JPH01132694A - フラツクス洗剤 - Google Patents

フラツクス洗剤

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JPH01132694A
JPH01132694A JP29056787A JP29056787A JPH01132694A JP H01132694 A JPH01132694 A JP H01132694A JP 29056787 A JP29056787 A JP 29056787A JP 29056787 A JP29056787 A JP 29056787A JP H01132694 A JPH01132694 A JP H01132694A
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JP
Japan
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alcohol
flux
cleaning agent
methyl
flux cleaning
Prior art date
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Pending
Application number
JP29056787A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Asano
浅野 昭雄
Kazuki Jinushi
地主 一樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Publication of JPH01132694A publication Critical patent/JPH01132694A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はIC部品、精密機械部品等に何首したフラック
スを除去するために用いるフラックス洗浄剤に関するも
のである。
[従来の技術] IC部品、精密機械部品等の組立て工程でフラックスが
使われるが、これらが何首したままでは、製品とはなら
ない場合が多い。従って、通常このような部品の仕上げ
工程では有機溶剤を用いて洗浄を行なっている。その有
機溶剤として次に掲げるような種々の利点から1.1.
2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン(以
下R1)3という)が広く使われている。R1)3は不
燃性、非曝性で毒性が低く、安定性も優れている。しか
も、金属、プラスチック、エラストマー等の基材を侵さ
ず、各種の汚れを選択的に溶解する性質がある。一般に
フラックス洗浄をする場合の被洗物は金属、プラスチッ
ク、エラストマー等から成る複合部品が多く従ってこの
点からも旧13が有利であった。
[発明の解決しようとする問題点] 本発明は従来使用されていたR1)3が種々の利点を持
つにもかかわらず、成層圏のオゾンを破壊し、ひいては
皮膚ガンの発生をひき起す原因となる疑いがあることか
らそれに対応すべくR1)3と同様な種々の利点を有し
、同等の洗浄が行なえる新規のフラックス洗浄剤を提供
することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
1.2−ジフルオロエタンを有効成分として含有するフ
ラックス洗浄剤を提供するものである。
本発明のフラックス洗浄剤の有効成分である1、2−ジ
フルオロエタン(以下RI52という)は、適度な溶解
力がある等、従来のR1)3と同様な利点を有する優れ
た溶剤である。
本発明のフラックス洗浄剤には、各種の目的に応じてそ
の他の各種成分を含有させることができる。例えば、溶
解力を高めるためには、炭化水素類、アルコール類、ケ
トン類又は塩素化炭化水素類等の有機溶剤から選ばれる
少なくとも1種を含有させることができる。これらの有
機溶剤のフラックス洗浄剤中の含有割合は、0〜50重
毒%、好ましくは10〜40重量%、さらに好ましくは
20〜30重量%である。1.2−ジフルオロエタンと
有機溶剤との混合物に共沸組成が存在する場合には、そ
の共沸組成での使用が好ましい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルペンタン、3−メチルペンタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルベンクン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、2.3.4− トリ
メチルペンタン、2.2.3− トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、2.2.5−トリメデルヘキサ
ン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン
、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセ
ン、シクロベンクン、メチルシクロペンクン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン
、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジ
ペンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナ
フタレン等から選ばれるものである。より好ましくは、
n −ペン’?ン、n−ヘキサン、n−へブタン等であ
る。
アルコール類としては、炭素数I〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ter L−ブチル
アルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアル
コール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−
1−ブタノール、イソペンチルアルコール、Lert−
ペンデルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、l−ヘキサノール、2−メチル
−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、
2−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2−
ヘプタツール、3−ヘプタツール、l−オクタノール、
2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、l
−ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノ
ール、I−デカノール、1−ウンデカノール、1−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチ
ルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール
、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、2
.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。
ケトン類としては、R−CO−R’ 、 R−Co、 
R−Co−R’ −、r−C1),。
C0−R“、R−CD−R’、 R−CO−R’ (こ
こで、R,i+’、R”は炭素数1〜9の飽和又は不飽
和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノ
ン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−ロープ
チルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、4
−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセト
ン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミルケ
トン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン
、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、ア
セトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものである
。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等であ
る。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、l、、1.!トリクロルエタン、1,1.2−
トリクロルエタン、1.1.l、2−テトラクロルエタ
ン、1.1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン。
!、 I、 l−トリクロルエタン、トリクロルエチレ
ン、テトラクロルエチレン等である。
本発明のフラックス洗浄剤には、各種の洗浄助剤や安定
剤あるいはオゾン破壊に対する影響の少ない水素含有塩
素化フッ素化炭化水素類をさらに添加混合してもよい。
洗浄方法としては、手拭き、浸漬、スプレー、揺動、超
音波洗汀−1蒸気洗浄等通常の方法を採用することがで
きる。
[実施例] 実施例1〜5 下記第1表に示すフラックス洗浄剤を用いてフラックス
の洗浄試験を行なった。
プリント基板(銅張積層板)全面にフラックス(タムラ
F−AI−4.■タムラ製作所製)を塗布し、200℃
の電気炉で2分間焼成後フラックス洗浄剤に1分間浸漬
した。フラックスの除去の度合を第1表に示す。
第1′表 ()内は混合比[重量%] O:良好に除去できる △:少量残存 ×:かなり残存 [発明の効果] 本発明のフラックス洗浄剤は実施例から明らかなように
フラックスの洗浄効果の優れたものである。又、従来使
用されていた旧13と同様に適度な溶解力を持つことか
ら、金属、プラスデック及びエラストマー等から成る複
合部品に悪影響を与えることなく、フラックス洗浄する
ことができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1,2−ジフルオロエタンを有効成分として含有
    するフラックス洗浄剤。
  2. (2)フラックス洗浄剤中には、炭化水素類、アルコー
    ル類、ケトン類又は塩素化炭化水素類から選ばれる少な
    くとも1種が含まれている特許請求の範囲第1項記載の
    フラックス洗浄剤。
JP29056787A 1987-11-19 1987-11-19 フラツクス洗剤 Pending JPH01132694A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7648651B2 (en) 2005-06-09 2010-01-19 Adeka Corporation Solvent composition

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