JPH01117358A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01117358A JPH01117358A JP62276305A JP27630587A JPH01117358A JP H01117358 A JPH01117358 A JP H01117358A JP 62276305 A JP62276305 A JP 62276305A JP 27630587 A JP27630587 A JP 27630587A JP H01117358 A JPH01117358 A JP H01117358A
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- Japan
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- layer
- collector
- barrier layer
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- inalgaas
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
１ｇにａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓへテロ接合を用いたホ
ットエレクトロントランジスタ０ＩＥＴ）に関し。
ットエレクトロントランジスタ０ＩＥＴ）に関し。
コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱夕による電子走行時
間の低下を防止することを目的とし。
間の低下を防止することを目的とし。
ＩｎＰ基板上に順次形成された一導電型１ｎＧａＡｓか
らなるコレクタ層、 ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレク
タバリア層、−導電型ＩｎＧａＡｓからなるベース層、
エミッタバリア層、および一導電型ｒｎＧａＡｓからな
るエミッタ層を有し、該ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレ
クタバリア層の組成がベース層側よりコレクタ層に向か
ってＡｔの組成比を漸減させてＩｎＧａＡｓになるよう
に形成されているように構成する。
らなるコレクタ層、 ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレク
タバリア層、−導電型ＩｎＧａＡｓからなるベース層、
エミッタバリア層、および一導電型ｒｎＧａＡｓからな
るエミッタ層を有し、該ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレ
クタバリア層の組成がベース層側よりコレクタ層に向か
ってＡｔの組成比を漸減させてＩｎＧａＡｓになるよう
に形成されているように構成する。
本発明は半導体装置、特にＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａ
Ａｓ ヘテロ接合を用いたホットエレクトロントランジ
スタ（４１ＥＴ）に関する。
Ａｓ ヘテロ接合を用いたホットエレクトロントランジ
スタ（４１ＥＴ）に関する。
＋１ＥＴは電子がエミッタよりベースに注入されたとき
、高い位置エネルギを運動エネルギに変換して高速で走
行できる利点を持つ。その飽和速度は通常のトランジス
タでは１０’ｃｍ／ｓｅｃであるが。
、高い位置エネルギを運動エネルギに変換して高速で走
行できる利点を持つ。その飽和速度は通常のトランジス
タでは１０’ｃｍ／ｓｅｃであるが。
ＨＥＴではそのｌＯ倍程度になる。
＋１ＥＴの中でも、共鳴トンネリングホットエレクトロ
ン（ＲＨＥＴ）は、共鳴トンネリング効果を利用し。
ン（ＲＨＥＴ）は、共鳴トンネリング効果を利用し。
高いエネルギを持つホットエレクトロンの動きを制御で
きるので、高速の論理、記憶等の機能を持つことができ
る。さらに、少数のデバイスでＬＳＩを構成する回路機
能を実現できるため将来の新機能デバイスとして注目さ
れている。
きるので、高速の論理、記憶等の機能を持つことができ
る。さらに、少数のデバイスでＬＳＩを構成する回路機
能を実現できるため将来の新機能デバイスとして注目さ
れている。
従って、ここではＲＨＥＴを例にとり説明する。
〔従来の技術〕
従来のＩｎＧａＡｓベース層の（Ｒ）ＨＥＴのコレクタ
バリア層は電流利得を向上させるためＩｎＡｌＧａＡｓ
４元混晶としている。
バリア層は電流利得を向上させるためＩｎＡｌＧａＡｓ
４元混晶としている。
第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ へテ
ロ接合を用いたＲ）ＩＥＴの断面図である。
ロ接合を用いたＲ）ＩＥＴの断面図である。
図において＋ ＩｎＰ基板１上に１例えばＭＢＥ法によ
り順次ｎ”４ｎＱ、 ５ｉＧａｏ、 ４７ＡＳコレクタ
層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ）
０．４１１ＡＳコレクタバリア層３゜ｎ−１ｎｏ、 ５
３Ｇａｏ、 ４？ＡＳベ一ス層４．さらにＩｎ０．５Ｊ
ｌｏ、 ４ｔＡｓバリア層５ 、 Ｉｎｏ、 ５３Ｇａ
ｏ、 ４ＴＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ、 ５３ＡｌＯ
，４？ＡＳバリア層７からなる量子井戸層、およびｎ”
−１ｎ６．．３Ｇａｏ、 ４？＾Ｓ工ミツタ層８を成長
する。
り順次ｎ”４ｎＱ、 ５ｉＧａｏ、 ４７ＡＳコレクタ
層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ）
０．４１１ＡＳコレクタバリア層３゜ｎ−１ｎｏ、 ５
３Ｇａｏ、 ４？ＡＳベ一ス層４．さらにＩｎ０．５Ｊ
ｌｏ、 ４ｔＡｓバリア層５ 、 Ｉｎｏ、 ５３Ｇａ
ｏ、 ４ＴＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ、 ５３ＡｌＯ
，４？ＡＳバリア層７からなる量子井戸層、およびｎ”
−１ｎ６．．３Ｇａｏ、 ４？＾Ｓ工ミツタ層８を成長
する。
上記各層の諸元は２例えば次の通りである。
図番 層 濃度 厚さ（ｃｍ−’）
（入） １ １ｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３ ＩｎＡｌＧａＡｓ ア
ンＦ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａＡｓ
ＩＥ１８ ５００５ Ｉｎ＾
ＩＡｓ ７ンドーブ
４０６ １ｎＧａＡｓ
７ントーブ ４０７ ［ｎＡｌ
Ａｓ ７：／Ｆ−ブ
４０３ ｎ １″−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００工ミツタ層８．ベース層４．コレクタ層
２上にそれぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／＾Ｕ電
極が取り付けられる。
（入） １ １ｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３ ＩｎＡｌＧａＡｓ ア
ンＦ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａＡｓ
ＩＥ１８ ５００５ Ｉｎ＾
ＩＡｓ ７ンドーブ
４０６ １ｎＧａＡｓ
７ントーブ ４０７ ［ｎＡｌ
Ａｓ ７：／Ｆ−ブ
４０３ ｎ １″−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００工ミツタ層８．ベース層４．コレクタ層
２上にそれぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／＾Ｕ電
極が取り付けられる。
単に、 ＨＥＴの場合は、量子井戸層５，６．７の代わ
りにエミッタバリア層として、厚さ１００〜２５０人の
Ｉｎ６．５ｓＡｌｏ、 ４？ＡＳ層を形成する。
りにエミッタバリア層として、厚さ１００〜２５０人の
Ｉｎ６．５ｓＡｌｏ、 ４？ＡＳ層を形成する。
第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。
図において、 Ｉｎ６．ｓｚ（Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ、
ｓ） ｏ、 ａａＡｓコレクタバリア層３のｒ谷（伝導
帯底ＥＣと一致）とＬ谷のセパレーションエネルギΔＥ
（ｒ−Ｌ）が約０．４３ ａＶと＋ ｎ”−Ｉｎｏ
、ｓ：＋Ｇａｏ、４ＪＳコレクタ層２の約０．５５ ｅ
Ｖと比較して小さいため、コレクタバリア層３中を通過
するホットエレクトロンがｒ谷よりＬ谷に移り、ｒ−Ｌ
谷間散乱によりその走行速度を低下させ問題となってい
る。
ｓ） ｏ、 ａａＡｓコレクタバリア層３のｒ谷（伝導
帯底ＥＣと一致）とＬ谷のセパレーションエネルギΔＥ
（ｒ−Ｌ）が約０．４３ ａＶと＋ ｎ”−Ｉｎｏ
、ｓ：＋Ｇａｏ、４ＪＳコレクタ層２の約０．５５ ｅ
Ｖと比較して小さいため、コレクタバリア層３中を通過
するホットエレクトロンがｒ谷よりＬ谷に移り、ｒ−Ｌ
谷間散乱によりその走行速度を低下させ問題となってい
る。
因に、ｒ谷の電子の有効質量Ｃは
ｔａ” ＝ Ｏ，Ｑ４２ ｒａ、 。
ここに＋ ＩＩＩｏ ：電子の静止質量であり、Ｌ
谷ではその１０倍程度と大きくなり、電子のエネルギは
低下し、電子はコレクタに到達しなくなる。
谷ではその１０倍程度と大きくなり、電子のエネルギは
低下し、電子はコレクタに到達しなくなる。
本発明は、上記のコレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱に
よる電子走行時間の低下を防止することを目的とする。
よる電子走行時間の低下を防止することを目的とする。
上記問題点の解決は、 ＩｎＰ基板上に順次形成された
−導電型ＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層。
−導電型ＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層。
ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレクタバリア層、−導電型
ＩｎＧａＡｓからなるベース層、エミッタバリア層、お
よび一導電型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層を有し。
ＩｎＧａＡｓからなるベース層、エミッタバリア層、お
よび一導電型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層を有し。
該ＩｎＡｌＧａＡｓからなるコレクタバリア層の組成が
ベース層側よりコレクタ層に向かってＡＩの組成比を漸
減させてＩｎＧａＡｓになるように形成されている半導
体装置により達成される。
ベース層側よりコレクタ層に向かってＡＩの組成比を漸
減させてＩｎＧａＡｓになるように形成されている半導
体装置により達成される。
ＲＩＩＥＴの場合は、前記エミッタバリア層がＩｎＡｌ
Ａｓからなる第１の量子井戸バリア層、 ＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸ウェル層＋ ＩｎＡｌＡｓからなる第
２の量子井戸バリア層からなる量子井戸層であり、 Ｉ
（ＥＴの場合は、エミッタバリア層がＩｎＡ ＩＡｓか
らなる単一層である。
Ａｓからなる第１の量子井戸バリア層、 ＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸ウェル層＋ ＩｎＡｌＡｓからなる第
２の量子井戸バリア層からなる量子井戸層であり、 Ｉ
（ＥＴの場合は、エミッタバリア層がＩｎＡ ＩＡｓか
らなる単一層である。
本発明は、ＡＥ （ｒ−Ｌ）は＋ ＩｎＡｌＧａＡｓ：
Ｉレクタバリア層が約０．４３ ｅＶで、 ＩｎＧａＡ
ｓコレクタ層のの約０．５５ ｅＶより小さいため、コ
レクタバリア層にコレクタベース間電圧ＶＣＢを加えた
ときに、コレクタバリア層内を略バリスティックに走行
するホットエレクトロン（矢印で図示）はＦ−Ｌ谷間散
乱を受けるようになるのを、コレクタバリア層をＩｎＡ
ｌＧａＡｓのＡＥ （ｒ’−Ｌ）を引き下げる成分で
あるＡＩをベース側よりコレクタ側に向かって漸減した
組成にしてＡＥ （ｒ−Ｌ）を漸次増加することにより
、ｒ−Ｌ谷間散乱を防止するようにしたものである。
Ｉレクタバリア層が約０．４３ ｅＶで、 ＩｎＧａＡ
ｓコレクタ層のの約０．５５ ｅＶより小さいため、コ
レクタバリア層にコレクタベース間電圧ＶＣＢを加えた
ときに、コレクタバリア層内を略バリスティックに走行
するホットエレクトロン（矢印で図示）はＦ−Ｌ谷間散
乱を受けるようになるのを、コレクタバリア層をＩｎＡ
ｌＧａＡｓのＡＥ （ｒ’−Ｌ）を引き下げる成分で
あるＡＩをベース側よりコレクタ側に向かって漸減した
組成にしてＡＥ （ｒ−Ｌ）を漸次増加することにより
、ｒ−Ｌ谷間散乱を防止するようにしたものである。
上記のことは、 ＩｎＡｌＧａＡｓのＡＥ （ｒ−Ｌ）
は。
は。
成分のＩｎが増えると大きくなり、 Ａｔ或いはＧａが
増えると小さくなることに着目してなされた。
増えると小さくなることに着目してなされた。
第１図は本発明の一実施例による
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓヘテロ接合を用いたＲ
ＩＩＥＴの断面図である。
ＩＩＥＴの断面図である。
図において、 ＩｎＰ基板１上に１例えばＭＢＩＥ法に
より順次ｎ”−１ｎ６．５３ｃａ０．４７＾Ｓコレクタ
層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（ＡｌｘＧａｌ−ｘ）ｏ、 ４Ｂ
ＡＳ （Ｘ＝ Ｑ−０，５にＡ１組成比をグレイディン
グする）コレクタバリア層３＾。
より順次ｎ”−１ｎ６．５３ｃａ０．４７＾Ｓコレクタ
層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（ＡｌｘＧａｌ−ｘ）ｏ、 ４Ｂ
ＡＳ （Ｘ＝ Ｑ−０，５にＡ１組成比をグレイディン
グする）コレクタバリア層３＾。
ｎ−１ｎｏ、 ｓ：＋Ｇａｏ、 ａｙＡｓヘース層４゜
さらにＩｎｏ、５ｚＡ１ｏ、 ４？ＡＳバリア層５゜Ｉ
ｎ６．５ｚＧａｏ、 ４Ｊｓウ工ル層６ 、 Ｉｎｏ、
５３ＡｌＯ，４７ＡＳバリア層７からなる量子井戸層
、および ｎ”−１ｎ＠、 ５：１ｃａ０．４Ｊｓ工ミツタ層８を
成長する。
さらにＩｎｏ、５ｚＡ１ｏ、 ４？ＡＳバリア層５゜Ｉ
ｎ６．５ｚＧａｏ、 ４Ｊｓウ工ル層６ 、 Ｉｎｏ、
５３ＡｌＯ，４７ＡＳバリア層７からなる量子井戸層
、および ｎ”−１ｎ＠、 ５：１ｃａ０．４Ｊｓ工ミツタ層８を
成長する。
上記各層の諸元は２例えば次の通りである。
図番 Ｎ 濃度 厚さ（ｃｍ−３）
（人） １ ＩｎＰ基板 ２ ｎ”−ＩｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３Ａ ＩｎＡＩＧａＡｓ−＝ＩｎＧａＡｓ
アンＦ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａ
Ａｓ ＩＥ１８ ５００５ １ｎＡ
ｌ八ｓ ７ンＦ−ブ
４０６ ＩｎＧａＡｓ
７ンドーブ ４０７ １ｎＡＩＡ
ｓ ７）ドープ ４
０８ ｎ” −１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００工ミツタ層８．ベース層４．コレクタ層２上に
それぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／Ａｕ電極が取
り付けられる。
（人） １ ＩｎＰ基板 ２ ｎ”−ＩｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３Ａ ＩｎＡＩＧａＡｓ−＝ＩｎＧａＡｓ
アンＦ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａ
Ａｓ ＩＥ１８ ５００５ １ｎＡ
ｌ八ｓ ７ンＦ−ブ
４０６ ＩｎＧａＡｓ
７ンドーブ ４０７ １ｎＡＩＡ
ｓ ７）ドープ ４
０８ ｎ” −１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００工ミツタ層８．ベース層４．コレクタ層２上に
それぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／Ａｕ電極が取
り付けられる。
第２図は実施例のＲＨＩｌ’Ｔのバンド構造図である。
図において、 Ｉｎｏ、５ｚ（ＡｌｘＧａｔ−ｘ）ｏ、
４ｓＡｓ（ｘ＝ ０−０．５ ）コレクタバリア層３Ａ
のＡＥ （ｒ−Ｌ）がベース側の約０．４３ ｅＶより
ｎ”−１ｎｏ、 ５Ｉｃａ０．４？ＡＳコレクタ層２の
約０．５５ ｅＶまでコレクタ側に向かって漸増するた
め、コレクタバリア層３Ａ中を通過するホットエレクト
ロンはｒ−Ｌ谷間散乱を受けることなく、従ってその走
行速度は低下しない。
４ｓＡｓ（ｘ＝ ０−０．５ ）コレクタバリア層３Ａ
のＡＥ （ｒ−Ｌ）がベース側の約０．４３ ｅＶより
ｎ”−１ｎｏ、 ５Ｉｃａ０．４？ＡＳコレクタ層２の
約０．５５ ｅＶまでコレクタ側に向かって漸増するた
め、コレクタバリア層３Ａ中を通過するホットエレクト
ロンはｒ−Ｌ谷間散乱を受けることなく、従ってその走
行速度は低下しない。
以上の結果、コレクタバリアでの谷間散乱による電子走
行速度の低下の起こっていた従来例ではコレクタ走行時
間は１．５〜３．０ ｐｓであったが、実施例では〜０
．３ ｐｓと向上した。
行速度の低下の起こっていた従来例ではコレクタ走行時
間は１．５〜３．０ ｐｓであったが、実施例では〜０
．３ ｐｓと向上した。
以上説明したように本発明によれば。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ ヘテロ接合を用いた
（Ｒ）ＨＥＴにおいて、コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間
散乱をによる電子走行時間の低下を防止することができ
る。
（Ｒ）ＨＥＴにおいて、コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間
散乱をによる電子走行時間の低下を防止することができ
る。
第１図は本発明の一実施例による
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ へテロ接合を用いた
ＲＨＥＴの断面図。 第２図は実施例のＲＨＥＴのバンド構造図。 第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ ヘテ
ロ接合を用いたＲＨＥＴの断面図。 第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。 図において。 １はＩｎＰ基板。 ２はｎ”−ｒｎ＠、 ５３ｃａ０．４？ＡＳ コレクタ
層。 ３ＡはＩｎｏ、ｓｚ（八１ＸＧａｌ−Ｘ）０．４８＾５
（ｘ＝Ｏ−０，５） コレクタバリア層。 ４はｎ−夏ｎＯ，ｓ＋Ｇａｏ、 ４Ｊｓベ一ス層。 ５はＩｎｏ、 ｓ：＋Ａ１ｏ、 ４７Ａｓ量子井戸バリ
ア層。 ６はＩｎｏ、 ５３ｃａ０．４７ＡＳ量子井戸ウェル層
。 ７はＩｎＯ，Ｓｌ八へｏ、 ４？ＡＳ量子井戸バリア層
。 ８はｎ”−１ｎｏ、５＋Ｇａｏ、 ４７ＡＳ工ミツタ層
吏施奈ノのＲ）−ＩＥ丁の打面２ 第１図 従来のＲ８２丁の打面Ｚ 第３図
ＲＨＥＴの断面図。 第２図は実施例のＲＨＥＴのバンド構造図。 第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ ヘテ
ロ接合を用いたＲＨＥＴの断面図。 第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。 図において。 １はＩｎＰ基板。 ２はｎ”−ｒｎ＠、 ５３ｃａ０．４？ＡＳ コレクタ
層。 ３ＡはＩｎｏ、ｓｚ（八１ＸＧａｌ−Ｘ）０．４８＾５
（ｘ＝Ｏ−０，５） コレクタバリア層。 ４はｎ−夏ｎＯ，ｓ＋Ｇａｏ、 ４Ｊｓベ一ス層。 ５はＩｎｏ、 ｓ：＋Ａ１ｏ、 ４７Ａｓ量子井戸バリ
ア層。 ６はＩｎｏ、 ５３ｃａ０．４７ＡＳ量子井戸ウェル層
。 ７はＩｎＯ，Ｓｌ八へｏ、 ４？ＡＳ量子井戸バリア層
。 ８はｎ”−１ｎｏ、５＋Ｇａｏ、 ４７ＡＳ工ミツタ層
吏施奈ノのＲ）−ＩＥ丁の打面２ 第１図 従来のＲ８２丁の打面Ｚ 第３図
Claims (3)
- （１）ＩｎＰ基板上に順次形成された 一導電型ＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層、ＩｎＡｌＧ
ａＡｓからなるコレクタバリア層、一導電型ＩｎＧａＡ
ｓからなるベース層、エミッタバリア層、および一導電
型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層を有し、該ＩｎＡｌ
ＧａＡｓからなるコレクタバリア層の組成がベース層側
よりコレクタ層に向かってＡｌの組成比を漸減させてＩ
ｎＧａＡｓになるように形成されていることを特徴とす
る半導体装置。 - （２）前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓからなる第
１の量子井戸バリア層、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸
ウェル層、ＩｎＡｌＡｓからなる第２の量子井戸バリア
層からなる量子井戸層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓからなる単
一層であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62276305A JP2569615B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62276305A JP2569615B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117358A true JPH01117358A (ja) | 1989-05-10 |
| JP2569615B2 JP2569615B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17567600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62276305A Expired - Lifetime JP2569615B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569615B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380543A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120170A (en) * | 1980-01-29 | 1981-09-21 | Western Electric Co | Inclinatoin inhibit band rectifying semiconductor device |
| JPS61150373A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Nec Corp | 低閾値電圧のバイポ−ラトランジスタ |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62276305A patent/JP2569615B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120170A (en) * | 1980-01-29 | 1981-09-21 | Western Electric Co | Inclinatoin inhibit band rectifying semiconductor device |
| JPS61150373A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Nec Corp | 低閾値電圧のバイポ−ラトランジスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380543A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569615B2 (ja) | 1997-01-08 |
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