JPH01192104A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPH01192104A JPH01192104A JP63015819A JP1581988A JPH01192104A JP H01192104 A JPH01192104 A JP H01192104A JP 63015819 A JP63015819 A JP 63015819A JP 1581988 A JP1581988 A JP 1581988A JP H01192104 A JPH01192104 A JP H01192104A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体の製
造方法に関し、特に寿命特性が優れ且つサージ耐量が優
れた電圧非直線抵抗体の製造方法に関するものである。
造方法に関し、特に寿命特性が優れ且つサージ耐量が優
れた電圧非直線抵抗体の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来から、酸化亜鉛を主成分とし酸化ビスマス、酸化ア
ンチモン、酸化ケイ素、酸化コバルト、酸化マンガン等
の少量の添加物を含有した抵抗体は、優れた電圧非直線
性を示すことが広く知られており、その性質を利用して
避雷器等に使用されている。
ンチモン、酸化ケイ素、酸化コバルト、酸化マンガン等
の少量の添加物を含有した抵抗体は、優れた電圧非直線
性を示すことが広く知られており、その性質を利用して
避雷器等に使用されている。
特に避雷器として使用した場合、落雷により過大な電流
が流れても、その電流を通常は絶縁体であり所定電圧よ
りも過大な電圧が印加されると導体となる電圧非直線抵
抗体により接地するため、落雷による事故を防止するこ
とができる。
が流れても、その電流を通常は絶縁体であり所定電圧よ
りも過大な電圧が印加されると導体となる電圧非直線抵
抗体により接地するため、落雷による事故を防止するこ
とができる。
かような電圧非直線抵抗体は、具体的には上述した成分
よりなる混合物を所望の形状に加圧成形した後焼成し、
得られた焼結体に電極付けをして得られるが、その際課
電寿命を向上させるため得られた焼結体に対し再加熱処
理を行なうと効果のあることが知られていた。その理由
は、再加熱処理により体心立方晶系の酸化ビスマスの結
晶相である１−ＢｉｚＯ＋の量が増大し、０２イオンの
移動を阻止するとともに、粒界層に存在する０□イオン
を安定化し外部への散逸を防止するためと考えられてい
る。
よりなる混合物を所望の形状に加圧成形した後焼成し、
得られた焼結体に電極付けをして得られるが、その際課
電寿命を向上させるため得られた焼結体に対し再加熱処
理を行なうと効果のあることが知られていた。その理由
は、再加熱処理により体心立方晶系の酸化ビスマスの結
晶相である１−ＢｉｚＯ＋の量が増大し、０２イオンの
移動を阻止するとともに、粒界層に存在する０□イオン
を安定化し外部への散逸を防止するためと考えられてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した焼結体への再加熱処理はγ−Ｂ
ｉ、０３の生成により課電寿命の向上には効果があるも
のの、その他の特性の劣化すなわち電圧非直線性が低下
し、サージ耐量も低下し、さらに課電寿命のバラツキが
大きくなる問題があった。
ｉ、０３の生成により課電寿命の向上には効果があるも
のの、その他の特性の劣化すなわち電圧非直線性が低下
し、サージ耐量も低下し、さらに課電寿命のバラツキが
大きくなる問題があった。
本発明の目的は上述した課題を解決し、課電寿命が向上
するとともに、課電寿命のバラツキが少なく、電圧非直
線性およびサージ耐量が向上した電圧非直線抵抗体の製
造方法を提供しようとするものである。
するとともに、課電寿命のバラツキが少なく、電圧非直
線性およびサージ耐量が向上した電圧非直線抵抗体の製
造方法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の電圧非直線抵抗体の製造方法は、酸化亜鉛を主
゛成分とする原料粉末に酸化ビスマス、酸化ケイ素、ホ
ウ素化合物および銀化合物等の添加物を添加混合後、造
粒、成形、焼成して焼結体を得、その焼結体を再加熱熱
処理する電圧非直線抵抗体の製造方法において、 体心立方晶系酸化ビスマスの結晶相が以下の関係を満た
すことを特徴とするものである；ここで、Ａ：再加熱処
理後の素子中の体心立方晶系酸化ビスマスの結晶相量（
ｗｔ％）、Ｂ：焼成後の焼成体中の体心立方晶系酸化ビ
スマスの結晶相量（ｗｔ％）。
゛成分とする原料粉末に酸化ビスマス、酸化ケイ素、ホ
ウ素化合物および銀化合物等の添加物を添加混合後、造
粒、成形、焼成して焼結体を得、その焼結体を再加熱熱
処理する電圧非直線抵抗体の製造方法において、 体心立方晶系酸化ビスマスの結晶相が以下の関係を満た
すことを特徴とするものである；ここで、Ａ：再加熱処
理後の素子中の体心立方晶系酸化ビスマスの結晶相量（
ｗｔ％）、Ｂ：焼成後の焼成体中の体心立方晶系酸化ビ
スマスの結晶相量（ｗｔ％）。
（作 用）
上述した構成において、再加熱処理時の体心立方晶系酸
化ビスマスすなわちγ−ＢｉｚＯ，の増加を３０％以下
好ましくは２０％以下にすることにより、Ｉ Ｂｉｇ
Ｏｚの相転位に起因する電圧非直線性の低下、サージ耐
量の低下を防止でき、さらに課電寿命のバラツキを少な
くすることができる。すなわち、再加熱処理による酸化
ビスマスの増加量を３０％以下と限定したのは、３０％
を越えるとα−Ｂｉ２０３、β−Ｂｉｇ（ｈに比べて体
積の大きい１−ＢｉｇＯｚへの相変化が大きくなりすぎ
て素子内部に歪が発生し、各種特性の劣化が生じるため
であると考えられる。
化ビスマスすなわちγ−ＢｉｚＯ，の増加を３０％以下
好ましくは２０％以下にすることにより、Ｉ Ｂｉｇ
Ｏｚの相転位に起因する電圧非直線性の低下、サージ耐
量の低下を防止でき、さらに課電寿命のバラツキを少な
くすることができる。すなわち、再加熱処理による酸化
ビスマスの増加量を３０％以下と限定したのは、３０％
を越えるとα−Ｂｉ２０３、β−Ｂｉｇ（ｈに比べて体
積の大きい１−ＢｉｇＯｚへの相変化が大きくなりすぎ
て素子内部に歪が発生し、各種特性の劣化が生じるため
であると考えられる。
また、添加剤としての酸化ビスマスはＢｉｇＯｚとして
０．１〜２ＩＩｔｏ１％、より好ましくは０．５〜１．
Ｏｎ＋ｏ１％、酸化ケイ素はＳｉｎｇとして１．０〜１
０ ｍｏ１％、より好ましくは１．０〜８．０ ｍｏ１
％、ホウ素化合物はＢｚ（ｈとして０．００５〜Ｑ、ｌ
ｍｏ１％、より好ましくは０．０１〜０．０５ ａ＋
ｏ１％、銀化合物はＡｇｚＯとして０．００１〜０．０
５ ｍｏ１％、より好ましくは０．００２〜０．０２ｍ
ｏ１％であると、本焼により７−Ｂｉ２Ｏ３相が適量生
成するとともに再加熱処理時の７−ＢｉｇＯｚへの相変
化を抑制できるため好ましい。
０．１〜２ＩＩｔｏ１％、より好ましくは０．５〜１．
Ｏｎ＋ｏ１％、酸化ケイ素はＳｉｎｇとして１．０〜１
０ ｍｏ１％、より好ましくは１．０〜８．０ ｍｏ１
％、ホウ素化合物はＢｚ（ｈとして０．００５〜Ｑ、ｌ
ｍｏ１％、より好ましくは０．０１〜０．０５ ａ＋
ｏ１％、銀化合物はＡｇｚＯとして０．００１〜０．０
５ ｍｏ１％、より好ましくは０．００２〜０．０２ｍ
ｏ１％であると、本焼により７−Ｂｉ２Ｏ３相が適量生
成するとともに再加熱処理時の７−ＢｉｇＯｚへの相変
化を抑制できるため好ましい。
さらに、再加熱処理した素子において、酸化ビスマスの
７０ｗｔ％以下が体心立方晶系酸化ビスマスであると、
雷サージ耐量及び開閉サージ耐量が良好のため好ましい
。
７０ｗｔ％以下が体心立方晶系酸化ビスマスであると、
雷サージ耐量及び開閉サージ耐量が良好のため好ましい
。
（実施例）
酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得るには、
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に
調整した酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、
酸化アンチモン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケ
ル等よりなる添加物の所定量を混合する。この際、これ
らの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコール水
溶液等を加え、好ましくはデイスパーミルにより混合し
た後、好ましくはスプレードライヤにより造粒して造粒
物を得る。造粒後、成形圧力８００〜１０００ｋｇ／ｃ
＋ａ”の下で所定の形状に成形する。本発明ではこの成
形を金型成形またはラバープレス成形により奥方ｉ昇降
圧速度および成形圧力をコントロールしている。その後
得られた成形体を昇降温速度５０〜７０℃／ｈｒで８０
０〜１０００℃保持時間１〜５時間という条件で仮−成
して結合剤を飛散除去する。
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に
調整した酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、
酸化アンチモン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケ
ル等よりなる添加物の所定量を混合する。この際、これ
らの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコール水
溶液等を加え、好ましくはデイスパーミルにより混合し
た後、好ましくはスプレードライヤにより造粒して造粒
物を得る。造粒後、成形圧力８００〜１０００ｋｇ／ｃ
＋ａ”の下で所定の形状に成形する。本発明ではこの成
形を金型成形またはラバープレス成形により奥方ｉ昇降
圧速度および成形圧力をコントロールしている。その後
得られた成形体を昇降温速度５０〜７０℃／ｈｒで８０
０〜１０００℃保持時間１〜５時間という条件で仮−成
して結合剤を飛散除去する。
次に、仮焼成した仮焼体の側面に絶縁被覆層を形成する
。本発明ではＢｉ２Ｏ２，Ｓｂ２Ｏ２，ＳｉＯ□等の所
定量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカル
ピトール、酢酸ｎブチル等を加えた酸化物ペーストを、
６０〜３００μｍの厚さに仮焼体の側面に塗布する。次
に、これを昇温速度３０〜６０°Ｃ１降温速度１０〜２
５０°Ｃ／ｈｒ、 １０００〜１３００°Ｃ１好ましく
は１１００〜１２５０°Ｃ，３〜７時間という条件で本
焼成する。
。本発明ではＢｉ２Ｏ２，Ｓｂ２Ｏ２，ＳｉＯ□等の所
定量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカル
ピトール、酢酸ｎブチル等を加えた酸化物ペーストを、
６０〜３００μｍの厚さに仮焼体の側面に塗布する。次
に、これを昇温速度３０〜６０°Ｃ１降温速度１０〜２
５０°Ｃ／ｈｒ、 １０００〜１３００°Ｃ１好ましく
は１１００〜１２５０°Ｃ，３〜７時間という条件で本
焼成する。
その後、本焼成後の焼結体に対し、課電寿命向上のため
昇降温速度４０〜２００°Ｃ／ｈｒで４００〜１０００
°Ｃの所定温度で１〜５時間保持して再加熱処理を行な
うが、この際７−Ｂｉ２Ｏ３への相変化量を３０％以下
とする必要がある。
昇降温速度４０〜２００°Ｃ／ｈｒで４００〜１０００
°Ｃの所定温度で１〜５時間保持して再加熱処理を行な
うが、この際７−Ｂｉ２Ｏ３への相変化量を３０％以下
とする必要がある。
なお、本焼成後ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセ
ルロース、ブチルカルピトール、＆酸ｎブチル等を加え
たガラスペーストを絶縁被覆層上に１００〜３００μｍ
の厚さに塗布したのち、空気中で昇降温速度４０〜２０
０°Ｃ／ ｈｒ、 ４００〜１０００°Ｃで保持時間
１〜５時間という条件で熱処理することによりガラス層
を形成する工程を再加熱処理とすることもできる。
ルロース、ブチルカルピトール、＆酸ｎブチル等を加え
たガラスペーストを絶縁被覆層上に１００〜３００μｍ
の厚さに塗布したのち、空気中で昇降温速度４０〜２０
０°Ｃ／ ｈｒ、 ４００〜１０００°Ｃで保持時間
１〜５時間という条件で熱処理することによりガラス層
を形成する工程を再加熱処理とすることもできる。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面をＳｔＣ，
Ａ １２０３１ ダイヤモンド等の＃４００〜２０００
相当の研磨剤により水、好ましくは油を研磨液に使用し
て研磨する。
Ａ １２０３１ ダイヤモンド等の＃４００〜２０００
相当の研磨剤により水、好ましくは油を研磨液に使用し
て研磨する。
次に、研磨面を洗浄後、研磨した両端面のほぼ全面に例
えばアルミニウムメタリコン等によってアルミニウム電
極を設けるかあるいは銀ペーストにより銀電極を設けて
電圧非直線抵抗体を得る。
えばアルミニウムメタリコン等によってアルミニウム電
極を設けるかあるいは銀ペーストにより銀電極を設けて
電圧非直線抵抗体を得る。
以下、実際に本発明範囲内および範囲外の電圧非直線抵
抗体に対して特性を測定した結果について説明する。
抗体に対して特性を測定した結果について説明する。
裏立皿土
Ｚｎ０９８〜９０ ｍｏ１％、 Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏ、０
３． Ｍｎ０ｚ、 Ｓｂ、０．。
３． Ｍｎ０ｚ、 Ｓｂ、０．。
Ｃｒｚ０３＋ ＮｉＯを各々０．１〜２ｍｏ１％、５ｉ
Ｏｚ １〜３ ｍｏ１％、 Ａｌ１ （ＮＯ３）３
・ ９ Ｈ２Ｏ０，００１〜０．０１ ｍｏ１％、
１艮を含むホウケイ酸ビスマスガラス０．０１〜０．
５ ｗｔ％（非直線抵抗体としてはＢ、０．とじて０．
００５〜０．１ｍｏ１％およびＡｇ２Ｏとして０．００
１〜０．０５ ｍｏ１％含有することになる）の組成か
らなる原料を粉砕・混合・成形・仮焼成・絶縁被覆層塗
布後、４０°Ｃ／ｈｒの速度で昇温しで１１５０〜１２
５０″Ｃ，５ｈｒの条件で本焼し、１０〜２５０°Ｃ／
ｈｒの種々の速度で降温して焼結体を得た。得られた焼
結体に対して、昇温速度１００°Ｃ／ｈｒ、４００〜１
０００°Ｃの所定温度に１〜５ｈｒの所定時間保持後１
００°Ｃ／ｈｒの速度で降温するという条件で熱処理を
行ない、γ−Ｂｉｚ０３°の転換率を種々換えた直径４
７ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、バリスタ電圧■Ｉ、、Ａ＝１９
０〜２５０■／ｍｍの本発明例および比較例の電圧非直
線抵抗体を準備した。準備した電圧非直線抵抗体に対し
て、電圧非直線指数、雷サージ耐量破壊率、開閉サージ
耐量破壊率、雷サージ印加後のＶ１ｍＡ低下率、漏洩電
流の比を調べた。
Ｏｚ １〜３ ｍｏ１％、 Ａｌ１ （ＮＯ３）３
・ ９ Ｈ２Ｏ０，００１〜０．０１ ｍｏ１％、
１艮を含むホウケイ酸ビスマスガラス０．０１〜０．
５ ｗｔ％（非直線抵抗体としてはＢ、０．とじて０．
００５〜０．１ｍｏ１％およびＡｇ２Ｏとして０．００
１〜０．０５ ｍｏ１％含有することになる）の組成か
らなる原料を粉砕・混合・成形・仮焼成・絶縁被覆層塗
布後、４０°Ｃ／ｈｒの速度で昇温しで１１５０〜１２
５０″Ｃ，５ｈｒの条件で本焼し、１０〜２５０°Ｃ／
ｈｒの種々の速度で降温して焼結体を得た。得られた焼
結体に対して、昇温速度１００°Ｃ／ｈｒ、４００〜１
０００°Ｃの所定温度に１〜５ｈｒの所定時間保持後１
００°Ｃ／ｈｒの速度で降温するという条件で熱処理を
行ない、γ−Ｂｉｚ０３°の転換率を種々換えた直径４
７ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、バリスタ電圧■Ｉ、、Ａ＝１９
０〜２５０■／ｍｍの本発明例および比較例の電圧非直
線抵抗体を準備した。準備した電圧非直線抵抗体に対し
て、電圧非直線指数、雷サージ耐量破壊率、開閉サージ
耐量破壊率、雷サージ印加後のＶ１ｍＡ低下率、漏洩電
流の比を調べた。
ここで、電圧非直線指数αはＩ＝ｋＶ （ｒ：電流、
■：電圧、ｋ：比例定数）に基づいてＶＩｍＡと■１゜
。μヶとの比から求め、雷サージ耐量破壊率（％）は１
００ｋＡ、１２０にへの電流を４７１０μｓの電流波形
で２回繰返し印加した後に素子が破壊した割合として求
め、開閉サージ耐量破壊率（％）は１０００Ａ、 １２
００Ａの電流を２ｍｓの電流波形で繰り返。
■：電圧、ｋ：比例定数）に基づいてＶＩｍＡと■１゜
。μヶとの比から求め、雷サージ耐量破壊率（％）は１
００ｋＡ、１２０にへの電流を４７１０μｓの電流波形
で２回繰返し印加した後に素子が破壊した割合として求
め、開閉サージ耐量破壊率（％）は１０００Ａ、 １２
００Ａの電流を２ｍｓの電流波形で繰り返。
し印加した後に素子が破壊した割合とした。また、雷サ
ージ印加後のΔＶＩｆｆｉＡの低下率（％）は、４０に
への電流を４７１０μｓの電流波形で１０回印加した後
の低下率として測定し、漏洩電流の比は素子を周囲温度
１５０°Ｃ１課電率９５％で課電し、課電直後に対する
課電１００時間後の電流比１１゜。時間／１０時間から
求めた。結果を第１表に示す。なお第１表において、Ａ
は再加熱処理後の素子中の体心立方晶系酸化ビスマスの
結晶相量（ｗｔ％）を、Ｂは焼成後の焼成体中の体心立
方晶系酸化ビスマスの結晶相量（ｗｔ％）を示している
。
ージ印加後のΔＶＩｆｆｉＡの低下率（％）は、４０に
への電流を４７１０μｓの電流波形で１０回印加した後
の低下率として測定し、漏洩電流の比は素子を周囲温度
１５０°Ｃ１課電率９５％で課電し、課電直後に対する
課電１００時間後の電流比１１゜。時間／１０時間から
求めた。結果を第１表に示す。なお第１表において、Ａ
は再加熱処理後の素子中の体心立方晶系酸化ビスマスの
結晶相量（ｗｔ％）を、Ｂは焼成後の焼成体中の体心立
方晶系酸化ビスマスの結晶相量（ｗｔ％）を示している
。
第１表の結果から、本発明範囲内の（（Ａ −８） ／
Ａ） Ｘ １００≦３０を満たす試料阻１〜９は、比較
例試料Ｎａ １〜３と比べて各種特性が良好であること
がわかる。
Ａ） Ｘ １００≦３０を満たす試料阻１〜９は、比較
例試料Ｎａ １〜３と比べて各種特性が良好であること
がわかる。
裏立医ｌ
銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスの代わりにホう酸お
よび硝酸銀を添加した原料を実施例１と同様の条件によ
り焼成、再加熱した直径４１ｔｓｔｓ、厚さ２０ＩＩＩ
１１の電圧非直線抵抗体に対し、実施例１と同様に電圧
非直線指数、雷サージ耐量破壊率、開閉サージ耐量破壊
率、雷サージ印加後のＶｉｓ＆低下率、漏洩電流の比を
求めた。結果を第２表に示す。
よび硝酸銀を添加した原料を実施例１と同様の条件によ
り焼成、再加熱した直径４１ｔｓｔｓ、厚さ２０ＩＩＩ
１１の電圧非直線抵抗体に対し、実施例１と同様に電圧
非直線指数、雷サージ耐量破壊率、開閉サージ耐量破壊
率、雷サージ印加後のＶｉｓ＆低下率、漏洩電流の比を
求めた。結果を第２表に示す。
第２表の結果からも、本発明範囲内の（（Ａ −Ｂ）／
Ａ） Ｘ １００≦３０を満たす試料Ｎα１〜７は、比
較例試料Ｎｏ、 １〜３と比べて各種特性が良好である
ことがわかる。
Ａ） Ｘ １００≦３０を満たす試料Ｎα１〜７は、比
較例試料Ｎｏ、 １〜３と比べて各種特性が良好である
ことがわかる。
裏血桝主
ＳｉＯ□を７〜１０ ｍｏ１％とした以外は実施例１と
同様の組成の原料を、本焼温度を１０００〜１１５０″
Ｃとした以外は実施例１と同様の条件により焼成、再加
熱した直径４７ｍｒａ、厚さ２０ｍｍ、バリスタ電圧Ｖ
ｌ＋ａＡ＝４００〜５００ Ｖ／ｍｍの電圧非直線抵
抗体に対し、実施例１と同様に電圧非直線指数、雷サー
ジ耐量破壊率、開閉サージ耐量破壊率、雷サージ印加後
のＶｌｆｆｉＡ低下率、漏洩電流の比を求めた。結果を
第３表に示す。
同様の組成の原料を、本焼温度を１０００〜１１５０″
Ｃとした以外は実施例１と同様の条件により焼成、再加
熱した直径４７ｍｒａ、厚さ２０ｍｍ、バリスタ電圧Ｖ
ｌ＋ａＡ＝４００〜５００ Ｖ／ｍｍの電圧非直線抵
抗体に対し、実施例１と同様に電圧非直線指数、雷サー
ジ耐量破壊率、開閉サージ耐量破壊率、雷サージ印加後
のＶｌｆｆｉＡ低下率、漏洩電流の比を求めた。結果を
第３表に示す。
第３表の結果から、バリスタ電圧の異なる電圧非直線抵
抗体においても、本発明範囲内の（（Ａ−Ｂ）／Ａ）
Ｘ １００≦３０を満たす試料Ｎα１〜８は、比較例１
〜３と比べて各種特性が良好であることがわかる。
抗体においても、本発明範囲内の（（Ａ−Ｂ）／Ａ）
Ｘ １００≦３０を満たす試料Ｎα１〜８は、比較例１
〜３と比べて各種特性が良好であることがわかる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
の電圧非直線抵抗体によれば、焼成後の再加熱処理にお
けるγ−ＢｉｚＯ＋への転換率を３０％以下にすること
により、電圧非直線性の低下、サージ耐量の低下を防止
できるとともに、課電寿命のバラツキを少なくすること
ができる。
の電圧非直線抵抗体によれば、焼成後の再加熱処理にお
けるγ−ＢｉｚＯ＋への転換率を３０％以下にすること
により、電圧非直線性の低下、サージ耐量の低下を防止
できるとともに、課電寿命のバラツキを少なくすること
ができる。
手続補正書
平成元年 ２月２８日
特許庁長官 吉 １） 文 毅 殿１、事件
の表示 昭和６３年特許願第１５８１９号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 １、明細書第６頁第７〜８行の「酸化ニッケル等よりな
る添加物の所定量を混合する。」を「酸化ニッケル、ホ
ウ素化合物、銀化合物等よりなる添加物の所定量を混合
する。ホウ素化合物、銀化合物としては酸化ホウ素、酸
化銀が好ましい ゛が、ホウ酸硝酸銀を用いてもよ
い。より好ましくは銀を含むホウケイ酸ビスマスガラス
を用いる。」と訂正する。
の表示 昭和６３年特許願第１５８１９号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 １、明細書第６頁第７〜８行の「酸化ニッケル等よりな
る添加物の所定量を混合する。」を「酸化ニッケル、ホ
ウ素化合物、銀化合物等よりなる添加物の所定量を混合
する。ホウ素化合物、銀化合物としては酸化ホウ素、酸
化銀が好ましい ゛が、ホウ酸硝酸銀を用いてもよ
い。より好ましくは銀を含むホウケイ酸ビスマスガラス
を用いる。」と訂正する。
２、同第６頁第９〜１０行の「水溶液等を加え、Ｊを水
溶液および酸化アルミニウム源として硝酸アルミニウム
溶液等の所定量を加え、」と訂正する。
溶液および酸化アルミニウム源として硝酸アルミニウム
溶液等の所定量を加え、」と訂正する。
３、同第８頁第６行の［メタリコンＪを削除する。
４、同第８頁第７行の「アルミニウム」を削除する。
５、同第９頁第１３行のｒｌ＝ＫＶ、をｒ［＝ＫＶα」
と訂正する。
と訂正する。
Claims (1)
- １．酸化亜鉛を主成分とする原料粉末に酸化ビスマス、
酸化ケイ素、ホウ素化合物および銀化合物等の添加物を
添加混合後、造粒、成形、焼成して焼結体を得、その焼
結体を再加熱処理する電圧非直線抵抗体の製造方法にお
いて、体心立方晶系酸化ビスマスの結晶相が以下の関係
を満たすことを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法
； （Ａ−Ｂ）／Ａ×１００≦３０ ここで、Ａ：再加熱処理後の素子中の体心立方晶系酸化
ビスマスの結晶相量（ｗｔ％）、 Ｂ：焼成後の焼成体中の体心立方晶系酸化ビスマスの結
晶相量（ｗｔ％）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015819A JP2533597B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015819A JP2533597B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192104A true JPH01192104A (ja) | 1989-08-02 |
| JP2533597B2 JP2533597B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=11899458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015819A Expired - Lifetime JP2533597B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533597B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115502A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing nonnlinear resistor |
| JPS59117201A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 株式会社東芝 | 電圧電流非直線抵抗体 |
| JPS604202A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形避雷器素子 |
| JPS60176201A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形避雷器素子 |
| JPS62268102A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | マルコン電子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015819A patent/JP2533597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115502A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing nonnlinear resistor |
| JPS59117201A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 株式会社東芝 | 電圧電流非直線抵抗体 |
| JPS604202A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形避雷器素子 |
| JPS60176201A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形避雷器素子 |
| JPS62268102A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | マルコン電子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2533597B2 (ja) | 1996-09-11 |
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