンター中の下記組成の発酵培地15
に5%(容量)の割合で移し、30℃で通気撹拌方
式(回転数250r.p.m通気量15/min)により培
養を行つた。発酵培地組成:可溶性デンプン60
g/、大豆粕粉末10g/、ペプトン10g/
、K2HPO40.5g/、MgSO4・7H2O0.5g/
、CaCO31g/、PH7.2(殺菌前)にNaOHで
調整する。 培養中培地のPHは制御しないで、72時間培養し
た。培養液より菌体および沈殿物を別し、別液
13を得た。まず液13を1の非イオン性多
孔性樹脂(商品名「HP―10」三菱化成製)に通
塔して活性物質を吸着させ水洗後さらに30%
(V/V)アセトン水溶液で洗い不純物を除去す
る。次いでアセトンで溶出する。アセトン画分を
濃縮乾固し、30%(V/V)アセトン水溶液に溶
解する。この溶液を活性炭500mlを充填したカラ
ムに吸着させる。30%(V/V)アセトン水溶液
で洗滌後アセトンで活性画分を溶出する。この操
作で不純物として存在する色素の大部分を除くこ
とができる。活性画分を濃縮乾固し、少量のクロ
ロホルム(約10ml)に溶解する。このクロロホル
ム溶液を予めクロロホルムを溶媒として充填した
シリカゲル〔商品名:クロマトグラフ用シリカゲ
ル(100〜200メツシユ)関東化学、以下も同じ〕
(500ml)のカラムに静かに乗せ、まずクロロホル
ムで充分(約2)に洗い、次いでクロロホル
ム:メタノール(98:2、容量比)で溶出を行う
と、まずテトロカルシンA〜D、テトロノライド
類化合物P―1、テトロカルシンE、F、Kを主
成分とする混合物が溶出される。さらに同じ溶媒
で溶出を続けるとテトロカルシンI、J、K、
L、Mを含む画分が溶出されてくる。 テトロカルシンKを多く含む画分を濃縮乾固
し、少量のクロロホルム:メタノール:H2O
(3:1:1、容量比)の混合物の下層溶媒に溶
解する。これを前記下層溶媒で充填したシリカゲ
ルカラム(500ml)に静かに乗せ、同じ溶媒で展
開するとテトロカルシンKとテトロカルシンBを
含む画分が、前記既出願のテトロカルシン類と分
離して溶出されてくる。このテトロカルシンKと
Bを含む画分を集め濃縮乾固後、同じ溶媒で再ク
ロマト後、これをアセトンに溶解し、シリカゲル
薄層を用い、酢酸エチル:酢酸(20:1、容量
比)で展開後Rf0.39に相当する部分をかきとりア
セトンで溶出後濃縮乾固した。これを酢酸エチル
に溶解する。これを0.1NHClと振りまぜ酢酸エ
チル層を取り、濃縮乾固することによりテトロカ
ルシンKが得られる。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 次にテトロカルシンI、J、L、Mを含む前記
画分を集め濃縮乾固し、少量のクロロホルム:メ
タノール:H2O(3:1:1、容量比)の混合物
の下層溶媒に溶解する。これを前記下層溶媒で充
填したシリカゲルカラム(500ml)に静かに乗せ、
同じ溶媒で展開すると、テトロカルシンJを含む
画分、テトロカルシンI、Mを含む画分、テトロ
カルシンG、Lを含む画分がこの場に溶出されて
くる。 テトロカルシンI、Mを得るには、再クロマト
後のテトロカルシンI、Mを含む画分を濃縮乾固
したあと、これをアセトンに溶解し、シリカゲル
薄層を用い、クロロホルム:メタノール(9:
1、容量比)で展開した。テトロカルシンI、M
に相当する部分(Rf0.48に相当する部分)をかき
とり、アセトンで溶出後、濃縮乾固した。これを
アセトンに溶解し、シリカゲル薄層を用い、酢酸
エチル:酢酸(20:1容量比)で展開後Rf0.25に
相当する部分をかきとりアセトンで溶出する。こ
れを濃縮乾固し酢酸エチルに溶解する。これを
0.1NHClと振りまぜ酢酸エチル層を取り、濃縮
乾固することによりテトロカルシンIが得られ
る。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 上記酢酸エチルに酢酸溶出後での展開でRf0.40
に相当する部分を同様に処理することにより、テ
トロカルシンMが得られる。 テトロカルシンJを得るには、前記テトロカル
シンJを含む画分をを再クロマトに付し、テトロ
カルシンJを含む画分を濃縮乾固後、これをアセ
トンに溶解し、シリカゲル薄層を用い、クロロホ
ルム:メタノール(9:1、容量比)で展開し
た。テトロカルシンJに相当する部分をかきとり
アセトンで溶出後濃縮乾固した。これをアセトン
に溶解し、シリカゲル薄層を用い、クロロホル
ム:酢酸:水(4:2:3、容量比)の下層を用
いて二度展開後Rf0.27に相当する部分をかきとり
アセトンで溶出する。これを濃縮乾固し酢酸エチ
ルに溶解する。これを0.1NHClを振りまぜ酢酸
エチル層を取り、濃縮乾固することによりテトロ
カルシンJが得られる。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 テトロカルシンLを得るには、再クロマト後の
テトロカルシンLを含む画分を濃縮乾固したあ
と、少量のアセトンに溶解し、シリカゲル薄層を
用い、クロロホルム:酢酸:水(2:1:1、容
量比)の下層で展開後Rf0.55に相当するところを
かきとりアセトンで溶出した。 これを濃縮乾固し酢酸エチルに溶解する。これ
を0.1NHClと振りまぜ酢酸エチル層を取り、濃
縮乾固することによりテトロカルシンLが得られ
る。 このとき乾固したものを酢酸エチルに再溶解後
ヘキサンで沈殿させることによつても粉末が得ら
れる。 このようにしてテトロカルシンI、J、K、
L、Mをそれぞれ2mg、2.1mg、11mg、2mg、1.2
mg得た。ここで得られたテトロカルシンI、J、
K、L、Mの理化学的性質、抗菌活性は前記の通
りである。 実施例 2 実施例1において、発酵培地組成を次のものに
代えて行う以外は実施例1と同様に培養を行つ
た。 発酵培地組成:可溶性デンプン40g/、大豆
粕粉末30g/、デキストリン5g/、コーン
スチーブリカー5g/、K2HPO40.5g/、
MgSO4・7H2O0.5g/、CaCO31g/、PH7.0
(殺菌前)にNaOHで調整する。 培養液を、実施例1と同様に処理して、テトロ
カルシンI、J、K、L、Mをそれれぞれ1mg、
1.3mg、0.5mg、1.2mg、0.8mg得た。
第1図はテトロカルシンIの赤外部吸収スペク
トルを示す。第2図はテトロカルシンIのPMR
スペクトルを示す。第3図はテトロカルシンJの
赤外部吸収スペクトルを示す。第4図はテトロカ
ルシンJのPMRスペクトルを示す。第5図はテ
トロカルシンKの赤外部吸収スペクトルを示す。
第6はテトロカルシンKのPMRスペクトルを示
す。第7図はテトロカルシンLの赤外部吸収スペ
クトルを示す。第8図はテトロカルシンLの
PMRスペクトルを示す。第9図はテトロカルシ
ンMの赤外部吸収スペクトルを示す。第10図は
テトロカルシンMのPMRスペクトルを示す。
トルを示す。第2図はテトロカルシンIのPMR
スペクトルを示す。第3図はテトロカルシンJの
赤外部吸収スペクトルを示す。第4図はテトロカ
ルシンJのPMRスペクトルを示す。第5図はテ
トロカルシンKの赤外部吸収スペクトルを示す。
第6はテトロカルシンKのPMRスペクトルを示
す。第7図はテトロカルシンLの赤外部吸収スペ
クトルを示す。第8図はテトロカルシンLの
PMRスペクトルを示す。第9図はテトロカルシ
ンMの赤外部吸収スペクトルを示す。第10図は
テトロカルシンMのPMRスペクトルを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、〓で表される結合が二重結合である場
合、R1はホルミルで、R2は
【式】【式】 または【式】である。該結合が 一重結合である場合、R1は水素またはホルミル
で、R2は【式】である。)で表 されるテトロカルシン類およびその塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5693681A JPS57171997A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Tetrocarcin and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5693681A JPS57171997A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Tetrocarcin and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57171997A JPS57171997A (en) | 1982-10-22 |
| JPS6338039B2 true JPS6338039B2 (ja) | 1988-07-28 |
Family
ID=13041402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5693681A Granted JPS57171997A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Tetrocarcin and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57171997A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000012494A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. | Apoptosis inducing agents |
-
1981
- 1981-04-17 JP JP5693681A patent/JPS57171997A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57171997A (en) | 1982-10-22 |
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