JPS6348260B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6348260B2
JPS6348260B2 JP369281A JP369281A JPS6348260B2 JP S6348260 B2 JPS6348260 B2 JP S6348260B2 JP 369281 A JP369281 A JP 369281A JP 369281 A JP369281 A JP 369281A JP S6348260 B2 JPS6348260 B2 JP S6348260B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
nematic
acid
present
toluene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP369281A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57118538A (en
Inventor
Shigeru Sugimori
Masakazu Tsuji
Tetsuhiko Kojima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP369281A priority Critical patent/JPS57118538A/ja
Publication of JPS57118538A publication Critical patent/JPS57118538A/ja
Publication of JPS6348260B2 publication Critical patent/JPS6348260B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を示す新規な液晶化合
物及びそれを含有する液晶組成物に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型(ねじれネマチツク型)DS型
(動的散乱型),ゲスト・ホスト型,ネマチツク・
コレステリツク相転移型など各種の方式のものに
分けられ、夫々に適する液晶物質の性質は異る。
しかしいずれの液晶物質も水分,空気,熱,光等
に対して安定でなければならないことは共通して
おり、又室温を中心としてできるだけ広い温度範
囲で液晶相であり、その上各表示素子の様式に適
した性質、たとえば誘電異方性(Δε)、粘度、屈
折率(Δn)を有していなければならない。しか
し現在のところ単一化合物ではこの様な条件を全
部みたす様な単一化合物はなく、数種の液晶化合
物や非液晶化合物を混合して得られる液晶組成物
を使用しているのが現状である。 本発明の目的はこの様な液晶組成物の1成分と
して有用な、特にネマチツク温度範囲を広くする
のに有効な新規な液晶化合物を提供することであ
る。 即ち、本発明は一般式 (上式中Rは炭素数1〜10を有するアルキル基
を示し、XはF又はClを示す) で表わされる4―ハロゲノ安息香酸4′―(4″―ア
ルキルフエニル)フエニルエステルである。 本発明の()式の化合物はネマチツク―透明
点(N―I点)が160℃前後と高いので組成物の
1成分として使用することによつてそのネマチツ
ク温度を特に高い方に広げるのに好適な化合物で
あり又、そのΔεが+2程度であるのでΔεが正又
は負の液晶組成物に混入することによりそのΔε
値を調節してそれを使用した表示素子の表示特性
をコントロールすることが出来る。 次に本発明の()式の化合物の製造法を示す
と、まず常法により4―アルキル―4′―メトキシ
ビフエニルを酢酸溶媒中で臭化水素酸と加熱する
ことにより4―(4′―アルキルフエニル)フエノ
ールを合成し、次にこれをトルエンに溶解し、別
に4―ハロゲノ安息香酸と塩化チオニルより合成
した酸塩化物をピリジン存在下に反応させること
により目的の()式の化合物を得ることができ
る。これを化学式で示すと次のようになる。 以下、実施例により本発明の化合物について更
に詳細に説明する。 実施例1 〔4―フルオロ安息香酸4′―(4″―ブ
チルフエニル)フエニルエステル()の合
成〕 4―ブチル―4′―メトキシビフエニル350g、
酢酸2、47%臭化水素酸1.5を13時間、撹拌
しながら110〜112℃で還流する。その後、80℃ま
で冷却したのち、6の水中に投入し、冷却して
析出した結晶を斗上に集める。次にこの結晶を
5のトルエンに溶解して水層が中性になるまで
水洗を繰り返した後、トルエン層を分離し、それ
を結晶が析出し始めるまで減圧下で濃縮する。そ
の後放冷して析出した結晶を集めて減圧で乾燥し
て4―(4′―ブチルフエニル)フエノール250g
を得る。融点は147.2〜149.0℃で収率は75.3%で
あつた。一方、4―フルオロ安息香酸2gに塩化
チオニル10gを加え湯浴上、70〜80℃で2時間加
温する。均一になるので更に1時間放置してから
減圧にして過剰の塩化チオニルを完全に留去す
る。残つた油状物が4―フルオロ安息香酸酸塩化
物である。これに先に得られた4―(4′―ブチル
フエニル)フエノール2gとピリジン2gをトル
エン30mlに溶解したものをはげしく振りまぜなが
ら加える。この反応液を一晩放置後、50mlの水に
あけ、トルエン50mlを追加して抽出する。トルエ
ン層を6N塩酸、ついで2N水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄した後、更に中性になるまで水洗してか
ら過し、減圧にしてトルエンを留去する。残つ
た固型物をエタノールで再結晶すると、目的物で
ある4―フルオロ安息香酸4′―(4″―ブチルフエ
ニル)フエニルエステルが1.9g得られた(収率
61.7%)。又そのC―N点(ネマチツク転位点)
は140.2℃、N―I点(透明点)は173.8℃であつ
た。 実施例 2〜6 実施例1と同様な操作を他のアルキル基(実施
例2〜5)又は他のハロゲン基(実施例6)につ
いて行い、夫々に対応する()式の化合物を得
た。第1表に中間体の収率、融点などを、第2表
に最終製品の収率及び物性などを夫々実施例1の
結果と共に示す。
【表】
【表】 実施例7 (応用例) トランス―4―プロピル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン28% トランス―4―ペンチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン42% トランス―4―ヘプチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン30% なる組成の液晶組成物Aのネマチツク液晶温度
範囲は−3℃〜52℃、誘電異方性値は+10.5しき
い電圧は1.53V、飽和電圧は2.12V、20℃での粘
度は23cpである。 液晶組成物A85部に本発明の4―フルオロ安息
香酸4′―(4″―プロピルフエニル)フエニルエス
テル7.5部と4―フルオロ安息香酸4′―(4″―ペン
チルフエニル)フエニルエステル7.5部を加えた
混合物のネマチツク温度範囲は−5℃〜65.5℃に
拡がり、誘電異方性値は+10.0と少し下がり、し
きい電圧は1.65V、飽和電圧は2.25Vとやや上つ
た。この様に本発明の化合物はネマチツク温度範
囲を拡大するのに有効な化合物である。
【特許請求の範囲】
1 触媒の存在下、アルコール類、アンモニア及
び水素を気相で接触反応させるに際し、金属状態
でのニツケル原子と、金属或いは酸化物状態での
マグネシウム、マンガン、カルシウム及びバリウ
ムの各原子の少なくとも一種とを含む触媒を使用
することを特徴とするアミン類の製造法。 2 アルコール類が炭素数2〜5個を有する飽和
又は不飽和の脂肪族、更には脂環式アルコールで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の方法。
JP369281A 1981-01-13 1981-01-13 4-halogenobenzoic acid 4-(4'-alkylphenyl)phenol ester derivative Granted JPS57118538A (en)

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JP369281A JPS57118538A (en) 1981-01-13 1981-01-13 4-halogenobenzoic acid 4-(4'-alkylphenyl)phenol ester derivative

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JP369281A JPS57118538A (en) 1981-01-13 1981-01-13 4-halogenobenzoic acid 4-(4'-alkylphenyl)phenol ester derivative

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Publication Number Publication Date
JPS57118538A JPS57118538A (en) 1982-07-23
JPS6348260B2 true JPS6348260B2 (ja) 1988-09-28

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ID=11564438

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JP369281A Granted JPS57118538A (en) 1981-01-13 1981-01-13 4-halogenobenzoic acid 4-(4'-alkylphenyl)phenol ester derivative

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0315014B1 (de) * 1987-11-06 1994-01-12 F. Hoffmann-La Roche Ag Halogenierte Benzolderivate
JP6487281B2 (ja) * 2014-06-23 2019-03-20 国立大学法人千葉大学 液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number Publication date
JPS57118538A (en) 1982-07-23

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