JPH01128068A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］　　　゛ 本発明はプリント基板や゛１色導体の製造時に用いられ
るレジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合。

最終的にエツチング後のレジストを剥離する工程がある
。従来、この工程に塩化メチレン、ケトンクロルエチレ
ン、０−ジクロルベンゼン等の塩素系溶剤が使われてい
る。

［発明の解決しようとする問題点・１ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用ｈ：を抑えるべく塩
素系溶剤にかわる新規のレジスト′１．’ｌ　ｆｉｌ削
を提倶することをＬ１的とするものである。

Ｅ問題点を解決するだめの手段］ 本発明は前述の１」的を達成すべくなされたものであり
、トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含イｉ
するレジスト剥離剤を提０１するものである。

本発明のレジストｈ＋＋＋離削の有効成分であるトリク
ロロジフルオロエタンは、不燃性でレジスト剥離力に優
れ、プリント基板や７１′−導体の材質に態形νでの少
ない優れた溶剤である。トリクロロジフルオロエタンに
は１，１．２−１−サクロロー２．２−ジフルオロエタ
ン（以下ＲＩ　２２という）、１．２．２−１−リクロ
ロー１，２−ジフルオロエタン（以下Ｒ１２２ａという
）及び１．１．　Ｉ−トリクロロ−２，２−ジフルオロ
エタン（以下Ｒ１２２ｂという）の３種類の異性体が知
られているが、これらを！１ｉ独であるいはこれら２種
以上の混合物として用いることができる。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
ストＲＩＩｌ１３Ｉｌ力を高めるために、炭化水素類、
アルコール類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類
又はニスデル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１
種を含有させることができる。これらのイ＋ｌｊｌ溶剤
のレジスト剥離剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好
ましくは１０〜４０重量％、さらに好ましくは２０〜３
０重量％である。トリクロロジフルオロエタンと有機溶
剤との混合物に共沸組成が存在する場合には、その共沸
組成での使用が好ましい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン％２．４−ジメチルペンタン、【１−オクタン、２
−メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへ
ブタン。

２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘキサン
、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−二チル
ペンクン、３−メチル−３−エチルベンクン、２゜３、
３−　ｔ−リメチルベンタン、２，３．４−１−リメチ
ルベンタン、ｚ、　２．３−　トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、１−ペンテン、２−ペンテン。

１−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｒ
ｌ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｒｌ−へブタン等である
。

アルコール類としては、炭素数１〜Ｉ７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｒｌ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、　５ｅｃ−ブチ
ルアルコール、イソブチルアルコール、　’ｔａｒｔ−
ブチルアルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミ
ルアルコール、１−エチル−！−プロパツール、２−メ
チル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、　Ｌ
ｅｒＬ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノ
ール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２
−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタ
ノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツー
ル、２−ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタ
ツール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノ
ール、ｌ−ノナノール、３．５．５−１−リメヂルー１
−ヘキサノール、１−デカノール、Ｉ−ウンデカノール
、ｌ−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギル
アルコール、ベンジルアルコール。

シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、
２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキ
サノール、４−メチルシクロヘキサノール、α−テルピ
ネオール、アビニチノール、２．６−シメチルー４−ヘ
プタツール、トリメチルノニルアルコール、テトラデシ
ルアルコール、ヘプタデシルアルコール等から選ばれる
ものである。より好ましくはメタノール、エタノール。

イソプロピルアルコール等である。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ
−ＧＯ−Ｒ’　−「コ　　ｒ−ＣＩｌｌ　−ｔ ＣＤ−Ｒ”、　Ｒ−ＧＯ−Ｒ″、　Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　（
ここで、Ｒ，Ｉｌ’、ｌｌ“は炭素数ｌ〜９の飽和又は
不飽和炭化水素基）のいずれかの−大計で示されるもの
が好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペン
タノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−〇
−ブチルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン
、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルア
セトン、メシチルオキシド、ボロン、メチル−〇−アミ
ルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン
、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホ
ロン、２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール
、アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるもので
ある。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等
である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、ｌ、　１．１１−ジクロルエタン、　１．１．
２−トリクロルエタン、１，１．１．２−テトラクロル
エタン、１，１，２．２−テトラクロルエタン、ペンタ
クロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−ジ
クロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエ
チレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化
メチレン、１．１．１−トリクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン笠である。

芳香族ズｎとしては、ベンセン誘導体、ナフタレン誘導
体が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンセン、
第２ブヂルベン七ン、トリエチルベンセン、ジイソプロ
ピルベンゼン、スチレン、アルキルベンゼンスルボン酸
、フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、
ブチルベンセン、ｐ−シメン、シクロへキシルケンヤン
、ペンチルベンセン、ジベンチルベンセン、ドデシルベ
ンゼン、ビフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール
、キシレノール笠から選ばれるものである。より好まし
くは、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等であ
る。

ニスデル類としては、次の一般式で示されるＲ冨 ものが好ましく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ，、＋１．−Ｃ−Ｒ
，−ＣＯＯ−Ｒ，。

■ ＯＲ。

Ｃ０ＯＲ＜ （ここでＲ＋、　Ｒａ、Ｒ３，Ｒ４＋　Ｒｓ、　Ｒｅは
１１又は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽
和結合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、醋酸メチル。

酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソペンチル、イソ醋酸
イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メヂルブロビオン酸
エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、
安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、
安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息香酸ベン
ジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸ベンジル、ア
ジピン酸ビス−２−エチルヘキシル、γ−プチロラクト
、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジベ
ンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレ
イン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル
、クエン酸トリブチル、セパシン酸ジブチル、セバシン
酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジメチル、フタ
ル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビス−２−
エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等から選ばれるも
のある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エチル等であ
る。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の先露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等°があり、遠紫外用レジ
ストにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソ
プロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストには
ポリメタフルル酸メチル１．メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共ｆｎ合体、メタアクリル酸メチル−
メタクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレ
ジスト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜９ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｃｒ　；ダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で■５分間浸
’Ａ’ｌ　Ｌ／、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を
観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ Ｏ：良好に剥離できる　Δ：少量残存 Ｘ：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪＋２Ｓ　？Ｊが少ない点も
イ■利である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含
   有するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。