JPH01136153A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するもので・ある。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、Ｏ−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
１，１．２−トリクロロ−２，２−ジフルオロエタン（
以下ＲＩ２２という）又はテトラクロロ−１，２−ジフ
ルオロエタン（以下ＲＩＩ２という）の１種と１．２−
ジクロロ−１−フルオロエタン（以下ＲＩ４＋という）
との共沸組成物を有効、成分として含有するレジスト剥
離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分である１１＋２２／
Ｒ１４１−約６６／３４の共沸組成物又は旧＋２／ＲＩ
４１・約１７７８３の共沸組成物（共沸割合は重量％）
は、レジスト剥離力に優れ、プリント基板や半導体の材
質に悪影響の少ない優れた溶剤である。これら２種の共
沸組成物はそれぞれ単独で又はこれらの混合物として用
いることができる。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０
重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である。本
発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が存
在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。

炭化水素類としては炭素数１〜１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
゜３、３−　トリメチルペンタン、２．３．４−　トリ
メチルペンタン、２．２．３−　トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、２．２．５−　トリメチルヘキ
サン、デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテ
ン、１−ヘキセン、ｌ−オクテン、１−ノネン、Ｉ−デ
セン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサ
ン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、
ジペンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミル
ナフタレン等から選ばれるものである。より好ましくは
、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である
。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミルアルコ
ール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１
−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペ
ンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、ｌ−ヘキサノール、２−メチル−
１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２
−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−ヘ
プタツール、３−ヘプタツール、１−オクタノール、２
−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−
ノナノール、３．５．５−トリメチル−１−ヘキサノー
ル、１−デカノール、１−ウンデカノール、ｌ−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチル
シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、
３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキ
サノール、α−テルピネオール、アビニチノール、２．
６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ−
ＣＯ−Ｒ’　−ｒｌｒ−ＣＩ＋、−。

Ｃｏ−Ｒ”、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　（こ
こで％Ｒ，Ｒ″、Ｒ＃は炭素数１〜９の飽和又は不飽和
炭化水素基）のいずれかの−数式で示されるものが好ま
しく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン
、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−〇−ブチ
ルケトン、メチルブチルケトン、２−へブタノン、４−
ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン
、メシチルオキシド、ホロン、メチル−ｎ−アミルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シク
ロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、
２．４−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチョン等から選ばれるものである。

より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等である
。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、ｌ、　１．ｌｌ−ジクロルエタン、１，１．２
−トリクロルエタン、１，１，１．２−テトラクロルエ
タン、１，１，２．２−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、１、　Ｉ、　ｌ−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳香族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンセン、ジエチルベンゼン、第
２ブチルベンゼン、トリエチルベンセン、ジイソプロピ
ルベンセン、スチレン、アルキルベンゼンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンゼン、ｐ−シメン、シクロへキシルベンセン、
ペンチルベンゼン、ジペンチルベンセン、ドデシルベン
セン、ビフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等である
。

エステル類としては、次の一般式で示される■ ものが好ましく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ２，Ｒ１−Ｃ−Ｒ３
−Ｃｏｏ−Ｒ，。

！８゜ （ここでＲＩ、　Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ６，ＲｅはＩＩ
又は０１１又は炭素数１−１９の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ
ブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオク
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜８ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍｉｎ
ｅｒ　；ダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ Ｏ：良好に剥離できる　Δ：少量残存 ×：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１，１，２−トリクロロ−２，２−ジフルオロエ
   タン又はテトラクロロ−１，２−ジフルオロエタンの１
   種と１，２−ジクロロ−１−フルオロエタンとの共沸組
   成物を有効成分として含有するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。