JPS6384112A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6384112A JPS6384112A JP23066686A JP23066686A JPS6384112A JP S6384112 A JPS6384112 A JP S6384112A JP 23066686 A JP23066686 A JP 23066686A JP 23066686 A JP23066686 A JP 23066686A JP S6384112 A JPS6384112 A JP S6384112A
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- JP
- Japan
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- wiring
- substrate
- semiconductor device
- contact hole
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法にかかり、特にシリコ
ン基板を用いた半導体装置の電極形成法の改良に関する
。
ン基板を用いた半導体装置の電極形成法の改良に関する
。
（従来の技術）
シリコン基板を用いた集積回路の素子の微細化、高集積
化は目覚ましいものがある。集積回路の素子の微細化に
伴い、金属配線の基板拡散層とのコンタクト孔も小さい
ものとなり、このためコンタクト抵抗の増大が大きい問
題となっている。
化は目覚ましいものがある。集積回路の素子の微細化に
伴い、金属配線の基板拡散層とのコンタクト孔も小さい
ものとなり、このためコンタクト抵抗の増大が大きい問
題となっている。
特に、Ａ、ｔ’ −８ｔのようにＳｉを含有する金属を
用いた配線の場合、コンタクト孔が小さいとシンタリン
グなどの熱工程を経た時に、基板と金属配線の界面での
Ｓｉの固相エピタキシャル成長が認められ、これがコン
タクト抵抗上昇の大きい原因となっている。
用いた配線の場合、コンタクト孔が小さいとシンタリン
グなどの熱工程を経た時に、基板と金属配線の界面での
Ｓｉの固相エピタキシャル成長が認められ、これがコン
タクト抵抗上昇の大きい原因となっている。
この様なコンタクト抵抗上昇の問題を解決するため、金
属配線とＳｉ基板の間に固相エピタキシャル成長を阻止
するバリアメタル層を介在させる方法が知られている。
属配線とＳｉ基板の間に固相エピタキシャル成長を阻止
するバリアメタル層を介在させる方法が知られている。
第２図はその様な配線構造を示している。２１がＳｉ基
板、２２が拡散層であり、２３はＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ
２膜等の絶縁膜であって、この絶縁膜２３に開けたコン
タクト孔に露出した拡散層２２表面にバリアメタル層２
５を形成した後に、Ａｌ−３Ｌ配線２６を形成している
。。
板、２２が拡散層であり、２３はＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ
２膜等の絶縁膜であって、この絶縁膜２３に開けたコン
タクト孔に露出した拡散層２２表面にバリアメタル層２
５を形成した後に、Ａｌ−３Ｌ配線２６を形成している
。。
このバリアメタル層２５としては例えば、ＴｉＮ。
ＴＬＷ、Ｗなど等が用いられる。
しかしこの方法は、バリアメタル層を如何なる方法で形
成するにしても、コンタクト孔が微細なものではバリア
メタル層の膜厚、膜質の制御が難しい。更にウェーハの
大口径化に伴いその制御はより困難なものとなり、コン
タクト抵抗のバラツキが大きいものになるという欠点が
ある。
成するにしても、コンタクト孔が微細なものではバリア
メタル層の膜厚、膜質の制御が難しい。更にウェーハの
大口径化に伴いその制御はより困難なものとなり、コン
タクト抵抗のバラツキが大きいものになるという欠点が
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように配線コンタクト部が微細なシリコン集積回
路では、Ｓｉを含有する金属配線のコンタクト抵抗が大
きい問題となっている。
路では、Ｓｉを含有する金属配線のコンタクト抵抗が大
きい問題となっている。
本発明はこの様な問題を解決した半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、シリコン基板上の絶縁膜にコンタクト孔を形
成した後、加速した荷電粒子照射によりコンタクト部に
露出する基板表面部を衝撃してここをアモルファス化し
、この後Ｓｉを含有する金属配線を形成することを特徴
とする。
成した後、加速した荷電粒子照射によりコンタクト部に
露出する基板表面部を衝撃してここをアモルファス化し
、この後Ｓｉを含有する金属配線を形成することを特徴
とする。
（作用）
本発明の方法によれば、コンタクト孔のシリコン基板面
がアモルファス化する結果、例えばＡｆ−３ｉ配線を用
いた場合にもＳｉの固相エピタキシャルのための結晶情
報が基板側から得られな（なり、従ってＡ、ｆ’−３ｉ
配線のコンタクト抵抗の上昇を防止することができる。
がアモルファス化する結果、例えばＡｆ−３ｉ配線を用
いた場合にもＳｉの固相エピタキシャルのための結晶情
報が基板側から得られな（なり、従ってＡ、ｆ’−３ｉ
配線のコンタクト抵抗の上昇を防止することができる。
しかも、イオン注入や逆スパツタなどにより全面に荷電
粒子照射を行うため、プロセスの基板内でのバラツキは
少なく、基板面内でのコンタクト抵抗のバラツキも小さ
いものとなる。またコンタクト孔形成時のレジストをア
ッシングする際に基板表面に形成される汚れは、荷電粒
子照射によるミキシング効果によって基板内部に取込ま
れのるで、コンタクト抵抗に大きい影響を及ぼさなくな
る。
粒子照射を行うため、プロセスの基板内でのバラツキは
少なく、基板面内でのコンタクト抵抗のバラツキも小さ
いものとなる。またコンタクト孔形成時のレジストをア
ッシングする際に基板表面に形成される汚れは、荷電粒
子照射によるミキシング効果によって基板内部に取込ま
れのるで、コンタクト抵抗に大きい影響を及ぼさなくな
る。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）（ｂ）は一実施例による素子の配線形成工
程を示す。第１図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基
板１１にｎ型拡散層１２を形成し、ＣＶＤ酸化膜１３を
堆積してこれにフォトレジストをマスクとして用いてコ
ンタクト孔１４を形成し、フォトレジストを除去する。
程を示す。第１図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基
板１１にｎ型拡散層１２を形成し、ＣＶＤ酸化膜１３を
堆積してこれにフォトレジストをマスクとして用いてコ
ンタクト孔１４を形成し、フォトレジストを除去する。
そしてイオン注入装置により、基板にＫｒイオンを高ド
ーズ量打込み、コンタクト孔１４に露出する拡散層１２
の表面にアモルファス層１５を形成する。この後通常の
方法で、第１図（ｂ）に示すようにＡノーＳｉ配線１６
を形成する。
ーズ量打込み、コンタクト孔１４に露出する拡散層１２
の表面にアモルファス層１５を形成する。この後通常の
方法で、第１図（ｂ）に示すようにＡノーＳｉ配線１６
を形成する。
この実施例の方法によれば、ＡノーＳ ｉ ／ Ｓ Ｌ
界面でのＳｉ固相エピタキシャル成長を防止して、良好
な配線コンタクトを得ることができる。しかも、バリア
メタル層を介在させる方法に比べて、イオン打込みとい
う１回のプロセスを付加するだけであり、工程は簡単で
ある。また複数のコンタクト部でのコンタクト抵抗のバ
ラツキも小さいものとなる。
界面でのＳｉ固相エピタキシャル成長を防止して、良好
な配線コンタクトを得ることができる。しかも、バリア
メタル層を介在させる方法に比べて、イオン打込みとい
う１回のプロセスを付加するだけであり、工程は簡単で
ある。また複数のコンタクト部でのコンタクト抵抗のバ
ラツキも小さいものとなる。
本発明は上記実施例に限られるものではなく、その趣旨
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる
。
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる
。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、簡単な工程で基板面
内でのコンタクト抵抗のバラツキの少ない、良好な配線
コンタクトを持つ半導体装置を得ることができる。
内でのコンタクト抵抗のバラツキの少ない、良好な配線
コンタクトを持つ半導体装置を得ることができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の配線形成工
程を示す図、第２図は従来の配線構造を示す図である。 １１・・・ｐ型Ｓｉ基板、１２・・・ｎ型拡散層、１３
・・・ＣＶＤ酸化膜、１４・・・コンタクト孔、１５・
・・アモルファス層、１６・・・Ａ、１？−Ｓｉ配線。
程を示す図、第２図は従来の配線構造を示す図である。 １１・・・ｐ型Ｓｉ基板、１２・・・ｎ型拡散層、１３
・・・ＣＶＤ酸化膜、１４・・・コンタクト孔、１５・
・・アモルファス層、１６・・・Ａ、１？−Ｓｉ配線。
Claims (1)
- シリコン基板を覆う絶縁膜にコンタクト孔を形成し、加
速した荷電粒子によりコンタクト孔に露出する基板表面
を叩いてアモルファス化させた後、Ｓｉを含有する配線
材料からなる電極配線を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066686A JPS6384112A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066686A JPS6384112A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384112A true JPS6384112A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16911393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23066686A Pending JPS6384112A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384112A (ja) |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23066686A patent/JPS6384112A/ja active Pending
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