JPH01134360A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、０−ジ
クロルベンヤン等の塩素系溶剤が使われている。

［９！明の解決しようとする問題点〕 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用用を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提０（すること
をｌ］的とするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロトリフルオロエタンを有効成分として含有する
レジスト剥離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分であるジクロロトリ
フルオロエタンは、不燃性でレジスト剥離力に優れ、プ
リント基板や半導体の材質に悪影響の少ない優れた溶剤
である。ジクロロトリフルオロエタンには！、１−ジク
ロロー２．２．２−トリフルオロエタン（以下Ｒ１２３
という）　、　１．２−ジクロロ−１，２，２−トリフ
ルオロエタン（以下ＲＩ２３ａという）、１．１−ジク
ロロ−１，２，２−トリフルオロエタン（以下ＲＩ２３
ｂという）の３種類の異性体が知られているが、これら
を単独であるいはこれら２種以」二の混合物として用い
ることができる。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含イ了させることができる。例えば、レ
ジスト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
ル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有さ
せることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤
中の含有割合は、０〜５０ｆｌｉｉｉ％、好ましくは１
０〜４０重量％、さらに好ましくは２０〜３０ｊｎ　Ｅ
１１％である。ジクロロトリフルオロエタンと有機溶剤
との混合物に共沸組成が存在する場合には、その共沸組
成での使用が好ましい。

炭化水素類としては炭素数１〜１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン％ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン％３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルベンクン、２
゜３、３−　）ジメチルペンタン、２．３．４−トリメ
チルペンタン、２．２．３−　トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、　２，２．５−トリメチルヘキサ
ン、デカン、ドデンカン、１−ペンテン、２−ペンテン
、１−ヘキセン、１−オクテン、ｌ−ノネン、ドデセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ
−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数ｌ〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ＬｅｒＬ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、　５ｅｃ−アミルアル
コール。

１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１−ブタ
ノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒＬ−ペンデル
アルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチ
ルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペ
ンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチ
ル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−ヘプタツ
ール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、２−オク
タツール、２−エチル−１−ヘキサノール、！−ノナノ
ール、　３，５．５−１−ツメチル−１−ヘキサノール
、１〜デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノ
ール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベ
ンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチルシ
クロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３
−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサ
ノール、ａ−テルピネオール、アビニチノール、２．６
−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルアル
コール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアルコ
ール等から選ばれるものである。より好ましくはメタノ
ール、エタノール。

イソプロピルアルコール等である。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　、　Ｒ−Ｃ口、　
Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　−「コ　　７′Ｃｌｌ１　］ ＣＤ−Ｒ“、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　（こ
こで、　Ｒ，Ｒ′、Ｒ“は炭素数１〜９の飽和又は不飽
和炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−ｎ−ブ
チルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、４
−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセト
ン、メジデルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミルケ
トン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン
、２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、ア
セトフェノン、フェンチジン等から選ばれるものである
。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等であ
る。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン％１．２−ジクロロ
エタン、１．１．　ｉ　トリクロルエタン、！、１．２
−トリクロルエタン、１．１．１．２−テトラクロルエ
タン、１．１，２．２−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、１、　Ｉ、　Ｉ−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳呑族類としては、ベンヤン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンセン、第
２ブチルベンゼン、トリエチルベンセン、ジイソプロピ
ルベンセン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、デトラリン、ブ
チルベンセン、ｐ−シメン、シクロへキシルベンセン、
ペンチルベンセン、ジベンチルベンセン、ドデシルベン
ゼン、ビフェニル、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンセンスルホン酸、フェノール等である
。

エステル類としては１次の一般式で示されるＲ、１ Ｃ０ＯＲ。

（ここでＲ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒｓ、Ｒ，はＩＩ又
は旧１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を
有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンデル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ａＣ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
デート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル。

酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソペンチル、イソ酪酸
イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸
エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、
安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、
安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息香酸ベン
ジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸エチル、アジ
ピン酸ビス−２−エチルヘキシル、γ−ブチロラクト、
シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジベン
チル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、マレイ
ン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、
クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸
ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジメチル、フタル
酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビス−２−エ
チルヘキシル、フタル酸ジオクチル笠から選ばれるもの
ある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エチル等である
。

本発明により剥離し得るレジストとしては。

何ら限定されず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジス
ト、遠紫外露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジスト
を挙げることができる。光露光用レジストの材質にはフ
ェノール及びタレゾールノボラック樹脂をベースにした
キノンジアジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主
成分とする環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫
外用レジストにはポリメチルメタアクリレート、ポリメ
チルイソプロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジ
ストにはポリメタフルル酸メチル１．メタクリル酸グリ
シジル−アクリル酸エチル共ｆＱ合体、メタアクリル酸
メチル−メタクリル酸共１ｎ合体簀が知られているが、
本発明のレジスト剥離剤はいずれにもイ■効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず１通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜９ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ　；ダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エッヂング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重臣％］ Ｏ：良好に剥離できる　Δ：少量残存 ×：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ジクロロトリフルオロエタンを有効成分として含
   有するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。